用于大型基板的水平湿式化学处理的设备的处理模块的制作方法

文档序号:10663789阅读:192来源:国知局
用于大型基板的水平湿式化学处理的设备的处理模块的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于对大型基板、特别地玻璃基板进行水平湿式化学处理的设备的处理模块,其包括:外壳,其带有外壳盖;传输装置,其包括用于水平处理大型基板的多个传输元件,其中处理模块进一步包括在处理模块的入口处布置在大型基板的传输高度上方的至少第一液体喷嘴和至少气体喷嘴,以及在处理模块的出口处布置在大型基板的传输高度上方的、用于累积处理模块内的处理液体的至少另一第一液体喷嘴和至少另一气体喷嘴,其中各气体喷嘴比相应的第一液体喷嘴更靠外地布置;至少液体堰,其在大型基板的传输高度下方布置在各第一液体喷嘴下方;其中处理模块进一步包括用于调整处理模块的传输装置和液体堰的至少一调整装置。本发明进一步涉及一种用于在尤其包括这种处理模块的水平设备中处理大型基板的方法。
【专利说明】
用于大型基板的水平湿式化学处理的设备的处理模块
技术领域
[0001]本发明涉及一种用于对大型基板、特别地玻璃基板进行水平湿式化学处理的设备的处理模块,其包括:外壳,其带有外壳盖;传输装置,其包括用于水平处理大型基板的多个传输元件,其中处理模块进一步包括在处理模块的入口处布置在大型基板的传输高度上方的至少第一液体喷嘴和至少气体喷嘴,以及在处理模块的出口处布置在大型基板的传输高度上方的、用于累积处理模块内的处理液体的至少另一第一液体喷嘴和至少另一气体喷嘴,其中各气体喷嘴比相应的第一液体喷嘴更靠外地布置;至少液体堰,其在大型基板的传输高度下方布置在各第一液体喷嘴下方。
[0002]本发明进一步涉及在包括多个模块的水平设备中处理大型基板的方法,其中包括本发明的这种处理模块。
【背景技术】
[0003]数十年来,电子工业中用于水平处理基板的装置和设备为人所熟知。最初,相对厚的印刷电路板已被传输通过这种水平设备,用以使用不同的处理液体处理这些印刷电路板。这种处理可包括生产该行业的印制电路板所需的所有程序步骤。所述所需的程序步骤已包括各种预处理程序步骤,诸如铜晶种层的蚀刻、冲洗、沉积等等;接着,通过无电或者电化程序步骤将金属(通常为铜、镍或锡)沉积在所述预处理基板的表面上的至少主程序步骤;以及最后的各种后处理步骤,诸如冲洗、干燥等等。
[0004]但是,电子工业现在需要适于处理大型基板的装置和设备,这些大型基板不仅远大于常规的印刷电路板,而且常由易碎玻璃材料而非通常用于印刷电路板的聚合物材料构成。存在需要适于传输和处理电子工业的大型玻璃基板(诸如平板显示器)以用于生产例如大型电视机的市场趋势。
[0005]这些大型基板带来的挑战还在于提供且确保均匀处理,特别地这些大基板的表面上的均匀金属沉积,而不产生不均匀性。
[0006]Tokyo Electron LTD的JP 2010 199150 A公开了一种基板处理装置,其包括基板传递路径、第一处理液体供应装置、气体供应装置、第一冲洗装置及第二冲洗装置,以用于处理被传递通过基板传递路径的各个基板。
[0007]简单地利用印刷电路板的行业中熟知的设备实现这一目的是不可能的。之前已成功用于生产印刷电路板的所述水平设备无法满足处理大型基板(特别地,玻璃基板,诸如平板显示器)的这些新要求。

【发明内容】

[0008]发明目的
[0009]鉴于现有技术,因此本发明的目的在于提供一种适于传输且处理大型基板(特别地易碎大型玻璃基板,诸如平板显示器)的水平设备的处理模块。
