一种湿法刻蚀装置的制造方法

文档序号:10747286阅读:462来源:国知局
一种湿法刻蚀装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种湿法刻蚀装置,包括蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽中的蚀刻液、设置于所述蚀刻液的上部的引导轮,所述引导轮包括用于输送待刻蚀的硅片并在该硅片行走于其上时将所述蚀刻液引流至硅片背面的多个螺纹滚轮及一个以上的凸环滚轮,所述螺纹滚轮设置于所述蚀刻槽的前段,所述凸环滚轮设置于所述蚀刻槽的后段,所述螺纹滚轮与所述凸环滚轮并排间隔均匀排布,且所述凸环滚轮的外周沿轴线方向设置有多个间隔设置的凸环,相邻两个所述凸环之间的距离大于所述螺纹滚轮的螺纹的螺距;其可避免因腐蚀反应生成的气泡难以释放并聚集成大气泡时在蚀刻槽的尾端炸裂,因而极大地减少因蚀刻过宽而造成的返工。
【专利说明】
一种湿法刻蚀装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种湿法刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]在太阳能电池制造领域中,湿法刻蚀的工艺目的是通过化学反应腐蚀掉硅片背面及四周的PN结,以达到正面和背面绝缘的目的,同时去除正面的磷硅玻璃层。具体地,如图
1、2所示,硅片是在螺纹滚轮I的传送下漂浮在蚀刻槽的药液表面,从而达到硅片背面腐蚀及周边刻蚀的制程目的。然而,硅片在蚀刻槽的药液中反应会产生气泡,又因为螺纹滚轮I依靠螺纹的毛细原理引液,导致反应产生的气泡较难释放,最终会聚集形成更大的气泡,直到硅片在离开蚀刻槽时,这些大的气泡就会炸裂,进而使药液飞溅到硅片的正表面而造成过刻,同时,药液液滴飞溅到硅片的正表面,会造成脏污不良品,影响产品品质。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提出一种湿法刻蚀装置,可避免因腐蚀反应生成的气泡难以释放并聚集成大气泡时在蚀刻槽的尾端炸裂,因而极大地减少因蚀刻过宽而造成的返工。
[0004]为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
[0005]—种湿法刻蚀装置,包括蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽中的蚀刻液、设置于所述蚀刻液的上部的引导轮,所述引导轮包括用于输送待刻蚀的硅片并在该硅片行走于其上时将所述蚀刻液引流至硅片背面的多个螺纹滚轮及一个以上的凸环滚轮,所述螺纹滚轮设置于所述蚀刻槽的前段,所述凸环滚轮设置于所述蚀刻槽的后段,所述螺纹滚轮与所述凸环滚轮并排间隔均匀排布,且所述凸环滚轮的外周沿轴线方向设置有多个间隔设置的凸环,相邻两个所述凸环之间的距离大于所述螺纹滚轮的螺纹的螺距。
[0006]其中,所述凸环滚轮的数量为1-4个。
[0007]其中,所述凸环滚轮的数量为3个。
[0008]其中,相邻两个所述凸环之间的距离小于硅片的宽度。
[0009]其中,所述凸环的外径与所述螺纹滚轮的外圆的直径一致,且所述凸环的外圆的上端面与所述蚀刻液的液面的距离等于所述螺纹滚轮的外圆的上端面与所述蚀刻液的液面的距离。
[0010]其中,所述凸环的半径与所述凸环滚轮的半径的差值大于所述螺纹滚轮的螺纹的槽深。
[0011]其中,多个所述螺纹滚轮等间距设置。
[0012]其中,所述蚀刻液的液面高于所述螺纹滚轮的轴线,低于所述螺纹滚轮的外圆的上端面。
[0013]其中,所述螺纹滚轮的外圆的直径为26mm,相邻的两个螺纹滚轮之间的轴心距为40mm;[OOM] 所述凸环滚轮的外径为16mm,所述凸环的外径为26mm。
[0015]其中,所述螺纹滚轮的转速为I?2.2m/min,所述凸环滚轮的转速为I?2.2m/min。
[0016]本实用新型的有益效果为:
