专利名称：低电容高速传输半导体浪涌保护器件的制作方法
技术领域：
本发明属于固体放电管，具体涉及一种平面型固体放电管芯。
背景技术：
固体放电管又叫半导体放电管，是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。但由于基区和发射区交界面承受较高反向电压，加上制作工艺的限制，单个PN结的耐压一般不超过400V ;而且容易漏电，长时间使用后稳定性下降。
发明内容
本发明的目的是在现有技术的基础上，提供一种耐闻压且反应灵敏的低电容闻速传输半导体浪涌保护器件。本发明的技术方案是低电容高速传输半导体浪涌保护器件，包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区，其中在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。
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本半导体浪涌保护器件的表面覆有焊片，当浪涌电流达到80A 100A以上、电压达到4000V以上时，本器的热量迅速`上升并超过焊料(焊片)熔点，焊料进入氧化区域，这样该电路可迅速保护通讯网络及其他设备的电路。其反应迅速，性能稳定，长期使用性能不下降。
图1是本发明的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。如图1所示，本低电容高速传输半导体浪涌保护器件的主体结构为平面型固体放电管，包括基底硅片3、镜像对称扩散基区2和发射区1，镜像对称扩散基区2分布在基底硅片3上下表面上，发射区I也呈镜像对称设于对称扩散基区2边缘。在基底硅片3的四个角上设氧化区4，氧化区4的边缘可与镜像对称扩散基区2相邻，也可不可邻。本半导体浪涌保护器件的表面覆有焊片，当浪涌电流达到80A 100A以上、电压达到4000V以上时，本器的热量迅速上升并超过焊料(焊片)熔点，焊料进入氧化区域，这样该电路可迅速保护通讯网络及其他设备的电路。
权利要求
1.一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件，包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区，其特征在于在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。
全文摘要
本发明公开了一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件，包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区，其中在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。其反应迅速，性能稳定，长期使用性能不下降。
文档编号H02H9/02GK103035695SQ20111030227
公开日2013年4月10日 申请日期2011年9月28日 优先权日2011年9月28日
发明者史田元, 胡蛇庆 申请人:江苏锦丰电子有限公司