一种显示面板及其制作方法

文档序号:10490763阅读:263来源:国知局
一种显示面板及其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种显示面板及其制作方法,显示面板具有显示区以及边框区,显示面板包括:相对设置的盖板以及显示基板;盖板具有第一导电层;显示基板包括:TFT基板以及设置在TFT基板朝向盖板一侧的像素定义层;像素定义层具有开口区以及非开口区;开口区设置有发光功能层,发光功能层与TFT基板之间设置有第一电极;非开口区具有朝向盖板的凸起结构;发光功能层以及凸起结构表面设置有第二电极层,第二电极层在对应凸起结构的位置与第一导电层电连接;显示基板对应边框区的预设区域设置有走线,走线用于提供第二电极层的工作电压;第一导电层与走线电连接。所述显示面板降低了边框区宽度,且避免了第二电极层的电压下降问题。
【专利说明】
一种显示面板及其制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及显示装置技术领域,更具体的说,涉及一种显示面板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]随着科学技术的不断发展,越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当前人们不可或缺的重要工具。电子设备实现显示功能的主要部件是显示面板,OLED显示面板是当前主流的显示面板之一。
[0003]参考图1,图1为现有技术中常见的一种OLED面板的结构示意图,该OLED显示面板包括:相对设置的盖板12以及阵列基板U。所述OLED显示面板具有显示区A以及边框区B。阵列基板11包括衬底117。阵列基板11还包括TFT器件111以及显示单元。TFT器件111位于显示单元与衬底117之间。TFT器件111与显示单元位于显示区A。显示单元包括:阳极112、发光功能层113以及阴极114。其中,阳极112朝向TFT器件111设置,阳极112与TFT器件111与之间具有介质层118。阳极112通过第一通孔Vial与TFT器件111的漏极连接,通过第一通孔TFT器件111为阳极112提供阳极电压。阴极114延伸至边框区B,阴极114在边框区B通过设置在像素定义层116上的第二通孔Via2与位于边框区B的走线115连接,走线115用于为阴极114提供阴极电压PVEE。
[0004]由图1可知,现有的OELD显示面板,需要在边框区B的像素定义层116上设置第二通孔Via2,以便于使得阴极114与走线115连接,制作工艺复杂,且第二通孔Via的设置不便于OLED显示面板窄边框的设计。而且随着显示面板尺寸的不断增加,显示面板中像素单元的个数越来越多,现有技术中整个阴极层仅在边框区实现与提供阴极电压的走线连接,导致阴极的电压下降(IR drop)明显增大,影响显示效果。

【发明内容】

[0005]为解决上述问题,本发明提供了一种显示面板及其制作方法,所述显示面板在盖板朝向显示面板的一侧表面设置有第一导电层,通过使得第二电极层与第一导电层电连接,并使得第一导电层与用于提供第二电极层的工作电压的走线连接,避免了设置通孔使得第二电极层与所述走线连接,无需打孔工艺,制作工艺简单,且便于窄边框设计;且所述显示面板在显示区内通过第一导电层与第二电极连接,为第二电极提供工作电压,避免了电压下降问题。
[0006]为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案
[0007]—种显示面板,所述显示面板具有显示区以及边框区,所述显示面板包括:相对设置的盖板以及显示基板;
[0008]所述盖板包括:第一衬底以及设置在所述第一衬底朝向所述显示基板一侧的第一导电层;
[0009]所述显示基板包括:TFT基板以及设置在所述TFT基板朝向所述盖板一侧的像素定义层;所述像素定义层具有开口区以及非开口区;
[0010]所述开口区设置有发光功能层,所述发光功能层与所述TFT基板之间设置有第一电极;所述非开口区具有朝向所述盖板的凸起结构;所述发光功能层以及所述凸起结构表面设置有第二电极层,所述第二电极层在对应所述凸起结构的位置与所述第一导电层电连接;