[0010]此外,目的还在于提供一种用于处理大型基板的水平设备的处理模块,其中在不产生不均匀性的情况下,可提供且确保均匀表面处理。
[0011]发明概述
[0012]这些目的以及未明确陈述但通过引述可从本文所述的联系直接得出或辨识的其它目的通过具有权利要求1的全部特征的处理模块实现。从属权利要求2至11保护本发明的处理模块的适当修改。此外,权利要求12包括用于使用这种处理模块来处理大型基板的方法,而在从属权利要求13及14中保护所述发明方法的适当修改。此外,权利要求15包括这种处理模块用于大型玻璃基板(特别地平板显示器)上的金属(特别地,铜)沉积的用途。
[0013]因此,本发明提供一种用于对大型基板、特别地玻璃基板进行水平湿式化学处理的设备的处理模块,其包括:外壳,其带有外壳盖;传输装置,其包括用于水平处理大型基板的多个传输元件,其中处理模块进一步包括在处理模块的入口处布置在大型基板的传输高度上方的至少第一液体喷嘴和至少气体喷嘴,以及在处理模块的出口处布置在大型基板的传输高度上方的、用于累积处理模块内的处理液体的至少另一第一液体喷嘴和至少另一气体喷嘴,其中各气体喷嘴比相应的第一液体喷嘴更靠外地布置;至少液体堰,其在大型基板的传输高度下方布置在各第一液体喷嘴下方;其特征在于,处理模块进一步包括用于调整处理模块的传输装置和液体堰的至少调整装置。
[0014]因此,以不可预见的方式提供适于传输且处理大型基板(特别地易碎大型玻璃基板,诸如平板显示器)的水平装置的处理模块是可能的。
[0015]此外,在本发明的处理模块中提供调整装置连同所述处理模块的其它必要部件一起支持可在不产生不均匀性的情况下提供且确保均匀表面处理。
【附图说明】
[0016]为更完整理解本发明,参考以下结合附图考虑的本发明以下详细说明,在图中:
[0017]图1示出根据本发明实施例的处理模块的示意性透视图。
[0018]图2示出根据本发明的图1所示的相同实施例的、无外壳盖的处理模块的示意性透视图。
[0019]图3a示出了根据本发明的图1所示的相同实施例的、外壳盖打开的处理模块的示意性侧视图,而图3b、3c和3d示出所述处理模块的不同特征的横截面图。
[0020]图4示出根据本发明的图1所示的相同实施例的处理模块的下侧的示意性透视图。
【具体实施方式】
[0021]如本文中使用的,根据本发明的术语“湿式化学”处理指不利用电流来实现基板上的金属沉积的无电处理。可通过将基板浸没在处理液体中而进行这种湿式化学处理,其中在处理模块内提供处理液体液位,该处理液体液位在处理期间始终高于基板的上表面;或通过将处理液体喷涂于基板的至少一个表面上而进行该湿式化学处理。
[0022]如本文中使用的,当应用于根据本发明的用于水平湿式化学处理基板的设备时,术语“金属”指已知适用于这种水平沉积方法的金属。这些金属包括金、镍、锡及铜,优选地是铜。
[0023]如本文中使用的,当应用于根据本发明的处理模块时,术语“大型基板”指生产平板显示器所需的大尺寸基板,优选地高达用于玻璃基板的至少第8代尺寸(220cm X250cm)。
[0024]基板被传输通过由处理模块的第一液体喷嘴之间的区域限定的处理区域。基板在传输方向上沿着水平传输平面传输。基板被传输为使基板被传输通过在处理区域中累积的处理液体。
[0025]在处理模块的入口及出口处通过第一液体喷嘴产生处理液体流,该液体喷嘴以引导朝向处理区域的方向喷射处理液体流。
[0026]通过气体喷嘴产生气体流。气体喷嘴与液体喷嘴沿传输方向通过间隙分离开。由气体喷嘴喷射的气体的至少一部分透过该间隙逸出。
