Tft基板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是液晶显示器的核心组成部分。
[0003]传统的液晶显示面板通常是由一彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate ,TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。其中薄膜晶体管阵列基板上制备薄膜晶体管阵列，用于驱动液晶的旋转，控制每个像素的显示，而彩色滤光片基板上设有彩色滤光层，用于形成每个像素的色彩。
[0004]请参阅图1，为现有的TFT基板的结构示意图，包括衬底基板100’及在衬底基板100’上由下而上依次设置的遮光层(Light shielding Layer)200’、缓冲层300’、TFT400’、平坦化层500’、底层电极600’、钝化层700’、及顶层电极800’。其中，TFT400’包括由下至上依次设置的有源层410’、栅极绝缘层420’、栅极430’、层间介电层440’、源极450’、及漏极460’，源极450’与漏极460’分别通过贯穿栅极绝缘层420’、及层间介电层440的第一通孔910 ’及第二通孔920，与有源层410 ’的两端连接。
[0005]请参阅图2，为图1的TFT基板中的TFT的俯视示意图，该TFT400’为顶栅结构，有源层410 ’设置在栅极430 ’的下方，所述有源层410 ’的制作是通过在有源层410 ’上涂布掩膜光刻胶并进行干蚀刻而完成的。请参阅图3，为图1的TFT基板中的TFT沿图2中的A’-A’线的剖视示意图，从图3中可以看出，沿所述栅极430’的长度方向，所述有源层410’的两侧均具有一尖端415’，在TFT400’工作时，有源层410’两侧的尖端415’会产生电场集中效应，使尖端415 ’处感应出的载流子的浓度增大，形成侧面寄生TFT，从而使TFT400 ’的输出电性改变，产生TFT提前打开的现象，影响液晶显示面板正常的显示工作。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种TFT基板，避免有源层结构对TFT输出电性的影响，TFT质量高，工作稳定性强。
[0007]本发明的另一目的在于提供一种TFT基板的制作方法，避免有源层结构对TFT输出电性的影响，提升TFT质量，增强TFT基板的工作稳定性。
[0008]为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT基板，包括:衬底基板、及设置在所述衬底基板上的TFT;
[0009]所述TFT包括:有源层、设置在所述有源层上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上且水平位置与有源层对应的栅极、设置在所述栅极及栅极绝缘层上的层间介电层、及设置在所述层间介电层上的源极及漏极；
[0010]沿栅极的长度方向，所述有源层至少包括位于中间的第一区域、及位于所述第一区域两侧的第二区域，所述第一区域的厚度大于第二区域的厚度，使得所述有源层的两侧均具有至少一个台阶。
[0011]所述步骤2制得的有源层的两侧均具有一个台阶。
[0012]所述TFT基板还包括:设置在所述衬底基板与TFT之间的遮光层与缓冲层、设置在所述TFT上的平坦化层、设置在所述平坦化层上的底层电极、设置在所述底层电极上的钝化层、及设置在所述钝化层上的顶层电极。
[0013 ]所述有源层与遮光层相对应，且所述遮光层在水平方向上完全覆盖所述有源层。
[0014]所述栅极绝缘层和层间介电层上对应有源层两端的位置设有第一通及第二通孔，所述源极与漏极分别通过第一通孔及第二通孔与有源层的两端连接；
[0015]所述平坦化层上对应漏极的位置设有第三通孔，所述顶层电极通过第三通孔与漏极连接。
[0016]本发明还提供一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤:
[0017]步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成半导体材料层，并在所述半导体材料层上形成光刻胶层，采用一道灰阶光罩对所述光刻胶层进行曝光、显影，得到光刻胶图案，沿栅极的长度方向，所述光刻胶图案至少包括位于中间的第一光刻胶段、及位于两侧的第二光刻胶段，且所述第一光刻胶段的厚度大于所述第二光刻胶段的厚度；
[0018]步骤2、采用对所述光刻胶图案与半导体材料层均能进行蚀刻的气体对所述光刻胶图案与半导体材料层进行至少两步蚀刻:
[0019]第一步蚀刻是将所述半导体材料层上位于所述第二光刻胶段外侧的部分变薄，同时将所述光刻胶图案的第一光刻胶段变薄，将所述光刻胶图案的第二光刻胶段完全蚀刻掉；
[0020]第二步蚀刻是将所述光刻胶图案的第一光刻胶段完全蚀刻掉，将所述半导体材料层上位于所述第二光刻胶段外侧的部分完全蚀刻掉，同时将所述半导体材料层上对应于第二光刻胶段的部分变薄，得到有源层，所述有源层至少包括位于中间且对应于第一光刻胶段的第一区域、及位于所述第一区域两侧且对应于第二光刻胶段的第二区域，所述第一区域的厚度大于第二区域的厚度，使得所述有源层的两侧均具有至少一个台阶；
[0021]步骤3、在所述有源层上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上对应有源层的位置形成栅极，在所述栅极及栅极绝缘层上形成层间介电层，在所述层间介电层上形成源极及漏极，完成TFT的制作。
[0022]所述步骤2制得的有源层的两侧均具有一个台阶。
[0023]所述步骤I还包括在所述衬底基板与半导体材料层之间形成遮光层与缓冲层的步骤；
[0024]所述TFT基板的制作方法还包括:步骤4、在所述TFT上形成平坦化层，在所述平坦化层上形成底层电极，在所述底层电极上形成钝化层，在所述钝化层上形成顶层电极。
[0025]所述步骤2制得的有源层与遮光层相对应，且所述遮光层在水平方向上完全覆盖所述有源层。
[0026]所述步骤3还包括在所述栅极绝缘层和层间介电层上对应有源层两端的位置形成第一通孔及第二通孔的步骤;所述源极与漏极分别通过第一通孔及第二通孔与有源层的两端连接；
[0027]所述步骤4还包括一在平坦化层上对应漏极的位置形成第三通孔的步骤，所述顶层电极通过第三通孔与漏极连接。
[0028]本发明的有益效果:本发明提供的TFT基板，包括:衬底基板、及设置在所述衬底基板上的TFT，该TFT基板通过对TFT中的有源层的结构进行改进，使得有源层的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中侧面为单个台阶的有源层，能够有效减弱有源层侧面台阶的尖端电场集中效应，使有源层中载流子的浓度均匀，使TFT的输出电性稳定，TFT的质量高，TFT阵列基板的工作稳定性强。本发明提供的TFT阵列基板的制作方法，能够有效减弱TFT中有源层侧面台阶的尖端电场集中效应，使有源层中的载流子浓度均匀，使TFT的输出电性稳定，提升TFT的质量，进而增强TFT阵列基板的工作稳定性。
【附图说明】
[0029]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0030]附图中，
[0031]图1为现有的TFT基板的结构不意图；
[0032]图2为图1的TFT基板中的TFT的俯视示意图；
[0033]图3为图1的TFT基板中的TF