磁场、低频磁场屏蔽效果提高。
[0096]作为布线层15的导电体层15及软磁性体层25与实施方式I同样，能够通过涂镀法制作。
[0097]另外，布线层15也可以设为实施方式I中采用的那样的导电体层与软磁性体层的二层构造。
[0098]本实施方式中的软磁性体层25，由于除了开口 26的部分以外，不需要图形化，所以通过涂镀法以外的方法也可以形成，若与实施方式I相比，则软磁性体层的厚膜化容易。
[0099]例如，可以将磁屏蔽部件17及软磁性体层25 —起以印刷等通过注入软磁性体膏而形成。
[0100]另外，也可以通过坡莫合金等的箔形成软磁性体层25。
[0101]图8A?图8D中表示通过坡莫合金等的箔25’形成了软磁性体层25的磁屏蔽封装体。
[0102]另外，在图8A?图8D如下表不使用了猜25’的磁屏蔽封装体的制造工序。
[0103]另外，图8A?图8D的截面图表示沿着图8B右图所示的虚线切断的截面。
[0104].准备预先形成了图形的箔25’ (参照图8A)。
[0105]箔25’如图8A所示，蚀刻除去与导电部对应的区域而形成开口 26，并且在区域外也以切割刀片容易通过的方式残留联结部分27地进行蚀刻而设置切口 28。
[0106].在绝缘材料层14的上表面通过高精度粘贴装置层压箔25’而形成软磁性体层25(参照图8B)0
[0107].在非易失性磁存储元件的外周的绝缘材料层14形成磁屏蔽部件17用的沟(参照图8C)。
[0108]在沟的形成中可以使用安装了端铣刀的铣床。
[0109].在上述沟内使用分配器31注入软磁性体膏32。
[0110].在形成了布线层15及布线保护层19之后，沿着切割线33进行封装体切割而单片化(参照图8D)。
[0111](实施方式3)
[0112]图9中表示实施方式3的磁屏蔽封装体的构造。
[0113]本实施方式使用具有腔29的支撑板12构成磁屏蔽封装体。
[0114]在腔29，MRAMll由第2绝缘材料层14a密封。
[0115]在第2绝缘材料层14a的上表面，与图8所示的磁屏蔽封装体同样，层压包含箔25’的软磁性体层25，并由第2绝缘材料层14b密封。
[0116]软磁性体层25与支撑板12通过连接部30磁连接。
[0117]本实施方式中，由于使用具有腔29的支撑板12的侧壁部分作为磁屏蔽层，所以通过加厚支撑板12的侧壁，可获得更高的静磁场、低频磁场屏蔽效果。
[0118]〈制造方法〉
[0119]基于图1OA?图1OD及图1lA?图11D，按工序顺序说明实施方式3的磁屏蔽封装体的制造方法。
[0120]?在包含具有腔的软磁性材料的支撑板12的腔29的底面，隔着第I绝缘性材料层13附着固定MRAMlU图10A)。
[0121]?用第2绝缘材料层14a密封MRAMll及其周围(图10B)。
[0122].在第2绝缘材料层14a的上表面，层压形成了图形的箔25’ (图10C)。
[0123].通过刀片31除去支撑板12的上端外周部的绝缘材料(图10D)。
[0124]?在通过刀片31除去了绝缘材料的部分，通过分配器31涂敷含有软磁性体微粒和热固化性树脂的软磁性体膏32，形成连接部30 (图11A)。
[0125].由绝缘性材料层14b密封软磁性体层及连接部30 (图11B)。
[0126].在绝缘材料层14b的上表面形成布线层15 (图11C)。
[0127].在布线层15的上表面形成布线保护层19(图11D)。
[0128]虽然上述中在第2绝缘材料层14a的上表面通过箔25’形成软磁性体层25，但是也可以通过涂镀法形成软磁性体层25。
[0129]另外，在使用涂镀法的情况下，也可以与实施方式I同样，设为将布线层15与软磁性体层25 —体化了的层叠构造。
[0130]进而，连接部30也可以露出于封装体外。
[0131](实施方式4)
[0132]图12中表示实施方式4的磁屏蔽封装体的构造。
[0133]本实施方式的磁屏蔽封装体是实施方式I的变形例。
[0134]上述实施方式I中，将布线层15设为包含导电性高的材料的导电体层15a和包含软磁性材料的软磁性体层15b的层叠构造。
[0135]但是，即使布线层15是高电阻值的，若产品上没有特别的问题，则也可以仅由软磁性材料构成布线层15。
[0136]在本实施方式中，如图12所示，在第2绝缘性材料层14上仅形成具有导电性的软磁性体层而设为单层的布线层15，在其上形成布线保护层19。