[0027]第一液体喷嘴与气体喷嘴的组合可操作,以从基板移除处理液体或保持处理液体远离基板。不要求使用挤压滚轮抵靠材料的敏感表面。可操作由第一液体喷嘴喷射的处理液体流以减少处理液体通过第一液体喷嘴与传输平面之间的间隙的流出。由第一液体喷嘴喷射的处理液体流还增强处理液体在基板的表面处的交换。
[0028]气体喷嘴与相应的第一液体喷嘴之间的间隙容许气体流从处理区域外的基板移除处理液体,同时提供气体可透过其逸出而不进入处理区域中的空间。
[0029]术语处理液体指基板在用于湿式化学处理的这种处理模块中可经受的任何过程化学液体。
[0030]基板的上表面可以是敏感表面。由此,在基板进入或离开处理区域时,不应使基板的上表面的至少主要部分与刚性元件接触。
[0031]在一个实施例中,处理模块进一步包括两个轴承护圈带(优选地为滚珠轴承带),该两个轴承护圈带包括多个轴承(优选地为滚珠轴承),以用于接收传输器件的各传输元件的相应外部端。
[0032]在一个实施例中,处理模块进一步包括在第一液体喷嘴之间配置在大型基板的传输高度上方的至少第二液体喷嘴。
[0033]这种大型基板在本发明的处理模块中的处理可需要这些额外的第二液体喷嘴,以便提供足够处理液体来确保处理模块内的足够高的处理液体液位。若大型基板的尺寸变得过大,则可发生以下情况:仅处理模块的入口及出口处的第一液体喷嘴不再能够提供足够的处理液体来建立高于基板的传输高度的处理液体液位。必须确保被处理的基板的上表面同样始终在处理液体液位下方。
[0034]在一个实施例中,液体堰布置在相应的第一液体喷嘴下方在传输系统的两个相邻运输元件之间。
[0035]这种液体堰确保,仅保留限定的间隙以用于将基板传输通过处理模块的入口及出口。同时,其连同第一液体喷嘴使得从处理模块内的处理区域的处理液体损失最小化。
[0036]在一个实施例中,处理模块包括气体(优选地为压缩空气)递送元件,该气体递送元件布置在大型基板的传输高度下方,其中所述气体递送组件布置在处理模块的各气体喷嘴下方。
[0037]这种气体递送元件确保,仅保留限定的间隙以用于将基板传输通过处理模块的入口及出口。同时,其连同气体喷嘴使得从处理模块内的处理区域的处理液体损失最小化。
[0038]在一个实施例中,处理模块进一步包括至少第三轴承护圈带,优选地是滚珠轴承带,该第三轴承护圈带包括多个轴承,优选地是滚珠轴承,用于接收传输装置的传输元件的相应的外部端,其中所述至少第三轴承护圈带在两个轴承护圈带之间平行布置。
[0039]如果对于常用的传输元件(诸如,辊子或轮轴),大型基板的尺寸过大,则这些额外的轴承护圈带变得必要。这些传输元件由于在其制造期间的构造问题而缺乏轴线方向上的所需精度。辊子一般由金属芯部(诸如钢芯)构成,金属芯部被机械注入到由聚合物材料制成的外壳中。然而,该注入程序产生非常高的机械力,而导致在仍可以所需精度制造这些传输元件情况下所能达到的轴向长度方面的技术限制。因此,如果单个传输元件的所需轴向长度由于上述原因不可达到,则存在前后接连地安装至少两个传输元件的可能。因此,这需要在这些两个传输元件之间的轴向互连点处的额外轴承护圈带。在一个实施例中,调整装置包括至少第一调整元件和至少第二调整元件,其中第一调整元件通过多个第二调整元件连接到相应的液体堰或者轴承护圈带,从而能够调整所述液体堰和轴承护圈带的水平对准。
[0040]这对于大型基板的这种处理是极有利的,因为对于这些基板,以足够精度在处理模块的下部制造诸如传输元件的模块元件以及液体堰通常是非常有挑战性的。另外,可始终存在调整的必要性,以便正确地水平对准前述模块元件。通过多个第二调整元件提供该选择性调整,该调整使液体堰及轴承护圈带能够垂直于处理模块的传输区域而选择性地竖向移动(向上或向下,甚至在增量程度上)。
