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[0071]具体的，所述有源层410的材料为多晶硅(Poly-Si)。
[0072]上述TFT基板的制作方法，通过对TFT400中的有源层410的结构进行改进，使得有源层410的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中的有源层，有源层410两侧的电场集中效应减弱，使有源层410内部的载流子浓度均匀，防止有源层410的侧面与其上部的栅极430形成侧面寄生TFT，有效地控制TFT400的输出电性，提升TFT400的质量，进而使TFT基板的工作的稳定性增强。
[0073]综上所述，本发明的TFT基板，包括:衬底基板、及设置在所述衬底基板上的TFT，该TFT基板通过对TFT中的有源层的结构进行改进，使得有源层的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中的有源层，能够有效减弱有源层两侧的尖端电场集中效应，使有源层中载流子的浓度均匀，使TFT的输出电性稳定，TFT的质量高，TFT基板的工作稳定性强。本发明的TFT基板的制作方法，能够有效减弱TFT中有源层侧面的尖端电场集中效应，使有源层中的载流子浓度均匀，使TFT的输出电性稳定，提升TFT的质量，进而增强TFT基板的工作稳定性。
[0074]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种TFT基板，其特征在于，包括:衬底基板(100)、及设置在所述衬底基板(100)上的TFT(400)； 所述TFT(400)包括:有源层(410)、设置在所述有源层(410)上的栅极绝缘层(420)、设置在所述栅极绝缘层(420)上且水平位置与有源层(410)对应的栅极(430)、设置在所述栅极(430)及栅极绝缘层(420)上的层间介电层(440)、及设置在所述层间介电层(440)上的源极(450)及漏极(460); 沿所述栅极(430)的长度方向，所述有源层(410)至少包括位于中间的第一区域(411)、及位于所述第一区域(411)两侧的第二区域(412)，且所述第一区域(411)的厚度大于第二区域(412)的厚度，使得所述有源层(410)的两侧均具有至少一个台阶。2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述有源层(410)的两侧均具有一个台阶。3.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，还包括:设置在所述衬底基板(I00)与TFT(400)之间的遮光层(200)与缓冲层(300)、设置在所述TFT(400)上的平坦化层(500)、设置在所述平坦化层上(500)上的底层电极(600)、设置在所述底层电极(600)上的钝化层(700),及设置在所述钝化层(700)上的顶层电极(800)。4.如权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述有源层(410)与遮光层(200)相对应，且所述遮光层(200)在水平方向上完全覆盖所述有源层(410)。5.如权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(420)和层间介电层(440)上对应有源层(410)两端的位置设有第一通孔(910)及第二通孔(920)，所述源极(450)与漏极(460)分别通过第一通孔(910)及第二通孔(920)与有源层(410)的两端连接； 所述平坦化层(500)上对应漏极(460)的位置设有第三通孔(930)，所述顶层电极(800)通过第三通孔(930)与漏极(460)连接。6.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1、提供一衬底基板(100)，在所述衬底基板(100)上形成半导体材料层(10)，并在所述半导体材料层(10)上形成光刻胶层(11)，采用一道光罩(15)对所述光刻胶层(11)进行曝光、显影，得到光刻胶图案(20)，沿栅极的长度方向，所述光刻胶图案(20)至少包括位于中间的第一光刻胶段(21)、及位于两侧的第二光刻胶段(22)，且所述第一光刻胶段(21)的厚度大于所述第二光刻胶段(22)的厚度； 步骤2、采用对所述光刻胶图案(20)与半导体材料层(10)均能进行蚀刻的气体对所述光刻胶图案(20)与半导体材料层(10)进行至少两步蚀刻: 第一步蚀刻是将所述半导体材料层(10)上位于所述第二光刻胶段(22)外侧的部分变薄，同时将所述光刻胶图案(20)的第一光刻胶段(21)变薄，将所述光刻胶图案(20)的第二光刻胶段(22)完全蚀刻掉； 第二步蚀刻是将所述光刻胶图案(20)的第一光刻胶段(21)完全蚀刻掉，将所述半导体材料层(10)上位于所述第二光刻胶段(22)外侧的部分完全蚀刻掉，同时将所述半导体材料层(10)上对应于第二光刻胶段(22)的部分变薄，得到有源层(410)，所述有源层(410)至少包括位于中间且对应于第一光刻胶段(21)的第一区域(411)、及位于所述第一区域(411)两侧且对应于第二光刻胶段(22)的第二区域(412)，所述第一区域(411)的厚度大于第二区域(412)的厚度，使得所述有源层(410)的两侧均具有至少一个台阶； 步骤3、在所述有源层(410)上形成栅极绝缘层(420)，在所述栅极绝缘层(420)上对应有源层(410)的位置形成栅极(430)，在所述栅极(430)及栅极绝缘层(420)上形成层间介电层(440)，在所述层间介电层(440)上形成源极(450)及漏极(460)，完成TFT(400)的制作。7.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2制得的有源层(410)的两侧均具有一个台阶。8.如权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤I还包括在所述衬底基板(100)与半导体材料层(10)之间形成遮光层(200)与缓冲层(300)的步骤； 还包括:步骤4、在所述TFT(400)上形成平坦化层(500)，在所述平坦化层上(500)上形成底层电极(600)，在所述底层电极(600)上形成钝化层(700)，在所述钝化层(700)上形成顶层电极(800)。9.如权利要求8所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2制得的有源层(410)与遮光层(200)相对应，且所述遮光层(200)在水平方向上完全覆盖所述有源层(410)。10.如权利要求8所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3还包括在所述栅极绝缘层(420)和层间介电层(440)上对应有源层(410)两端的位置形成第一通孔(910)及第二通孔(920)的步骤;所述源极(450)与漏极(460)分别通过第一通孔(910)及第二通孔(920)与有源层(410)的两端连接； 所述步骤4还包括一在平坦化层(500)上对应漏极(460)的位置形成第三通孔(930)的步骤，所述顶层电极(800)通过第三通孔(930)与漏极(460)连接。
【专利摘要】本发明提供一种TFT基板及其制作方法，该TFT基板通过对TFT(400)中的有源层(410)的结构进行改进，使得有源层(410)的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中的有源层，能够有效减弱有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层(410)中载流子的浓度均匀，控制TFT(400)的输出电性，TFT(400)的质量高，TFT基板的工作稳定性强。本发明的TFT基板的制作方法，能够有效减弱TFT(400)中有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层(410)中的载流子浓度均匀，控制TFT(400)的输出电性，TFT(400)的质量高，TFT基板的工作稳定性强。
【IPC分类】G02F1/1362, H01L21/77, H01L27/12
【公开号】CN105702687
【申请号】CN201610228341
【发明人】王涛
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2016年4月13日