一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮的制作方法
【专利摘要】一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，所述滚轮包括支撑管及滚轮叶片组，所述滚轮叶片组包含至少两片滚轮叶片，所述滚轮叶片套接在支撑管上，所述滚轮叶片外形截面为花瓣形，均匀分布有4~10片扇形瓣叶，所述两片滚轮叶片中相邻的两个扇形瓣叶彼此错开，且首尾在同一直线上，本实用新型提出的上压滚轮，将与硅片接触的滚轮叶片设计成扇形瓣叶式结构代替传统的环形结构，从而实现与硅片的间断式接触，进而减少滚轮与硅片的线性接触时间，有效降低滚轮印产生机率。相邻的两个扇形瓣叶首尾在同一直线上，这样的设计可保证硅片传送过程中的稳定性。
【专利说明】
一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮
技术领域
[0001]本实用新型属于晶硅太阳能电池制作领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮。
【背景技术】
[0002]在近年来，国内外陆续报道了晶硅光伏电站出现不同程度的电势诱导衰减(Potential Induced Degradat1n，简称PID)现象。在光伏系统工作状态下，光伏组件的封装材料EVA水解后，产生醋酸根离子，醋酸根离子与玻璃中的碱反应，产生游离的钠离子，钠离子在边框与电池之间的电场驱动下，沿玻璃-封装材料-SiNx镀膜的路径，迀移到PN结附近，导致短路，降低电池的输出功率，进而降低组件输出功率，产生PID现象。PID现象在高温、高湿、高压的条件下更易发生。PID问题甚至会导致系统功率下降70%以上。严重影响光伏电站的发电功率和使用寿命。
[0003]随着对PID现象研究的不断深入，人们普遍采用的是在晶硅电池表面沉积或生长一层Si02薄膜来制备抗PID电池，这层致密的Si02薄膜可以阻挡外界的钠离子进入电池内部，从而减缓或避免了 PID现象的产生。但是Si02薄层的存在，使电池片表面的脏污(如指纹印、滚轮印等)经过丝网烧结后更容易显现出来，导致电池片外观不良率上升。这种具有Si02薄层的抗PID太阳能电池对生产车间和工艺制程的工艺卫生提出了更高的要求。常规湿法刻蚀采用的上压滚轮多为环状，即硅片通过时，滚轮在硅片表面留下一条线状轨迹。这种滚轮在硅片表面易导致滚轮印痕，从而降低电池片良率。
[0004]为了改善滚轮印，研究人员提出了许多改进方法。对比文献(授权公告号:CN203423154 U)提出在滚轮上增加两个O型套管，且O型套管可以在滚轮上自由滑动，这种通过改变O型套管的位置来减少滚轮印的方法虽然一定程度上可以减少滚轮印的产生，但在实际生产中存在诸多问题，当两个O型圈滑动到一起，并偏离硅片中心位置，容易导致硅片传送偏移，造成叠片，影响产品良率，甚至导致碎片，不利于生产的稳定性。对比文献(专利申请号:201410747954.9)提出了在滚轮的圆柱状或圆筒状结构表面设有凸起，可以减少滚轮与硅片的接触时间，改善硅片各位置在传输过程中与腐蚀液的接触，从而改善滚轮印。但是从其提供的技术方案及附图2的辅助说明，很难保证其滚轮与硅片的连续性接触，从而导致在传送过程中滚轮容易发生上下振动使传送稳定性较差，而且由于凸起与硅片的接触面积较小而导致局部受力较大，这种滚轮的上下振动容易导致硅片隐裂和碎片。且由于其凸起高度太小，容易导致滚轮下方的药液流动与无滚轮的地方差异较大，导致腐蚀不均匀。
【实用新型内容】
[0005]为解决上述缺陷，本实用新型提供一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮。所述滚轮在满足硅片的稳定传送的前提下，可减少与硅片的连续线性接触时间，从而降低硅片表面滚轮印的产生机率，提高电池片良率。
[0006]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，所述滚轮包括支撑管及滚轮叶片组，所述滚轮叶片组包含至少两片滚轮叶片，所述滚轮叶片套接在支撑管上，所述滚轮叶片外形截面为花瓣形，均匀分布有4?10片扇形瓣叶，所述两片滚轮叶片中相邻的两个扇形瓣叶彼此错开，且首尾在同一直线上。
[0007]作为优选，其滚轮扇形瓣叶与硅片接触部分扫过的图形为矩形、菱形、椭圆形、三角形、梯形或者上述图形的组合图形。
[0008]所述支撑管的外径为15?20mm，内径为10~15mm，长度为30?50mm。
[0009]作为优选，所述滚轮叶片的高度为5?10mm，每片滚轮叶片厚3~7mm。
[0010]作为优选，所述支撑管和滚轮叶片均为耐酸碱的聚丙烯树脂材料。
[0011 ]作为优选，上述滚轮可单独套在滚轴上使用，也可组装成组合件后套在滚轴上使用。
[0012]本实用新型提出的上压滚轮，将与硅片接触的滚轮叶片设计成扇形瓣叶式结构代替传统的环形结构，从而实现与硅片的间断式接触，进而减少滚轮与硅片的线性接触时间，有效降低滚轮印产生机率。相邻的两个扇形瓣叶首尾在同一直线上，这样的设计可保证硅片传送过程中的稳定性。
