显示基板及其制备方法、显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的显示基板的制备方法，包括：通过构图工艺，在基底上形成包括位于中间区域的第一膜层和位于周边区域的辅助对位标记的图形；通过所述辅助对位标记进行对位，并通过构图工艺在所述基底的中间区域形成包括第二膜层的图形。在本发明的显示基板的制备方法中，由于在形成第二膜层时需要采用辅助对位标记进行对位，也就是说，在形成第二膜层时需要两次对位。因此，本发明的制备方法所形成的图案较为精准，故可以制备出良率较高的产品。
【专利说明】
显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
[0001]本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]OLED(有机电致发光器件:0rganic Light-Emitting Device，简称0LED)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度范围广等优点，使其具有广阔的应用前景。
[0003]现有的OLED器件的结构通常包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层沿阳极层朝向阴极层依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及电子注入层。其中，空穴注入层与阳极层相邻，电子注入层与阴极层相邻。
[0004]OLED器件的发光机理为:当阳极层和阴极层之间施加有外界电压时，在外界电压的驱动下，由阳极层注入的空穴通过空穴注入层和空穴传输层进入发光层中，由阴极层注入的电子通过电子注入层和电子传输层进入发光层中，进入到发光层中的空穴和电子在复合区复合形成激子，激子辐射跃迀发光而产生发光现象，即形成电致发光。
[0005]发明人发现现有技术中至少存在如下问题:显示基板上各个OLED器件的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、以及电子注入层均是形成为一体的结构，也即为整层结构，故在采用蒸镀工艺形成的时，仅需将掩模板的四角位置上的对位标记与基底四角位置上的对位标记进行对位即可，但是显示基板上的各个OLED器件的发光颜色不是全部相同，因此在，蒸镀OLED器件的发光层时，则不能同时将所有的OLED器件的发光层蒸镀，也就是说各个OLED器件的发光层为独立的结构，但是在现有技术中在蒸镀发光层时，也仅是将掩模板的四角位置上的对位标记与基底四角位置上的对位标记进行对位，此时则会造成蒸镀不准确的现象，进而导致显示基板显示不良等问题。
【发明内容】
[0006]本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的显示基板的制备方法中存在的上述的问题，提供一种对位精度高的显示基板及其制备方法、显示装置。
[0007]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法，包括:
[0008]通过构图工艺，在基底上形成包括位于中间区域的第一膜层和位于周边区域的辅助对位标记的图形；
[0009]通过所述辅助对位标记进行对位，并通过构图工艺在所述基底的中间区域形成包括第二膜层的图形。
[0010]优选的是，所述通过构图工艺，在基底上形成包括位于中间区域的第一膜层和位于周边区域的辅助对位标记的图形，具体包括:
[0011 ]将第一掩模板上位于四角位置的对位标记，与所述基底上位于四角位置的对位标记进行第一次对位，并通过蒸镀工艺，在基底上形成包括位于中间区域的第一膜层和位于周边区域的辅助对位标记的图形。
[0012]进一步优选的是，所述第一次对位是采用白光照射进行对位的。
[0013]优选的是，所述第一膜层为空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的任意一种。
[0014]优选的是，所述通过所述辅助对位标记进行对位，并通过构图工艺在所述基底的中间区域形成包括第二膜层的图形，具体包括:
[0015]将第二掩模板上位于四角位置的对位标记，与所述基底上位于四角位置的对位标记进行第二次对位；
[0016]将所述第二掩模板上的辅助对位标记，与所述基底上的辅助对位标记进行第三次对位；
[0017]通过蒸镀工艺，在所述基底的中间区域形成包括第二膜层的图形。
[0018]进一步优选的是，所述第二次对位是采用白光照射进行对位的。
[0019]进一步优选的是，所述第三次对位是采用白光或者UV光照射进行对位的。
[0020]优选的是，所述第二膜层为有机电致发光材料层。
[0021]优选的是，所述中间区域划分为多个像素区，各个所述像素区呈矩阵排布;所述基底上的辅助对位标记形成在所述像素区的行方向和/或列方向的延长线上。
[0022]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，其至少包括依次设置在基底的中间区域上的第一膜层和第二膜层所述显示基板还包括位于周边区域且与所述第一膜层同层设置的辅助对位标记;其中，
[0023]所述辅助对位标记，用于形成第二膜层的图形时进行对位。
