半导体晶片的金属污染即时监控方法
【专利摘要】提供一种半导体晶片的金属污染即时监控方法，包括：对晶片进行快速热氧化制程；以及对快速热氧化制程后的晶片进行表面光电压的测量。
【专利说明】
半导体晶片的金属污染即时监控方法
技术领域
[0001] 本发明是有关于一种半导体制程的监控方法，且特别是有关于一种半导体晶片的 金属污染即时监控方法。
【背景技术】
[0002] 在半导体制程中，晶片的金属污染会对制品的元件特性造成不良的影响。例如，将 制品进行热处理，则会使得铁（Fe)或镍（Ni)等重金属通过扩散而进入至硅晶片中，并且使 带隙中形成深的能阶（level)而作为载子捕获中心或再结合中心，从而成为元件中的pn接 面泄漏或寿命减少的原因。因此，为了监控制程中金属污染的程度，而寻求一种可即时监控 及高可靠度的监控方法。
[0003] 在影像感测器中，对金属的容忍度是有限度的，若在制造过程中被金属污染则会 影响照相的品质。在互补金属氧化物半导体影像感测器（CMOS image sensor，CIS)制程 中，是利用磊晶区域（Epitaxy area)的PN接面作为感光区。若只侦测晶片表面的金属污 染状态是不足够代表整个晶片的金属污染状况，必须要能进一步监测到感光区的金属污染 才能够符合CIS制程的金属监控机制。
[0004] 然而，由制程引起的金属污染大致可分为两类：一类为热处理前的制程，另一类则 是热处理制程本身。由热处理制程本身引起的金属污染的原因可能为从热处理环境混入的 金属杂质而引起；或由热处理制程中因与污染源（例如包含金属成分的微粒、或热处理载 具、基座、支点、各种金属制夹具等）的接触，而使得污染源的金属杂质附着于半导体晶片， 并且在热处理制程中扩散至接触部分附近而引起金属污染。
[0005] 近年来，在作为半导体基板的晶片中，为了强化本征吸气（Intrinsic gettering) 的功能，其内部高密度地存在氧析出物（主体微缺陷，Bulk Micro Defect ;BMD)或成为其 成长核的微小缺陷。然而，半导体晶片的金属污染会减少寿命或扩散长度的测定值，而上述 BMD或微小的缺陷亦会减少寿命或扩散长度的测定值。所以半导体晶片内的BMD或微小的 缺陷以及晶片表面的状态，会影响表面光电压所测量的扩散长度的测定值大小，而使得测 量值错误并造成金属污染与否的误判。
【发明内容】
[0006] 本发明提供一种半导体晶片的金属污染即时监控方法，有效地通过测量表面光电 压来即时监控制程机台的污染程度，测量深度更深，可用于CIS制程的金属监控中，且可通 过重复使用监控用的晶片而降低生产成本。
[0007] 本发明的半导体晶片的金属污染即时监控方法，包括：对晶片进行快速热氧化制 程（过程）；以及对快速热氧化制程后的所述晶片进行表面光电压的测量。
[0008] 在本发明的一个实施方案中，所述晶片重复使用于金属污染即时监控。
[0009] 在本发明的一个实施方案中，所述晶片掺杂有硼原子。
[0010] 在本发明的一个实施方案中，所述快速热氧化制程的制程（过程）温度范围为 600°C 至 1050°C。
[0011] 在本发明的一个实施方案中，所述快速热氧化制程所生成的氧化层厚度为5Λ至 15 A0
[0012] 在本发明的一个实施方案中，更包含另一晶片作为参考控片。
[0013] 本发明的半导体晶片的金属污染即时监控方法，包括：晶片的金属污染参考值测 试，以及制程（过程）处理机台的金属污染即时监控测试；其中，所述晶片的金属污染参考 值测试，包括：对晶片进行晶片清洗处理、对所述晶片进行快速热氧化制程、以及对快速热 氧化制程后的所述晶片进行表面光电压的测量，以得到所述晶片的金属原子的扩散长度与 金属原子的浓度以作为参考值；所述制程处理机台的金属污染即时监控，包括：对所述晶 片进行氧化物移除处理与晶片清洗处理、使用制程处理机台对所述晶片进行制程处理、对 制程处理后的所述晶片进行快速热氧化制程、以及对快速热氧化制程后的所述晶片进行所 述表面光电压的测量，以得到经过所述制程处理机台制程处理的所述晶片的金属原子的扩 散长度与金属原子的浓度。
[0014] 在本发明的一个实施方案中，所述晶片重复使用于金属污染即时监控。
[0015] 在本发明的一个实施方案中，所述晶片掺杂有硼原子。