[0011]其中,所述显示基板对应所述边框区的预设区域设置有走线,所述走线用于提供第二电极层的工作电压;所述第一导电层与所述走线电连接。
[0012]本发明还提供了一种显示面板的制作方法,用于制作上述显示面板,其特征在于,该制作方法包括:
[0013]提供一TFT基板以及盖板;
[0014]在所述TFT基板表面形成第一电极层;
[0015]图案化所述第一电极层形成第一电极以及走线;其中,所述第一电极位于显示区,走线位于边框区;
[0016]形成覆盖所述第一电极以及所述TFT基板的像素定义层;所述像素定义层具有开口区以及非开口区;
[0017]图案化所述像素定义层,在所述开口区形成开口,在所述非开口区形成凸起结构;其中,所述开口用于露出所述第一电极;
[0018]在所述第一电极表面形成发光功能层;
[0019]形成覆盖所述发光功能层以及所述凸起结构的第二电极层;
[0020]通过一盖板进行封装保护,所述盖板设置在所述第二电极层背离所述TFT基板的一侧;其中,所述盖板包括:第一衬底以及设置在所述第一衬底朝向所述显示基板一侧的第一导电层;所述第二电极层在对应所述凸起结构的位置与所述第一导电层电连接;所述走线用于提供第二电极层的工作电压;所述第一导电层与所述走线电连接。
[0021]通过上述描述可知,本发明技术方案提供的显示面板在盖板上设置第一导电层,可以显示面板上的第二电极层通过像素定义层上的凸起结构直接与第一导电层电连接,第一导电层与提供第二电极层的工作电压的走线连接,这样,无需设置通孔即可实现第二电极层与所述走线之间电连接,制作工艺简单,便于窄边框设计。
[0022]本发明提供的用于制作上述显示面板的制作方法,可以在图案化所述像素定义层的同时形成所述凸起结构,凸起结构形成无需增加工艺流程。而盖板上第一导电层的形成可以采用蒸镀工艺形成,制作工艺简单。第一导电层与走线的电连接可以通过金属球或是柔性线路板实现。可见,为了实现第二导电层与所述走线的电连接,本发明技术方案所述制作方法工艺简单,制作成本低。如果以第二电极层为阴极,现有技术的第二电极的供电接触点在位于边框区的第二通孔对应位置,需要由位于边框区的供电接触点向整个显示面板的第二电极供电,导致显示区靠近第二通孔的一端电压下降较小,而远离第二通孔的一端电压下降较大,即导致第二电极层的电压下降明显增大。而本发明实施例所述显示面板,通过多个均匀分布在显示区的凸起结构实现电接触,可以有效避免电压下降增大的问题,保证了显示效果。
【附图说明】
[0023]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0024]图1为现有技术中常见的一种OLED面板的结构示意图;
[0025]图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
[0026]图3为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的方法流程图;
[0027]图4-图9为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的原理示意图。
【具体实施方式】
[0028]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0029]正如【背景技术】中所述,现有技术为了OLED显示面板的阴极114与提供阴极电压的走线115电连接,需要进行打孔,形成第二通孔Via2,制作工艺复杂,制作成本高。且在边框区B设置第二通孔Via2时,为了减小阴极114与走线115之间的接触电阻,需要设置较大宽度的第二通孔Via2,增加边框区B的宽度,不便于窄边框设计。
[0030]且在制作所述显示面板时,需要通过蒸镀工艺形成OLED的发光功能层113,为了避免发光功能层113蒸镀到第二通孔Via2内,影响阴极114与走线115的电接触,显示面板的显示区与通孔之间需要设置较宽的预留距离,以避免蒸镀过程中对通孔区域造成污染。这样,所述预留距离会增大边框区的宽度,不便于窄边框设计。
[0031]而且随着显示面板尺寸的不断增加,显示面板中像素单元的个数越来越多,现有技术中整个阴极层仅在边框区实现与提供阴极电压的走线连接,导致阴极的电压下降(IRdrop)明显增大,影响显示效果。