[0024]优选的是，所述显示基板为有机电致发光二极管基板，所述第一膜层为空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的任意一种;第二膜层为有机电致发光材料层。
[0025]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的显示基板。
[0026]本发明具有如下有益效果:
[0027]在本发明的显示基板的制备方法中，由于在基底的中间区域形成第一膜层的同时还形成基底的周边区域还形成辅助对位标记的图形，而且在形成第二膜层时需要采用辅助对位标记进行对位，也就是说在形成第二膜层时需要两次对位，即粗对位，将掩模板的四角上的对位标记与基底四角上的对位标记进行对位;精准对位，将掩模板周边区域的辅助对位标记与基底周边区域的辅助对位标记进行对位。因此，采用本发明的显示基板的制备方法所形成的图案较为精准，故可以制备出良率较高的产品。
【附图说明】
[0028]图1为本发明的实施例1和2的显不基板的平面不意图；
[0029]图2为本发明的实施例1的显示基板的制备方法的流程图；
[0030]图3为本发明的实施例1的有机电致发光二极管基板的制备方法的流程图。
[0031 ] 其中附图标记为:1、对位标记;2、辅助对位标记；1、中间区域;20、周边区域；11、
像素区。【具体实施方式】
[0032]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0033]实施例1:
[0034]结合图1和2所示，本实施例提供一种显示基板的制备方法，其包括:通过构图工艺，在基底上形成包括位于中间区域10的第一膜层和位于周边区域20的辅助对位标记2的图形;通过所述辅助对位标记2进行对位，并通过构图工艺在所述基底的中间区域10形成包括第二膜层的图形。
[0035]在此需要说明的是，本实施例中构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括蒸镀、打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺;光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本实施例中所形成的结构选择相应的构图工艺。
[0036]本领域技术人员公知的是，通过构图工艺在基底上形成图案时，首先需要将掩模板四角上的对位标记与基底四角上的对位标记I的掩模板进行对位，之后才会通过其他步骤(包括曝光、显影、刻蚀或者包括蒸镀)形成相应的图案。而在本实施例的显示基板的制备方法中，由于在基底的中间区域10形成第一膜层的同时还形成基底的周边区域20还形成辅助对位标记2的图形，而且在形成第二膜层时需要采用辅助对位标记2进行对位，也就是说在形成第二膜层时需要两次对位，即粗对位，将掩模板的四角上的对位标记与基底四角上的对位标记I进行对位;精准对位，将掩模板的周边区域的辅助对位标记2与基底周边区域20的辅助对位标记2进行对位。因此，采用本实施例的显示基板的制备方法所形成的图案较为精准，故可以制备出良率$父尚的广品。
[0037]以下，提供一种有机电致发光二极管(OLED)基板的制备方法，对本实施例进行进一步的说明。如图3所示，该制备方法具体包括如下步骤:
[0038]I)在基底上采用溅射阳极导电薄膜，并通过构图工艺形成包括各个OLED器件的阳极层的图形。
[0039]其中，基底作为有机电致发光器件中电极层和有机功能薄膜层的依托，它在可见光区域有着良好的透光性能以及一定的防水汽和氧气渗透的能力，并具有较好的表面平整性，一般可以采用玻璃、或柔性基片、或阵列基板等制成。如果选用柔性基片，可采用聚酯类，聚酞亚胺或者较薄的金属制成。
[0040]阳极层作为有机电致发光器件正向电压的连接层，具有较好的导电性能、可见光区域的透光性以及较高的功函数。阳极层通常采用无机金属氧化物(比如:氧化铟锡ΙΤ0，氧化锌ZnO等)、有机导电聚合物(比如:聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PED0T:PSS，聚苯胺PANI等)或高功函数金属材料(比如:金、铜、银、铂等)制成。阳极层的厚度范围为10?200nmo
[0041 ] 2)在形成有各个OLED器件的阳极层的基底上，采用真空蒸镀工艺制备空穴注入层。其中，各个OLED器件的空穴注入层为形成为一体的结构，也就是说空穴注入层为位于基底中间区域10上的整层结构，因此在形成空穴注入层时，仅需将掩模板与基底四角位置处的对位标记I进行对位即可。其中，在对位过程中可以采用白光CCD镜头进行照射。
[0042]其中，空穴注入层的材料包括2,3,6,7,10,11_六氰基_1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN) ,2,3,5,6_四氟_7，7’，8，8’-四氰二甲基对苯(F4-TCNQ)、三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(TBAHA)中的任意一种。空穴注入层的厚度为I?5nm。
[0043]3)在形成有空穴注入层的基底上，采用真空蒸镀工艺在基底的中间区域10形成空穴传输层，同时在基底的周边区域20形成辅助对位标记2。其中，各个OLED器件的空穴传输层为形成为一体的结构，也就是说空传输入层为位于基底中间区域10上的整层结构，因此在形成空穴注入层时，仅需将掩模板与基底四角位置处的对位标记I进行对位(第一次对位)即可。其中，在对位过程中可以采用白光CCD镜头进行照射。