[0041]在一个实施例中,调整装置在处理模块的外壳的底部下方布置在单独区域中,该单独区域大致无处理液体。
[0042]这是有利的,因为任何种类的调整装置通常以金属制成,以提供足够的机械稳定性。如果调整装置以金属制成,并且处理液体(诸如,用于湿式化学铜沉积)能够接触所述调整装置,则铜将无意地在这些金属部分的表面上析出。
[0043]在一个实施例中,第一调整元件是杆或带,这些杆或带一起形成托架,作为处理模块的子结构;其中第二调整元件是螺栓、销或者螺钉;并且其中两个调整元件优选地由金属制成。
[0044]在一个实施例中,处理模块进一步包括至少处理液体出口元件,该处理液体出口元件是处理模块的单独处理液体循环系统的一部分。
[0045]在一个实施例中,外壳盖包括中央区域和两个侧区域,其中中央区域平行于传输区域对准并且包括至少气体排放开口;并且其中两个侧区域从外壳盖的中央区域一直向下延伸至外壳。
[0046]在其中对于基板在处理模块中的处理建立高于室温的特定较高温度而导致处理液体的组分的蒸发过程的情况下,这是有利的。蒸发的挥发性组分可通过气体排放开口从处理模块排出。另外,侧壁的布置支持从蒸发的处理液体组分形成的冷凝液自动回流到处理液体中。
[0047]另外,本发明目的还通过用于在包括多个模块的水平设备中处理大型基板的方法来解决,该方法的特征在于下列方法步骤:
[0048]i)提供水平设备,其包括至少预处理模块、至少本发明的创新性处理模块以及至少后处理t旲块,
[0049]ii)通过调整装置调整本发明的创新性处理模块的传输元件和液体堰,以确保它们的准确水平对准,
[0050]iii)提供大型基板,优选地是玻璃基板,
[0051]iv)将所述大型基板传输通过所述水平设备的模块,用于执行预处理、处理和后处理。
[0052]在该方法的优选实施例中,大型基板在方法步骤iv)期间在本发明的创新性处理模块中的处理是用于将金属(优选地,铜)沉积在大型基板的表面上的无电湿式化学处理。
[0053]这种湿式化学处理已被发现相比于仅能够递送具有有限厚度的铜层的已知溅镀技术是有利的。当溅镀最终产生小于Iym的铜层时,湿式化学处理提供厚得多的可能铜层,而不产生在溅镀厚铜层的情况下因基板的内应力引起的已知弯曲效应。
[0054]这种创新性方法的进一步优点是可在基板的表面上直接形成选择性铜层,而不需要首先将铜层沉积在基板的整个表面上,接着通过各种进一步方法步骤对该铜层进行后续处理以产生选择性铜层。取决于基板本身的材料,选择性钯层的沉积对于在基板上沉积这种选择性铜层可变得必要。如果大型基板是用于平板显示器的玻璃基板,则在钯层的顶部上具有后续铜层的这种钯层沉积是优选的。
[0055]在该方法的更优选实施例中,通过将大型基板浸入在处理液体中执行无电湿式化学处理。
[0056]相比于会因生成喷射图案产生不均匀沉积的、基板表面上的已知处理液体喷射技术,将基板浸入处理液体中提供了均匀金属沉积的优点。
[0057]已经另外发现,本发明的这种创新性处理模块可用于大型玻璃基板(特别地,平板显示器)上的金属沉积,所述金属特别地是铜。
[0058]由此,本发明解决了提供用于水平设备的处理模块的问题,该处理模块适于传输和处理大型基板,特别地是诸如平板显示器的易碎大型玻璃基板。
[0059]提供以下非限制性示例来例示本发明实施例且促进理解本发明,但这些实施例不旨在限制由随附权利要求限定的本发明范围。
[0060]现在转至附图,图1示出了根据本发明实施例的处理模块I的示意性透视图。
[0061]所述处理模块I包括带有外壳盖4的外壳2,其中外壳盖4包括中央区域3、两个侧区域5和在各两个侧区域5中的两个窗口 6。中央区域3在本文中平行于传输区域对准并且包括至少气体排放开口 7。两个侧区域5从外壳盖4的中央区域3—直向下延伸到外壳2。
