一种薄膜晶体管及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。
【背景技术】
[0002]在小尺寸、高分辨率的显示器中，低温多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)液晶显示器由于高迀移率、性能稳定、能够节省空间及降低驱动电路成本等特点已经得到了广泛的应用。
[0003]现有技术中LTPS液晶显示器中像素单元的薄膜晶体管(TFT)层别结构很多，制作非常复杂。如在薄膜晶体管中需要先设置遮光图案，且该遮光图案的宽度需大于薄膜晶体管中沟道(多晶硅图案)的宽度，才能保证沟道受到光源的影响较小，以使得电路稳定。但是设置遮光图案不仅需要光罩工序将遮光层进行刻蚀以图案化，而且遮光图案还需与后续的沟道进行对位操作，此时需要对多晶硅层也进行光罩工序以形成合适位置的多晶硅图案，使得制作流程复杂，此外遮光图案的存在还会影响像素单元的开口率，进而降低显示效果Ο
[0004]综上，现有技术设置的遮光图案不仅使得薄膜晶体管的制作工序复杂还影响显示效果。
【发明内容】
[0005]本发明主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及其制造方法，能够节省制造时的工序，从而降低成本，而且进一步使得遮光图案与多晶硅图案的宽度相同，改善了显示效果。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管的制造方法，该方法包括以下步骤:提供一基板；在基板上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成遮光层；在遮光层上形成第二缓冲层；在第二缓冲层上形成多晶硅层；通过第一道光罩工序对多晶硅层、第二缓冲层和遮光层进行刻蚀，以一次性形成遮光图案、缓冲图案和多晶硅图案。
[0007]其中，该制造方法进一步包括:在多晶硅图案上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上依次形成栅极图案和第二绝缘层；在第二绝缘层上形成通孔；在第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案，其中源极图案或漏极图案通过通孔与多晶硅图案电连接。
[0008]其中，第一缓冲层为氮化硅缓冲层，第二缓冲层为氧化硅缓冲层，遮光层为金属遮光层。
[0009]其中，在第二缓冲层上形成多晶硅层的步骤进一步包括:在第二缓冲层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，以形成多晶硅层。
[0010]其中，在通过第一道光罩工序对多晶硅层、第二缓冲层和遮光层进行刻蚀的步骤之后以及在多晶硅图案上形成第一绝缘层的步骤之前，该制造方法进一步包括:在多晶硅图案上通过第二道光罩工序和掺杂工序在多晶硅图案上形成本征区域和位于本征区域两侧的掺杂区域。
[0011]其中，在第一绝缘层上依次形成栅极图案、第二绝缘层的步骤进一步包括:在第一绝缘层上形成栅极层；通过第三道光罩工序对栅极层进行图案化，以形成栅极图案；在栅极图案上形成第二绝缘层。
[0012]其中，在栅极图案上形成第二绝缘层的步骤进一步包括:在栅极图案上依次形成氧化硅绝缘层和氮化硅绝缘层。
[0013]其中，在第二绝缘层上形成通孔的步骤进一步包括:通过第四道光罩工序分别在第二绝缘层对应掺杂区域的位置形成通孔。
[0014]其中，在第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案的步骤包括:在带有通孔的第二绝缘层上进一步形成导电层，并通过第五道光罩工序对导电层进行图案化，以在通孔的位置形成源极图案和漏极图案。
[0015]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括:基板、依次设置在所述基板上的第一缓冲层、遮光图案、缓冲图案和多晶硅图案，其中所述遮光图案、缓冲图案和多晶硅图案由同一道光罩工序形成。
[0016]本发明的有益效果是:本发明通过在基板上依次形成第一缓冲层、遮光层、第二缓冲层和多晶硅层，然后通过第一道光罩工序对多晶硅层、第二缓冲层和遮光层进行刻蚀，以一次性形成遮光图案、缓冲图案和多晶硅图案。与现有需要将遮光层通过光罩工序进行图案化形成遮光图案，多晶硅层也通过光罩工序进行图案化形成多晶硅图案的技术相比，本发明不仅能够节省制造时的工序，从而降低成本，而且进一步使得遮光图案与多晶硅图案的宽度相同，改善了显示效果。
【附图说明】
[0017]图1是本发明提供的一种薄膜晶体管的制造方法一实施方式的流程示意图；
[0018]图2是图1中每个步骤对应的制程示意图；
