一种新型组合磁芯的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及一种磁忍，具体设及一种磁忍上下辆设有倒圆角的的新型组合磁 -H- 也、D
【背景技术】
[0002] 电感器是一种在弱电技术常用的电器元件，电感器的设计原理主要依据电磁基本 理论，尤其是磁忍技术，其中磁忍材料的磁特性、磁忍的结构等都直接影响到电感器的设计 性能。
[0003] 现有的传统的组合磁忍，磁忍分外上下飄磁忍和左右忍柱磁忍，上下飄磁忍为长 方体，左右忍柱磁忍为圆柱体，上下飄磁忍和左右忍柱磁忍组合形成闭合磁路，上下飄磁忍 未与忍柱磁忍接触面的两端部分通过的磁通量很少，上下飄磁忍未做优化处理，使得生产 上下飄磁忍的磁粉原料增加，磁忍利用率低，成本增加。 【实用新型内容】
[0004] 针对上述问题，本实用新型公开了一种新型组合磁忍，对上下飄磁忍未与忍柱磁 忍接触的两端部分进行倒圆角优化处理，减少磁忍用量，提高磁忍利用率，降低成本。
[0005] 为了达到上述目的，本实用新型采用W下技术方案：
[0006] 一种新型组合磁忍，包括均为磁体的磁忍上辆、忍柱磁忍和磁忍下辆，所述忍柱磁 忍位于所述磁忍上辆、磁忍下辆之间，所述忍柱磁忍的顶端与所述磁忍上辆相接触，所述忍 柱磁忍的底端与所述磁忍下辆相接触，所述磁忍上辆、忍柱磁忍和磁忍下辆形成闭合磁路， 所述磁忍上辆未与忍柱磁忍接触的左右两端分别设有上倒圆角，所述磁忍下辆未与忍柱磁 忍接触的左右两端分别设有下倒圆角。
[0007] 优选的，所述磁忍上辆、磁忍下辆相平行，所述忍柱磁忍垂直于所述磁忍上辆、磁 忍下辆。
[0008]优选的，所述上倒圆角的半径Ri与所述磁忍上辆的高度H1满足：0<RH1。
[0009] 优选的，所述上倒圆角的半径Ri与所述磁忍上辆的高度Hi满足：
[0010] 优选的，所述上倒圆角的半径Rz与所述磁忍上辆的高度Hz满足：(KRHz。
[0011] 优选的，所述上倒圆角的半径Rz与所述磁忍上辆的高度Hz满足：
[0012] 优选的，所述忍柱磁忍为圆柱体。
[0013] 优选的，所述磁忍上辆、磁忍下辆为长方体。
[0014] 优选的，所述忍柱磁忍至少有二个并平行设置。
[0015] 采用W上技术方案，能够达到如下有益效果：
[0016] 本实用新型磁忍采用对上下飄磁忍未与忍柱磁忍接触的两端部分进行倒圆角优 化处理的结构设计，使得上下飄磁忍未与忍柱磁忍接触面的两端部分通过的磁通量很少的 地方得到了优化处理，优化后的磁忍组合能够达到优化前的效果，并且减少了磁忍用量，提 高磁忍利用率，降低成本，外型也更加美观。
【附图说明】
[0017] 图1是本实用新型一种新型组合磁忍的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018] 下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型做进一步说明。本实用新型保护范围 不仅局限于W下内容的表述。
[0019] 可W理解的是，W下关于本实用新型的具体描述，仅用于说明本实用新型而并非 受限于本实用新型实施例所描述的技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可W 对本实用新型进行修改或等同替换，W达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本实 用新型的保护范围之内。
[0020] 实施例1
[0021] 如图1所示，一种新型组合磁忍，包括均为磁体的磁忍上辆1、忍柱磁忍2和磁忍上 辆3,所述磁忍上辆1、磁忍上辆3为长方体，所述忍柱磁忍2为圆柱体，所述忍柱磁忍2位 于所述磁忍上辆1、磁忍上辆3之间，所述忍柱磁忍2的顶端与所述磁忍上辆1相接触，所述 忍柱磁忍2的底端与所述磁忍上辆3相接触，所述磁忍上辆1、忍柱磁忍2和磁忍上辆3形 成闭合磁路，所述磁忍上辆1、磁忍上辆3相平行，所述忍柱磁忍2垂直于所述磁忍上辆1、 磁忍上辆3,所述磁忍上辆1未与忍柱磁忍2接触的左右两端分别设有上倒圆角，所述上倒 圆角的半径Ri与所述磁忍上辆1的高度H 1满足：R 1= H 1，所述磁忍上辆3未与忍柱磁忍2 接触的左右两端分别设有下倒圆角，所述上倒圆角的半径Rz与所述磁忍上辆1的高度Hz满 足：Rz= H 2。
[00过实施例2
