专利名称：压电装置及压电装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及能够以晶片状态制造多个盖部及底部的压电装置及压电装置的制造方法。
背景技术：
表面实装用的压电装置最好能够一次性地大量进行制造。专利文献1(日本特开 2006-148758号公报)所示的压电装置，将形成有多个水晶振动片的水晶晶片夹持在与水晶晶片相同形状的盖部晶片与底部晶片之间进行制造。另外，在专利文献1的压电装置的制造方法中，通过在盖部晶片及底部晶片上形成开口部，在压电装置的四角上形成电连接水晶振动片的励振电极与外部电极的侧部配线。将以晶片为单位进行制造的压电装置分离成单体而完成制造。但是，专利文献1的压电装置的制造方法，由于在盖部晶片及底部晶片的开口部上同时形成侧部配线，因此晶片上的相邻的压电装置通过形成在开口部上的侧部配线而相互连接。因此，若对于以晶片为单位进行制造的多个压电振动片中的一个压电振动片，抵接频率测定用的探针，则会受到相邻的压电振动片的影响。即，在公开于专利文献1中的压电装置或其制造方法中，不能分别对以晶片为单位进行制造的多个压电振动片的一个一个的压电振动片的频率进行测定并调整。因此，只能在将一个压电振动片从晶片中分离成单体后测定频率。在以晶片为单位制造压电装置时，希望以晶片为单位测定压电振动片的频率，以晶片为单位调整压电振动片的频率后，将压电装置分离为单体而实现其量产性。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种不受相邻的压电装置的影响，能够对形成于晶片上的多个压电装置的频率进行测定并调整的压电装置及压电装置的制造方法。第1观点的压电装置，具备具有形成在两主面的一对励振电极以及从一对励振电极引出的一对引出电极的压电振动片；以及具有形成在压电振动片一侧的第1面并与一对引出电极连接的一对连接电极以及形成在第1面的相反侧的第2面的两对实装端子，并且从上第1面观察具有四个边的四边形的底部。在底部的相互对向的两边上形成向底部的中心侧洼进的两对侧槽以及在两对侧槽上连结第1面和第2面的两对侧面电极。另外，两对侧面电极中的一对分别与一对连接电极以及两对实装端子中的一对连接。第2观点的压电装置，两对实装端子包含与外部通电的一对外部电极以及用于接地的一对接地电极，一对外部电极以及一对接地电极相互配置在第2面的对角线上。第3观点的压电装置，两对实装端子包含与外部通电的一对外部电极以及用于接地的一对接地电极，一对外部电极形成在两边中的一侧，一对接地电极形成在两边中的另一侧。第4观点的压电装置，底部具有从第1面凹进的凹部，压电振动片以一对弓丨出电极与一对连接电极连接的方式利用导电性粘接剂配置在底部上。第5观点的压电装置，具备接合在底部的第1面上的四边形的盖部，盖部与底部由封装材料进行接合。第6观点的压电装置，压电振动片具有形成一对励振电极的振动部以及形成引出电极且包围振动部的四边形的框体，压电振动片以一对引出电极与一对连接电极连接的方式进行配置。第7观点的压电装置，具备接合在框体的一侧的主面上的盖部，盖部与框体的一侧的主面由封装材料进行接合，框体的另一侧的主面与底部由封装材料进行接合。第8观点的压电装置，连结第1面与第2面的侧槽的侧面的剖面具有从第1面至第2面的中央部向外侧突出的突出部。第9观点的压电装置的制造方法是具有两对实装端子的压电装置的制造方法。该压电装置的制造方法具备准备压电振动片的压电振动片的准备工序，该压电振动片具有形成在两主面的一对励振电极以及从一对励振电极引出的一对引出电极；准备底部晶片的底部晶片的准备工序，该底部晶片包含具有第1面及第1面的相反侧的第2面的四边形的第1底部及第2底部且在相邻的第1底部与第2底部的共有的一边上形成有从第1面贯通至第2面的一对贯通孔；电极形成工序，在底部晶片的一对贯通孔的侧面形成一对侧面电极，在第2面的一对贯通的的周围形成第1底部的实装端子及第2底部的实装端子；放置工序，以压电振动片的一对引出电极与第1底部的实装端子及第2底部的实装端子连接的方式，将压电振动片配置在第1底部及第2底部上；以及第1测定工序，通过实装端子测定放置在第1底部上的压电振动片的频率及放置在第2底部上的压电振动片的频率。两对实装端子包含与外部导通的一对外部电极以及用于接地的一对接地电极，电极形成工序，在一对侧面电极中的一侧形成第1底部的外部电极与第2底部的接地电极，在一对侧面电极中的另一侧形成第1底部的接地电极与第2底部的外部电极。第10观点的压电装置的制造方法是具有两对实装端子的压电装置的制造方法。 该压电装置的制造方法具备准备压电晶片的压电晶片的准备工序，该压电晶片使第1压电振动片与第2压电振动片分别相邻地形成，该第1压电振动片及第2压电振动片包含具有形成在两主面的一对励振电极的振动片以及具有从一对励振电极引出的一对引出电极并包围振动片的框体；准备底部晶片的底部晶片的准备工序，该底部晶片包含具有第1面及第1面的相反侧的第2面的四边形的第1底部及第2底部且在相邻的第1底部与第2 底部的共有的一边上形成有从第1面贯通至第2面的一对贯通孔；电极形成工序，在底部晶片的一对贯通孔的侧面形成一对侧面电极，在第2面的一对贯通的的周围形成第1底部的实装端子及第2底部的实装端子；放置工序，以第1压电振动片及第2压电振动片分别对应第1底部及第2底部的方式，将压电晶片配置在底部晶片上；以及第1测定工序，通过实装端子测定第1压电振动片的频率及第2压电振动片的频率。两对实装端子包含与外部导通的一对外部电极及用于接地的一对接地电极，电极形成工序，在一对侧面电极中的一侧形成第1底部的外部电极与第2底部的接地电极，在一对侧面电极中的另一侧形成第1底部的接地电极与第2底部的外部电极。