光层9。
[0030]本实施例还提供一种覆晶式LED元件的制作方法，包括如下步骤:
[0031 ] S1、提供一支架或基板连片，所述连片上每个所述支架或基板如图1-2所示，具有一空腔1，所述空腔1的底部设置有金属区，所述金属区包括第一金属区1和第二金属区2，所述第一金属区1连通第一电极4，所述第二金属区2连通第二电极5，空腔侧壁6为耐高温白料，为阶梯状；
[0032]S2、如图3所示，在所述金属区表面用锡膏贴覆蓝光覆晶芯片7，并在氮气保护下于235°C回流共晶处理30s，处理后，锡膏的空洞率可小于5%;
[0033]S3、向所述腔体1内注入透明胶8，所述透明胶8为耐高温硅树脂，并将所述透明胶8在130°C?160°C下供干60_120min，本实施例中为于150°C下供干90min;
[0034]S4、在所述透明胶上表面制作荧光层9:抽真空荧光胶，将荧光胶真空印刷于所述透明胶上表面，然后将所述荧光胶在130°C?160°C下烘干60-120min，本实施例中为在150°C下烘干90min。
[0035]进一步地，将支架或基板连片剥离分片成为单独的LED元件，再用自动分光机对LED作电性检查和同步骤分光分色，最后用自动包装机对LED元件进行卷装。
[0036]实施例2
[0037]本发明提供一种覆晶式LED元件的制作方法，包括如下步骤:
[0038]S1、提供一支架或基板连片，所述连片上每个所述支架或基板如图1-2所示，具有一空腔1，所述空腔1的底部设置有金属区，所述金属区包括第一金属区1和第二金属区2，所示第一金属区1连通第一电极4，所述第二金属区2连通第二电极5，空腔侧壁6为耐高温白料，为阶梯状；
[0039]S2、如图3所示，在所述金属区表面用锡膏贴覆蓝光覆晶芯片7，并在氮气保护下于260°C下回流共晶处理10s，处理后，锡膏的空洞率可小于5%;
[0040]S3、向所述腔体1内注入透明胶8，所述透明胶8为添加有扩散粉的耐高温硅胶，并将所述透明胶8在160°C下烘干60min;
[0041]S4、在所述透明胶上表面制作荧光层9:将荧光膜片用自动固晶机粘覆于透明胶上表面，然后自动固晶机自动固化所述荧光膜片，完成贴装。
[0042]进一步地，将支架或基板连片剥离分片成为单独的LED元件，再用自动分光机对LED作电性检查和同步骤分光分色，最后用自动包装机对LED元件进行卷装。
[0043]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
【主权项】
1.一种覆晶式LED元件，其特征在于，包括支架或基板，所述支架或基板具有一空腔，所述空腔底部设置有金属区，所述金属区上方贴覆有覆晶芯片，所述空腔内填充有透明胶，所述透明胶上方设置有荧光层。2.一种覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 51、提供一支架或基板连片，所述支架或基板具有一空腔，所述空腔底部设置有金属区； 52、在所述金属区表面用锡膏贴覆覆晶芯片，并在氮气保护下进行回流共晶处理； 53、向所述腔体内注入透明胶，并将所述透明胶烘干； 54、在所述透明胶上表面制作荧光层。3.根据权利要求2所述的覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，所述步骤S4具体为:将荧光胶印刷于所述透明胶上表面，然后将所述荧光胶烘干。4.根据权利要求3所述的覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，所述荧光胶印刷之前经过抽真空处理。5.根据权利要求2所述的覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，所述步骤S4具体为:将荧光膜片用自动固晶机粘贴于透明胶上表面，然后固化所述荧光膜片，完成贴装。6.根据权利要求2-5任一项所述的覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，所述步骤S4后还包括剥离分片、分光和卷装的步骤。7.根据权利要求6所述的覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中的透明胶为耐高温硅树脂或耐高温硅胶，所述透明胶通过自动注胶机注入所述腔体。8.根据权利要求7所述的覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，所述透明胶中添加有扩散粉。9.根据权利要求8所述的覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，回流共晶的温度范围为温度235°C?260°C，时间范围10S?30S;所述步骤S3中透明胶烘干的温度为130°C?160°C，烘干时间为60min?120min。10.根据权利要求3所述的覆晶式LED元件的制作方法，其特征在于，所述印刷为真空印届IJ，荧光胶烘干的温度为130°C?160°C，烘干时间为60min?120min。
【专利摘要】本发明公开了一种覆晶式LED元件及制作方法，所述制作方法包括如下步骤：S1、提供一支架或基板，支架或基板具有一空腔，空腔底部设置有金属区；S2、在金属区表面用锡膏贴覆覆晶芯片，并在氮气保护下进行回流共晶处理；S3、向腔体内注入透明胶，并将透明胶烘干；S4、在透明胶上表面制作荧光层。本方法在贴覆覆晶芯片后，在支架或基板的空腔内填充透明胶，然后在透明胶上方制作荧光层，制得的LED元件荧光层不直接与覆晶芯片接触，避免了因高温产生光衰或色漂，荧光层与覆晶芯片发出的光能量匹配良好，改善了色不均现象；同时，覆晶芯片通过锡膏粘覆于金属区表面，没有银离子影响覆晶芯片的性能，进一步提高了LED器件的可靠性。
【IPC分类】H01L33/54, H01L33/58, H01L33/00
【公开号】CN105489744
【申请号】CN201610039765
【发明人】孙平如, 邢其彬
【申请人】深圳市聚飞光电股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2016年1月20日