试过程互不影响，而且，随着AMOLED显示基板的分辨率的提高，可以通过增加隔离电路中的薄膜晶体管的数量，并将所有薄膜晶体管的相应端口共同连接即可，并不会增加走线的数量和宽度，因而可以有效提升有机发光二极管显示基板的空间利用率，降低大板点亮测试走线电阻，减少信号发生器(PG)的使用数量，提高稳定性，满足高分辨率的发展趋势。
【附图说明】
[0020]图1是本发明提供的有机发光二极管显示基板中的一个实施例的结构示意图。
[0021]图2是本发明图1实施例提供的显示片屏的内部结构示意图。
[0022]图3是本发明提供的有机发光二极管显示基板中的又一个实施例的结构示意图。
[0023]图4是本发明提供的隔离电路的一个实施例的电路原理图。
[0024]图5是本发明提供的隔离电路的又一个实施例的电路原理图。
【具体实施方式】
[0025]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0026]本发明实施例提供的一种有机发光二极管显示基板包括至少一个显示片屏(又称为单片显示板或小片屏)。
[0027]参见图1，是本发明提供的有机发光二极管显示基板中的一个实施例的结构示意图。参见图2，是本发明图1实施例提供的显示片屏的内部结构示意图。
[0028]在本实施例中，所述有机发光二极管显示基板包括至少一个显示片屏(panel)。其中，以其中一个显示片屏10为例。显示片屏10上设有有机发光二极管显示基板的检测电路101，以及，有效显示区域102和TFT阵列底板103。
[0029]所述检测电路101中的大板点亮检测电路1011与所述有效显示区域102连接，用于测试所述有效显示区域102是否正常工作；检测电路101中包括多个隔离电路。具体地，所述检测电路101中的隔离电路包括第一隔离电路11和第二隔离电路12。所述隔离电路连接在阵列测试电路与大板点亮检测电路1011之间；大板点亮检测电路1011与基板上所有单片显示板连接，用于检测单片显示板上的有效显示区域是否正常工作，通过同时点亮基板上所有单片显示板，检测单片显示板颜色显示的均匀性，以判断0LED蒸镀的均匀性。
[0030]如图2所示，所述第一隔离电路11和所述第二隔离电路12分别连接在检测电路101中的阵列测试电路1012两侧，并且所述第一隔离电路11与所第二隔离电路12结构相同，并分别通过各自的多个开关信号端与所述阵列测试电路1012连接；所述第一隔离电路11的控制信号端Ctrll和所述第二隔离电路12的控制信号端Ctrl2共同连接，用于通过接入外部控制信号，同步控制隔离电路中的各个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的工作状态，从而连接或隔离所述阵列测试电路1012 ;所述第一隔离电路11的关断电位信号端VG1和所述第二隔离电路2的关断电位信号端VG2共同连接，用于接入低电平信号VGL或高电平信号VGH，以控制第一隔离电路11和第二隔离电路12的工作状态。
[0031]具体实施时，如图2所示，第一隔离电路11的控制信号端Ctrll和第二隔离电路12的控制信号端Ctrl2共同连接至控制信号(Control)线上，通过Control线接入控制信号；而第一隔离电路11的关断电位信号端VG1和第二隔离电路12的关断电位信号端VG2共同连接至关断电位线上，通过该关断电位线接入低电平信号VGL或高电平信号VGH，从而通过结合Control线与关断电位线两者接入的信号共同控制两个隔离电路的工作状态，以决策是否隔离所述TFT阵列测试电路1012。
[0032]参看图3，是本发明提供的有机发光二极管显示基板中的又一个实施例的结构示意图。
[0033]在本实施例中，有机发光二极管显示基板B1包括多个如图2所示的显示片屏，形成行阵列的显示片屏；各个所述显示片屏中的两个隔离电路的控制信号端均共同连接；各个所述显示片屏中的两个隔离电路的关断电位信号端均共同连接。如图3所示，显示片屏