[0044]其中，中间区域10划分为多个像素区11，各个所述像素区11呈矩阵排布;而OLED器件是设置在像素区11中，此时OLED器件也是呈矩阵排布的，优选的基底上所形成的辅助对位标记2形成在所述像素区11的行方向和/或列方向的延长线上。也就是，基底的周边区域20与在每一行和每一列像素区11的对应位置形成有辅助对位标记2，以便后续形成OLED器件的发光层时用。
[0045]其中，空穴传输层的材料为空穴传输层的材料为空穴迀移率大于10—5cm2/V.S的材料，可以采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、或者咔唑类聚合物制成，优选为:N，M -二(1-萘基)-N，g -二苯基-1，I7 -联苯-4-V -二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、TPTE、I，3，5_三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB)中的任意一种。空穴传输层7的厚度为10?200nm。
[0046]4)在形成有空穴传输层的基底上，采用真空蒸镀工艺形成发光层。
[0047]该步骤具体包括:
[0048]首先，将掩模板四角位置处的对位标记I与基底四角位置处的对位标记I进行粗对位(第二次对位)；在对位过程中所采用的CCD镜头为白光光源或者紫外光的CCD镜头。
[0049]之后，将掩模板周边区域上的辅助对位标记2与基底周边区域20的辅助对位标记2进行精准对位(第三次对位)；在对位过程中所采用的CCD镜头为白光光源或者紫外光的CCD镜头。之所以要进行精准对位的原因是，各个OLED器件的发光层是与各自像素区11对应的独立结构，因为在行方向上两相邻的OLED器件的发光颜色不同，因此要单独进行蒸镀，从而要求掩模板上的开口区要与像素区11之间精准的对位，才能保证所蒸镀得到OLED器件的良率高。
[0050]最后，依次对各个像素区11进行蒸镀，形成各个OLED器件的发光层。
[0051]其中，粗对位和精准对位均最优采用紫外光的CCD镜头进行照射，此时可以更清楚的观看到基底上的对位标记I和辅助对位标记2，使得混色等不良的发生概率降低。
[0052]其中，发光层可以由具有空穴传输能力不低于电子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。发光层的厚度范围为10?50nmo
[0053]5)在形成有发光层的基底上，采用真空蒸镀工艺形成电子传输层。其中，电子传输层的材料包括电子迀移率大于10—3cm2/V.S的材料。
[0054]优选的，电子传输层的材料包括2-(4-联苯基)-5_苯基恶二唑(PBD)、2，5_二(1-萘基)_1，3，5-恶二唑(BND)、2，4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(TRZ)中的任意一种。优选的，电子传输层的厚度为10?30nmo
[0055]6)在形成有电子传输层的基底上，采用真空蒸镀工艺形成电子注入层。
[0056]其中，电子注入层的材料为氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。电子注入层的厚度为I?5nm。
[0057]7)在形成有电子注入层的基底上，采用真空蒸镀工艺形成阴极层。
[0058]其中，阴极层作为有机电致发光器件负向电压的连接层，具有较好的导电性能和较低的功函数。阴极层通常采用低功函数金属材料，比如:锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成；或者采用一层很薄的缓冲绝缘层(如氟化锂LiF、碳酸铯CsCO3等)和上述金属或合金制成。阴极层的厚度范围为10?20nm。
[0059]至此完成本实施例的有机电致发光器件的制备。
[0060]在此需要说明的是，其中也可以在形成空穴注入层时，在基底的周边区域20形成辅助对位标记2，其形成方法与上述的方法相同，在此不再详细描述。当然，如果本实施例中所形成OLED器件时，先形成阴极层，因此还可以在形成电子注入层或者电子传输层时，在基底的周边区域20形成辅助对位标记2，只要保证在形成发光层之间形成辅助对位标记2，以供形成发光层时使用即可。
[0061 ] 实施例2:
[0062]如图1所示，本实施例提供一种显示基板，该显示基板可以采用实施例1中的制备方法制备得到。该显示基板，至少包括依次设置在基底的中间区域10上的第一膜层和第二膜层，所述显示基板还包括位于周边区域20且与所述第一膜层同层设置的辅助对位标记2;其中，所述辅助对位标记2，用于形成第二膜层的图形时进行对位。
[0063]本领域技术人员公知的是，通过构图工艺在基底上形成图案时，首先需要将掩模板四角上的对位标记I与基底四角上的掩模板进行对位，之后才会通过其他步骤(包括曝光、显影、刻蚀或者包括蒸镀)形成相应的图案。而在本实施例的显示基板中，由于在基底的周边区域20设置有与基底的中间区域10的第一膜层同层的辅助对位标记2的图形，而且在形成第二膜层时需要采用辅助对位标记2进行对位，也就是说在形成第二膜层时需要两次对位，即第一次对位(粗对位)，将掩模板的四角上的对位标记I与基底四角上的对位标记I进行对位;第二次对位(精准对位)，将掩模板的周边区域的辅助对位标记2与基底的周边区域20的辅助对位标记2进行对位。故本实施例的显示基板的良率较高。