[0062]处理模块I进一步包括传输装置,该传输装置包括用于水平处理大型基板的多个传输元件8,其中所述传输元件8可以是辊子或者轮轴。在所示的实施例中,各传输元件8是轮轴。辊子可以是有利的,因为由处理模块I的处理区域内的可用的小体积造成处理化学试剂的较少消耗。在图中示意性地示出了基板的传输方向。
[0063]处理模块I进一步包括两个滚珠轴承带9,两个滚珠轴承带9包括多个滚珠轴承以用于接收传输装置的各传输元件8的相应的外部端。此外,处理模块I包括第三滚珠轴承带9,第三滚珠轴承带9包括多个滚珠轴承以用于接收传输装置的传输元件8的相应的外部端,其中所述至少第三滚珠轴承带9在两个滚珠轴承带9之间平行布置。
[0064]处理模块I进一步包括在处理模块I的入口和出口处布置在大型基板的传输高度上方的第一液体喷嘴11和气体喷嘴10,以用于累积处理模块I内的处理液体,其中各气体喷嘴10比相应的第一液体喷嘴11更靠外地布置。此外,处理模块I包括在两个第一液体喷嘴11之间布置在大型基板的传输高度上方的两个第二液体喷嘴12。
[0065]图2示出了根据本发明的图1所示的相同实施例的无外壳盖4的处理模块I的示意性透视图。图2意图于更详细地示出在基板的传输高度上方的处理模块I的特征部。相应的处理模块I特征部以及它们的相应附图标记与先前对图1所述的特征部和附图标记等同,且不会再次讨论以避免不必要的重复。
[0066]图3a示出了根据如本发明图1所示相同的实施例的具有打开的外壳盖4的处理模块I的示意性侧视图。
[0067]处理模块I的这一替代图例示了在传输方向上在基板的传输高度上方的气体喷嘴
10、第一液体喷嘴11、两个第二液体喷嘴12、第一液体喷嘴11以及又气体喷嘴10的结果。
[0068]此外,处理模块I包括两个液体堰13,该两个液体堰13在相应的第一液体喷嘴11下方布置在传输系统的两个相邻的传输元件8之间。
[0069]处理模块I进一步包括布置在大型基板的传输高度下方的气体递送元件22,其中所述气体递送元件布置在处理模块I的各气体喷嘴10下方。
[0070]图3b示出了包括气体喷嘴10的处理模块I的横截面图,以提供在处理模块I的该部位处的细节布置的放大图。气体递送元件22直接设置在气体喷嘴10下方和大型基板的传输高度17下方。所述气体递送元件22布置在两个相邻的传输元件8之间。气体喷嘴10的气体馈路14以粗黑突显,以阐明喷射气体流在处理模块I的入口和出口处的通路,该喷射气体流被引导至处理区域内以支持在处理区域内累积处理液体。
[0071]图3c示出了包括第一液体喷嘴11的处理模块I的部位的横截面图,以提供在处理模块I的这一部位处的细节布置的放大图。液体堰13直接设置在第一液体喷嘴11下方和大型基板的传输高度17下方。所述液体堰13布置在两个相邻的传输元件8之间。第一液体喷嘴11的液体馈路15以粗黑突显,以阐明喷射液体流在处理模块I的入口和出口处的通路,喷射液体流被引导到处理区域内以支持在处理区域内累积处理液体。
[0072]图3d示出了包括在大型基板的传输高度17上方的第二液体喷嘴12的处理模块I的部位的横截面图,以提供在处理模块I的这一部位处的细节布置的放大图。第二液体喷嘴12的液体馈路16以粗黑突显,以阐明处理模块I内的喷射液体流在两个第一液体喷嘴11之间的通路。在大型基板的传输高度17上方平行于传输方向喷射的所述喷射液体流应当确保处理模块I内的足够处理液体液位。
[0073]图4示出了根据如本发明图1所示的相同实施例的处理模块I的下侧上的示意性透视图。特别是,通过图4应当例示和阐明了处理模块I的调整装置的细节。