第11观点的压电装置的制造方法，还具备在第1测定工序后调整压电振动片的频率的第1调整工序；准备盖部晶片的盖部晶片准备工序；以及由盖部晶片进行封装后以通过一对贯通孔的方式切断底部晶片的切断工序。第12观点的压电装置的制造方法，在底部晶片的准备工序中，形成贯通孔时从第 1面及第2面进行蚀刻或喷砂，在电极形成工序中，将侧面电极形成在贯通孔时，从第1面及第2面进行喷镀。第13观点的压电装置的制造方法，还具备在压电晶片的准备工序后且放置工序前，通过一对引出电极测定压电晶片的第1压电振动片及第2压电振动片的频率的第2测定工序；以及在第2测定工序后调整第1压电振动片及第2压电振动片的频率的第2调整工序。根据本发明的制造方法，能够得到不受相邻的压电装置的影响，能够对形成于晶片上的多个压电装置的频率进行测定并调整的压电装置及压电装置的制造方法。
图1是第1实施方式的第1水晶振子100的分解立体图。
图2 (a)是图1的A-A剖视图。图2(b)是第1水晶振子100的仰视图。图3是表示制造第1实施方式的第1水晶振子100的流程图。图4是水晶晶片IOW的俯视图。图5是盖部晶片IlW的俯视图。图6是底部晶片12W的俯视图。图7是底部晶片12W的仰视图。图8是第1实施方式的第1水晶振子100’的分解立体图。图9是图8的A-A剖视图。图10是底部晶片12W’的俯视图。图11是第2实施方式的第2水晶振子200的分解立体图。图12是第2水晶振子200的仰视图。图13是底部晶片22W的仰视图。图14是第3实施方式的第3水晶振子300的分解立体图。图15是图14的B-B剖视图。图16是表示制造第3实施方式的第3水晶振子300的流程图。图17是水晶晶片30W的俯视图。图18(a)是从+Y’侧观察第3实施方式的变形例的水晶振动片30’的俯视图。图18(b)是从+Y’侧观察第3实施方式的变形例的水晶振动片30’的透视图。图18(c)是从+Y’侧观察第3实施方式的变形例的底部32’的俯视图。图18(d)是从+Y’侧观察第3实施方式的变形例的底部32’的透视图。图19是图18 (b)的D-D剖视图。图20 (a)是从+Y’侧观察第3实施方式的变形例的第3水晶振子300’的俯视图， 并省略盖部31进行描绘。图20(b)是图20(a)的虚线E所包围的区域的放大图。图21是第4实施方式的第4水晶振子400的分解立体图。
图22 (a)是图21的C-C剖视图。图22 (b)是第4水晶振子400的仰视图。图23是水晶晶片40W的俯视图。图24是底部晶片42W的俯视图。图25是底部晶片42W的仰视图。图中10、20、30、30，_水晶振动片，40-音叉型水晶振动片，10W、30W、40W_水晶晶片，11、 31、41_盖部，IlW-盖部晶片，12、12A、12B、12，、22、32、32，、42-底部，12W、12W，、22W、42W-底部晶片，13-导电性粘接剂，100、100，、200、300、300，、400-水晶振子，101-水晶片，301-水晶振动部，102a、102b、302a、302b、402a、402b-励振电极，103a、103b、203a、203b、303a、 30315、303&，、30313，、403&、40313-引出电极，111、121、311、321、411、421_ 凹部，122a 122d、 122a， 122d，、306a 306d、322a 322d、422a 422d_ 侧槽，123a 123d、123a， 123d，、223a 223d、307a 307d、323a 323d、423a 423d_ 侧面电极，124a、124b,224a, 224b-连接电极，125a 125d、225a 225d、325a 325d、425a 425d_ 实装端子，126-突出部，127-突出区域，304a、304b、304a，、304b，-支撑部，305a、305b、305a，、305b，-贯通开口部，307M、323M-连接垫片，308-框体，404-基部，405-振动臂，406a、406b_支撑臂， 407-槽部，408-锤部，BH1、BH2、CH-贯通孔，CT-空腔，LG-低熔点玻璃，SPl SP7-间隔。
具体实施例方式在本实施方式中，作为压电振动片而使用AT切割的水晶振动片。AT切割的水晶振动片是主面(YZ面)相对于晶轴(XYZ)的Y轴，以X轴为中心从Z轴方向朝向Y轴方向倾斜了 35度15分。因此，将AT切割的水晶振动片的轴方向为基准，将倾斜的新的轴作为Y’ 轴及Z’轴而使用。S卩，在第1实施方式及第2实施方式中将水晶振子的长度方向作为X轴方向，将水晶振子的高度方向作为Y’轴方向，将与X及Y’轴垂直的方向作为Z’方向进行说明。(第1实施方式)<第1水晶振子100的整体构成>参照图1及图2，对第1水晶振子100的整体构成进行说明。图1是第1水晶振子 100的分解立体图，图2是图1的S-S剖视图。如图1及图2所示，第1水晶振子100包含具有盖部凹部111的盖部11 ；具有底部凹部121的底部12 ；以及夹持在盖部11及底部12之间的矩形的水晶框架10。水晶振动片10由AT切割的水晶片101构成，在其水晶片101的中央附近的两主面上对向配置有一对励振电极102a、102b。另外，在励振电极102a上连接有延伸至水晶片 101的底面(+Z，侧)的-X侧的引出电极103a，在励振电极102b上连接有延伸至水晶片 101的底面(-Z’侧)的+X侧的引出电极103b。水晶振动片10可以是台面型或逆台面型。