T沿图2中的A’ -A ’线的剖视示意图；
[0034]图4为本发明的TFT基板的结构示意图；
[0035]图5为图4的TFT基板中的TFT的俯视示意图；
[0036]图6为图4的TFT基板中的TFT沿图5中的A-A线的剖视示意图；
[0037]图7为本发明的TFT基板的制作方法的流程图；
[0038]图8-9为本发明的TFT基板的制作方法的步骤I的示意图；
[0039 ]图10-11为本发明的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图。
【具体实施方式】
[0040]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0041]请参阅图4至图6，本发明提供一种TFT基板，包括:衬底基板100、及设置在所述衬底基板100上的TFT400;
[0042]所述TFT400包括:有源层410、设置在所述有源层410上的栅极绝缘层420、设置在所述栅极绝缘层420上且水平位置与有源层410对应的栅极430、设置在所述栅极430及栅极绝缘层420上的层间介电层440、及设置在所述层间介电层440上的源极450及漏极460;
[0043]如图5至图6所示，沿所述栅极430的长度方向，所述有源层410至少包括位于中间的第一区域411、及位于所述第一区域411两侧的第二区域412，所述第一区域411的厚度大于第二区域412的厚度，使得所述有源层410的两侧均具有至少一个台阶。
[0044]优选的，所述第二区域412的宽度为所述第一区域411的宽度的二十分之一至十分之一O
[0045]优选的，所述有源层410的两侧均具有一个台阶。
[0046]具体的，所述TFT基板还包括:设置在所述衬底基板100与TFT400之间的遮光层200与缓冲层300、设置在所述TFT400上的平坦化层500、设置在所述平坦化层上500上的底层电极600、设置在所述底层电极600上的钝化层700、及设置在所述钝化层700上的顶层电极800。
[0047]具体的，所述有源层410与遮光层200相对应，且所述遮光层200在水平方向上完全覆盖所述有源层410，从而能够对有源层410进行遮光，防止光电效应使TFT产生漏电流影响显示效果。
[0048]具体的，所述栅极绝缘层420和层间介电层440上对应有源层410两端的位置设有第一通孔910及第二通孔920，所述源极450与漏极460分别通过第一通孔910及第二通孔920与有源层410的两端连接；
[0049]所述平坦化层500上对应漏极460的位置设有第三通孔930，所述顶层电极800通过第三通孔930与漏极460连接。
[0050]优选的，所述衬底基板100为玻璃基板。
[0051]具体的，所述底层电极600和顶层电极800分别为公共电极与像素电极，所述底层电极600与顶层电极800的材料均为透明导电材料，所述透明导电材料优选为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ΙΤ0)ο
[0052]具体的，所述有源层410的材料为多晶硅(Poly-Si)。
[0053]上述TFT基板通过对TFT400中的有源层410的结构进行改进，使得有源层400的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中的有源层，有源层410两侧的电场集中效应减弱，使有源层410内部的载流子浓度均匀，防止有源层410的侧面与其上部的栅极430形成侧面寄生TFT，有效地控制TFT400的输出电性，提升TFT400的质量，进而使TFT基板的工作的稳定性增强。
[0054]请参阅图7，基于上述TFT基板，本发明还提供一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤:
[0055]步骤1、如图8-9所示，提供一衬底基板100，在所述衬底基板100上形成半导体材料层10，并在所述半导体材料层10上形成光刻胶层11，采用一道光罩15对所述光刻胶层11进行曝光、显影，得到光刻胶图案20，沿栅极的长度方向，所述光刻胶图案20至少包括位于中间的第一光刻胶段21、及位于两侧的第二光刻胶段22，且所述第一光刻胶段21的厚度大于所述第二光刻胶段22的厚度。
[0056]具体的，如图8所示，所述步骤I还包括在所述衬底基板100与半导体材料层10之间形成遮光层200与缓冲层300的步骤。
[0057]步骤2、如图10-11所示，采用对所述光刻胶图案20及半导体材料层10均能进行蚀刻的气体对所述光刻胶图案20与半导体材料层10进行至少两步蚀刻:
[0058]如图10所示，第一步蚀刻是将所述半导体材料层10上位于所述第二光刻胶段22外侧的部分变薄，同时将所述光刻胶图案20的第一光刻胶段21变薄，将所述光刻胶图案20的第二光刻胶段22完全蚀刻掉；
[0059]如图11所示，第二步蚀刻是将所述光刻胶图案20的第一光刻胶段21完全蚀刻掉，将所述半导体材料层10上位于所述第二光刻胶段22外侧的部分完全蚀刻掉，同时将所述半导体材料层10上对应于第二光刻胶段22的部分变薄，得到有源层410，所述有源层410至少包括位于中间且对应于第一光刻胶段21的第一区域411、及位于所述第一区域411两侧且对应于第二光刻胶段22的第二区域412，所述第一区域411的厚度大于第二区域412的厚度，使得所述有源层410的两侧均具有至少一个台阶。
[0060]优选的，所述步骤2制得的有源层410的两侧均具有一个台阶。
[0061 ] 具体的，所述步骤2中，所述光罩15为灰阶光罩(Gray Tone Mask，GTM)、半色调光罩(Half Tone Mask，HTM)、或单缝光罩(Single Slit Mask，SSM)。
[0062]具体的，所述步骤2采用的蚀刻气体由多种气体组分组成，通过调节各气体组分的比例，可使得所述蚀刻气体对半导体材料层10的刻蚀速率与所述蚀刻气体对光刻胶图案20的刻蚀速率之间保持一定的比例。
[0063]具体的，所述第一步蚀刻与第二步蚀刻均为干蚀刻。
[0064]具体的，所述步骤2制得的有源层410与遮光层200相对应，且所述遮光层200在水平方向上完全覆盖所述有源层410，从而能够对有源层410进行遮光，防止光电效应使TFT产生漏电流影响显示效果。
[0065]步骤3、如图4所示，在所述有源层410上形成栅极绝缘层420，在所述栅极绝缘层420上对应有源层410的位置形成栅极430，在所述栅极430及栅极绝缘层420上形成层间介电层440，在所述层间介电层440上形成源极450及漏极460，完成TFT400的制作。
[0066]具体的，如图4所示，所述TFT基板的制作方法还包括:步骤4、在所述TFT400上形成平坦化层500，在所述平坦化层上500上形成底层电极600，在所述底层电极600上形成钝化层700，在所述钝化层700上形成顶层电极800。
[0067]具体的，如图4所示，所述步骤3还包括在所述栅极绝缘层420和层间介电层440上对应有源层410两端的位置形成第一通孔910及第二通孔920的步骤;所述源极450与漏极460分别通过第一通孔910及第二通孔920与有源层410的两端连接；
[0068]所述步骤4还包括一在平坦化层500上对应漏极460的位置形成第三通孔930的步骤，所述顶层电极800通过第三通孔930与漏极460连接。
[0069]优选的，所述衬底基板100为玻璃基板。
[0070]具体的，所述底层电极600和顶层电极800分别为公共电极与像素电极，所述底层电极600与顶层电极800的材料均为透明导电材料，所述透明导电材料优选为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ΙΤ0)