一种半导体器件及其调整方法
【专利摘要】本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种半导体器件及其调整方法。一种半导体器件，包括一封装体，封装体内设置芯片，芯片上至少一个预定位置的两个电路连接端之间连接金属导线绕制而成的线圈，线圈于一封装体外部磁场产生单元产生磁场的电磁耦合作用下产生感应电流，并于感应电流作用下断开线圈两端的电路连接端之间的连接。本发明便于在测试过程中进行电路性能调整，方便更改电路配置，并可以提高测试效率、减少测试成本。
【专利说明】
一种半导体器件及其调整方法
技术领域
[0001]本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种半导体器件及其调整方法。
【背景技术】
[0002]在半导体技术领域，为了保证出厂的半导体器件满足设计要求，芯片封装后测试(Final test)是必不可少的步骤，依据半导体器件的测试需求进行一系列测试项目以确保半导体器件的功能完整性；在测试过程中经常需要根据实际测试结果调整电路的电阻、电容等电路器件的连接关系，以改变电路的电性参数；然而，现有技术的封装结构一旦固定，电路配置不易于进行改动，当需要对电路配置进行改动时，需要采用复杂的工艺如去除芯片封装材料后用激光熔断的方式对电路连接关系进行更改，费时费力且不便于实施。同时，现有的调整方法也不能满足半导体器件不断发展过程中电路结构更为复杂，集成度更高的发展要求。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于，提供一种半导体器件，解决以上技术问题；
[0004]本发明的目的还在于，提供一种半导体器件的调整方法，解决以上技术问题。
[0005]本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0006]—种半导体器件，其中，包括一封装体，所述封装体内设置芯片，所述芯片上至少一个预定位置的两个电路连接端之间连接金属导线绕制而成的线圈，所述线圈于一封装体外部的磁场产生单元产生磁场的电磁耦合作用下产生感应电流，并于所述感应电流作用下断开所述线圈两端的电路连接端之间的连接。
[0007]本发明的半导体器件，所述线圈包括第一部和连接于所述第一部的第二部，所述第二部的直径小于所述第一部。
[0008]本发明的半导体器件，所述芯片上设置阵列结构排布的多个所述线圈，每一所述线圈用于连接两个电路连接端。
[0009]本发明的半导体器件，所述封装体采用主要由引线框架构成的封装结构，所述引线框架上放置所述芯片。
[0010]本发明的半导体器件，所述第二部采用金属熔线。
[0011]本发明的半导体器件，所述芯片上具有压焊点，所述引线框架上形成有引脚，所述压焊点通过绑定金线与所述引脚连接。
[0012]本发明的半导体器件，所述磁场产生单元主要由外部线圈构成的回路组成，所述外部线圈可控制地于所述封装体的上部表面移动。
[0013]本发明还提供一种半导体器件的调整方法，用于在测试过程中对上述的半导体器件进行电路性能调整，包括以下步骤:
[0014]步骤1，定位待调整的两个电路连接端之间的线圈所对应的封装体表面位置；
[0015]步骤2，控制所述磁场产生单元于所述封装体表面位置处产生感应磁场；
[0016]步骤3，所述线圈通过电磁耦合产生一感应电流，并于所述感应电流的作用下熔断以断开待调整的两个电路连接端之间的电路连接。
[0017]本发明的半导体器件的调整方法，所述磁场感应单元包括外部线圈，通过在所述外部线圈中通以预定大小的电流以产生所述感应磁场。
[0018]有益效果:由于采用以上技术方案，本发明便于在测试过程中进行电路性能调整，方便更改电路配置，并可以提高测试效率、减少测试成本。
【附图说明】
[0019]图1为本发明的半导体器件的封装结构示意图；
[0020]图2为本发明的线圈放大图；
[0021]图3为本发明的半导体器件的透视图；
[0022]图4为本发明的实施调整系统示意图。
【具体实施方式】
[0023]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0025]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0026]参照图1、图2、图3、图4，一种半导体器件，其中，包括一封装体1，封装体I内设置芯片3，芯片3上至少一个预定位置的两个电路连接端之间连接金属导线绕制而成的线圈4，线圈4于一封装体I外部的磁场产生单元8产生磁场的电磁親合作用下产生感应电流，并于感应电流作用下断开线圈4两端的电路连接端之间的连接。
[0027]本发明在芯片3上预定位置设置线圈4，线圈4可以受外部的磁场的电磁耦合作用下断开，以改变电路配置，实现电路性能调整，有利于提高测试效率、减少测试成本。