在此，励振电极102a、102b及引出电极103a、103b例如使用作为质地的铬层，在铬层的上面使用金层。另外，铬层的厚度例如为0. 05 μ m 0. 1 μ m,金层的厚度例如为 0. 2 μ m 2 μ m。底部12由玻璃或压电材料构成，在表面(+Y’侧的面)上具有形成于底部凹部121的周围的第2端面M2。另外，底部12在-X轴方向的一边上形成有形成底部贯通孔BHl (参照图6及图7)时的在Z’轴方向上延伸的2个底部侧槽122a、122b。在此，底部侧槽122a 形成于+Z’侧，底部侧槽122b形成于-Z’侧。同样，底部12在+X轴方向的另一边上形成有形成底部贯通孔BHl (参照图6及图7)时的在Z’轴方向上延伸的另外2个底部侧槽122c、 122d。在此，底部侧槽122c形成于-Ζ’侧，底部侧槽122d形成于+Ζ’侧。SP，底部侧槽 122a与底部侧槽122c配置在底部12的对角线方向上，底部侧槽122b与底部侧槽122d配置在底部12的对角线方向上。另外，在底部侧槽122a 122d上分别形成有底部侧面电极123a 123d。另外， 在底部12的第2端面M2上形成有一对连接电极124a、124b。在此，连接电极124a与底部侧面电极123a电连接，连接电极124b与配置在底部侧面电极123a的底部12的对角线方向上的底部侧面电极123c电连接。再有，底部12在实装面M3上具有分别与底部侧面电极123a 123d电连接的两对实装端子125a 125d。其中，两对实装端子125a 125d中，一对是配置在底部12的对角线方向上并通过底部侧面电极123a、123c分别连接在连接电极124a、124b上的外部电极用的实装端子(以下称为外部电极)125a、125c。S卩，外部电极125a、125c配置在底部12 的对角线方向上。另外，若在外部电极125a、125c上施加交替电压(正负交替的电位)，则水晶振动片10进行厚度滑动振动。另一方面，两对实装端子125a 125d中，另一对是连接在底部侧面电极123b、 123d上的用于接地的接地电极用的实装端子(以下称为接地电极)125b、125d。S卩，接地电极125b、125d配置在底部12的与外部电极125a、125c不同的对角线方向上。在此，虽然接地电极125b、125d用于接地，但是也可以包含为了将第1水晶振子100可靠地接合在实装印制电路基板(未图示)上而用作未进行电连接的端子。如图2(b)所示，一对外部电极125a、125c及一对接地电极125b、125d分别相互分离而形成。另外，外部电极125a及接地电极125d与底部12的+Z’侧的一边分离而形成， 接地电极125b及外部电极125c与底部12的_Z’侧的另一边分离而形成。在此，外部电极 125a与接地电极125b、以及外部电极125c与接地电极125d的Ζ’轴方向的间隔SPl例如为 200μπι 500μπι左右。另外，外部电极125a及接地电极125d与底部12的+Z’侧的一边的间隔SP2、以及接地电极125b及外部电极125c与底部12的-V侧的另一边的间隔SP2 例如为Ομ 100 μ m左右。在第1水晶振子100中，水晶振动片10的X轴方向的长度比底部凹部121的X轴方向的长度大。因此，如图2(a)所示，若利用导电性粘接剂13将水晶振动片10放置在底部 12上，则水晶振动片10的X轴方向的两端被放置在底部12的第2端面M2上。此时，水晶振动片10的引出电极103a、103b分别电连接在底部12的连接电极124a、124b上。由此， 外部电极125a、125c通过底部侧面电极123a、123c、连接电极124a、124b、导电性粘接剂13 及引出电极103a、103b分别电连接在励振电极102a、102b上。盖部11具有在XZ’平面上面积比底部凹部121大的盖部凹部111与形成在其周围的第1端面Ml。其中，盖部11的第1端面Ml与底部12的第2端面M2接合，由盖部凹部 111与底部凹部121形成收放水晶振动片10的空腔CT。另外，空腔CT填满惰性气体或以真空状态进行气密。
在此，盖部11的第1端面Ml与底部12的第2端面M2例如由作为封装材料(非导电性粘接剂)的低熔点玻璃LG进行接合。低熔点玻璃LG包含熔点为350°C 410°C的包含游离铅的钒系玻璃。钒系玻璃为加入了粘合剂及熔剂的胶状玻璃，通过熔融后进行固化可以与其他部件进行粘接。另外，该钒系玻璃进行粘接时气密性、耐水性及耐湿性等信赖性高。再有，钒系玻璃通过控制玻璃构造可以对热膨胀系数也柔然地进行控制。在盖部11中，盖部凹部111的X轴方向的长度比水晶振动片10的X轴方向的长度及底部凹部121的X轴方向的长度大。另外，如图1及图2所示，低熔点玻璃LG在底部 12的第2端面M2的外侧(宽度为300 μ m左右)接合盖部11与底部12。另外，虽然在第1实施方式中水晶振动片10放置在基部12的第2端面M2上，但是也可以收放在底部凹部121的内部。此时，连接电极从底部侧槽122a、122c通过第2端面M2延伸至底部凹部121的底面而形成。另外，在这种情况下，盖部可以是没有形成盖部凹部的平板状。图3是表示制造第1水晶振子100的流程图。在图3中，水晶振动片10的制造步骤S10、盖部11的制造步骤Sll及底部12的制造步骤可以并行。另外，图4是可以同时制造多个水晶振动片10的水晶晶片IOW的俯视图，图5是可以同时制造多个盖部11的盖部晶片IlW的俯视图，图6是可以同时制造多个底部12的底部晶片12W的俯视图，图7是从其底部晶片12W的仰视图。在步骤SlO中制造水晶振动片10。步骤SlO包含步骤SlOl S103。