[0032]需要说明的是,一般的边框区B包括走线区以及封装区。走线区包围显示区。封装区包围走线区。所述走线设置在所述走线区。所述封装区用于设置封装胶,对盖板以及显示基板进行密封保护,图1中未示出封装区以及封装胶。
[0033]为了解决上述问题,本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板具有显示区以及边框区,所述显示面板包括:
[0034]所述盖板包括:第一衬底以及设置在所述第一衬底朝向所述显示基板一侧的第一导电层;
[0035]所述显示基板包括:TFT基板以及设置在所述TFT基板朝向所述盖板一侧的像素定义层;所述像素定义层具有开口区以及非开口区;
[0036]所述开口区设置有发光功能层,所述发光功能层与所述TFT基板之间设置有第一电极;所述非开口区具有朝向所述盖板的凸起结构;所述发光功能层以及所述凸起结构表面设置有第二电极层,所述第二电极层在对应所述凸起结构的位置与所述第一导电层电连接;
[0037]其中,所述显示基板对应所述边框区的预设区域设置有走线,所述走线用于提供第二电极层的工作电压;所述第一导电层与所述走线电连接。
[0038]本发明实施例所述显示面板在盖板上设置第一导电层,显示面板上的第二电极层可以通过像素定义层上的凸起结构直接与第一导电层电连接,第一导电层与提供第二电极层的工作电压的走线连接,这样,无需设置通孔即可实现第二电极层与所述走线之间电连接,制作工艺简单,便于窄边框设计。
[0039]而且,由于无需设置通孔,故在蒸镀发光功能层时,不存在蒸镀对通孔的污染问题,即无需设置较宽的预留位置,进一步减小了边框区的宽度,便于窄边框设计。
[0040]同时,所述显示面板在显示区对应像素定义层的非开口区设置凸起结构,实现第二电极层与第一导电层的电连接,进而通过第一导电层实现第二电极层与所述走线的电连接。第二电极层的供电接触点在位于显示区的凸起结构对应位置,第二电极通过所述电接触点获取第二电极层的工作电压,这样,可以有效避免电压下降增大的问题,保证了显示效果O
[0041]为了使本发明实施例提供的技术方案更加清楚,下面结合附图对上述方案进行详细描述。
[0042]参考图2,图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,所述显示面板具有显示区Al以及边框区BI,该显示面板包括:相对设置的盖板22以及显示基板21。
[0043]所述盖板22包括:第一衬底221以及设置在所述第一衬底221朝向所述显示基板21一侧的第一导电层222。所述第一衬底221透明。所述第一衬底221可以是玻璃衬底或是透明塑料衬底。所述第一导电层222设置在所述第一衬底221的表面。所述第一导电层222透明。
[0044]所述显示基板21包括:TFT基板以及设置在所述TFT基板朝向所述盖板一侧的像素定义层216;所述像素定义层216具有开口区以及非开口区。
[0045]所述开口区设置有发光功能层213,所述发光功能层213与所述TFT基板之间设置有第一电极212。所述非开口区具有朝向所述盖板22的凸起结构219。所述发光功能层213以及所述凸起结构219表面设置有第二电极层214,所述第二电极层214在对应所述凸起结构219的位置与所述第一导电层222电连接。
[0046]其中,所述显示基板21对应所述边框区的预设区域设置有走线215,所述走线215用于提供第二电极层214的工作电压;所述第一导电层222与所述走线215电连接。
[0047]可选的,所述凸起结构219与所述像素定义层216可以采用同一层介质层制备,也可以采用不同介质层制备。
[0048]—般的,凸起结构219与所述像素定义层216为同一介质层制备。可以采用不同区域透射率不同的半色调掩膜对所述介质层进行曝光显影,通过一次性光刻工艺图案化所述介质层,以在所述介质层上设定区域形成所述凸起结构以及所述开口。还可以通过两次光刻工艺,分别形成所述开口以及所述凸起结构。
[0049]在图2所示实施方式中,所述第一导电层222通过设置在所述盖板22与所述显示基板21之间的金属球23与所述走线215电连接;所述金属球215设置在所述边框区BI。
[0050]所述边框区BI包括:走线区以及封装区。其中,所述走线区包围所述显示区A;所述封装区包围所述走线区。所述走线215设置在所述走线区;所述金属球23位于所述走线区,所述金属球23的一端与所述第一导电层222电连接,另一端与所述走线215电连接。