[0074]在这一优选实施例中,所述调整装置包括两个平行的第一调整元件19和三个第二调整元件20,其垂直于彼此延伸。第一调整元件19是杆,这些杆一起形成托架,以作为处理模块I的子结构。第二调整元件20是螺栓。调整元件19、20两者均由金属制成。
[0075]第一调整元件19通过多个第二调整元件20连接到相应的液体堰13或者滚珠轴承带9,从而能够调整所述液体堰13和滚珠轴承带9的水平对准。在本文中,调整装置在处理模块I的外壳2的底部下方布置在单独区域中,该单独区域大致无处理液体。
[0076]处理模块I进一步包括多个处理液体出口元件18,这些处理液体出口元件18是处理模块I的单独处理液体循环系统(未示出)的一部分。处理模块I进一步包括相应的气体递送元件22 (未示出)的多个液体馈路21。
[0077]将理解,本文所述实施例仅是示例性的,本领域技术人员可以进行许多变化和修改,而不偏离本发明的范围。包括上述那些的所有这些变化和修改旨在包含在如随附权利要求限定的本发明范围内。
[0078]附图标记
[0079]I处理模块
[0080]2 外壳
[0081 ]3外壳盖的中央区域
[0082]4外壳盖
[0083]5外壳盖的侧区域
[0084]6外壳盖的窗子
[0085]7气体排放开口
[0086]8传输元件
[0087]9轴承护圈带
[0088]10气体喷嘴
[0089]11第一液体喷嘴
[0090]12第二液体喷嘴
[0091]13液体堰
[0092]14气体喷嘴的气体馈路
[0093]15第一液体喷嘴的液体馈路
[0094]16第二液体喷嘴的液体馈路
[0095]17大型基板的传输高度
[0096]18处理液体出口元件
[0097]19第一调整元件
[0098]20第二调整元件
[0099]21气体递送元件的液体馈路
[0100]22气体递送元件
【主权项】
1.一种用于对大型基板、特别地玻璃基板进行水平湿式化学处理的设备的处理模块(I),所述处理模块(I)包括:外壳(2),所述外壳(2)带有外壳盖(4);传输装置,所述传输装置包括用于水平处理大型基板的多个传输元件(8),其中所述处理模块(I)进一步包括在所述处理模块(I)的入口处布置在大型基板的传输高度(17)上方的至少第一液体喷嘴(11)和至少气体喷嘴(10),以及在所述处理模块(I)的出口处布置在大型基板的传输高度(17)上方的、用于累积所述处理模块(I)内的处理液体的至少另一第一液体喷嘴(11)和至少另一气体喷嘴(10),其中各气体喷嘴(10)比相应的第一液体喷嘴(11)更靠外地布置;至少液体堰(13),所述至少液体堰(13)在大型基板的所述传输高度(17)下方布置在各第一液体喷嘴(II)下方;其特征在于, 所述处理模块(I)进一步包括用于调整所述处理模块(I)的所述传输装置和所述液体堰(13)的至少调整装置。2.根据权利要求1所述的处理模块,其特征在于,所述处理模块(I)进一步包括两个轴承护圈带(9),优选地是滚珠轴承带,所述两个轴承护圈带(9)包括多个轴承,优选地是滚珠轴承,以用于接收所述传输装置的各传输元件(8)的相应的外部端。3.根据权利要求1或2所述的处理模块,其特征在于,所述处理模块(I)进一步包括在所述第一液体喷嘴(11)之间布置在大型基板的所述传输高度(17)上方的至少第二液体喷嘴(⑵。4.根据先前权利要求中一项所述的处理模块,其特征在于,所述液体堰(13)布置在相应的第一液体喷嘴(11)下方在传输系统的两个相邻的传输元件(8)之间。5.