一种覆晶式led元件及制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于LED封装技术领域，具体地说涉及一种覆晶式LED元件及制作方法。
【背景技术】
[0002]覆晶技术(Flip-Chip)也称“倒晶封装”，是一种芯片封装方法，此一封装技术主要在于有别于现在常用的芯片封装的方式，常用的芯片封装是将芯片置放于基板上，再用打线技术将芯片与基板上之连结点连接形成通路。覆晶封装技术是将芯片连接点长凸块，然后将芯片翻转过来使凸块与基板直接连结而得其名。覆晶式LED元件与传统封装LED元件相比，具有热阻低、电压低、电流密度大、光效高的特点，研究表明，覆晶式LED元件有着独特的潜力和优势。
[0003]目前，制作覆晶式LED元件主要有以下两种方法:第一种方法为:首先将覆晶芯片固定于支架或基板的杯底两金属区，再在腔体中注入荧光胶，然后固化荧光胶，之后划片，将连片上的多个LED元件独立拆分，再对LED作电性检查和同步骤分光分色，最后对LED进行卷装。这种LED元件的制作方法存在一个问题，荧光胶在覆晶芯片周围，荧光粉直接接触覆晶芯片，而覆晶芯片的工作电流通常在700MA以上工作，会产生高温，这将导致荧光粉在高温下的光效及可靠性能下降，出现较大的光衰和色漂。另外，荧光胶层的厚度与覆晶芯片各个方向上的光能量匹配不好，也容易出现色不均匀现象。
[0004]另一种方法为:首先将匹配好的荧光薄膜贴装于覆晶芯片上方，再将这种带荧光薄膜的覆晶芯片用银胶固定于LED支架或基板的杯底两金属区后固化荧光膜片。这种覆晶LED元件的制作方法解决了LED光色不均匀的问题，但是荧光薄膜贴装于覆晶芯片周围，仍会出现第一种方法中的光衰和色漂移问题。另外，在覆晶芯片底部两金属区间距只有0.15-
0.20_，采用银胶固晶，由于银离子极其活跃易产生银离子迀移，将影响带支架或基板的覆晶LED的可靠性。
【发明内容】
[0005]为此，本发明所要解决的技术问题在于现有覆晶式LED元件的制作方法所制得的LED元件存在光衰和色漂移的问题，且可靠性不足，从而提出一种色均匀性良好、可靠性更佳的覆晶式LED元件及制作方法。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的技术方案为:
[0007]本发明提供一种覆晶式LED元件，其包括支架或基板，支架或基板具有一空腔，所述空腔底部设置有金属区，所述金属区上方贴覆有覆晶芯片，所述空腔内填充有透明胶，所述透明胶上方设置有荧光层。
[0008]本发明还提供一种覆晶式LED元件的制作方法，包括如下步骤:
[0009]S1、提供一支架或基板连片，所述支架或基板具有一空腔，所述空腔底部设置有金属区；
[0010]S2、在所述金属区表面用锡膏贴覆覆晶芯片，并在氮气保护下进行回流共晶处理；
[0011]S3、向所述腔体内注入透明胶，并将所述透明胶烘干；
[0012]S4、在所述透明胶上表面制作荧光层。
[0013]作为优选，所述步骤S4具体为:将荧光胶印刷于所述透明胶上表面，然后将所述荧光胶烘干。
[0014]作为优选，所述荧光胶印刷之前经过抽真空处理。
[0015]或者，作为优选，所述步骤S4具体为:将荧光膜片用自动固晶机粘覆于透明胶上表面，然后固化所述荧光膜片，完成贴装。
[0016]作为优选，所述步骤S4后还包括剥离分片、分光和卷装的步骤。
[0017]作为优选，所述步骤S3中的透明胶为耐高温硅树脂或耐高温硅胶，所述透明胶通过自动注胶机注入所述腔体。
[0018]作为优选，所述透明胶中添加有扩散粉。
[0019]作为优选，所述步骤S2中，回流共晶的温度范围为温度235°C?260°C，时间范围10S?30S;所述步骤S3中透明胶烘干的温度为130°C?160°C，烘干时间为60min?120min。
[0020]作为优选，所述印刷为真空印刷，荧光胶烘干的温度为130°C?160°C，烘干时间为60min?120mino
[0021 ]本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0022]本发明所述的覆晶式LED元件及制作方法，其中制作方法包括如下步骤:S1、提供一支架或基板，所述支架或基板具有一空腔，所述空腔底部设置有金属区；S2、在所述金属区表面用锡膏贴覆覆晶芯片，并在氮气保护下进行回流共晶处理;S3、向所述腔体内注入透明胶，并将所述透明胶烘干;S4、在所述透明胶上表面制作荧光层。本方法在贴覆覆晶芯片后，在支架或基板的空腔内填充透明胶，然后在透明胶上方制作荧光层，制得的LED元件荧光层未覆盖在覆晶芯片周围，荧光层也不会直接与覆晶芯片接触，避免了因高温产生光衰或色漂，荧光层与覆晶芯片发出的光能量匹配良好，改善了色不均现象；同时，覆晶芯片通过锡膏粘覆于金属区表面，没有银离子影响覆晶芯片的性能，进一步提高了 LED器件的可靠性。
【附图说明】
[0023]为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0024]图1是本发明实施例1-2所述的支架或基板的俯视图；
[0025]图2是本发明实施例1-2所述的支架或基板的剖视图；
[0026]图3是本发明实施例1-2所述的覆晶式LED元件的剖视图。
[0027]图中附图标记表示为:1_空腔;2-第一金属区；3-第二金属区，4-第一电极;5-第二电极;6-空腔侧壁;7-覆晶芯片;8-透明胶;9-荧光层。
【具体实施方式】
[0028]实施例1
[0029]本发明提供一种覆晶式LED元件，如图1-3所示，包括，支架或基板，支架或基板具有一空腔1，所述空腔1底部设置有金属区，本实施例中，所述金属区由第一金属区2和第二金属区3组成，所述金属区上方贴覆有覆晶芯片7，所述空腔1内填充有透明胶8，所述透明胶8上方设置有荧