[0017]本实用新型的湿法刻蚀装置,在硅片刻蚀时,硅片首先经过设置于蚀刻槽的前段的螺纹滚轮,利用螺纹滚轮的转动以及螺纹滚轮的螺纹的毛细原理,将蚀刻槽中的蚀刻液引流至其上的硅片的背面,以使硅片的背面在螺纹滚轮上一边行走,一边刻蚀,而在刻蚀完成后,硅片被送至位于蚀刻槽的后段的凸环滚轮上;由于硅片在螺纹滚轮上时,硅片与蚀刻液反应会产生气泡,而且产生的气泡在螺纹滚轮处由于螺纹的细密的结构导致其很难排放出来,气泡由于释放不出来,最终会聚集形成大的气泡,而大的气泡在跟随硅片行至凸环滚轮上时,由于凸环滚轮的外周设置凸环,且凸环之间的距离大于螺纹滚轮的螺纹的螺距,因而瞬间提供了大容量的空间,从而使得之前形成的大气泡可以通过这个大容量的空间得以释放,因而其可避免因腐蚀反应生成的气泡难以释放并聚集成大气泡时在蚀刻槽的尾端炸裂,极大地减少因蚀刻过宽而造成的返工。
【附图说明】
[0018]图1是现有技术中的湿法刻蚀装置的俯视结构示意图。
[0019]图2是图1中的湿法刻蚀装置的后视结构示意图。
[0020]图3是本实用新型的湿法刻蚀装置的俯视结构示意图。
[0021]图4是图3中的湿法刻蚀装置的后视结构示意图。
[0022]图中:1-螺纹滚轮;2-凸环滚轮;3-凸环。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。
[0024]如图3至4所示,一种湿法刻蚀装置,包括蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽中的蚀刻液、设置于所述蚀刻液的上部的引导轮,所述引导轮包括用于输送待刻蚀的硅片并在该硅片行走于其上时将所述蚀刻液引流至硅片背面的多个螺纹滚轮I及一个以上的凸环滚轮2,所述螺纹滚轮I设置于所述蚀刻槽的前段,所述凸环滚轮2设置于所述蚀刻槽的后段,所述螺纹滚轮I与所述凸环滚轮2并排间隔均匀排布,且所述凸环滚轮2的外周沿轴线方向设置有多个间隔设置的凸环3,相邻两个所述凸环3之间的距离大于所述螺纹滚轮I的螺纹的螺距。
[0025]本实用新型的湿法刻蚀装置,在硅片刻蚀时,硅片首先经过设置于蚀刻槽的前段的螺纹滚轮,利用螺纹滚轮的转动以及螺纹滚轮的螺纹的毛细原理,将蚀刻槽中的蚀刻液引流至其上的硅片的背面,以使硅片的背面在螺纹滚轮上一边行走,一边刻蚀,而在刻蚀完成后,硅片被送至位于蚀刻槽的后段的凸环滚轮上;由于硅片在螺纹滚轮上时,硅片与蚀刻液反应会产生气泡,而且产生的气泡在螺纹滚轮处由于螺纹的细密的结构导致其很难排放出来,气泡由于释放不出来,最终会聚集形成大的气泡,而大的气泡在跟随硅片行至凸环滚轮上时,由于凸环滚轮的外周设置凸环,且凸环之间的距离大于螺纹滚轮的螺纹的螺距,因而瞬间提供了大容量的空间,从而使得之前形成的大气泡可以通过这个大容量的空间得以释放,因而其可避免因腐蚀反应生成的气泡难以释放并聚集成大气泡时在蚀刻槽的尾端炸裂,极大地减少因蚀刻过宽而造成的返工。
[0026]优选的,所述凸环滚轮2的数量为1-4个。过少的凸环滚轮无法完全释放大气泡,过多的凸环滚轮又容易造成螺纹滚轮的数量的减少,进而可能影响硅片的刻蚀,因此,在本实施例中,所述凸环滚轮2的数量为3个。在不浪费的情况下,可以极大地释放气泡。
[0027]进一步地,相邻两个所述凸环3之间的距离小于硅片的宽度,可以有效保证硅片的输送,避免其倾翻,从而保证刻蚀效果。
[0028]优选的,所述凸环3的外径与所述螺纹滚轮I的外圆的直径一致,且所述凸环3的外圆的上端面与所述蚀刻液的液面的距离等于所述螺纹滚轮I的外圆的上端面与所述蚀刻液的液面的距离;所述凸环3的半径与所述凸环滚轮2的半径的差值大于所述螺纹滚轮I的螺纹的槽深。这样设置,可以保证凸环与凸环之间的空间足够大,进而保证能够释放气泡。
[0029]本实用新型的湿法刻蚀装置,多个所述螺纹滚轮I等间距设置,所述蚀刻液的液面高于所述螺纹滚轮I的轴线,低于所述螺纹滚轮I的外圆的上端面。其中,所述螺纹滚轮I的外圆的直径为26mm,相邻的两个螺纹滚轮I之间的轴心距为40mm;所述凸环滚轮2的外径为16mm,所述凸环3的外径为26mm ;所述螺纹滚轮I的转速为I?2.2m/min,所述凸环滚轮2的转速为I?2.2m/min。其可避免因腐蚀反应生成的气泡难以释放、聚集成大气泡后在蚀刻槽的尾端炸裂,造成刻蚀过宽而返工的现象,返工率降低至0,大大节约生产成本。