根据先前权利要求中一项所述的处理模块,其特征在于,所述处理模块(I)包括气体递送元件(22),优选地是压缩空气递送元件,所述气体递送元件(22)布置在大型基板的所述传输高度(17)下方,其中所述气体递送元件(22)布置在所述处理模块的各气体喷嘴(10)下方。6.根据先前权利要求中一项所述的处理模块,其特征在于,所述处理模块(I)进一步包括至少第三轴承护圈带(9),优选地是滚珠轴承带,所述第三轴承护圈带(9)包括多个轴承,优选地是滚珠轴承,以用于接收所述传输装置的传输元件(8)的相应的外部端,其中所述至少第三轴承护圈带(9)在两个轴承护圈带(9)之间平行布置。7.根据先前权利要求中一项所述的处理模块,其特征在于,所述调整装置包括至少第一调整元件(19)和至少第二调整元件(20),其中所述第一调整元件(19)由多个第二调整元件(20)连接到相应的液体堰(13)或者轴承护圈带(9),以便能够调整所述液体堰(13)和轴承护圈带(9)的水平对准。8.根据先前权利要求中一项所述的处理模块,其特征在于,所述调整装置在所述处理模块(I)的所述外壳(2)的底部下方布置在大致无处理液体的单独区域中。9.根据权利要求7所述的处理模块,其特征在于,所述第一调整元件(19)是杆或带,这些杆或带一起形成托架以作为所述处理模块的子结构;其中所述第二调整元件是螺栓、销或者螺钉;并且其中两个调整元件(19,20)优选地由金属制成。10.根据先前权利要求中一项所述的处理模块,其特征在于,所述处理模块(I)进一步包括至少处理液体出口元件(18),该处理液体出口元件(18)是所述处理模块(I)的单独的处理液体循环系统的一部分。11.根据先前权利要求中一项所述的处理模块,其特征在于,所述外壳盖(4)包括中央区域(3)和两个侧区域(5),其中所述中央区域(3)平行于所述传输区域对准并且包括至少气体排放开口(7);并且其中两个侧区域(5)从所述外壳盖(4)的所述中央区域(3) —直向下延伸至所述外壳(2)。12.—种用于在包括多个模块的水平设备中处理大型基板的方法,其特征在于,所述方法为下列方法步骤: i)提供水平设备,所述水平设备包括至少预处理模块、至少根据权利要求1至11中一项所述的处理模块,以及至少后处理模块, ii)通过调整装置调整根据权利要求1至11中一项所述的各处理模块(I)的传输元件(8)和液体堰(13),以确保它们的准确水平对准, iii)提供大型基板,优选地是玻璃基板, iv)将所述大型基板传输通过所述水平设备的模块,用于执行预处理、处理和后处理。13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述大型基板在方法步骤iv)期间在根据权利要求1至11中一项所述的处理模块(I)中的处理是无电湿式化学处理,用于将金属、优选地铜沉积在所述大型基板的表面上。14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述无电湿式化学处理通过将所述大型基板浸入在所述处理液体中来执行。15.—种根据权利要求1至11中一项所述的处理模块用于金属、特别地铜在大型玻璃基板、特别地平板显示器上的沉积的用途。
【文档编号】H01L21/67GK106030777SQ201580008807
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2015年10月30日
【发明人】罗兰德·哈恩, 克里斯蒂安·托马斯, 马丁·诺斯纳, 托马斯·奥特, 奥拉夫·洛伦佐
【申请人】埃托特克德国有限公司
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