专利名称：数位/类比转换器的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种数位/类比转换器，尤指一种具有电阻网路的数位/类比转换器，其中该电阻网路更包含一电阻补偿网路。该数位/类比转换器是用以进行一数位信号与一类比信号之最佳化转换，以供类比式液晶显示器使用。
背景技术：
液晶显示器(Liquid Crystal Displays，LCD)普遍地被认为是传统阴极射线管显示装置(Cathode-Ray Tube Display，CRT Display)的主要取代方案。其优点在于液晶显示器具有更小的体积、更清晰的显示画质，以及减少辐射线的影响。液晶显示器主要有两种类型数位式液晶显示器模式以及类比式液晶显示器模式。上述两种液晶显示器差异的症结点在于，类比式液晶显示器接收类比信号，以在萤幕上显示影像；数位式液晶显示器接收数位信号，以在萤幕上显示影像。
为了得以于类比式液晶显示器内处理数位信号，或是于数位式液晶显示器内进行处理类比信号的处理，很明显地，是必须具有一个有能力将数位信号转换为类比信号，或反之的转换器。
一般来说，与数位式液晶显示器(digital LCD)相比，类比式液晶显示器(analog LCD)具有较高的电源效率(considerable competitive power)。事实上，绝大多数可以将数位信号转换为类比信号的转换器，于信号转换期间，皆有信号损耗以及信号失真的情况。因此，已知技术的问题在于，如何于信号转换时，使得信号耗损与信号失真最小化，并且同时保持转换时之效率与经济性。
美国专利证书号6,222,473中揭露了一种使用已改良之可切换之R-2R的数位/类比转换器。事实上，市场上已出现有多种转换器，可依据所需的转换机能，将数位输入信号换为类比输出信号。上述数位/类比转换器间的差异，可利用具有不同预定解析度之数位输入信号、具有不同编码方式之数位输入信号、使用一个固定参考值或多个参考值之类比输出信号，类比输出信号具有不同范围之数值以及不同类型的类比输出信号来区分。此外，有些数位/类比转换器转换器之效能，可分别透过如稳定时间(settling time)、全尺度(full scale)转换时间、精确度或线性度以及解析度等来考虑。
数位输入信号位元宽度的数值，定义了解析度、输出阶层的数值或量化阶层的数值，以及可接受数位码的总数。如数位输入信号为n位元宽，则可分为2n输出阶层以及2n-1位阶。该数位输入信号可以下列方式编码直接二进位、二补数位元排列、偏移二进位(offset binary)、灰阶编码(gray scale code)、二进编码十进位(binary coded decimal)，但亦不以此为限。该类比输出信号值的范围通常依据一类比参考值而决定。此类比参考值可由内部产生，但为了求精准，通常由外部所提供。如在一具有参考值固定的数位/类比转换器中，在固定类比参考准位下，类比输出信号的范围会与数位输入信号成比例。或者，如在多工数位/类比转换器中，类比输出信号为可变类比参考准位输入以及数位输入信号之数位码乘积的结果。类比输出信号可为一单纯正值或者单纯负值，亦可为一可正可负的数值。类比输出信号可为一类比电压信号或者一类比电流信号。
此外，可用以作为数位/类比转换器的电子电路的种类亦多样化。例如利用双载子电晶体(Bipolar Junction Transistor)技术、金氧半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)技术或其组合，以构成数位/类比转换器。双载子电晶体技术可为使用PNP电晶体之PNP技术、使用NPN电晶体之NPN技术，或两者皆使用；当使用金氧半导体技术时，可为使用P通道场效电晶体的PMOS技术、N通道场效电晶体的NMOS技术，或PMOSFET与NMOSFET两者皆使用之互补金属氧化半导体(CMOS)技术。
请参考图1，已知的数位/类比转换器为通常利用一包含R-2R网路的R-2R网路数位/类比转换器100来实现。此R-2R网路数位/类比转换器100包含一R-2R网路121、一切换电路111以及一数位入口131。如图1所示，数位入口131包含4个数位输入端分别为D0、D1、D2以及D3。
R-2R网路121包含有复数个电阻122、123、124、125、126、127、128以及129。电阻124、126以及128具有一特定电阻值r，该等电阻122、123、125、127、以及129具有一特定电阻值R，其中R的电阻值为r的两倍。换言之，R＝2r。