[0019]图3是本发明提供的薄膜晶体管一实施方式的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]请参阅图1和图2，图1是本发明提供的一种薄膜晶体管的制造方法一实施方式的流程示意图；图2是图1中每个步骤对应的制程示意图。结合图1和图2所示，该制造方法包括以下步骤:
[0021]S1:提供一基板 11。
[0022]其中，基板11可选为玻璃基板或塑料基板。进一步的，在提供基板11的同时，将基板11通过清洗或和磨砂等操作去除基板11表面的杂质，可选再通过烘干工序将基板11烘干，以提供一干净的基板11。
[0023]S2:在基板11上形成第一缓冲层12。
[0024]其中，第一缓冲层12可选采用沉积或涂布的方式形成，如采用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)设备或涂布机将第一缓冲层120的材料沉积或涂布形成一薄层。
[0025]S3:在第一缓冲层12上形成遮光层130。
[0026]其中，遮光层130可选是金属遮光层，其作用是为了减少漏光，实现光屏蔽。合适的金属材料选自但不限于钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(A1)或由上述至少两种金属材料组成的合金。
[0027]S4:在遮光层130上形成第二缓冲层140。
[0028]其中，可以理解的是，第二缓冲层140也可选采用沉积或涂布的方式形成，如采用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)设备或涂布机将第二缓冲层130的材料沉积或涂布形成一薄层。
[0029]S5:在第二缓冲层140上形成多晶硅层150。
[0030]其中，多晶硅层150为薄膜晶体管的有源层，其结晶性能影响薄膜晶体管的迀移率。
[0031]该步骤进一步包括:在第二缓冲层140上形成一非晶硅层(图2中未示出，其与多晶硅层150具有相同的层位置)；对非晶硅层进行激光退火，以形成多晶硅层150。
[0032]其中，对非晶硅层进行激光退火，以形成多晶硅层150具体是对非晶硅层进行准分子激光退火(ELA)完成结晶。
[0033]其中，在对非晶硅层进行激光退火时，部分激光能量能够穿过其下方的第二缓冲层140，经由金属遮光层130反射至非晶硅层，使得非晶硅层具有保温的效果，能够提高非晶硅层的结晶效率和结晶度，以得到晶粒更大、晶界更少的多晶硅层150，从而增强了该层的迀移率，同时也减少晶界对漏电流的影响，进而能够提高薄膜晶体管的性能。
[0034]S6:通过第一道光罩工序对多晶硅层150、第二缓冲层140和遮光层130进行刻蚀，以一次性形成遮光图案13、缓冲图案14和多晶硅图案15。
[0035]其中，第一道光罩工序的过程包括，先在多晶硅层150上涂布光阻，将第一光罩(具有与多晶硅图案15相同或互补的图案)置于光阻上，然后进行曝光和显影以形成与多晶硅图案15相同的光阻图案，最后对光阻图案进行刻蚀，具体的是依次对多晶硅层150、第二缓冲层140和遮光层130进行刻蚀，再去除光阻，以露出多晶硅图案15、缓冲图案14和遮光图案13。
[0036]其中，后文所述的其他道光罩工序，如无特别说明，都可以使用本步骤所述的光罩工序，即先对需要刻蚀的层上光阻，然后放置光罩进行曝光和显影以形成需要的光阻图案，最后对光阻图案进行刻蚀，并去除光阻以形成需要的图案。本发明中，不对光罩的原理作具体的限制。
[0037]其中，由于多晶硅层150、第二缓冲层140和遮光层130是通过相同的光罩工序进行刻蚀，因此遮光图案13、缓冲图案14和多晶硅图案15是一次性形成，其具有相同的宽度。而遮光图案13与多晶硅图案15的宽度相同，不仅不影响遮光图案13对薄膜晶体管的遮光效果，而且又实现了多晶硅图案15与遮光图案13的对位，减少了现有技术中将多晶硅图案15与遮光图案13对位偏移的制程，同时还减少了对像素单元开口率的影响，改善了显示效果Ο
[0038]其中，第一缓冲层12为氮化硅(SiNx)缓冲层，主要用于阻隔基板11中的离子如钠(Na)、钾(K)离子扩展进而影响薄膜晶体管的性能。第二缓冲层140为氧化硅(S1x)缓冲层，其与多晶硅层150具有良好的附着力。
[0039]进一步的，该制造方法还包括以下步骤:
[0040]S7:在多晶硅图案15上形成第一绝缘层16 ;
[0041]其中，第一绝缘层16作为栅极绝缘层(GI)，合适的材料为氧化硅(S1x)绝缘材料。
[0042]其中，在步骤S6之后以及本步骤之前，该制造方法进一步包括以下步骤:
[0043]在多晶硅图案15上通过第二道光罩工序和掺杂工序在多晶硅图案15上形成本征区域151和位于本征区域151两侧的掺杂区域。
[0044]在其他实施方式中，在本步骤之后即在多晶硅图案15上形成栅极绝缘层16之后，进行上述的第二道光罩工序和掺杂工序以在多晶硅图案15上形成本征区域151和位于本征区域151两侧的掺杂区域。
[0045]其中，本征区域151两侧的掺杂区域为重掺杂区域152，其具体是