在步骤SlOl中，如图4所示，在均勻的水晶晶片IOW上通过蚀刻形成多个水晶振动片10的外形。在此，各水晶振动片10通过连结部104连接在水晶晶片IOW上。在步骤S102中，首先通过喷镀或真空蒸镀在水晶晶片IOW的两面及侧面依次形成铬层及金层。然后，在金属层的全面均勻地涂布光致抗蚀剂。之后，使用曝光装置(未图示)将描绘在光致抗蚀剂上的励振电极、引出电极的图案曝光在水晶晶片IOW上。其次，对从光致抗蚀剂露出的金属层进行蚀刻。由此，如图4所示，在水晶晶片IOW的两面及侧面上形成励振电极102a、102b及引出电极103a、103b。在步骤S103中，对各个水晶振动片10进行切断。在切断工序中，使用利用了激光的切割装置、或利用切割用刀片的切割装置，沿图4所示的点划线的切断线CL进行切断。在步骤Sll中，制造盖部11。步骤Sll包含步骤Slll及S112。在步骤Slll中，如图5所示，在均勻厚度的水晶平板的盖部晶片IlW上形成数百至数千个盖部凹部111。在盖部晶片Iiw上通过蚀刻或机械加工形成盖部111，在盖部凹部 111的周围形成第1端面Ml。在步骤S112中，通过丝网印刷在盖部晶片IlW的第1端面Ml上形成低熔点玻璃 LG。之后，通过临时固化低熔点玻璃LG，在盖部晶片IlW的第1端面Ml上形成低熔点玻璃 LG膜。在对应于底部贯通孔BHl (图1中的底部侧槽122a 122d)的部位112上不形成低熔点玻璃膜。在本实施方式中，虽然低熔点玻璃LG形成在盖部11上，但也可以形成在底部12的第二端面M2上。在步骤S12中，制造底部12。步骤S12包含步骤S121及S122。在步骤S121中，如图6所示，在均勻厚度的水晶平板的底部晶片12W上形成数百至数千个底部凹部121。在底部晶片12W上通过蚀刻或机械加工形成底部凹部121，在底部凹部121的周围形成第2端面M2。同时，在各底部12的X轴方向的两边上分别形成2个贯穿底部晶片12W的圆角长方形的底部贯通孔BH1。在此，圆角长方形的底部贯通孔BHl被分割一半成为一个底部侧槽122a 122d(参照图1)。在步骤S122中，通过喷镀或真空蒸镀在底部晶片12W的两面以铬(Cr)作为质地在其表面上形成金(Au)层。之后，如图6所示，通过蚀刻在第2端面M2上形成连接电极 124a、124b。同时在底部贯通孔BHl的全面形成底部侧面电极123a 123d (参照图1)。与此同时，如图7所示，在底部晶片12W的底面形成一对外部电极125a、125c及一对接地电极125b、125d。在此，形成于在X轴方向上相邻的底部12上的外部电极和接地电极形成为一体。具体而言，以图7中被虚线所包围的4个底部(12A 12D)为例进行说明。 底部12B的外部电极125a、底部12C的接地电极125d以及底部贯通孔BHl的底部侧面电极 123a、123d形成为一体。另外，底部12B的外部电极125c、底部12A的接地电极125b以及底部贯通孔BHl的底部侧面电极123b、123c形成为一体。再有，底部12B的实装端子(外部电极、接地电极)与形成于在Z’轴方向上相邻的底部12D上的实装端子(外部电极、接地电极)隔着间隔SP3而形成。在此，间隔SP3为40 μ m 280 μ m左右。此外，当间隔SP3 例如为40 μ m时，若后述的步骤S17中说明的切割的宽度也为40 μ m，则如图2(b)所示的间隔SP2成为0 μ m。即，成为如下状态形成于在X轴方向上相邻的底部12上的外部电极与接地电极相互连接，形成于在Z’轴方向上相邻的底部12上的外部电极与接地电极不连接。在步骤S13中，将在步骤SlO中制造的各个水晶振动片10通过导电性粘接剂13 放置在形成于底部晶片12W上的底部12的第2端面M2上。此时，以水晶振动片10的引出电极103a、103b与形成在底部12的第2端面M2上的连接电极124a、124b的位置吻合的方式将水晶振动片10放置在底部12的第2端面M2上。在底部晶片12W上放置数百至数千个水晶振动片10。在步骤S14中，将一对频率测定用的探针PB1、PB2(参照图7)分别抵接在同一底部12的一对外部电极125a及外部电极125c上，测定一个一个的水晶振动片10的频率。在此，参照图7进行说明。即使在底部12B的外部电极125a、125c上从探针PB1、 PB2施加交替电极，底部12A、12C、12D的外部电极125a、125c也不会彼此电连接。因此，不会受到来自底部12A、12C、12D的水晶振动片10的影响，因此，在进行切断之前的晶片状态下，可以正确地测定底部12B的水晶振动片10的频率。另外，在步骤S14中，虽然一对频率测定用的探针PBl、PB2抵接在一对外部电极125a、125c上，但是也可以抵接在一对连接电极124a、124b或一对底部侧面电极123a、123b上而测定水晶振动片10的频率。在步骤S15中，对水晶振动片10的励振电极102a的厚度进行调整。在励振电极 102a上喷镀金属而增加质量使频率下降，或者进行逆喷镀从励振电极102a升华金属而减少质量使频率上升。频率调整的详细技术已在本申请人的特开2009-141825中公开。其中， 若频率的测定结果在规定范围内，则不需要对频率进行调整。也可以在步骤S14中对1个水晶振动片10的频率进行测定后，在步骤S15中对该水晶振动片10的频率进行调整。重复上述步骤对底部晶片12W上的所有的水晶振动片10 进行调整。另外，也可以在步骤S14中对底部晶片12W的所有水晶振动片10的频率进行测定后，在步骤S15中一个一个地对水晶振动片10的频率进行调整。在步骤S16中，加热低熔点玻璃LG，对盖部晶片IlW和底部晶片12W进行加压。