切换电路111包含四个开关112、113、114以及115，请同时参考图2，每一开关(以开关112为例)可包含一反向器201、一CMOS电晶体闸202、两PMOS电晶体212、222以及两NMOS电晶体213以及223。
此R-2R网路数位/类比转换器(R-2R network digital toanalog converter)通常包含该数位入口131、R-2R网路121、切换电路111、类比供应电源VDD以及接地端GND。数位输入端D0、D1、D2以及D3分别控制开关112、113、114以及115，以使R-2R网路数位/类比转换器转换数位入口131之数值为类比输出信号。一个R-2R网路数位/类比转换器的线性程度对转换时的精确性而言，是十分重要的，且通常以数位信号输入端131n位元中的最小意义位元(least significant bits，LSB)单位来表示。在理想的状态下，R-2R网路121中每一电阻的电阻值远大于相对应之开关112、113、114以及115内阻值时，R-2R网路数位/类比转换器可具有优良的线性度，以进行精确的信号转换。
应用于类比式液晶显示器时，已知R-2R网路数位/类比转换器具有下述缺点。已知类比式液晶显示器包含有有含一红色影像端子、一绿色影像端子以及一蓝色影像端子之RGB端，其分别透过包含三条线之AV线连接类比LCD的红色影像端子、绿色影像端子，以及蓝色影像端子，以接收类比RGB信号。类比LCD之红色影像端子、绿色影像端子，以及蓝色影像端子，其每一之等效输入阻抗可被视为一电容性负载。因此，已知的R-2R网路数位/类比转换器在实际应用时，必须利用三个分开之R-2R网路的数位/类比转换器，以分别转换三个有所区别之数位信号，如红色影像信号、绿色影像信号，以及蓝色影像信号。当该数位入口131之该等数位输入端D0、D1、D2以及D3的数位输入信号突然地由一高电压位准变化至一低电压位准或者由一低电压位准变化至一高电压位准时，为了在固定单位时间内改变该类比输出电压由最大值至最小值范围或者最小值至最大值的范围，该R-2R网路121之电阻124、126以及128以及具有2r电阻值之电阻，其电阻值必须降低。然而，当R-2R网路121电阻之电阻值降低时，R-2R网路数位/类比转换器的线性度亦随之降低。换言之，信号的严重衰减或失真是可以被预期的。上述状况正是起因于R-2R网路121中电阻与对应之开关112、113、114以及115具有内阻，这些内阻将影响R-2R网路121中之电阻匹配，并导致R-2R网路121在进行数位/类比转换时之线性度降低，也就是被转换的信号会有严重失真及衰减的问题。
请参考图3，为了解决上述的严重信号失真以及信号衰减问题，已知的一R-2R网路数位/类比转换器301结构中利用一单位增益缓冲器(unity gain buffer)321来克服上述的问题，因此可求得R-2R网路数位/类比转换器301所需求之最佳化电阻值，使R-2R网路数位/类比转换器301中之电阻值是适度地大于开关303、304、305以及306的内阻值，以让开关303、304、305以及306的内阻值不影响R-2R网路数位/类比转换器301中电阻在数值上之匹配，而使此数位/类比转换器的线性最佳化。
但，系统中使用之单位增益缓冲器321的主要缺点之一为高品质的单位增益缓冲器通常相当昂贵。此外，数位/类比转换器的效能也将单独仰赖单位增益缓冲器321的效能与特性，如此一来，对数位/类比转换器进一步改良以及依据需求以及系统特性调整的弹性空间亦大致丧失。
发明内容
本发明的主要目的为提供一个数位/类比转换器(digitalto analog converter)，转换一数位信号为一类比信号以供一类比式液晶显示器使用，该数位/类比转换器无须利用任何单位增益缓冲器(unity gain buffer)即可实现高品质之数位类比转换。
本发明的另一目的为提供一数位/类比转换器，该数位/类比转换器包含一具有电阻补偿电路之电阻网路。该数位/类比转换器利用该具有电阻补偿电路之电阻网路可弹性地补偿相对应开关之内阻所导致的非线性状态，产生一最佳化之类比输出，以达成最佳化线性度以及最佳化精确度之数位类比信号转换。
本发明的另一目的为提供一数位/类比转换器，能够更精确地控制并且有效率的转换一数位信号为一类比信号，以解决已知技术的困难与缺陷。