[0030]以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理,而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释,本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它【具体实施方式】,这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种湿法刻蚀装置,包括蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽中的蚀刻液、设置于所述蚀刻液的上部的引导轮,其特征在于,所述引导轮包括用于输送待刻蚀的硅片并在该硅片行走于其上时将所述蚀刻液引流至硅片背面的多个螺纹滚轮(I)及一个以上的凸环滚轮(2),所述螺纹滚轮(I)设置于所述蚀刻槽的前段,所述凸环滚轮(2)设置于所述蚀刻槽的后段,所述螺纹滚轮(I)与所述凸环滚轮(2)并排间隔均匀排布,且所述凸环滚轮(2)的外周沿轴线方向设置有多个间隔设置的凸环(3),相邻两个所述凸环(3)之间的距离大于所述螺纹滚轮(I)的螺纹的螺距。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述凸环滚轮(2)的数量为1-4个。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述凸环滚轮(2)的数量为3个。4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,相邻两个所述凸环(3)之间的距离小于硅片的宽度。5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述凸环(3)的外径与所述螺纹滚轮(I)的外圆的直径一致,且所述凸环(3)的外圆的上端面与所述蚀刻液的液面的距离等于所述螺纹滚轮(I)的外圆的上端面与所述蚀刻液的液面的距离。6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述凸环(3)的半径与所述凸环滚轮(2)的半径的差值大于所述螺纹滚轮(I)的螺纹的槽深。7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,多个所述螺纹滚轮(I)等间距设置。8.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述蚀刻液的液面高于所述螺纹滚轮(I)的轴线,低于所述螺纹滚轮(I)的外圆的上端面。9.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述螺纹滚轮(I)的外圆的直径为26mm,相邻的两个螺纹滚轮(I)之间的轴心距为40mm; 所述凸环滚轮(2)的外径为16mm,所述凸环(3)的外径为26mm。10.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述螺纹滚轮(I)的转速为I?.2.2111/111;[11,所述凸环滚轮(2)的转速为1?2.2111/111;[11。
【文档编号】H01L21/677GK205428880SQ201620218930
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年3月21日
【发明人】周军, 党继东, 刘东续
【申请人】盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
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