[0028]本发明的半导体器件，参照图2，线圈4包括第一部41和连接于第一部41的第二部42，第二部42的直径小于第一部41。第一部41和第二部42可以采用同一金属材料绕制而成，第二部42采用较细的金属导线，优选采用专用的金属熔线或其他本领域技术人员易于选用的熔线。
[0029]本发明的半导体器件，参照图3，芯片3上设置阵列结构排布的多个线圈4，每一线圈4用于连接两个电路连接端。可以依据需要在芯片3上预定需要调整的电路连接端之间设置线圈4，线圈可以等间隔呈矩阵形式排列，便于封装体外部表面对其进行定位。
[0030]本发明的半导体器件，如图1所示，封装体I可以采用主要由引线框架构成的封装结构，引线框架上放置芯片3。本发明的半导体器件，芯片3上具有压焊点，引线框架上形成有引脚7，压焊点通过绑定金线5与引脚连接。芯片3通过粘合薄膜层6固定于引线框架的基座2上，本发明的封装体I不限于上述的封装机构。
[0031]本发明的半导体器件，磁场产生单元8主要由外部线圈构成的回路组成，外部线圈可控制地于封装体I的上部表面移动，通以预定大小的电流以产生感应磁场。
[0032]本发明还提供一种半导体器件的调整方法，用于在测试过程中对上述的半导体器件进行电路性能调整，包括以下步骤:
[0033]步骤1，定位待调整的两个电路连接端之间的线圈4所对应的封装体表面位置；
[0034]步骤2，控制磁场产生单元8于封装体I表面位置处产生感应磁场；
[0035]步骤3，线圈4通过电磁耦合产生一感应电流，并于感应电流的作用下熔断以断开待调整的两个电路连接端之间的电路连接。
[0036]本发明的半导体器件的调整方法，磁场感应单元包括外部线圈4，通过在外部线圈4中通以预定大小的电流以产生感应磁场。
[0037]传统的测试调整工艺需要打开封装结构以断开导线的连接，不但操作复杂，测试效率低下，而且会伤害芯片，造成不可恢复的破坏，本发明在芯片封装好之后再根据测试需求进行调整，只要找准需要调整的位置，外部线圈对准内部线圈，通过电磁耦合提供能量，既可以使得熔丝熔断。便于在测试过程中进行电路性能调整，方便更改电路配置，并可以提高测试效率、减少测试成本。
[0038]以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括一封装体，所述封装体内设置芯片，所述芯片上至少一个预定位置的两个电路连接端之间连接金属导线绕制而成的线圈，所述线圈于一封装体外部的磁场产生单元产生磁场的电磁親合作用下产生感应电流，并于所述感应电流作用下断开所述线圈两端的电路连接端之间的连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述线圈包括第一部和连接于所述第一部的第二部，所述第二部的直径小于所述第一部。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片上设置阵列结构排布的多个所述线圈，每一所述线圈用于连接两个电路连接端。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述封装体采用主要由引线框架构成的封装结构，所述引线框架上放置所述芯片。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二部采用金属熔线。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片上具有压焊点，所述引线框架上形成有引脚，所述压焊点通过绑定金线与所述引脚连接。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述磁场产生单元主要由外部线圈构成的回路组成，所述外部线圈可控制地于所述封装体的上部表面移动。8.一种半导体器件的调整方法，其特征在于，用于在测试过程中对权利要求1至7任意一项所述的半导体器件进行电路性能调整，包括以下步骤: 步骤1，定位待调整的两个电路连接端之间的线圈所对应的封装体表面位置； 步骤2，控制所述磁场产生单元于所述封装体表面位置处产生感应磁场； 步骤3，所述线圈通过电磁耦合产生一感应电流，并于所述感应电流的作用下熔断以断开待调整的两个电路连接端之间的电路连接。9.根据权利要求8所述的半导体器件的调整方法，其特征在于，所述磁场感应单元包括外部线圈，通过在所述外部线圈中通以预定大小的电流以产生所述感应磁场。
【文档编号】H01L23/64GK105990323SQ201510064066
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月6日
【发明人】杨攀
【申请人】展讯通信（上海）有限公司