因此，为达成上述目的，本发明提供一种n位元解析度之数位/类比转换器，以转换一数位输入信号为一类比输出信号，包含一数位入口(digital inlet)，具有复数数位输入端以接收该数位输入信号；一闩锁电路(latching circuitry)，与该数位入口耦接，接收该数位入口中之该数位输入信号，并以二进位信号形式储存该数位输入信号；一电压位准调整电路(voltage level shifter circuitry)，与该闩锁电路耦接，调整该数位输入信号为一数位输出信号，其中该数位输出信号之电压位准较该数位输入信号之电压位准为高；
一切换电路(switching circuitry)，包含复数开关，其中任一开关包含一输出端；一第一输入端，与一第二电压源耦接，该第二电压源提供一第二参考电压；一第二输入端，与一第一电压源耦接，该第一电压源提供一第一参考电压；以及一控制端，与该电压位准调整电路耦接，用以选择性地耦合该第一参考电压以及该第二参考电压之一者至该输出端，其中该数位输入信号是决定输出至该输出端为该第一参考电压以及该第二参考电压之一者；以及一具有电阻补偿电路的电阻网路(resistancenetwork)，包含一组串联电阻；复数互补金属氧化半导体(CMOS)补偿电路，耦接于任两该等串连电阻之间；以及一组并联电阻，任一该等并联电阻分别与该等串连电阻以及该补偿电路的共同节点耦接，其中该补偿电路用以调节该数位输入信号至该类比输出信号间的转换。
借由单纯示范最适于实施本发明的模式中之一，熟习此项技术人士将可自以下说明了解本发明的特点及优势中之一或部分或全部，其中该说明显示及描述本发明的较佳具体实施例。如应可了解到，本发明能有不同具体实施例，并且其数个细节是能在各种明显方面中修改，且全部不脱离本发明。因此，附图及说明书基本上可视为范例性而非限制性。
图1是为一已知类比/数位转换器电路示意图。
图2另一已知类比/数位转换器电路示意图。
图3是一已知具有单位补偿缓冲器之数位/类比转换器电路示意图。
图4是依据本发明第一较佳实施例之数位/类比转换器电路示意图。
图5是依据本发明第一较佳实施例之电压位准调整器电路示意图。
图6是依据本发明第一较佳实施例之切换开关电路示意图。
图7是依据本发明第一较佳实施例，位于传导状态下的第一CMOS补偿电路461电路示意图。
图8是依据本发明第一较佳实施例，位于传导状态下的第二CMOS补偿电路462、第三CMOS补偿电路463及第四CMOS补偿电路464电路示意图。
图9是依据本发明第二较佳实施例之数位/类比转换器电路示意图。
图10是依据本发明第三较佳实施例之数位/类比转换器电路示意图。
主要元件符号说明100R-2R网路数位/类比转换器111切换电路112、113、114、115开关121R-2R网路131数位入口122、123、124、125、126、127、128、129电阻201反向器 202CMOS电晶体闸212、222PMOS电晶体 213、223NMOS电晶体301R-2R网路数位/类比转换器303、304、305、306开关321单位增益缓冲器410数位入口420闩锁电路430电压位准调整电路440切换电路450电阻网路460液晶显示器类比输出端
421、422、423、424边缘触发切换器431、432、433、434电压位准调整器441、442、443、444切换开关453、455、457、451、452、454、456、458电阻461第一CMOS补偿电路462第二CMOS补偿电路463第三CMOS补偿电路464第四CMOS补偿电路471第一参考电压源472第二参考电压源501低电压直流电源502高电压直流电源503、504、505、506反相器507、508、509、510PMOS电晶体600驱动控制器601反相器 602传输闸611、621互补金属氧化半导体电晶体612PMOS电晶体 613NMOS电晶体701PMOS电晶体 702NMOS电晶体801PMOS电晶体 802NMOS电晶体900数位/类比转换器 910数位入口
920闩锁电路 940切换电路950具有电阻补偿电路的电阻网路960液晶显示器类比输出端1010数位入口1040切换电路1041、1042、1043、1044切换开关1050电阻网路1053、1055、1057、1051、1052、1054、1056、1058电阻1060液晶类比输出端1061第一互补金属氧化半导体补偿电路1062第二互补金属氧化半导体补偿电路1063第三互补金属氧化半导体补偿电路1064第四互补金属氧化半导体补偿电路1071第一参考电压源1072第二参考电压源