[0064]作为本实施例的一种优选的结构，该显示基板为有机电致发光二极管基板，所述第一膜层为空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的任意一种;第二膜层为有机电致发光材料层。
[0065]具体的，有机电致发光二极管基板包括基底，依次设置在基底上的各个OLED器件的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层。其中，在基底的周边区域20与空穴注入层或者空穴传输层同层还设置有辅助对位标记2，以供形成发光层时用，从而大大提高形成OLED器件的发光层时的对位精度。
[0066]或者，有机电致发光二极管基板包括基底，依次设置在基底上的各个OLED器件的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极层。其中，在基底的周边区域20与电子注入层或电子传输层同层还设置有辅助对位标记2，以供形成发光层时用，从而大大提高形成OLED器件的发光层时的对位精度。
[0067]实施例3:
[0068]本实施例提供一种显示装置，其包括实施例2所述的显示基板。
[0069]该显示装置可以为:电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0070]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括: 通过构图工艺，在基底上形成包括位于中间区域的第一膜层和位于周边区域的辅助对位标记的图形； 通过所述辅助对位标记进行对位，并通过构图工艺在所述基底的中间区域形成包括第二膜层的图形。2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺，在基底上形成包括位于中间区域的第一膜层和位于周边区域的辅助对位标记的图形，具体包括: 将第一掩模板上位于四角位置的对位标记，与所述基底上位于四角位置的对位标记进行第一次对位，并通过蒸镀工艺，在基底上形成包括位于中间区域的第一膜层和位于周边区域的辅助对位标记的图形。3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一次对位是采用白光照射进行对位的。4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一膜层为空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的任意一种。5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述通过所述辅助对位标记进行对位，并通过构图工艺在所述基底的中间区域形成包括第二膜层的图形，具体包括: 将第二掩模板上位于四角位置的对位标记，与所述基底上位于四角位置的对位标记进行第二次对位； 将所述第二掩模板上的辅助对位标记，与所述基底上的辅助对位标记进行第三次对位； 通过蒸镀工艺，在所述基底的中间区域形成包括第二膜层的图形。6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二次对位是采用白光照射进行对位的。7.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第三次对位是采用白光或者UV光照射进行对位的。8.根据权利要求1-3、5-7中任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二膜层为有机电致发光材料层。9.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述中间区域划分为多个像素区，各个所述像素区呈矩阵排布;所述基底上的辅助对位标记形成在所述像素区的行方向和/或列方向的延长线上。10.—种显示基板，至少包括依次设置在基底的中间区域上的第一膜层和第二膜层，其特征在于，所述显示基板还包括位于周边区域且与所述第一膜层同层设置的辅助对位标记;其中， 所述辅助对位标记，用于形成第二膜层的图形时进行对位。11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为有机电致发光二极管基板，所述第一膜层为空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的任意一种；第二膜层为有机电致发光材料层。12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求10或11所述的显示基板。
【文档编号】H01L23/544GK105845710SQ201610320018
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年5月13日
【发明人】王德志
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司