由此使盖部晶片IlW与底部晶片12W通过低熔点玻璃LG进行接合。在步骤S17中，将已接合的盖部晶片IlW与底部晶片12W切割成单体。在切割工序中使用利用激光的切割装置或利用切割刀片的切割装置，沿着图5 图7所示的点划线的切割线SL以第1水晶振子100为单位进行单体化。由此形成数百至数千个第1水晶振子 100。(第1实施方式的变形例)<第1水晶振子100，的整体构成>参照图8及图9对第1水晶振子100’的整体构成进行说明。图8是第1实施方式的第1水晶振子100’的分解立体图，图9是图8的A-A剖视图。在此，在图8中为了能够观察整个连接电极124a、124b，将作为封装材料的低熔点玻璃LG透明地进行绘制。如图8及图9所示，第1水晶振子100’具有盖部11、底部12’及放置在底部12， 上的水晶振动片10。在底部12’中，在底部侧槽122a’ 122d’上分别形成有在Y’轴方向上的大致中央部上向外侧突出的圆锥状的突出部126。根据这种构成，由于在底部侧槽122a’ 122d’上形成倾斜的区域，因此当通过喷镀等形成底部侧面电极123a’ 123d’时，可以缩短成膜时间。在图8及图9中，对相对于第1实施方式具有突出部126的变形例进行了说明，但同样适用于以下的第2 第4实施方式及第3实施方式的变形例。<第1水晶振子100，的制造方法>第1水晶振子100’的制造方法与图3中说明的第1水晶振子100的制造方法的流程图大致相同。但是，形成底部12’的步骤S12有所不同。图10是底部晶片12W’的俯视图。在第1实施方式的变形例中，在步骤S121中，通过从+Y’侧及-Y’侧进行蚀刻，形成底部侧槽122a’ 122d’。在此，在从+Y’侧进行蚀刻时，同时形成底部凹部121。由此， 如图10所示，在底部晶片12W’的底部贯通孔BHl上形成突出区域127。其中，若突出区域 127分割成一半，则成为突出部126 (参照图8及图9)。在第1实施方式的变形例中，在步骤S122中，通过从+Y’侧及-Y’侧进行喷镀，在底部侧槽122a’ 122d’上形成底部侧面电极123a’ 123d’。在此，由于在底部贯通孔 BHl上形成有突出区域127，因此可以在更短的时间内形成底部侧面电极123a’ 123d’。(第2实施方式)〈第2水晶振子200的整体构成>参照图11及图12，对第2水晶振子200的整体构成进行说明。图11是第2实施方式的第2水晶振子200的分解立体图，图12是第2水晶振子200的仰视图。其中，在图 11中为了可以观察整个连接电极224a、224b，将作为封装材料的低熔点玻璃LG透明地进行绘制。另外，对于在第1实施方式中说明的构成要素附上相同的符号进行说明。如图11及图12所示，第2水晶振子200具有盖部11、底部22及放置在底部22上的平板状的水晶振动片20。水晶振动片20由AT切割的水晶片101构成，在其水晶片101的中央附近的两主面上对向配置有一对励振电极102a、102b。另外，在励振电极102a上连接有延伸至水晶片101的底面(+Ζ，侧)的-χ侧的引出电极203a，在励振电极102b上连接有延伸至水晶片 101的底面(-ZMID的-X侧的引出电极203b。水晶振动片20与第1实施方式的水晶振动片10相比引出电极的形状有所不同。在底部22的X轴方向的两边上形成有形成底部贯通孔BHl (参照图12)时的两对底部侧槽122a 122d。另外，在底部侧槽122a 122d上分别形成有底部侧面电极223a 223d。随着水晶振动片20的形状，在形成于底部22的-X侧的底部侧面电极223a、223b 上分别连接有形成在第2端面M2上的连接电极224a、224b。另外，在底部22的实装面M3 的-X侧上形成有分别与底部侧面电极223a、223b连接的一对外部电极225a、225b。另一方面，形成于底部22的+X侧的底部侧面电极223c、223d连接在形成于底部22的实装面M3 的+X侧的一对接地电源225c、225d。一对外部电极225a、225b及一对接地电极225c、225d如图1所示地分别分离而形成。在此，一对外部电极225a、225b彼此之间的Z’轴方向的间隔SP1、以及一对接地电极 225c、225d彼此之间的V轴方向的间隔SPl例如为200 μ m 500 μ m左右。另外，外部电极225a及接地电极225d与底部22的+Z’侧的一边分离，外部电极225b及接地电极225c 与底部22的-Ζ’侧的一边分离而形成。在此，外部电极225a及接地电极225d与底部22 的+Z侧的一边之间的间隔SP2、以及外部电极225b及接地电极225c与底部22的-Z侧的另一边之间的间隔SP2例如为0 μ 100 μ m。在第2水晶振子200中，水晶振动片20通过导电性粘接剂13 (参照图2 (a))放置在底部22的第2端面M2上。此时，水晶振动片20的引出电极203a、203b分别与底部22的连接电极224a、224b电连接。由此，外部电极225a、225b通过底部侧面电极223a、223b、连接电极224a、224b、导电性粘接剂13及引出电极203a、203b电连接在励振电极102a、102b上。〈第2水晶振子200的制造方法〉第2水晶振子200的制造方法与在图3中说明的第1水晶振子100的制造方法的流程图大致相同。但是，当以底部晶片22W的状态形成底部22时，如图13所示，外部电极与接地电极的位置有所不同。图13是能够同时制造多个底部22的底部晶片22W的仰视图。如图13所示，在 X轴方向上相邻的底部22A、22B中，外部电极225a与接地电极225d形成一体没外部电极 225b与接地电极225c形成一体。