具体实施例方式请参考图4所示，是为本发明较佳实施例之一数位/类比转换器。该数位/类比转换器是应用于一类比式液晶显示器。该数位/类比转换器包含一数位入口(digital inlet)410、一闩锁电路(latching circuitry)420、一电压位准调整电路(voltagelevel shifter circuitry)430、一切换电路(switchingcircuitry)440、一具有电阻补偿电路的电阻网路(resistancenetwork with a resistance compensatory circuitry)450以及一液晶类比输出端(LCD analog output)460。该数位入口(digital inlet)410包含四个数位输入端D0、D1、D2以及D3。图4中所示为一个具有电阻补偿电路的四位元电阻网路，以提供一类比输出信号，但该具有电阻补偿电路的电阻网路结构亦可以利用增加串连电阻、并联电阻以及切换控制线的方式，轻易地加以扩充为n位元电阻网路。该数位入口(digital inlet)410具有复数数位输入端D0、D1、D2以及D3用以接收至少一例如以VDD等于逻辑1，以VSS等于逻辑0代表二进制之一位元的数位信号。(举例来说，其中VDD可为3、3V，VSS可为GND＝0V)。
闩锁电路420与该数位入口410耦接，储存接收于数位入口410且用以作为二进制信号之的数位信号。闩锁电路420包含复数个边缘触发正反器(edge-triggered flip-flop)421、422、423以及424。一正反器的基础功能为于逻辑0或1准位时，储存代表二进制信号的单一位元，因此，闩锁电路420可以储存接收于数位入口410且用以作为二进制信号之的数位信号，其中“边缘触发”则表示于时脉信号CLK的升(或降)边缘时，储存数位入口410之数位信号。
该电压位准调整电路430与该闩锁电路420耦接，其用以将对应逻辑1＝VDD(logic 1＝VDD)以及逻辑0＝VSS(logic 0＝VSS)(在本实施例中，其中VSS＝GND＝0V)之低电压之数位信号，调整为对应逻辑1＝VDDH以及逻辑0＝VSS之高电压输出信号，其中VDDH电压较VDD电压为高。电压位准调整电路430包含复数个电压位准调整器(voltage level shifter)431、432、433以及434。每一该电压位准调整器431、432、433以及434分别与边缘触发正反器421、422、423以及424耦接，将对应逻辑1＝VDD以及逻辑0＝VSS之低电压数位信号，调整为对应逻辑1＝VDDH以及逻辑0＝VSS之高电压输出信号。请参考图5所示，此图5为电压位准调整器431、432、433以及434之电路示意图，其中每一电压位准调整器431、432、433以及434包含一低电压直流电源501以及高电压直流电源502。低电压直流电源501用以提供一直流电压VDD给反相器(inverter)503、504以及505。高电压直流电源502用以提供另一直流电压VDDH给反相器(inverter)506、PMOS电晶体507以及510、PMOS电晶体508以及509。反相器(inverter)506、PMOS电晶体507、510以及NMOS电晶体508以及509连接于高电压直流电源502的高电压端以及接地端GND之间。同样的，反相器503、504以及505连接于低电压直流电源501的高电压端以及该接地端GND之间。反相器(inverter)506、PMOS电晶体507、510、NMOS电晶体508、509以及反相器503、504以及505的连接方法亦已于图上标明。A0以及A1分别标示每一电压位准调整器431、432、433以及434的输入端以及输出端。
该切换电路440包含复数切换开关441、442、443以及444。每一切换开关441、442、443以及444包含第一输入端B1与第二参考电压源472连接、第二输入端B2与第一参考电压源471连接、控制端B3分别与每一电压位准调整器431、432、433以及434连接，以及一输出端B0。第一参考电压源471提供第一参考电压VREFA。第二参考电压源472提供第二参考电压VREFB。为了确认用于类比式液晶显示器之红色影像端、绿色影像端以及蓝色影像端所需之输入电压信号规格，第一参考电压源471以及第二参考电压源472是用以调整数位/类比转换器的输出范围，其中第一参考电压VREFA是较第二参考电压VREFB为高。当控制端B3接收一位元信号”0”时，每一切换开关441、442、443以及444与第一参考电压源471耦接。当控制端B3接收一位元信号”1”时，每一切换开关441、442、443以及444与第二参考电压源472耦接。因此，输出端B0可输出第一参考电压VREFA或是第二参考电压VREFB。根据本发明概念，第一参考电压VREFA或是第二参考电压VREFB亦可由单一电压源之两端所提供，且第二参考电压VREFB亦可为接地。