[0016] 在本发明的一个实施方案中，所述氧化物移除处理是利用氟化氢（HF)来移除所 述晶片表面的氧化物；所述晶片清洗处理是分别以硫酸与过氧化氢的溶液（SPM)、氨水与 过氧化氢的溶液（APM)、以及盐酸溶液（HCl)来洗净所述晶片。
[0017] 在本发明的一个实施方案中，所述制程处理依照制程的温度分为低温制程与高温 制程。
[0018] 在本发明的一个实施方案中，所述低温制程包含选自湿蚀刻制程、离子化金属等 离子体制程中的一种低温制程；所述高温制程包含选自高温炉管化学气相沉积、高温炉管 物理气相沉积、快速升温退火原位蒸气生成法、快速升温退火中的一种高温制程。
[0019] 在本发明的一个实施方案中，所述高温制程后进行所述氧化物移除处理与晶片清 洗处理。
[0020] 在本发明的一个实施方案中，所述快速热氧化制程的制程温度范围为600°C至 1050。。。
[0021] 在本发明的一个实施方案中，所述快速热氧化制程所生成的氧化层厚度为SA至 15A
[0022] 在本发明的一个实施方案中，更包含另一晶片作为参考控片。
[0023] 在本发明的一个实施方案中，金属污染即时监控方法是通过监控制程处理后的金 属原子的扩散长度差异或金属原子的浓度差异来评估。
[0024] 基于上述，由于本发明所提出的半导体晶片的金属污染即时监控方法，可以有效 地通过测量表面光电压即时监控制程机台的污染程度，且测量深度更深可达IOOym以上， 且可用于CIS制程的金属监控中，并且通过重复使用监控用的晶片而降低生产成本。
[0025] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方案，并配合附图作 详细说明如下。
【附图说明】
[0026] 图IA与图IB是依照本发明的一个实施方案的半导体晶片的金属污染即时监控方 法的流程图，其用于低温制程。
[0027] 图2A与图2B是依照本发明的另一实施方案的半导体晶片的金属污染即时监控方 法的流程图，其用于高温制程。
[0028] 图3是依照本发明的一个实施方案的半导体晶片的金属污染即时监控方法的金 属原子的扩散长度随着运作次数的变化图。
[0029] 图4是依照本发明的一个实施方案的半导体晶片的金属污染即时监控方法的金 属原子的浓度随着运作次数的变化图。
[0030] 图5是快速热氧化制程对表面光电压测量的影响变化图。
【具体实施方式】
[0031] 本发明的半导体晶片的金属污染即时监控方法可以依照制程处理的温度分为低 温制程与高温制程。其中，所述的半导体晶片的金属污染即时监控方法可用于监控包括如 下机台的金属污染：1.低温制程机台：黄光机台、蚀刻机台、湿蚀刻机台、离子植入机台等； 2.高温制程机台：炉管机台、快速退火机台、物理气相沉积机台、化学气相沉积机台等。
[0032] 以下，说明本发明的一个实施方案的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其用 于低温制程。
[0033] 图IA与图IB是本发明一个实施方案的半导体晶片的金属污染即时监控方法的流 程图，其用于低温制程。请参阅图IA与图1B，本实施方案的半导体晶片的金属污染即时监 控方法包括晶片的金属污染参考值测试a，以及制程处理机台的金属污染即时监控测试b。 图IA中的金属污染参考值测试a是为了确认晶片的污染程度，而作为参考值；图IB中的制 程处理机台的金属污染即时监控测试b则是为了监控制程处理机台的污染程度。
[0034] 请参阅图1A，本发明的晶片的金属污染参考值测试a包括如下步骤100至步骤 103〇
[0035] 首先，在步骤100中，提供一晶片，所述晶片例如是N型娃晶片、P型娃晶片等。在 一个实施方案中，掺杂有硼原子而成为P型硅晶片。其中，掺杂的硼原子容易与杂质原子结 合，而可以提高表面光电压测试的感度。在一个实施方案中，除了所述晶片用作制程处理机 台的控片外，更包含另一晶片作为参考控片，并且以参考控片所量测的值作为参考值。其 中，所述参考控片仅进行金属污染参考值测试a，而不进行制程处理机台的金属污染即时监 控测试b。此外，通过使用额外的参考控片，可正确判断所欲监控的制程机台的金属污染程 度，并且可以监控量测机台（即表面光电压量测机台）的稳定度。