[0023]如图1所示，一种新型组合磁忍，包括均为磁体的磁忍上辆1、忍柱磁忍2和磁忍上 辆3,所述磁忍上辆1、磁忍上辆3为长方体，所述忍柱磁忍2为圆柱体，所述忍柱磁忍2位 于所述磁忍上辆1、磁忍上辆3之间，所述忍柱磁忍2的顶端与所述磁忍上辆1相接触，所述 忍柱磁忍2的底端与所述磁忍上辆3相接触，所述磁忍上辆1、忍柱磁忍2和磁忍上辆3形 成闭合磁路，所述磁忍上辆1、磁忍上辆3相平行，所述忍柱磁忍2垂直于所述磁忍上辆1、 磁忍上辆3,所述磁忍上辆1未与忍柱磁忍2接触的左右两端分别设有上倒圆角，所述上倒 圆角的半径Ri与所述磁忍上辆1的高度H 1满足：
，所述磁忍上辆3未与忍柱磁 忍2接触的左右两端分别设有下倒圆角，所述上倒圆角的半径Rz与所述磁忍上辆1的高度 &满足：
[0024] 实施例3
[00巧]如图I所示，一种新型组合磁忍，包括均为磁体的磁忍上辆I、忍柱磁忍2和磁忍上 辆3,所述磁忍上辆1、磁忍上辆3为长方体，所述忍柱磁忍2为圆柱体，所述忍柱磁忍2位 于所述磁忍上辆1、磁忍上辆3之间，所述忍柱磁忍2的顶端与所述磁忍上辆1相接触，所述 忍柱磁忍2的底端与所述磁忍上辆3相接触，所述磁忍上辆1、忍柱磁忍2和磁忍上辆3形 成闭合磁路，所述磁忍上辆1、磁忍上辆3相平行，所述忍柱磁忍2垂直于所述磁忍上辆1、 磁忍上辆3,所述磁忍上辆1未与忍柱磁忍2接触的左右两端分别设有上倒圆角，所述上倒 圆角的半径Ri与所述磁忍上辆1的高度Hi满足：
，所述磁忍上辆3未与忍柱磁 忍2接触的左右两端分别设有下倒圆角，所述上倒圆角的半径Rz与所述磁忍上辆1的高度 &满足：
[0026] W上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及 保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内 容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范 围内。
【主权项】
1. 一种新型组合磁芯，其特征在于：包括均为磁体的磁芯上辄、芯柱磁芯和磁芯下辄， 所述芯柱磁芯位于所述磁芯上辄、磁芯下辄之间，所述芯柱磁芯的顶端与所述磁芯上辄相 接触，所述芯柱磁芯的底端与所述磁芯下辄相接触，所述磁芯上辄、芯柱磁芯和磁芯下辄形 成闭合磁路，所述磁芯上辄未与芯柱磁芯接触的左右两端分别设有上倒圆角，所述磁芯下 辄未与芯柱磁芯接触的左右两端分别设有下倒圆角。2. 根据权利要求1所述的新型组合磁芯，其特征在于：所述磁芯上辄、磁芯下辄相平 行，所述芯柱磁芯垂直于所述磁芯上辄、磁芯下辄。3. 根据权利要求2所述的新型组合磁芯，其特征在于：所述上倒圆角的半径R i与所述 磁芯上辄的高度H1满足：(KR H1134. 根据权利要求3所述的新型组合磁芯，其特征在于：所述上倒圆角的半径R i与所述 磁芯上辄的高度H1满足：。5. 根据权利要求2所述的新型组合磁芯，其特征在于：所述上倒圆角的半径R2与所述 磁芯上辄的高度H2满足：(KR 2彡H 2。6. 根据权利要求5所述的新型组合磁芯，其特征在于：所述上倒圆角的半径R 2与所述 磁芯上辄的高度H2满足：7. 根据权利要求1所述的新型组合磁芯，其特征在于：所述芯柱磁芯为圆柱体。8. 根据权利要求1所述的新型组合磁芯，其特征在于：所述所述磁芯上辄、磁芯下辄为 长方体。9. 根据权利要求2所述的新型组合磁芯，其特征在于：所述芯柱磁芯至少有二个并平 行设置。
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型组合磁芯，包括均为磁体的磁芯上轭、芯柱磁芯和磁芯下轭，所述芯柱磁芯位于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间，所述芯柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触，所述芯柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触，所述磁芯上轭、芯柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路，所述磁芯上轭未与芯柱磁芯接触的左右两端分别设有上倒圆角，所述磁芯下轭未与芯柱磁芯接触的左右两端分别设有下倒圆角。对上下颚磁芯未与芯柱磁芯接触的两端部分进行倒圆角优化处理的结构设计，优化后的磁芯组合能够达到优化前的效果，并且减少了磁芯用量，提高磁芯利用率，降低成本，外型也更加美观。
【IPC分类】H01F27/24
【公开号】CN204904988
【申请号】CN201520664597
【发明人】刘志达
【申请人】深圳市铂科新材料股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年8月28日