10、显示片屏20、显示片屏30、显示片屏40形成一组行阵列的显示屏，并且，它们的控制信号端共同连接至Control线1上，它们的关断电位信号端共同连接至关断电位线1上，接受两条信号线的共同控制；同理，显示片屏50、显示片屏60、显示片屏70、显示片屏80形成又一组行阵列的显示屏，并且，它们的控制信号端共同连接至Control线2上，它们的关断电位信号端共同连接至关断电位线2上，接受两条信号线的共同控制；显示片屏90、显示片屏100、显示片屏110、显示片屏120形成又一组行阵列的显示屏，并且，它们的控制信号端共同连接至Control线3上，它们的关断电位信号端共同连接至关断电位线3上，接受两条信号线的共同控制。具体地，所述的有机发光二极管显示基板包括多组的行阵列的显示片屏。需要说明的是，本领域技术人员可以根据实际应用场合的需要调整(增加或减少)有机发光二极管显示基板行阵列的显示片屏的数量。图3示出了各个显示片屏在大板有机发光二极管显示基板上的布局，其中Control信号线和关断电位信号(高电平或低电平)线与有机发光二极管显示基板的点亮走线布局在同一位置，且外部信号输入点也可以设置在同一位置，共用外部信号发生器。
[0034]具体实施时，阵列测试电路1012、大板点亮检测电路1011，以及，隔离电路(第一隔离电路11和第二隔离电路12)可以组成有机发光二极管显示基板的检测电路的一个实施例。其中，所述隔离电路连接在所述阵列测试电路1012与所述大板点亮检测电路1011之间；所述大板点亮检测电路1011用于测试所述有效显示区域是否正常工作；所述阵列测试电路1012用于检测有机发光二极管显示基板的薄膜晶体管(TFT)阵列底板是否正常。
[0035]阵列测试电路1012的主要用于执行TFT阵列测试(Array Test)，即在整个TFT阵列制作完成后，在显示片屏(panel)上加入电源和信号，使整个电路板上的电路工作，然后通过一些电学和光学测试方法检测显示片屏(panel)内的电路是否运作正常。而大板点亮检测电路1011主要执行大板点亮测试，即在大板封装后，针对整个有机发光二极管显示基板从外围加入电源和信号使其整版点亮，通过点亮情况判断前期的蒸镀的均匀性和混色情况，从而逆向解析前期工艺的问题，及时指导工艺调整。
[0036]参看图4，是本发明提供的隔离电路的一个实施例的电路原理图。
[0037]优选地，本实施例提供的隔离电路，连接在有机发光二极管显示基板的阵列测试电路1012与大板点亮检测电路1011之间。具体地，所述隔离电路包括多个薄膜晶体管(T1?T_N，N多1);每个所述薄膜晶体管包括第一端口 portl、第二端口 port2和第三端口port30
[0038]具体实施时，每个所述薄膜晶体管TFT的第一端口 portl为栅极，并且各个所述第一端口 portl共同连接作为控制信号端；各个所述薄膜晶体管TFT的第二端口 port2共同连接，作为关断电位信号端；每个所述薄膜晶体管TFT的第三端口 port3分别作为所述隔离电路的各个开关信号端(SW1?SW_N，N彡1);所述各个开关信号端(SW1?SW_N)用于连接所述有机发光二极管显示基板的阵列测试电路的DE-MUX开关信号端。其中，开关信号端(SW1?SW_N)分别连接到阵列测试(Array Test)电路1012内引出的DE-MUX开关信号SW，薄膜晶体管TFT的数量N根据阵列测试电路1012的开关信号SW数量确定。具体地，随着显示屏分辨率的提高，阵列测试电路1012的开关信号SW数量也会相应增加，薄膜晶体管TFT的数量N可以根据实际应用场合进行选取。
[0039]在一种可实现的方式中，如图4所示，各个所述薄膜晶体管均为P型TFT晶体管(PTFT);所述关断电位信号端用于在所述隔离电路工作时接入高电平信号。
[0040]参见图5，是本发明提供的隔