[0036] 接着，在步骤101中，进行晶片清洗处理，所述晶片清洗处理包含分别以硫酸与 过氧化氢的溶液（sulfuric peroxide mixture，SPM)、氨水与过氧化氢的溶液（ammonium peroxide mixture，APM)、以及盐酸溶液（HCl)来洗净所述晶片。通过上述的晶片清洗处 理，可以有效移除吸附在晶片表面的有机物和金属离子。
[0037] 然后，在步骤102中，对进行晶片清洗处理后的所述晶片进行快速热氧化制程 (Rapid Thermal Oxidation，RT0)，以于所述晶片表面生成氧化物，用以稳定晶片表面的电 荷与键结。在一个实施方案中，快速热氧化制程的制程温度范围较佳为600°C至1050°C，更 佳为约7〇o°C ;快速热氧化制程的所生成的氧化层厚度较佳为5A至15A。
[0038] 最后，在步骤103中，对快速热氧化制程后的所述晶片进行表面光电压（surface photo voltage，SPV)的测量，以得到作为参考值的晶片中的金属原子的扩散长度 (diffusion length) DL#it与金属原子的浓度[金属]，测量值即晶片本身所含有的金属 原子浓度所造成的讯号。此外，根据表面光电压量测原理，所述的金属原子可泛指所有的金 属杂质原子。在一个实施方案中，所测量的金属原子为铁。
[0039] 本发明的制程处理机台的金属污染即时监控b，包括如下步骤104至步骤108。
[0040] 首先，在步骤104中，对晶片的金属污染参考值测试a测试后的晶片进行氧化物移 除处理与晶片清洗处理，其中氧化物移除处理是利用氟化氢（HF)来移除所述晶片表面的 氧化物，晶片清洗处理则与前述的晶片清洗处理相同，故不再赘述。
[0041] 接着，在步骤105中，使用制程处理机台对所述晶片进行制程处理。在本实施方案 中，使用制程处理机台所进行的制程处理为低温制程，例如是包含选自湿蚀刻制程、离子化 金属等离子体（ionized metal plasma，IMP)制程中的一种低温制程。在一个实施方案中， 制程处理例如是湿蚀刻制程。
[0042] 然后，在步骤107中，对低温制程处理后的所述晶片进行快速热氧化制程，以于晶 片表面生成氧化物，用于稳定晶片表面的电荷与键结。在一个实施方案中，快速热氧化制程 的制程温度范围较佳为600°C至1050°C，更佳为约700°C ;快速热氧化制程107的所生成的 氧化层厚度较佳为5A至15入。
[0043] 最后，在步骤108中，对快速热氧化制程后的所述晶片进行表面光电压的测量，以 得到经过所述制程处理机台制程处理的所述晶片中的金属原子的扩散长度DL raj与金属原 子的浓度[金属]EQ。其中，所述金属污染即时监控方法是通过比较不同运作次数的监控制 程处理后的金属原子的扩散长度差异或金属原子的浓度差异来评估。
[0044] 举例来说，作为参考值的晶片本身的金属原子的扩散长度为DL#it，不同运作次数 的金属原子的扩散长度差异（Λ DL参考）为DL参考(n) -DL参考(n+1)，其中η为运作次数；作为参 考值的本身的金属原子的浓度为[金属]##，不同运作次数的金属原子的浓度差异（Λ [金 属]参考）为[金属]参考(n+1)_[金属]参考w，其中η为运作次数。
[0045] 机台所造成的晶片的金属污染的金属原子的扩散长度为DLeq，机台在不同运作次 数所造成的晶片的金属污染的金属原子的扩散长度差异（ADL raj)为DLE(Hn)-DLE(Hn+1)，其中η 为运作次数；机台所造成的晶片的金属污染的金属原子的浓度为[金属]EQ，不同运作次数 所造成的晶片的金属污染的金属原子的浓度差异（Λ [金属]EQ)为[金属]E(Hn+1)-[金属] EQW，其中η为运作次数。所述金属污染即时监控方法是通过扩散长度的差异或者金属浓度 的差异（即Λ DL参考以及Λ DLeq，或者Λ [金属]参考以及Λ [金属]E(j)，来判断制程机台是 否遭受金属污染。
[0046] 接着，说明本发明另一半导体晶片的金属污染即时监控方法，其为用于高温制程。
[0047] 图2A与图2B是本发明另一实施方案的半导体晶片的金属污染即时监控方法的流 程图，其用于高温制程。请参阅图2A与图2B，本实施方案的半导体晶片的金属污染即时监 控方法主要包括晶片的金属污染参考值测试a，以及制程处理机台的金属污染即时监控测 试b。其中，晶片的金属污染参考值测试a的部分与上述低温制程时的半导体晶片的金属污 染即时监控方法相同，故省略其详细说明。