另外，在Z’轴方向上相邻的底部的实装端子(外部电极、 接地电极)分别相互分离而形成，这些在Z’轴方向的间隔SP3为40μπι 280μπι左右。因此，若将一对频率测定用的探针ΡΒ1、ΡΒ2分别抵接在底部22Α的外部电极225a 与外部电极225b上，则能够测定一个水晶振动片20的频率。即使从探针PB1、PB2向底部 22A的外部电极225a、225b施加交替电压，由于外部电极225a、225b仅连接在底部22B的接地电极225c、225d上，因此并不与底部22B的水晶振动片20电连接。因此，可以不受相邻底部22的影响，而以晶片状态正确地测定水晶振动片20的频率。(第3实施方式)〈第3水晶振子300的整体构成>参照图14及图15，对第3水晶振子300的整体构成进行说明。图14是第3实施方式的第3水晶振子300的分解立体图，图15是图14的B-B剖视图。如图14及图15所示，第3水晶振子300具备具有盖部凹部311的盖部31 ；具有底部凹部321的底部32 ；以及被盖部31与底部32夹持的矩形的水晶振动片30。水晶振动片30由在两面形成励振电极302a、302b的水晶振动部301及包围该水晶振动部301的框体308构成。另外，在水晶振动部301与框体308之间具有从水晶振动部301以分别沿X轴方向的两侧延伸的方式与框体308连结的一对支撑部304a、304b。因此，在水晶振动部301与框体308之间形成一对“L”字型的贯通开口部305a、305b。在配置于水晶振动片30的X轴方向的两侧并沿r轴方向延伸的两边上，分别形成有2个形成圆角长方形的水晶贯通孔CH(参照图17)时的水晶侧槽306a 306d。在水晶侧槽306a 306d上分别形成有水晶侧面电极307a 307d。另外，在支撑部304a的表面Me上形成有连接励振电极302a与形成在水晶振动片 30的-X轴方向的一边的+Z’侧的水晶侧面电极307a的引出电极303a。在此，水晶侧面电极307a最好延伸至水晶振动片30的背面Mi而形成连接垫片307M。连接垫片307M与后述的底部侧面电极323a的连接垫片323M可靠地电连接。同样，在支撑部304b的背面Mi 形成有连接励振电极302b与形成在水晶振动片30的+X轴方向的另一边的-V侧的水晶侧面电极307c的引出电极303b。在此，引出电极303b与后述的底部侧面电极323c的连接垫片323M连接。底部32由玻璃或水晶材料构成，并在表面(+Y’侧的面)上具有形成于底部凹部 321的周围的第2端面M2。另外，在底部32的X轴方向的两边上分别形成有2个形成底部贯通孔BHl (参照图6及图7)时的底部侧槽322a 322d。再有，在底部侧槽322a 322d 上分别形成底部侧面电极323a 323d。在此，在形成于底部32的-X轴方向的一边的+Z 侧的底部侧面电极323a通过形成于第2端面M2上的连接垫片323M与形成在水晶振动片 30上的水晶侧面电极307a的连接垫片307M连接。由此，底部侧面电极323a通过连接垫片 307M及水晶侧面电极307a与引出电极303a电连接。另外，形成于底部32的+X轴方向的另一边的-Z侧的底部侧面电极323c与形成在水晶振动片30的引出电极303b连接。另一方面，底部32在其实装面M3的对角线上形成有一对外部电极325a、325c及一对接地电极325b、325d(参照图2)。其中，一对外部电极325a、325c分别与连接在水晶振动片30的引出电极303a、303b的底部侧面电极323a、323c连接，另外，一对接地电极325b、 325d分别与其他的底部侧面电极323b、323d连接。另外，如图5所示，由盖部31、水晶振动片30的框体308及底部32形成收放水晶振动片30的水晶振动部301的空腔CT。在此，盖部31与水晶振动片30、以及水晶振动片 30与底部32利用作为封装材料的低熔点玻璃LG进行接合。另外，虽然在第3实施方式中如第1实施方式中的说明，将一对外部电极及一对接地电极配置在配置在水晶振子300的实装面的对角线方向上，但是也可以如第2实施方式中的说明，将一对外部电极及一对接地电极形成在相同的边上。〈第3水晶振子300的制造方法>参照图16，对第3水晶振子300的制造方法进行说明。图16是表示制造第3实施方式的第3水晶振子300的流程图。另外，图17是能够同时制造多个水晶振动片30的水晶晶片30W的俯视图。
在步骤TlO中，制造水晶振动片30。步骤TlO包含TlOl T104。在步骤TlOl中，如图17所示，在均勻的水晶晶片30W上通过蚀刻形成多个水晶振动片30的外形。即，形成水晶振动部301、框体308及一对贯通开口部305a、305b。同时， 在各水晶振动片30的X轴方向的两边上分别形成两个贯通水晶晶片30W的水晶贯通孔CH。 水晶贯通孔CH被分割为一半成为一个水晶侧槽306a 306d(参照图14)。在步骤T102中，如图17所示，在水晶晶片30W的两面及侧面形成励振电极302a、 302b及引出电极303a、303b。在步骤T103中，分别将一对频率测定用的探针PBl、PB2(参照图17)抵接在同一水晶振动片30的一对引出电极303a及引出电极303b上，测定出一个一个的水晶振动片30
