一种防反接及瞬态电压抑制电路的制作方法

文档序号:12409337阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种防反接及瞬态电压抑制电路,其特征在于,包括第一输入端(TP1)、第二输入端(TP2)、输出端(TPOUT)、整流单元、滤波单元和瞬态电压抑制单元;

瞬态电压抑制单元包括第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、场效应管(Q3)、整流管(Z1)、稳压管(Z2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)和第四电阻(R4);第一三极管(Q1)为PNP三极管,第二三极管为NPN三极管,场效应管(Q3)为P沟道场效应管;

第一三极管(Q1)的发射极连接场效应管(Q3)的源极,其集电极连接场效应管(Q3)的栅极,其基极通过第一电阻(R1)连接第二三极管(Q2)的集电极;整流管(Z1)的负极和正极分别连接第一三极管(Q1)的发射极和集电极,且第二电阻(R2)与整流管(Z1)并联;稳压管(Z2)的负极和正极分别连接场效应管(Q3)的漏极和第二三极管(Q2)的基极,第三电阻(R3)两端分别连接整流管(Z1)的正极和第二三极管(Q2)的发射极;第四电阻(R4)分别连接稳压管(Z2)的正极和第二三极管(Q2)的发射极;

第一三极管(Q1)的发射极和第二三极管(Q2)的发射极作为瞬态电压抑制单元的两个输入端,场效应管(Q3)漏极作为瞬态电压抑制单元的输出端;第一输入端(TP1)和第二输入端(TP2)通过整流单元分别连接瞬态电压抑制单元的两个输入端,瞬态电压抑制单元的输出端连接输出端(TPOUT);滤波单元连接在瞬态电压抑制单元的两个输入端之间。

2.如权利要求1所述的防反接及瞬态电压抑制电路,其特征在于,第二三极管(Q2)的集电极和基极之间连接有第四电容(C4)。

3.如权利要求1所述的防反接及瞬态电压抑制电路,其特征在于,场效应管(Q3)的漏极和第二三极管(Q2)的集电极之间连接有第三电容(C3)。

4.如权利要求1所述的防反接及瞬态电压抑制电路,其特征在于,第二三极管(Q2)的发射极和基极之间连接有第二电容(C2)。

5.如权利要求1所述的防反接及瞬态电压抑制电路,其特征在于,滤波单元采用第一电容(C1)。

6.如权利要求1至5任一项所述的防反接及瞬态电压抑制电路,其特征在于,整流单元采用桥式整流电路。

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