的衬底表面11 (例如，图2所不的左侧衬底表面11);其中，优选的，衬底1是闻阻??圭衬底；“闻阻5圭衬底”指的是电阻率大于或等于100欧姆.厘米的硅高阻硅衬底。
[0028]然后，对衬底1执行高密度等离子体化学气相淀积工艺(HDP)以在衬底表面上形成层间绝缘层2。而且其中，在高密度等离子体化学气相淀积工艺中，利用HDP需要利用离子轰击对衬底加热的这一特性，在漏出衬底表面将要形成电感器的硅片区域表面形成陷阱；具体地，如图3的箭头所示，利用离子(优选为Ar离子)轰击将要形成电感器的硅片区域的衬底表面以便对衬底1进行加热并且通过离子轰击在将要形成电感器的硅片区域的所述衬底表面形成陷阱4(加热步骤)，并且随后如图4所示在形成有陷阱4的衬底1表面上通过生长一层高密度等离子体来生长一个层间绝缘层2 (生长步骤)。
[0029]这样可以通过同一个高密度等离子体化学气相淀积工艺将层间绝缘层直接形成在高阻硅衬底上(即，层间绝缘层2与高阻硅衬底1之间无其它层);而且同时在高密度等离子体化学气相淀积工艺中，增加硅表面陷阱数量，以降低表面产生的电荷数，有效地提高了被动器件电感器Q值。
[0030]优选的，层间绝缘层2为二氧化硅层。
[0031]然后，在层间绝缘层层2上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器3，如图5所示。
[0032]在本发明的具体实施例的提高被动器件电感器Q值的方法中，通过对高阻硅衬底表面进行离子轰击，有效地增加了体硅的表面缺陷密度，降低了表面产生的电荷数，从而有效地提高了被动器件电感器Q值。本发明不额外制程，后续不会经历大量的高温制程，从而不会导致缺陷减少。
[0033]需要说明的是，上述提供衬底1的步骤实际上可以包括这样的一个过程:首先使用高阻衬底制作器件，然后在淀积层间绝缘层ILD之前将只将要形成被动器件(如电感，电容)的硅片区域下面的硅表面漏出而保持其它器件区域被保护而不受HDP等离子加热时候的轰击。这样，随后可以在“提供衬底1的步骤”之后执行上述高密度等离子体化学气相淀积工艺过程。
[0034]根据本发明的另一优选实施例，本发明还提供了一种被动器件电感器。具体地说，再次参考图5。
[0035]根据本发明优选实施例的电感器包括:直接布置在高阻硅衬底1上的层间绝缘层2 (即，层间绝缘层2与高阻硅衬底1之间无其它层)、以及布置在层间绝缘层层2上的形成有金属层图案以形成电感器3的金属层。其中，高阻硅衬底1表面形成有通过离子轰击而形成的陷阱4。而且，所述层间绝缘层2是一个高密度等离子体层。
[0036]优选地，高阻硅衬底表面中的离子轰击采用的离子为Ar离子。
[0037]其中，优选的，高阻硅衬底1是高阻硅衬底；而且，优选的，层间绝缘层2为二氧化石圭层。
[0038]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种提高电感器Q值的方法，其特征在于包括: 首先，提供高阻硅衬底，其中所述高阻硅暴露出将要形成电感器的硅片区域的衬底表面； 然后，对衬底执行高密度等离子体(HDP，High Density Plasma)化学气相淀积工艺以在衬底表面上形成层间绝缘层；其中，在高密度等离子体化学气相淀积工艺中，利用HDP需要利用离子轰击对衬底加热的这一特性，在漏出衬底表面将要形成电感器的硅片区域表面形成陷阱，并且随后在形成有陷阱的衬底表面上通过生长一层高密度等离子体来生长一个层间绝缘层； 最后，在层间绝缘层层上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器。2.根据权利要求1所述的提高电感器Q值的方法，其特征在于，所述高阻硅衬底是电阻率大于或等于100欧姆.厘米的硅衬底。3.根据权利要求1或2所述的提高电感器Q值的方法，其特征在于，离子轰击采用的离子是Ar离子。4.根据权利要求1至3之一所述的提高电感器Q值的方法，其特征在于，所述层间绝缘层为二氧化硅层。5.一种电感器，其特征在于包括:直接布置在高阻硅衬底上的层间绝缘层、以及布置在层间绝缘层层上的形成有金属层图案以形成电感器的金属层；其中，高阻硅衬底表面形成有通过离子轰击而形成的陷阱，而且所述层间绝缘层是一个高密度等离子体层。6.根据权利要求5所述的电感器，其特征在于，所述高阻硅衬底是电阻率大于或等于100欧姆.厘米的硅衬底。7.根据权利要求5或6所述的电感器，其特征在于，离子轰击采用的离子是Ar离子。8.根据权利要求5至7之一所述的电感器，其特征在于，所述层间绝缘层为二氧化硅层。
【专利摘要】本发明提供了一种提高电感器Q值的方法以及电感器。首先，提供高阻硅衬底，其中所述高阻硅暴露出将要形成电感器的硅片区域的衬底表面。然后，对衬底执行高密度等离子体化学气相淀积工艺以在衬底表面上形成层间绝缘层。其中，在高密度等离子体化学气相淀积工艺中，利用HDP需要利用离子轰击对衬底加热的这一特性,在漏出衬底表面将要形成电感器的硅片区域表面形成陷阱，并且随后在形成有陷阱的衬底表面上通过生长一层高密度等离子体来生长一个层间绝缘层。最后，在层间绝缘层层上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器。
【IPC分类】H01L21/02, H01L23/522
【公开号】CN105405836
【申请号】CN201410465851
【发明人】黎坡
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2014年9月12日