的频率。在步骤T104中，对水晶振动片30的励振电极302a的厚度进行调整。通过在励振电极302a上喷镀金属而增加质量使频率下降，通过逆喷镀使励振电极302a上的金属升华而减少质量是频率上升。在步骤Tl 1中，通过步骤Till及步骤Tl 12制造多个盖部31。即，由步骤Tl 11形成盖部31的外形，由步骤Tl 12在盖部31的第1断面Ml上形成低熔点玻璃LG (参照图15)。在步骤T12中，由步骤TlO制造的包含多个水晶振动片30的水晶晶片利用低熔点玻璃LG接合在形成有多个底部32的底部晶片上。在此，水晶晶片30W的连接垫片307M与底部晶片的一侧的连接垫片323M连接，水晶晶片的引出电极303b与底部晶片的另一侧的连接垫片323M连接。在步骤T14中，分别将一对频率测定用的探针PBl、PB2抵接在同一底部32的外部电极325a、325c上，测定一个一个的水晶振动部301的频率。在此，即使在外部电极325a、 325c上施加交替电压，外部电极325a、325c仅与相邻的底部32的接地电极325b、325d连接，外部电极325a、325c彼此不连接。因此，能够以水晶状态正确地测定水晶振动部301的频率。在步骤T15中，如第1实施方式的图3的步骤S15中的说明，对水晶振动部301的励振电极302a的厚度进行调整。在步骤T16中，加热低熔点玻璃LG，对盖部晶片与水晶晶片30W加压，由此盖部晶片与水晶晶片30W通过低熔点玻璃LG进行接合。在步骤T17中，对已接合的盖部晶片、水晶晶片30W及底部晶片进行切断。由此， 形成数百至数千个第3水晶振子300。在第3实施方式中，通过底部32的制造步骤T12形成底部侧面电极323a 323d、 外部电极325a、325c及接地电极325b、325d后，在步骤T13中对水晶晶片与底部晶片进行接合。但是，也可以在接合了水晶晶片与没有形成各电极的底部晶片后，再通过喷镀等形成底部侧面电极323a 323d、外部电极325a、325c及接地电极325b、325d。从而，可以不形成图14及图15中说明的底部32的连接垫片323M。另外，这种制造方法还适用于以下的第 3实施方式的变形例中。(第3实施方式的变形例)<第3水晶振子300’的整体构成>参照图18 图20，对第3实施方式的变形例的第3水晶振子300’的整体构成进行说明。图18(a)是从+Y’侧观察第3实施方式的变形例的水晶振动片30’的俯视图，图 18(b)是从+Y’侧观察第3实施方式的变形例的水晶振动片30’的透视图，图18(c)是从 +Y’侧观察第3实施方式的变形例的底部32’的俯视图，图18(d)是从+Y’侧观察第3实施方式的变形例的底部32’的透视图。图19是图18(b)的D-D剖视图。图20(a)是从+Y’ 侧观察第3实施方式的变形例的第3水晶振子300’的俯视图，并省略盖部31进行描绘，图 20(b)是图20(a)的虚线E所包围的区域的放大图。另外，在图20中，为了能够看见底部 32’，透明地绘制了水晶振动片30’。如图18(a)及图18(b)所示，第3水晶振子300’的水晶振动片30’由在两面形成有励振电极302a、302b的水晶振动部301和包围该水晶振动部301的框体308构成。在水晶振动部301与框体308之间具有从水晶振动部301分别向-X侧延伸的一对支撑部304a’、 304b’。因此，在水晶振动部301与框体308之间形成一边(-X侧)开口的矩形的贯通开口部305a，，在一对支撑部304a，、304b，之间形成矩形的贯通开口部305b，。如图19所示，与形成在水晶振动片30’的表面Me上的励振电极302a连接的引出电极303a，通过贯通开口部305a，的侧面M4从水晶振动片30，的表面Me向背面Mi延伸而形成。回到图18(a)及图18 (b)，延伸至水晶振动片30’的引出电极303a’形成在水晶振动片30’的-X侧的+Z’侧的一角上。在此，由于如第3实施方式中说明的水晶振动片30’ 以晶片状态进行制造，因此引出电极303a’与水晶振动片30’的+Z侧的一边隔着间隔SPl 而形成(参照图7)，使得不受到来自相邻的水晶振动片30’的影响。另外，形成于水晶振动片30’的背面Mi的引出电极303b’从水晶振动部301的-X 侧延伸，沿着框体308形成至水晶振动片30’的+X侧的-Z’侧的另一角上。在此，如第3 实施方式中的说明，由于水晶振动片30’以晶片状态进行制造，因此引出电极303b’以不受相邻的水晶振动片30’的影响的方式从水晶振动片30’的-τ,侧的另一边隔着间隔SPl而形成。如图18(c)及图18(d)所示，第3实施方式的变形例的底部32’与第3实施方式的底部32的大致相同。但是，与接地电极325b、325d连接的底部侧面电极323b、323d(参照图14)延伸至底部32’的第2端面M2而形成连接垫片323M。再有，如图20(a)所示，以水晶振动片30’的引出电极303a’、303b’与连接在外部电极325a、325c上的连接垫片323M分别连接的方式，盖部31 (参照图14)和水晶振动片 30’和底部32’进行接合。由此，分别使形成在底部32’上的外部电极325a、325c与形成在水晶振动片30，上的励振电极302a、302b连接。另外，最好使在水晶振动片30’的背面Mi经由框体308延伸的引出电极303b’与形成在底部32’的第2端面M2上且连接在底部侧槽322b上的连接垫片323M分离而形成。 这是因为当以晶片状态同时制造多个底部32’时，与底部侧槽322b连接的接地电极325b 连接在相邻的底部32’的外部电极325c上(参照图7)。S卩，如图20(b)所示，引出电极303b’最好与连接在底部侧槽322b上的连接垫片 323M在X方向上隔着间隔SP7而形成。在此，间隔SP7为10 μ m即可。在图20中，虽然引出电极303b，与-X侧的连接垫片323M在X方向上分离而形成， 但是不是必须分离的。即，若引出电极303b’与-X侧的连接垫片323M在Y’轴方向上被低熔点玻璃LG隔离，则也可以不形成图20所示的X轴方向的间隔SP7。