离子体环境中形成S12薄膜，SiH4+2N20—Si02+2N2+2H2。其中，N2O为一种会与有机膜层发生反应的气体，由于阳极金属膜层覆盖了有机衬底，使得在利用SiH4和N2O作为气源形成S12薄膜时，N2O不会与有机膜层接触，进而可以避免在制备S12薄膜时，N2O与有机膜层发生反应使有机膜层产生孔洞。
[0041]203、在无机物膜层上形成光刻胶，使光刻胶形成与阳极相同的图案。具体的，可以通过构图工艺(如曝光、显影)使光刻胶形成与阳极相同的图案。
[0042 ] 204、使无机物膜层图案化。优选的，通过干刻法使无机物膜层图案化。
[0043]205、使阳极金属膜层形成阳极层。优选的，通过湿刻法使阳极金属膜层形成阳极层。
[0044]本发明实施例有益效果如下:在阳极金属膜层上先形成无机物膜层，该阳极金属膜层在无机物膜层形成过程中可以对有机膜层进行保护和隔离，使无机物膜层制备过程中的物质或气体不会与有机膜层接触，避免有机膜层出现孔洞，提高OLED的品质。
[0045]为了更清楚的描述本发明中OLED制备方法，结合图3至图9详细说明如下:
[0046]步骤一，在有机膜层I上形成阳极金属膜层2，如图3所示。
[0047]具体的，可以通过真空蒸镀、磁控溅射或化学气相沉积等方法在有机膜层I上进行形成阳极金属膜层2，其中，形成的阳极金属膜层2覆盖下方的有机膜层I。形成的阳极金属膜层2的材质以及膜层厚度可以根据需要进行灵活设置。例如，金属膜层的材质可以为银、招、铜材料。
[0048]步骤二，在阳极金属膜层2上形成无机物膜层3，如图5所示。
[0049]具体的，可以通过PECVD方法在图3所示的阳极金属膜层2之上形成无机物膜层3，如图4所示;然后对无机物膜层3的进行刻蚀形成如图5所示的无机物膜层3。
[0050]优选的，无机物膜层3的材料为氧化硅材料。具体的，可以为S1也可以为Si02。例如，对于在阳极金属膜层2上形成S12时，可以通过采用SiH4和N2O作为气源，采用PECVD方法在等离子体环境中通过如下反应:SiH4+2N20—Si02+2N2+2H2形成S12薄膜。其中，N2O为一种会与有机膜层发生反应的气体，如果在阳极金属膜层2上形成S12薄膜之前对阳极金属膜层2先进性图案化(例如，形成如图9所示的阳极金属膜层2)，则在形成S12薄膜时，N2O气体就有可能通过图案化的阳极金属膜层2的间隙(例如，如图9所示的间隙21)和有机膜层I发生反应，造成有机膜层I形成孔洞。在本实施例中，由于阳极金属膜层2覆盖了有机膜层1，使得在利用SiH4和N2O作为气源形成S12薄膜时，N2O不会与有机膜层I接触，进而可以避免在制备S12薄膜时，N2O与有机膜层I发生反应使有机膜层I产生孔洞。
[0051]步骤三，在无机物膜层3上形成如图6所示的光刻胶膜层4，使光刻胶膜层4形成与阳极相同的图案。具体的，可以通过构图工艺(如曝光、显影)使光刻胶膜层4形成如图6所示的光刻胶膜层4，该光刻胶膜层4的图形与后期形成的阳极图案相同。
[0052]步骤四，使无机物膜层3图案化，如图7所示。优选的，通过干刻法对未被光刻胶遮挡的无机物膜层3进行刻蚀，形成如图7所示的无机物膜层3。
[0053]步骤五，使阳极金属膜层2图案化，如图8所示。优选的，通过湿刻法使阳极金属膜层2图案化。具体的，可以根据阳极的金属材料选择合适的溶液对阳极金属膜层2进行刻蚀形成如图8所示的图案。
[0054]步骤六，去除光刻胶膜层4，完成阳极金属膜层2与无机物膜层3的制备，如图9所不O
[0055]本发明实施例有益效果如下:在阳极金属膜层上先形成无机物膜层，该阳极金属膜层在无机物膜层形成过程中可以对有机膜层进行保护和隔离，使无机物膜层制备过程中的物质或气体不会与有机膜层接触，避免有机膜层出现孔洞，提高OLED的品质。
[0056]本发明实施例提供一种OLED器件，以上述本发明实施例提供的方法制备。形成的OLED器件包括有机膜层、形成于有机膜层上的阳极层以及形成于阳极层上的无机物膜层，
[0057]优选的，有机膜层可以是柔性OLED衬底，具体可以为PET、PEN、PEEK、PES以及PC等或含此类材料的复合有机衬底。
[0058]优选的，金属阳极膜层的材料可以为银、铝、铜等。
[0059]优选的，无机物膜层的材料为氧化硅材料。具体的，可以为S1，也可以为Si02。
[0060]本发明实施例有益效果如下:在阳极金属膜层上先形成无机物膜层，该阳极金属膜层在无机物膜层形成过程中可以对有机膜层进行保护和隔离，使无机物膜层制备过程中的物质或气体不会与有机膜层接触，避免有机膜层出现孔洞，提高OLED的品质。
[0061]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种OLED制备方法，包括在有机膜层上形成阳极金属膜层并使所述阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤，其特征在于， 所述使所述阳极金属膜层形成包括所述阳极的图案的所述阳极层之前，先在所述阳极金属膜层上形成无机物膜层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括: 在所述无机物膜层上形成光刻胶，使所述光刻胶形成与所述阳极相同的图案； 使所述无机物膜层图案化； 使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过干刻法使所述无机物膜层图案化。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过湿刻法使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积法在所述阳极层之上形成所述无机物膜层的。6.一种OLED器件，其特征在于，以权利要求1至5任一项所述的方法制备。7.如权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述有机膜层为有机衬底。8.如权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述阳极的材料为银、铝、铜材料。9.如权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述无机物膜层的材料为氧化硅材料。
【专利摘要】本发明的目的是提供一种OLED制备方法和OLED器件，以解决在金属阳极上形成无机物膜层时，由于无机物膜层制备过程中的物质或气体与有机膜层反应，致使有机膜层出现孔洞导致OLED不良的问题。所述OLED制备方法，包括在有机膜层上形成阳极金属膜层并使所述阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤；所述使所述阳极金属膜层形成包括所述阳极的图案的所述阳极层之前，先在所述阳极金属膜层上形成所述无机物膜层。
【IPC分类】H01L51/52, H01L27/32, H01L51/56
【公开号】CN105609658
【申请号】CN201610109742
【发明人】顾鹏飞, 刘凤娟, 孙宏达
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年2月26日