[0013]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:采用本实用新型提供的滚轮，可有效降低滚轮印产生的几率，提高晶硅太阳能电池生产的良率。同时可保证硅片在传送过程中的稳定性。
【附图说明】
[0014]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步说明，显而易见下述附图及【具体实施方式】仅仅是本技术方案的两种表现形式，还可依据本技术方案获得其他具体实施方案。
[0015]图1本实用新型提供的晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮的一种结构示意图。
[0016]图2本实用新型提供的晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮的另一种结构示意图。
[0017]图3本实用新型提供的晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮的一种组合结构示意图。
[0018]图4本实用新型提供的晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮的另一种组合结构示意图。
[0019]图中:1滚轮叶片;2支撑管;3卡槽;4硅片。
【具体实施方式】
[0020]实施例1
[0021]如图1所示，一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，包含支撑管2和两片滚轮叶片I，滚轮叶片I外形截面为花瓣形，置于支撑管2表面，两片滚轮叶片I彼此贴紧，相邻的两个扇形瓣叶彼此错开，且首尾在同一直线上，每片滚轮叶片I均匀分布有4片扇形瓣叶，扇形瓣叶与硅片接触部分扫过的图形为矩形，所述支撑管2的一端置有卡槽3，可用卡环将滚轮固定在带有齿轮的滚轴上，支撑管的外径为18mm，内径为13mm，长度为40mm，滚轮叶片的高度为7mm，滚轮叶片厚5mm，支撑管和滚轮叶片均为耐酸碱的聚丙稀树脂材料。
[0022]实施例2
[0023]如图2所示，一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，包含支撑管2和两片滚轮叶片1，滚轮叶片I外形截面为花瓣形，置于支撑管2表面，两片滚轮叶片I间距2mm，相邻的两个扇形瓣叶彼此错开，且首尾在同一直线上，每片滚轮叶片I均匀分布有4片扇形瓣叶，扇形瓣叶与硅片接触部分扫过的图形为矩形，所述支撑管的一端置有卡槽3，可用卡环将滚轮固定在带有齿轮的滚轴上，支撑管2的外径为18mm，内径为13mm，长度为42mm，滚轮叶I的高度为7mm，滚轮叶片厚5mm，支撑，2和滚轮叶片I均为耐酸碱的聚丙稀树脂材料。
[0024]实施例3
[0025]如图3、4所示，一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压组合滚轮，包含两个实施例1中所述的上压滚轮，两个上压滚轮对称排列，通过支撑管2连接，两个上压滚轮距离50mm，上压组合滚轮两端的支撑管上各有一个卡槽3，可用卡环将滚轮固定在带有齿轮的滚轴上，组合滚轮总长度为130mm，支撑管和滚轮叶片均为耐酸碱的聚丙烯树脂材料，扇形瓣叶与硅片4接触部分扫过的图形为矩形。
[0026]显而易见，上述实施方式仅为本实用新型的其中一个实施例，任何在此基础上的简单改进均属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，其特征在于，所述滚轮包括支撑管及滚轮叶片组，所述滚轮叶片组包含至少两片滚轮叶片，所述滚轮叶片套接在支撑管上，所述滚轮叶片外形截面为花瓣形，均匀分布有4?10片扇形瓣叶，所述两片滚轮叶片中相邻的两个扇形瓣叶彼此错开，且首尾在同一直线上。2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，其特征在于，所述支撑管的外径为15?20mm，内径为10~15mm，长度为30?50mm。3.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，其特征在于，所述滚轮叶片的高度为5?10mm，每片滚轮厚3~7mm。4.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，其特征在于，所述滚轮扇形瓣叶与硅片接触部分扫过的图形为矩形、菱形、椭圆形、三角形、梯形或者上述图形的组合图形。5.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，其特征在于，所述支撑管一端或两端设置有卡槽。6.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池湿法刻蚀用上压滚轮，其特征在于，所述支撑管和滚轮叶片均为耐酸碱的聚丙烯树脂材料。
【文档编号】H01L21/677GK205488174SQ201521060976
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2015年12月20日
【发明人】杨永平
【申请人】润峰电力有限公司