[0137]在该情况下，在形成布线层15时，优选通过仅由铜等低电阻材料制作与MRAMlI的电极连接的布线部分，来良好地保持布线层的导电率。
[0138]另外，在仅由软磁性材料构成布线层15的情况下，关于磁屏蔽部件17也可以仅由软磁性材料构成。
【主权项】
1.一种非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其抑制外部磁场对非易失性磁存储元件的影响，其特征在于，包括: 支撑板，其包含软磁性材料； 第I绝缘材料层，其形成在上述支撑板上； 非易失性磁存储元件，其与元件电路面相反侧的面附着固定在上述第I绝缘材料层上; 第2绝缘材料层，其密封上述非易失性磁存储元件及其周边； 布线层，其设置在上述第2绝缘材料层内； 软磁性体层，其包含设置在上述第2绝缘材料层内的软磁性材料； 导电部，其设置在上述第2绝缘材料层内，将上述非易失性磁存储元件的元件电路面的电极与上述布线层连接；以及 磁屏蔽部件，其包含以与上述非易失性磁存储元件侧面隔着间隔包围上述非易失性磁存储元件侧面的一部分或全部的方式按壁状配置的软磁性材料， 上述软磁性体层与上述磁屏蔽部件磁连接。2.权利要求1所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其特征在于， 上述布线层具有包含导电体层和上述软磁性体层的二层层叠构造，所述导电体层包含导电性材料，上述软磁性体层包含软磁性材料。3.权利要求1所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其特征在于， 上述磁屏蔽部件形成包含导电体层和软磁性体层的二层构造，所述导电体层包含导电性材料，所述软磁性体层包含软磁性材料。4.权利要求2所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其特征在于， 上述磁屏蔽部件形成包含导电体层和软磁性体层的二层构造，所述导电体层包含导电性材料，所述软磁性体层包含软磁性材料。5.权利要求1所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其特征在于， 上述软磁性体层形成在上述非易失性磁存储元件与上述布线层之间的上述第2绝缘材料层内，在与上述非易失性磁存储元件的元件电路面的电极对应的部分具有开口，在该开口配置上述导电部。6.权利要求1?5的任一项所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其特征在于， 上述按壁状配置的软磁性材料与上述支撑板一体地设置。7.权利要求6所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其特征在于， 上述支撑板是在平板设置了腔的构件，形成上述腔的周围的部件形成上述按壁状配置的软磁性材料。8.权利要求1所述的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体，其特征在于， 设置在上述第2绝缘材料层内的布线层的材料是导电性的软磁性材料，该布线层兼作上述软磁性体层。
【专利摘要】非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体包括：支撑板(12)，其包含软磁性材料；第1绝缘材料层(13)，其形成在支撑板上；非易失性磁存储元件(11)，其与元件电路面相反侧的面附着固定在第1绝缘材料层上；第2绝缘材料层(14)，其密封非易失性磁存储元件及其周边；布线层(15)，其设置在第2绝缘材料层内；软磁性体层(15b或25)，其包含设置在第2绝缘材料层内的软磁性材料；导电部(16)，其设置在第2绝缘材料层内，将非易失性磁存储元件的元件电路面的电极与布线层连接；磁屏蔽部件(17)，其包含以与非易失性磁存储元件侧面隔着间隔包围非易失性磁存储元件侧面的一部分或全部的方式按壁状配置的软磁性材料，软磁性体层与上述磁屏蔽部件磁连接。
【IPC分类】H01L27/22, H01L43/08
【公开号】CN105702698
【申请号】CN201510896754
【发明人】松原宽明, 岩崎俊宽, 近井智哉, 石堂仁则, 渡边真司, 玉川道昭
【申请人】株式会社吉帝伟士
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年12月8日
【公告号】US20160172580