[0048] 本发明在高温制程时的制程处理机台的金属污染即时监控b，包括如下步骤104 至步骤108。
[0049] 首先，在步骤104中，对晶片的金属污染参考值测试a测试后的晶片进行氧化物移 除处理与晶片清洗处理，其中氧化物移除处理与晶片清洗处理与上述低温制程时的半导体 晶片的金属污染即时监控方法相同，故不再赘述。
[0050] 接着，在步骤105中，使用制程处理机台对所述晶片进行制程处理。在本实施方案 中，使用制程处理机台所进行的制程为高温制程，例如是包含选自高温炉管化学气相沉积、 高温炉管物理气相沉积、快速升温退火原位蒸气生成法、快速升温退火中的一种高温制程。 在一个实施方案中，制程处理例如是高温炉管化学气相沉积。
[0051] 然后，在步骤106中，对高温制程处理后的所述晶片进行另一氧化物移除处理与 晶片清洗处理，由此移除因制程处理机台在高温时在晶片表面所生成的氧化物。
[0052] 然后，在步骤107中，对清除氧化物的高温制程处理后的所述晶片进行快速热氧 化制程，以于晶片表面生成氧化物，用于稳定晶片表面的电荷与键结。在一个实施方案中， 快速热氧化制程的制程温度范围较佳为600°C至1050°C，更佳为约700°C ;快速热氧化制程 的所生成的氧化层厚度较佳为5A至15A。
[0053] 最后，在步骤108中，对快速热氧化制程后的所述晶片进行表面光电压的测量，以 得到经过所述制程处理机台制程处理的所述晶片中的金属原子的扩散长度DL raj与金属原 子的浓度[金属]EQ。其中，所述金属污染即时监控方法是通过比较不同运作次数的监控制 程处理后的金属原子的扩散长度差异或金属原子的浓度差异来评估。
[0054] 举例来说，作为参考值的晶片的本身所造成的金属原子的扩散长度为DL#it，不同 运作次数的金属原子的扩散长度差异（ADL参考）为DL参考 W-DL参考(n+1)，其中η为运作次数； 作为参考值的晶片本身的金属原子的浓度为[金属] ##，晶片在不同运作次数的金属原子 的浓度差异（Λ [金属]参考）为[金属]参考(η)-[金属]参考(η+1)，其中η为运作次数。
[0055] 机台所造成的晶片的金属污染的金属原子的扩散长度为DLeq，机台在不同运作次 数所造成的晶片的金属污染的金属原子的扩散长度差异（ADL raj)为DLE(Hn)-DLE(Hn+1)，其中η 为运作次数；机台所造成的晶片的金属污染的金属原子的浓度为[金属]EQ，不同运作次数 所造成的晶片的金属污染的金属原子的浓度差异（Λ [金属]EQ)为[金属]E(Hn+1)-[金属] EQW，其中η为运作次数。所述金属污染即时监控方法是通过扩散长度的差异或者金属浓度 的差异（即Λ DL参考以及Λ DLeq，或者Λ [金属]参考以及Λ [金属]E(j)，来判断制程机台是 否遭受金属污染。
[0056] 此外，根据表面光电压量测原理，所述的金属原子可泛指所有的金属杂质原子。在 本发明的一个实施例中，金属污染的污染源为铁的情况下，使用除了所述晶片用作制程处 理机台的控片外，更包含另一晶片作为参考控片来测量参考值。通过本发明的半导体晶片 的金属污染即时监控方法来监控晶片污染，其结果如图3与图4所示。其中，图3为本发明 的一个实施方案的金属原子的扩散长度随着运作次数的变化图，图4则为本发明的一个实 施方案的半导体晶片的金属污染即时监控方法的金属原子的浓度随着运作次数的变化图。
[0057] 图3的金属原子的扩散长度随着运作次数的变化图中，横轴为运作次数，右方纵 轴代表扩散长度（μ m)，左方纵轴代表扩散长度差（即ΛDL参考=DL参考W-DL参考一;或厶DLraj -DLeq (n)_D Leq (n+1) )(μπι)，其中参考控片在第n次操作下的铁原子的扩散长度， DLrajw为制程处理机台的控片在第η次操作下的铁原子的扩散长度。由图3可知，当机台遭 受金属污染时，可透过本发明的半导体晶片的金属污染即时监控方法，通过比较不同运作 次数的金属原子的扩散长度差异来评估是否遭受金属污染（即比较Λ DL#it与Λ DLraj随着 运作次数的变化曲线），当Λ DLeq比起Λ DL 大幅增加时，即代表该次晶片的制程处理遭 受了金属污染，以NG符号表示。