[0051]一般的,所述显示面板的驱动电路以及各种引线均设置在所述走线区。所述封装区设置在所述盖板22与所述显示基板21的四周边缘位置,所述封装区设置封装胶24,对所述盖板22以及所述显示基板21进行密封保护。所述封装胶一般为玻璃料。
[0052]需要说明的是,所述第一导电层222与所述走线215的电连接方式不局限于图2所示实施方式,在其他实施方式中,所述第一导电层还可以通过柔性线路板与所述走线电连接。
[0053]如图2所示,所述TFT基板包括:TFT器件211以及覆盖所述TFT器件211的第一介质层218。TFT器件211设置在第二衬底217朝向像素定义层216的一侧。
[0054]所述第一电极212设置在所述第一介质层218表面;所述第一电极212通过贯穿所述第一介质层218的第一通孔Vial与所述TFT器件211电连接,所述TFT器件211用于为所述第一电极212提供第一电极的工作电压;所述走线215设置在所述第一介质层218表面。
[0055]可选的,所述第一导电层222为覆盖所述第一衬底221表面的ITO层。所述第一导电层222不局限于为ITO层,所述第一导电层还可以为采用其他透光性,且导电性能好的材料制备。
[0056]需要说明的是,图2中仅示出了一个开口区以及一个凸起结构219。一个开口区对应显示面板的一个像素单元。显示面板中开口区的个数根据显示面板的分别率以及尺寸设计。凸起结构219设置在像素定义层216对应显示区A的非开口区,凸起结构219的个数可以为多个,根据导电需求涉及凸起结构219的个数以及在显示区的分布位置。
[0057]所述凸起结构219位于所述显示区。在垂直于所述TFT基板的方向X上,所述凸起结构219与所述第一电极212不交叠,且与所述发光功能层213不交叠。
[0058]需要说明的是,本发明实施例所述显示面板为OLED显示面板。其中,第一电极可以为OLED显示面板的阳极,第二电极层为OLED显示面板的阴极层。
[0059]本发明实施例所述显示面板在盖板上设置第一导电层222,显示面板上的第二电极层214可以通过像素定义层216上的凸起结构219直接与第一导电层222电连接,第一导电层222与提供第二电极层的工作电压的走线215连接,这样,无需设置通孔即可实现第二电极层214与所述走线215之间电连接,制作工艺简单,便于窄边框设计。
[0060]而且,由于无需设置通孔,故在蒸镀发光功能层时,不存在蒸镀对通孔的污染问题,即无需设置较宽的预留位置,进一步减小了边框区的宽度,便于窄边框设计。
[0061]同时,所述显示面板在显示区A对应像素定义层216的非开口区设置凸起结构219,实现第二电极层214与第一导电层222的电连接,进而通过第一导电层222实现第二电极层214与所述走线215的电连接。第二电极层214的供电接触点在位于显示区的凸起结构对应位置,第二电极通过所述电接触点获取第二电极层的工作电压。可以在像素定义层216的非开口区设置多个凸起结构。所述多个凸起结构可以均匀的分布在显示区A内。这样,在每一个凸起结构的位置均对应一个电接触点,通过所述电接触点为整个第二电极层214提供第二电极层的工作电压。
[0062]现有技术的供电接触点在位于边框区的第二通孔对应位置,需要在第二通孔所在位置的供电接触点向整个显示面板的第二电极供电。显示区靠近第二通孔的一端电压下降较小,而远离第二通孔的一端电压下降较大。而本发明实施例所述显示面板,通过多个均匀分布在显示区的凸起结构实现电接触点,可以有效避免电压下降增大的问题,保证了显示效果。
[0063]基于上述实施例,本发明另一实施例还提供了一种显示面板的制作方法,用于制作上述实施例所述的显示面板,该制作方法如3所示。图3为本发明实施例提供的一种显示面板制作方法的方法流程图。该制作方法包括:
[0064]步骤Sll:如图4所示,提供一TFT基板。
[0065]所述TFT基板的结构如图4所示,包括:第二衬底217、设置在第二衬底217—侧的TFT器件211以及覆盖所述TFT器件211的第一介质层218 JFT器件211与第二衬底217之间具有绝缘层。第一介质层218设置有第一通孔Vial。
[0066]步骤S12:如图5所示,在所述TFT基板表面形成第一电极212以及走线215。
