第一电容器下电极11化和第二有源层形成于基板105上。第一有源层110a、第一电容器下 电极11化和第二有源层可由通过将杂质离子注入非晶娃（a-Si)中得到的材料制成。在基 板105和第一有源层IlOa之间、第一电容器下电极11化和第二有源层之间可进一步形成 由氧化娃或氮化娃制成的缓冲层。
[0040] 使第一有源层110a、第一电容器下电极11化和第二有源层彼此绝缘的栅极绝缘 层115形成于第一有源层110a、第一电容器下电极11化和第二有源层之上。栅极绝缘层 115可由氮化娃（Si化）、氧化娃（SiOx)或其多层形成。第一栅极线120曰、第一电容器上电 极12化和第二栅极线120c形成于栅极绝缘层115上。第一栅极线120a、第一电容器上电 极12化和第二栅极线120c由从选自由侣（Al)、钢（Mo)、铁灯i)、金（Au)、银（Ag)、鹤（W) 及上述金属的合金构成的组中的任意一种制成的单层或其多层形成。
[0041] 使第一栅极线120a、第一电容器上电极12化和第二栅极线120c彼此绝缘的层间 绝缘层125形成于第一有源层110a、第一电容器下电极11化和第二有源层之上。层间绝缘 层125可由氮化娃（SiNx)、氧化娃（SiOx)或上述物质的多层形成。开关薄膜晶体管的漏极 电极130a和连接图案13化形成于层间绝缘层125上。连接图案13化连接第一电容器下 电极11化和驱动薄膜晶体管的漏极电极15化。漏极电极130a和连接图案13化由低电阻 材料制成W减少线路电阻，并且可从选自由钢（Mo)、铁（Ti)、侣（A1)、金（Au)、银（Ag)、鹤 (W)及上述金属的合金构成的组中的任意一种制成的单层或上述金属的多层形成。漏极电 极130a通过形成于栅极绝缘层115和层间绝缘层125中的第一接触孔127a连接至第一有 源层11〇曰，漏极电极130a通过形成于层间绝缘层125中的第二接触孔12化连接至第一电 容器上电极12化，并且连接图案13化通过形成于栅极绝缘层115和层间绝缘层125中的第 立接触孔127c连接至第一电容器下电极11化。运样，第一电容器下电极11化和第一电容 器上电极12化与插入在它们中间的栅极绝缘层115 -起形成第一电容器Cstl。
[0042] 同时，第一纯化层135形成于漏极电极130a和连接图案13化之上。第一纯化层 135可由氮化娃（Si化）、氧化娃（SiOx)或上述物质的多层形成。第二电容器下电极140形 成于第一纯化层135上。第二电容器下电极140形成于对应于上述第一电容器Cstl的区域 中。第二电容器下电极140由具有导电性的材料制成W形成电容，并且可从选自由钢（Mo)、 铁（Ti)、侣（Al)、金（Au)、银（Ag)、鹤（W)及上述金属的合金构成的组中的任意一种制成的 单层或上述金属的多层形成。
[0043] 第二纯化层145形成于第二电容器下电极140之上。第二纯化层145可由氮化娃 (Si化）、氧化娃（SiOx)或其多层形成。驱动薄膜晶体管的漏极电极15化和第二电容器上 电极150a形成于第二纯化层145上。第二电容器上电极150a形成为对应于上述第二电容 器下电极140。驱动薄膜晶体管的漏极电极15化和第二电容器上电极150a由具有导电性 的材料制成W形成电容，并且可从选自由钢（Mo)、铁（Ti)、侣（Al)、金（Au)、银（Ag)、鹤（W) 及其合金构成的组中的任意一种制成的单层或上述金属的多层形成。
[0044] 第二电容器上电极150a通过形成于第一纯化层135和第二纯化层145中的第S 接触孔137a连接至开关薄膜晶体管的漏极电极130a。此外，第二电容器下电极140通过 形成于第一纯化层135和第二纯化层145中的第四接触孔13化连接至连接图案13化。运 样，第二电容器上电极150a和第二电容器下电极140与插入在它们中间的第二纯化层145 一起形成第二电容器Cst2。
[0045] 同时，有机绝缘层160形成于在基板105上形成的第一电容器Cstl和第二电容器 Cst2之上。有机绝缘层160是使在有机绝缘层160下面形成的不均匀度平坦化的平坦化 层，并且可由包括苯并环下締度CB)基树脂、诸如光学亚克力之类的丙締酸醋基树脂、聚酷 亚胺树脂等的有机材料制成。像素电极165形成于有机绝缘层160上。像素电极165是透 明电极，并且可由具有高功函数的透明材料制成，所述透明材料诸如氧化铜锡（ITO)、氧化 铜锋（IZO)、氧化铜姉（ICO)或氧化锋狂nO)。当像素电极165为反射电极时，像素电极165 可包括位于像素电极165的下部处的反射层。像素电极165可形成为例如APC/IT0或口0/ APC/口O的层压结构。