具有电阻补偿电路的电阻网路450与切换电路440耦接，用以调整类比输出信号以改善类比输出信号品质。
液晶显示器类比输出端460与具有电阻补偿电路的电阻网路450耦接以输出较佳的类比信号至类比式液晶显示器。
请参考图4所示，当具有电阻补偿电路的四位元电阻网路数位/类比转换器扩充为一具有电阻补偿电路的n位元电阻网路数位/类比转换器时，数位入口410标示为D0、D1、D2…D(N-2)以及D(N-1)，其中N为一自然数。本发明中，N可经由设计者或制造者进行预先设定。
闩锁电路420包含复数个逻辑边缘触发正反器(logicedge-triggered flip-flops)421、422、423以及424，逻辑边缘触发正反器分别与数位入口410的数位输入端D0、D1、D2以及D3耦接，其中逻辑边缘触发正反器421、422、423以及424，用以储存与数位输入端D0、D1、D2以及D3相对应的数位信号。因此透过时脉信号CLK以边缘触发的方式，触发该等逻辑边缘触发正反器421、422、423以及424，该等正反器421、422、423以及424储存数位输入端D0、D1、D2以及D3之二进制信号。
请参考图4以及图6，切换电路440包含有复数个切换开关441、442、443以及444，其分别与电压位准调整电路430的电压位准调整器431、432、433以及434耦接。借由该电压位准调整电路430调整在固定期内输入至具有电阻补偿电路450之电阻网路的数位信号，以达成较佳的类比信号输出。如前所述，第一参考电压VREFA或者第二参考电压VREFB输入至具有电阻补偿电路450的电阻网路中。
请参考图6每一该开关441、442、443以及444包含一驱动控制器600以及两个互补金属氧化半导体(CMOS)电晶体611及621，其中驱动控制器600输出两个不同的逻辑位准以控制CMOS电晶体611以及621的导通或者截止。驱动控制器600可以一反相器601以及一传输闸602构成。CMOS电晶体611以及621每一皆包含有PMOS电晶体612以及NMOS电晶体613。PMOS电晶体612具有一预定通道长度Lp以及一通道宽度Wp。NMOS电晶体613具有一预定通道长度Ln以及一通道宽度Wn。然而，典型PMOS电晶体或NMOS电晶体在导通状态下之阻抗为借由各自之通道宽度与通道长度比值来决定。依此结果，借由选择一个具有适当通道长宽比之较佳化PMOS电晶体以及NMOS电晶体，可对应得到适合之CMOS电晶体611、621阻抗值。
请参考图4所示，具有电阻补偿电路450的电阻网路包含复数电阻451、452、453、454、455、456、457以及458、第一CMOS补偿电路(first CMOS compensatory circuitry)461、第二CMOS补偿电路(second CMOS compensatory circuitry)462、第三CMOS补偿电路(third CMOS compensatory circuitry)463以及第四CMOS补偿电路(fourth CMOS compensatory circuitry)464。在这个实施例里，每一电阻453、455以及457具有一特定电阻值R，每一电阻451、452、454、456以及458具有一特定电阻值2R，可组合为一已知的R-2R网路或其他任何一种不同的电阻值比例网路，其中2R是指电阻值为R的两倍。第一CMOS补偿电路461与第二参考电压源472以及电阻451耦接。第二CMOS补偿电路462与电阻451、452以及453共同节点耦接。第三CMOS补偿电路463与电阻453、454以及455的共同节点耦接。第四CMOS补偿电路464与电阻455、456以及457的共同节点耦接。每一电阻452、454、456以及458是分别与每一切换开关441、442、443以及444之输出端B0耦接。在导通的情况下，第一CMOS补偿电路461、第二CMOS补偿电路462、第三CMOS补偿电路463以及第四CMOS补偿电路464可用以控制具有电阻补偿电路450的电阻网路，借以获得较佳的数位类比信号转换供液晶显示器使用。换句话说，第一CMOS补偿电路461、第二CMOS补偿电路462、第三CMOS补偿电路463以及第四CMOS补偿电路464是用以补偿切换开关441、442、443、以及444内阻值所造成的非线性问题。