[0067]其中,所述第一电极212位于显示区Al,走线215位于边框区BI。
[0068]第一电极212与走线215通过同一导电层制备。具体的,可以首先通过蒸镀工艺形成一导电层,图案化所述导电层,形成预设电极图案的第一电极212以及走线215。
[0069]步骤S13:如图6所示,形成覆盖所述第一电极212、所述走线215以及所述TFT基板的像素定义层216。
[0070]其中,所述像素定义层216具有开口区以及非开口区。其中,所述开口区为所述像素定义层216在显示区Al对应所述第一电极212的区域,所述非开口区为所述像素定义层216在显示区Al除去所述开口区以外的区域。
[0071]步骤S14:如图7所示,图案化所述像素定义层216,在所述开口区形成开口K,在所述非开口区形成凸起结构219;其中,所述开口K用于露出所述第一电极212。如上述,所述凸起结构与所述像素定义层可以采用同一介质层之别,可以采用不同区域透射率不同的半色调掩膜对所述介质层进行曝光显影,通过一次性光刻工艺图案化所述介质层,以在所述介质层上设定区域形成所述凸起结构219以及所述开口 K。
[0072]在其他实施方式中,所述凸起结构以及所述像素定义层还可以通过两层介质层制备。通过一层介质层形成具有开口的像素定义层,通过另一层介质层形成凸起结构。
[0073]步骤S15:如图8所示,在所述第一电极212表面形成发光功能层213。
[0074]—般的,通过蒸镀工艺形成一层覆盖所述第一电极212以及所述像素定义层216以及所述凸起结构219的发光功能层,通过刻蚀工艺去除所述开口区K以外的发光功能层,仅保留所述开口区K内的发光功能层
[0075]步骤S16:如图9所示,形成覆盖所述发光功能层213以及所述凸起结构219的第二电极层214。
[0076]可以通过蒸镀工艺形成一层透明导电层作为所述第二电极层214。
[0077]步骤S17:如图2所示,通过一盖板22进行封装保护,所述盖板22设置在所述第二电极层214背离所述TFT基板的一侧。
[0078]通过上述步骤SI 1-步骤S16,在TFT基板上形成显示单元,以构成显示基板21。所述显示单元包括第一电极212、发光功能层213以及第二电极层214。在步骤S17中,通过盖板222对显示基板21进行封装保护。
[0079]其中,所述盖板22包括:第一衬底221以及设置在所述第一衬底221朝向所述显示基板21—侧的第一导电层222。所述第二电极层214在对应所述凸起结构219的位置与所述第一导电层222电连接;所述走线215用于提供第二电极层214的工作电压;所述第一导电层222与所述走线214电连接。
[0080]在步骤S17中,在进行封装保护时,可以通过柔性线路板使得所述第一导电层与所述走线电连接;或,通过设置在所述边框区的金属球使得所述第一导电层与所述走线电连接。本发明实施例优选采用金属球23实现第一导电层222与走线215的电连接。
[0081 ]在进行封装保护时,还包括:通过封装胶24密封盖板22与显示基板21的四周。
[0082]如上述实施例所述,所述TFT基板包括TFT器件211以及覆盖所述TFT器件211的第一介质层218;所述在所述TFT基板表面形成第一电极层212包括:在所述第一介质层218表面形成第一通孔Vial;在形成有所述第一通孔Vial的第一介质层218表面形成所述第一电极层212,根据显示面板的设计需要对所述第一电极层212进行刻蚀,图案化所述第一电极层 212。
[0083]本申请实施例所述显示面板可以为OLED显示面板。可选的,第二电极层可以为阴极,第一电极为阳极。
[0084]通过上述描述可知,本发明实施例所述制作方法制备显示面板时,第二电极层与设置在改变上的第一导电层电连接,第一导电层与显示基板边框区的走线电连接,以通过所述走线为所述第二电极层提供工作电压,无需形成第二通过,制作工艺简单,制作成本低,便于窄边框设计。且在蒸镀发光功能层时,无需预留间距,进一步降低了边框宽度。同时第二电极层通过位于显示区的电接触点与第一导电层连接,避免了电压下降问题,保证了显示面板的显示效果。