[0046] 堤层170形成于包括像素电极165在内的有机绝缘层160上。堤层170暴露像素 电极165的一部分，从而限定发光区域，并且堤层170可由包括聚酷亚胺树脂、苯并环下締 基树脂、丙締酸醋基树脂等的有机材料制成。暴露像素电极165的开口形成于堤层170中。 有机层175形成于堤层170和像素电极165上。有机层175至少包括发光层，并且可进一 步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的至少之一。相对电极180形成 于包括有机层175在内的基板105上。相对电极180为透明电极，从发光层发射的光穿过 相对电极180,并且相对电极180可由具有低功函数的儀（Mg)、银（Ag)、巧（Ca)、侣（Al)或 上述金属的合金形成。运样，像素电极165、有机层175和相对电极180构成了有机发光二 极管。
[0047] 同时，将参照图3详细地描述本发明的实施方式的有机发光显示器中的公共电源 线与电容器之间的关系。在下面的描述中，将省略与图2的那些部件相同的部件的说明。
[0048] 参照图3,在根据本发明的实施方式的有机发光显示器100中，第一电容器下电极 11化和使第一电容器下电极11化绝缘的栅极绝缘层115形成于基板105上。第一电容器 上电极12化形成于栅极绝缘层115上。运样，第一电容器下电极11化和第一电容器上电 极12化构成了第一电容器Cstl。层间绝缘层125形成于第一电容器上电极12化之上，并 且基准电压线130c、数据线130d和公共电源线130e形成于层间绝缘层125上。基准电压 线130c和数据线130d形成在第一电容器Cstl的一侧彼此相邻，而公共电源线130e形成 于第一电容器Cstl的另一侧。
[0049] 第一纯化层135形成于基准电压线130c、数据线130d和公共电源线130e之上。 第二电容器下电极140形成于第一纯化层135上，并且第二纯化层145形成于第二电容器 下电极140之上。此外，第二电容器上电极150a形成于第二纯化层145上。运样，第二电 容器下电极140和第二电容器上电极150a与插入在它们中间的第二纯化层145 -起构成 了第二电容器Cst2。第二电容器Cst2形成在对应于第一电容器Cstl的位置处。举例而 言，第二电容器Cst2可被设置在第一电容器Cst1之上并且第二电容器Cst2能够完全覆盖 第一电容器Cstl。
[0050] 同时，随着有机发光显示器的分辨率变得更高，子像素的尺寸变得更小。因此，现 有的子像素中形成的电容器的电容也会减小。因而，在根据本发明的实施方式的有机发光 显示器100中，形成了现有的第一电容器Cstl,并且在第一电容器Cstl的上方进一步形成 了独立的第二电容器Cst2。第二电容器Cst2补偿了随着第一电容器Cstl的尺寸减小而减 小的电容。运样，第二电容器Cst2形成在对应于第一电容器Cstl的位置处，W使由于第二 电容器Cst2的占用导致增加的区域最小化。
[0051] 如果子像素的尺寸减小，则第二电容器Cst2形成为非常靠近数据线130d，因而在 第二电容器Cst2与数据线130d之间可能形成寄生电容器。因而，在本发明的实施方式中， 邻近于数据线130d的第二电容器下电极140的宽度形成为比第二电容器上电极150a的宽 度大，从而减小在第二电容器上电极150a与数据线130d之间形成的寄生电容器的电容。
[0052] 更具体地，W下将描述其中第二电容器电极的宽度发生改变的结构。图4是显示 根据本发明的实施方式的有机发光显示器的第二电容器的截面图。图5是显示形成于第二 电容器和数据线之间的电容的示意图。
[0053] 参照图4,在该实施方式中，第二电容器Cst2形成为邻近于数据线130d。在第二 电容器Cst2中，第二电容器下电极140和第二电容器上电极150a与插入在它们中间的第 二纯化层145-起形成电容。参照图4的（a),如果第二电容器Cst2的第二电容器上电极 150a的宽度W2形成为比第二电容器Cst2的第二电容器下电极140的宽度Wl大，则第二电 容器上电极150a被设置成相对邻近于数据线130d。因此，在第二电容器上电极150a和数 据线130d之间形成寄生电容器。因此，驱动薄膜晶体管的电压/电流依数据线130d的信 号而改变，由此产生串扰。特别地，在高分辨率模型中，子像素内的区域较窄，因此在增加第 二