本发明有几个重点应被特别指出首先，当电阻网路450之电阻以两倍电阻比例以形成已知的R-2R网路。再者，第一CMOS补偿电路461与第二CMOS补偿电路462、第三补偿电路463以及第四补偿电路464间之通道长宽比可被设定为一比二。最后，开关441、442、443以及444由电晶体611以及621组成，以实现较佳化数位类比转换。在任何较佳数位类比转换特性中，上述比例还可为任何大于本案较佳实施例之比例值。
请参考图7以及图8所示，为第一CMOS补偿电路461、第二CMOS补偿电路462、第三CMOS补偿电路463以及第四CMOS补偿电路464之电路示意图。在此较佳实施例中，第一CMOS补偿电路461包含PMOS电晶体701以及NMOS电晶体702。每一第二CMOS补偿电路462、第三CMOS补偿电路463以及第四CMOS补偿电路464包含PMOS电晶体801以及NMOS电晶体802。当第CMOS补偿电路461、第二CMOS补偿电路462、第三CMOS补偿电路463以及第四CMOS补偿电路464被偏压为导通状态时，PMOS电晶体801的通道长宽比是为PMOS电晶体701之两倍。
另一方面，当第一CMOS补偿电路461、第二CMOS补偿电路462、第三CMOS补偿电路463以及第四CMOS补偿电路464被偏压在导通状态时，每一第二CMOS补偿电路462、第三CMOS补偿电路463以及第四CMOS补偿电路464之NMOS电晶体802的通道长宽比被设定为NMOS电晶体702的两倍，其中NMOS电晶体802的闸极偏压于VDDH，而PMOS电晶体801的闸极被偏压于GND。在某些特殊的应用中，PMOS电晶体801以及NMOS802可偏压于其他的电压值下。
液晶显示器类比输出端460与具有一电阻补偿电路450的电阻网路耦接，并传输转换自数位信号之类比信号至类比式液晶显示器。
请参考图4，数位/类比转换器的运作方式叙述如下首先，当闩锁电路420被一个时脉信号CLK触发时，闩锁电路420储存并保留来自数位入口410数位输出端之数位信号，并且传输已储存的数位信号至电压位准调整电路430。
接著，储存于闩锁电路420的数位信号借由电压位准调整电路430由低电压位准转换为高电压位准，其中放大信号被输入至切换电路440中。
最后，具有电阻补偿电路450的电阻网路进行阻抗调整，以补偿对应的切换电路440中开关内阻所造成的非线性问题。使具有此电阻补偿电路电阻网路的数位/类比转换器得以输出一较佳的类比信号至类比式液晶显示器。
请参考图9，为依据本发明另一较佳实施例之数位/类比转换器电路示意图。本实施例中，该数位/类比转换器900包含数位入口(digital inlet)910、闩锁电路(latching circuitry)920、切换电路(switching circuitry)940、具有电阻补偿电路的电阻网路950(resistance network with aresistancecompensatory circuitry)以及液晶显示器类比输出端(LCDanalog output)960。
请参考图10所示，为依据本发明第三较佳实施例之一数位/类比转换器的电路示意图。本实施例中，数位/类比转换器包含数位入口(digital inlet)1010、切换电路(switchingcircuitry)1040、具有电阻补偿电路的电阻网路(resistancenetwork with a resistance compensatory circuitry)1050以及液晶显示器类比输出端(LCD analog output)1060。
熟知此项技术人士应了解上述图式及说明中所示之本发明具体实施例只是范例性且非限制。
本发明较佳具体实施例的前述说明是用于示范及说明目的。其非旨于彻底或使本发明限于该精确形式或已揭示之范例性具体实施例。因此，先前说明应视为示范性而非限制性。显然许多修正及变化对于熟习此项技术人士将是很明显的。具体实施例之选择及描述是为了更佳解释本发明的原理及其实际应用之最佳模式，从而允许熟习此项技术人士理解用于各种具体实施例之本发明，且具有适合于特定使用或所涵盖实作之各种修改。本发明意于使其范畴由在此所附之申请专利范围及其等同者定义，其中除非另有说明，否则所有请求项均包含其最广泛之合理范围。应了解到，可由熟习此项技术者对于具体实施例进行改变，而不脱离由以下申请专利范围所定义之本发明的范畴。再者，本揭露书中没有任何元件及组件是意以用于公众，不管该元件或组件是否在以下申请专利范围中明确地提及。此外，本揭露书的摘要是提供用以顺应摘要规则之要求，其允许搜寻者迅速地确定从此揭露书发布的任何专利之技术揭露主题。应要了解到其非用于解释或限制申请专利范围的范畴或意涵。