[0058] 图4的金属原子的浓度随着运作次数的变化图中，横轴为运作次数，右方纵轴代 表晶片中的铁浓度（原子（atm)/cm3)，左方纵轴代表扩散长度差（即Λ [Fe]参考=[Fe]参考 〇1+1)-收]参考^11：)或厶收][；()=收]_ +1：)-收]_)(原子（&1：111)/〇113)，其中收]参考(111：)为参 考控片在第η次操作下的铁浓度，[Fe] EQW为制程处理机台的控片在第η次操作下的铁浓 度。由图4可知，当机台遭受金属污染时，可透过本发明的半导体晶片的金属污染即时监控 方法，通过比较不同运作次数前后的金属原子的浓度差异来评估是否遭受金属污染（即比 较Λ [Fe]_与Λ [Fe]E(j随着运作次数的变化曲线），当Λ [Fe] E(j比起Λ [Fe] _大幅增加 时，即代表该次晶片的制程处理遭受了铁的污染，以NG符号表示。
[0059] 此外，本发明是通过将晶片进行快速热氧化制程而有效地使得表面光电压测量的 数值稳定。在图5中，横轴为运作次数，右方纵轴代表扩散长度（μ m)，左方纵轴代表扩散长 1?? (艮ΡΔ DL未经过RT0 - DL 未经过 RT0(n) -DL未经过 RT0(n+1) ?ζΔ DL 经过RT0 - DL 经过 RT0(n) 经过 RT0(n+1))， 其中 DL经过 RTO (n) 为晶片经过快速热氧化制程后在第η次操作下的铁原子的扩散长度，DL aRTCW为晶片未经过快速热氧化制程的第η次操作下的铁原子的扩散长度。
[0060] 如图5所示，使用相同条件的未经过制程机台处理的晶片来进行表面光电压的测 量，并且比较快速热氧化制程对表面光电压测量的影响，其中未经过快速热氧化制程处理 的晶片会因内部高密度地存在氧析出物（主体微缺陷，Bulk Micro Defect ;BMD)或成为其 成长核的微小缺陷，而使得晶片表面的电荷分布异常而造成表面光电压测量的不稳定。因 此，通过比较图5中的ADL未经 aRT。与ADL经aRT。的数据可知，当晶片若在表面光电压测量前 未经快速热氧化制程处理时，会使得表面光电压的测量波动而不具再现性；若在表面光电 压测量前进行快速热氧化制程，则可稳定晶片表面的电荷分布，而使得表面光电压的测量 具有再现性。
[0061] 另外，特别要说明的是，本发明的半导体晶片的金属污染即时监控方法中的晶片 可重复使用于金属污染即时监控，而降低生产成本以及突显出制程机台的金属污染程度。
[0062] 综上所述，本发明提供一种半导体晶片的金属污染即时监控方法，可通过执行快 速热氧化制程在晶片表面生成氧化物，来改善晶片表面的电荷与键结状态，使晶片表面的 电荷与键结状态一致，且抑制自然生成的氧化物的生成，而使得表面光电压的测量稳定。由 此，发展出一套有效的方法，可以即时监控制程机台的金属污染程度。而且，透过将控片重 复使用，利用控片测量的前后值的相减，而可去除半导体晶片前制程的影响，并且减少制造 成本并突显制程机台的金属污染程度。
[0063] 此外，亦可额外使用参考控片，而使参考控片不需要经过制程机台，而可以正确判 断所欲监控的制程机台的金属污染程度以及监控量测机台的稳定度。另外，透过表面光电 压的测量方式可以使测试深度深达IOOym以上，而使得本发明的半导体晶片的金属污染 即时监控方法符合CIS制程的金属监控机制的要求。
[0064] 虽然本发明已以实施方案公开如上，然其并非用以限定本发明，任何具有通常知 识的本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发 明的保护范围当视所附的权利要求书范围所界定者为准。
[0065] 符号说明
[0066] 100、101、102、103、104、105、106、107、108 :步骤
[0067] a :晶片的金属污染参考值测试
[0068] b :制程处理机台的金属污染即时监控测试
[0069] NG :遭受污染
【主权项】
