Soa驱动电路开关速度提高到纳米级的方法

文档序号:7518554阅读:249来源:国知局
专利名称:Soa驱动电路开关速度提高到纳米级的方法
技术领域
本发明属于一种光纤通信系统,特别是一种提高SOA半导体放大器速度的方法。
背景技术
在光纤通信系统中,半导体放大器SOA是一种重要的有源器件,可以作为波长转 换,光开关和光逻辑其等,SOA本身的开关速度可以达到16ps,理论上还可以工作在纳秒以 下,在实际应用中,由于SOA价格高,所以采用焊接方式将其焊在电路板上,而且将其固定 在支持架上,支持架采用较长的引脚,将SOA的引脚完全夹持住,这会往往导致开关的速度 降低,一般往往工作在M5Mb/s的速率下,要想提高开关的速度,只能采用光驱动方式,这 不仅需要很强的控制光,而且高速控制光产生同样面临驱动问题,要使用昂贵的外调制方 式。这使得SOA使用起来很不方便。

发明内容
本发明的目的是针对上述技术这存在的问题,提供一种SOA驱动电路开关速度提 高到纳米级的方法,SOA夹持架的等效模型,将S0A,夹持架,导线构成的系统,看做一个由 电阻,电容,电感和理想二极管D并联厚,三部分串联的一个电路,并对此模型进行了理论 分析和计算机仿真。通过调整电阻和电容的值,可以有效地将驱动电路的开关速度提高到 纳秒级。本发明的目的是这样实现的包括半导体二极管,其特征是,半导体光放大器是一 个半导体二极管,同时具有阻性和导性,半导体光放大器看做一个由R,C和理想二极管D并 联后的两部分串联的一个电路。将半导体光放大器接到驱动电路中,采用负电源供电的方 法,电路由二极管等效电路,电容C,开关K,和恒流源等组成,R2为外接电阻,L是由于布线 而引起的等效电感,开关K由外部信号控制,通过K的分断和闭合实现电流信号的输出。本发明的优点是,通过调整R,C的值,可以有效地将驱动电路的开关速度提高到 纳秒级。


图1 SOA等效电路模型 图2 驱动电路
具体实施例方式
下面结合附图对本实施例做进一步说明
由图1可知,由于半导体光放大器是一个半导体二极管,同时具有阻性和导性,我们把 半导体光放大器看做一个由R,C和理想二极管D并联后的两部分串联的一个电路。由图2可知我们将半导体光放大器接到驱动电路中,采用负电源供电的方法,电 路由二极管等效电路,电容C,开关K,和恒流源等组成,R2为外接电阻,L是由于布线而引起 的等效电感,开关K由外部信号控制,通过K的分断和闭合实现电流信号的输出。本发明提出的模型对基于半导体器件(半导体光放大器,半导体激光器)高速光电转换电路有重要的意义。
权利要求
1. 一种SOA驱动电路开关速度提高到纳秒级的方法,包括半导体二极管,其特征是, 半导体光放大器是一个半导体二极管,同时具有阻性和导性,半导体光放大器看做一个由 R,C和理想二极管D并联后的两部分串联的一个电路,将半导体光放大器接到驱动电路中, 采用负电源供电的方法,电路由二极管等效电路,电容C,开关K,和恒流源等组成,R2为外 接电阻,L是由于布线而引起的等效电感,开关K由外部信号控制,通过K的分断和闭合实 现电流信号的输出。
全文摘要
本发明提供一种SOA驱动电路开关速度提高到纳秒级的方法,其主要特征是,半导体光放大器是一个半导体二极管,同时具有阻性和导性,半导体光放大器看做一个由R,C和理想二极管D并联后的两部分串联的一个电路。将半导体光放大器接到驱动电路中,采用负电源供电的方法,电路由二极管等效电路,电容C,开关K,和恒流源等组成,R2为外接电阻,L是由于布线而引起的等效电感,开关K由外部信号控制,通过K的分断和闭合实现电流信号的输出。其优点是,通过调整R,C的值,可以有效地将驱动电路的开关速度提高到纳秒级。
文档编号H03K17/04GK102064806SQ20101057176
公开日2011年5月18日 申请日期2010年12月3日 优先权日2010年12月3日
发明者曾亚南 申请人:曾亚南
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