[0085]对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种显示面板,所述显示面板具有显示区以及边框区,其特征在于,所述显示面板包括:相对设置的盖板以及显示基板; 所述盖板包括:第一衬底以及设置在所述第一衬底朝向所述显示基板一侧的第一导电层; 所述显示基板包括:TFT基板以及设置在所述TFT基板朝向所述盖板一侧的像素定义层;所述像素定义层具有开口区以及非开口区; 所述开口区设置有发光功能层,所述发光功能层与所述TFT基板之间设置有第一电极;所述非开口区具有朝向所述盖板的凸起结构;所述发光功能层以及所述凸起结构表面设置有第二电极层,所述第二电极层在对应所述凸起结构的位置与所述第一导电层电连接; 其中,所述显示基板对应所述边框区的预设区域设置有走线,所述走线用于提供第二电极层的工作电压;所述第一导电层与所述走线电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层通过设置在所述盖板与所述显示基板之间的金属球与所述走线电连接;所述金属球设置在所述边框区。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述边框区包括:走线区以及封装区; 其中,所述走线区包围所述显示区;所述封装区包围所述走线区;所述走线设置在所述走线区;所述金属球位于所述走线区,所述金属球的一端与所述第一导电层连接,另一端与所述走线连接。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层通过柔性线路板与所述走线电连接。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述TFT基板包括TFT器件以及覆盖所述TFT器件的第一介质层; 所述第一电极设置在所述第一介质层表面;所述第一电极通过贯穿所述第一介质层的第一通孔与所述TFT器件电连接,所述TFT器件用于为所述第一电极提供第一电极工作电压;所述走线设置在所述第一介质层表面。6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层为覆盖所述第一衬底表面的ITO层。7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸起结构位于所述显示区;在垂直于所述TFT基板的方向上,所述凸起结构与所述第一电极不交叠,且与所述发光功能层不交叠。8.—种显示面板的制作方法,用于制作如权利要求1-7任一项所述的显示面板,其特征在于,包括: 提供一 TFT基板; 在所述TFT基板表面形成第一电极以及走线;其中,所述第一电极位于显示区,走线位于边框区; 形成覆盖所述第一电极、所述走线以及所述TFT基板的像素定义层;所述像素定义层具有开口区以及非开口区; 图案化所述像素定义层,在所述开口区形成开口,在所述非开口区形成凸起结构;其中,所述开口用于露出所述第一电极; 在所述第一电极表面形成发光功能层; 形成覆盖所述发光功能层以及所述凸起结构的第二电极层; 通过一盖板进行封装保护,所述盖板设置在所述第二电极层背离所述TFT基板的一侧;其中,所述盖板包括:第一衬底以及设置在所述第一衬底朝向所述显示基板一侧的第一导电层;所述第二电极层在对应所述凸起结构的位置与所述第一导电层电连接;所述走线用于提供第二电极层的工作电压;所述第一导电层与所述走线电连接。9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,在进行封装保护时,通过柔性线路板使得所述第一导电层与所述走线电连接; 或,通过设置在所述边框区的金属球使得所述第一导电层与所述走线电连接。10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述TFT基板包括TFT器件以及覆盖所述TFT器件的第一介质层;所述在所述TFT基板表面形成第一电极层包括: 在所述第一介质层表面形成第一通孔; 在形成有所述第一通孔的第一介质层表面形成所述第一电极层。
【文档编号】H01L51/56GK105845712SQ201610334550
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年5月19日
【发明人】马志丽, 钱栋
【申请人】上海天马有机发光显示技术有限公司, 天马微电子股份有限公司
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