1. 一种半导体晶片的金属污染即时监控方法，包括： 对晶片进行快速热氧化制程；W及 对快速热氧化制程后的所述晶片进行表面光电压的测量。2. 根据权利要求1的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述晶片重复使用于 金属污染即时监控。3. 根据权利要求1的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述晶片渗杂有棚原 子。4. 根据权利要求1的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述快速热氧化制程 的制程溫度范围为600°C至1050°C。5. 根据权利要求1的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述快速热氧化制程 所生成的氧化层厚度为5A至15蓋。6. 根据权利要求1的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中更包含另一晶片作为 参考控片。7. -种半导体晶片的金属污染即时监控方法，包括： 晶片的金属污染参考值测试，W及 制程处理机台的金属污染即时监控测试； 其中，所述晶片的金属污染参考值测试，包括： 对晶片进行晶片清洗处理、 对所述晶片进行快速热氧化制程、W及 对快速热氧化制程后的所述晶片进行表面光电压的测量，W得到所述晶片的金属原子 的扩散长度与金属原子的浓度W作为参考值； 所述制程处理机台的金属污染即时监控，包括： 对所述晶片进行氧化物移除处理与晶片清洗处理、 使用制程处理机台对所述晶片进行制程处理、 对制程处理后的所述晶片进行快速热氧化制程、W及 对快速热氧化制程后的所述晶片进行所述表面光电压的测量，W得到经过所述制程处 理机台制程处理的所述晶片的金属原子的扩散长度与金属原子的浓度。8. 根据权利要求7的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述晶片重复使用于 金属污染即时监控。9. 根据权利要求7的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述晶片渗杂有棚原 子。10. 根据权利要求7的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述氧化物移除处 理是利用氣化氨化巧来移除所述晶片表面的氧化物；所述晶片清洗处理是分别W硫酸与 过氧化氨的溶液（SPM)、氨水与过氧化氨的溶液（APM)、W及盐酸溶液（HCl)来洗净所述晶 片。11. 根据权利要求7的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述制程处理依照 制程的溫度分为低溫制程与高溫制程。12. 根据权利要求11的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述低溫制程包含 选自湿蚀刻制程、离子化金属等离子体制程中的一种低溫制程；所述高溫制程包含选自高 溫炉管化学气相沉积、高溫炉管物理气相沉积、快速升溫退火原位蒸气生成法、快速升溫退 火中的一种高溫制程。13. 根据权利要求11的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述高溫制程后进 行所述氧化物移除处理与所述晶片清洗处理。14. 根据权利要求7的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述快速热氧化制 程的制程溫度范围为600°C至1050°C。15. 根据权利要求7的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中所述快速热氧化制 程所生成的氧化层厚度为5A至15A。16. 根据权利要求7的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中更包含另一晶片作 为参考控片。17. 根据权利要求7的半导体晶片的金属污染即时监控方法，其中金属污染即时监控 方法是通过监控制程处理后的金属原子的扩散长度差异或金属原子的浓度差异来评估。
【文档编号】H01L21/66GK106033733SQ201510120898
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2015年3月19日
【发明人】蔡家欣, 廖曼钧, 林钰淇, 江烨瑜
【申请人】力晶科技股份有限公司