权利要求
1.一种数位/类比转换器，转换一数位输入信号为一类比输出信号，包含一数位入口，具有复数个数位输入端，以接收该数位输入信号；一切换电路，包含复数个开关，其中任一开关包含一输出端；一第一输入端，是耦接一第二参考电压；一第二输入端，是耦接一第一参考电压；一控制端，与对应之该数位输入端耦接，选择性地耦接该第一输入端以及该第二输入端之一者至输出端，其中该数位输入信号是用以决定该输出端之输出为该第一参考电压以及该第二参考电压二者之一；一具有电阻补偿电路的电阻网路，包含一组串联电阻；复数互补金属氧化半导体补偿电路，耦接于任两该等串连电阻之间；以及一组并联电阻，每一该等并联电阻分别与该等串连电阻以及该互补金属氧化半导体补偿电路之复数共同节点耦接，其中该互补金属氧化半导体补偿电路是用以调整由该数位输入信号与该类比输出信号间之转换。
2.如申请专利范围第1项所述之数位/类比转换器，其中该第一参考电压较第二参考电压为高。
3.如申请专利范围第1项所述之数位/类比转换器，其中每一该开关包含一驱动控制器以及两互补金属氧化半导体电晶体，其中该驱动控制器输出两不同逻辑位阶以控制该互补金属氧化半导体电晶体之开关状态，且每一该两互补金属氧化半导体电晶体包含一PMOS电晶体以及一NMOS电晶体，其中该PMOS电晶体具有一第一通道宽长比，该NMOS电晶体具有一第二通道宽长比，该开关的阻抗值是经由该等电晶体各自之通道宽长比决定。
4.如申请专利范围第1项所述之数位/类比转换器，其中该电阻补偿电路包含复数互补金属氧化半导体补偿电路，其中每一该互补金属氧化半导体补偿电路包含一PMOS电晶体以及一NMOS电晶体，其中该等电晶体之通道宽长比是为该开关中电晶体通道宽长比的两倍。
5.如申请专利范围第2项所述之数位/类比转换器，其中该电阻补偿电路包含复数互补金属氧化半导体补偿电路，其中每一该互补金属氧化半导体补偿电路包含一PMOS电晶体以及一NMOS电晶体，其中该等电晶体之通道宽长比是为该开关中电晶体通道宽长比的两倍。
6.如申请专利范围第3项所述之数位/类比转换器，其中该电阻补偿电路包含复数互补金属氧化半导体补偿电路，其中每一该互补金属氧化半导体补偿电路包含一PMOS电晶体以及一NMOS电晶体，其中该等电晶体之通道宽长比是为该开关中电晶体通道宽长比的两倍。
7.如申请专利范围第1项所述之数位/类比转换器，其中该第一、第二参考电压是分别由两电压源所提供。
8.如申请专利范围第1项所述之数位/类比转换器，其中该第一、第二参考电压是由一电压源之两端所提供。
9.如申请专利范围第1项所述之数位/类比转换器，更包括一闩锁电路，与该数位入口耦接，接收该数位入口之该数位输入信号并储存该数位输入信号为一二进位信号。
10.如申请专利范围第9项所述之数位/类比转换器，其中该闩锁电路包含复数边缘触发正反器，用以储存接收自该数位入口的该二进位数位输入信号。
11.如申请专利范围第1项所述之数位/类比转换器，更包括一电压位准调整电路，与一闩锁电路耦接，调整该数位输入信号为一数位输出信号，其中该数位输出信号之电压位准较该数位输入信号之电压位准为高。
全文摘要
本发明是提供一种可用于类比式液晶显示器(analogLiquid Crystal Display，LCD)的数位/类比转换器，其包含一数位输入端、一闩锁电路(latching circuitry)、一电压位准调整电路(voltage level shifter circuitry)、一切换电路(switching circuitry)以及一具有电阻补偿电路的电阻网路(resistance network)。该具有电阻补偿电路的电阻网路耦接该切换电路，可用以控制类比输出信号的图样，以使此类比输出信号最佳化。更具体地说，该具有电阻补偿电路的电阻网路使用于上述液晶显示器时，可创造出数位信号与类比信号间之最佳线性转换。
文档编号H03M1/74GK1881806SQ20061000022
公开日2006年12月20日 申请日期2006年1月6日 优先权日2005年6月16日
发明者徐献松, 余仲哲, 李立民 申请人:硕颉科技股份有限公司