但是，此时为了使引出电极303b ’与+X侧的连接垫片323M可靠地连接，也可以形成覆盖外部电极325c (参照图18(d))的整体或一部分、底部侧面电极323c及引出电极303b’的连结电极(未图示)。 所以，由于可以减小框体308的宽度，可以使水晶振子小型化，使水晶振动部301变大。由于第3水晶振子300’的制造方法与第3实施方式大致相同，因此省略其说明。(第4实施方式)〈第4水晶振子400的整体构成>参照图21及图22，对第4水晶振子400的整体结构进行说明。图21是第4实施方式的第4水晶振子400的分解立体图，图22(a)是图21的C-C剖视图，图22(b)是第4 水晶振子400的仰视图。在此，在图21中为了能够观察整个连接电极124a、124b，将作为封装材料的低熔点玻璃LG透明地进行绘制。由于第4水晶振子400具有音叉型水晶振动片40，因此其坐标系并不是第1 第 3实施方式的因AT切割而旋转的坐标系。即，涉及第4实施方式的图21 图25中使用与第1 第3实施方式相同的X轴，并且以振动臂405延伸的方向作为Y方向，以垂直于X轴方向及Y轴方向的高度方向作为Z轴方向进行说明。如图21及图22所示，第4水晶振子400包括具有盖部凹部411的盖部41 ；具有底部凹部421的底部42 ；以及放置在底部42上具有一对振动臂405的音叉型水晶振动片 40。在此，盖部41与第1 第3实施方式中说明的盖部相同。音叉型水晶振动片40具备形成于-Y侧且从Z轴方向观察大致为矩形形状的基部404 ；以及从基部404的一边沿+Y轴方向延伸的一对振动臂405。一对振动臂405的剖面大致为矩形形状，在表面、背面及侧面形成有励振电极402a、402b。也可以在一对振动臂 405的表面及背面形成向Y轴方向延伸的槽部407。再有，还可以在振动臂405的+Y侧的前端上分别形成锤部408。锤部408是用于使音叉型水晶振动片40的一对振动臂405容易振动的锤，且为了频率调整进行设置。音叉型水晶振动片40是例如以32. 768kHz振动的振动臂，做成极其小型的振动片。音叉型水晶振动片40具有在一对振动臂405的X轴方向的外侧从基部404向Y 轴方向延伸至音叉型水晶振动片40的大致中央部的一对支撑臂406a、406b。另外，一对支撑臂406a、406b，其前端部向X轴方向的两侧弯曲而形成。在此，一对支撑臂406a、406b具有使一对振动臂405的振动向第4水晶振子400的外部泄漏变小的效果。另外，一对支撑臂406a、406b具有不受空腔CT(参照图22(a))的温度变化、或者冲击的影响的效果。基部 404、振动臂405及支撑臂406a、406b以相同的厚度形成，并且通过湿刻同时形成。另外，音叉型水晶振动片40在两面形成有从一对振动臂405分别延伸至一对支撑臂406a、406b的前端的引出电极403a、403b。另外，引出电极403a、403b分别连接在形成于一对振动臂405上的励振电极402a、402b上。底部42在表面(+Z侧的面)上具有形成于底部凹部42的周围的第2端面M2。另夕卜，底部42在X轴方向的两边分别形成2个形成底部贯通孔BH2 (参照图24及图25)时的向Y轴方向延伸的底部侧槽422a 422d。在底部侧槽422a 422d上分别形成有底部侧面电极423a 423d。在此，形成于底部42的+X轴方向的一边的-Y轴侧的底部侧面电极 423a连接在形成于第2端面M2上的连接电极424a上。另外，形成于底部42的-X轴方向的另一边的+Y轴侧的底部侧面电极423c连接在形成于第2端面M2上的连接电极424b上。再有，底部42在实装面M3上形成连接在底部侧面电极423a、423c上的一对外部电极425a、425c，连接在底部侧面电极423b、423d上的一对接地电极425b、425d。如图2(b)所示，一对外部电极425a、425c及一对接地电极425b、425d分别分离而形成。另外，外部电极425a及接地电极425b与底部42的-Y侧的一边分离而形成，外部电极425c及接地电极425d与底部42的+Y侧的另一边分离而形成。在此，外部电极425a 与接地电极425d、以及外部电极425c与接地电极425b之间的Y轴方向的间隔SP4例如为 300 μ m 600 μ m左右。另外，外部电极425a及接地电极425b与底部42的-Y侧的一边、 以及外部电极425c及接地电极425d与底部42的+Y侧的另一边之间的间距SP5为0 μ m 100 μ m左右。在第4水晶振子400中，音叉型水晶振动片40利用导电性粘接剂43(参照图 22(a))通过一对支撑臂406a、406b放置在底部42的第2端面M2上。此时，音叉型水晶振动片40的引出电极403a、403b分别与底部42的连接电极424a、424b电连接。由此，外部电极425a、425c通过底部侧面电极423a、423b、连接电极424a、424b、导电性粘接剂43及引出电极403a、403b分别与励振电极402a、402b电连接。S卩，当在外部电极425a、425c上施加交替电压(正负交替的电压)时，音叉型水晶振动片40的一对振动臂405能够以规定的频率进行振动。另外，盖部41与底部42由低熔点玻璃LG进行接合。在第4实施方式中，虽然对收放音叉型水晶振动片40的第4水晶振子400进行了说明，但是也适用于如第3实施方式中说明的具有通过支撑臂连接的包围音叉型水晶振动片的框体的带框的音叉型水晶振子。〈第4水晶振子400的制造方法>由于第4水晶振子400的制造方法与图3中说明的第1水晶振子100的制造方法的流程图大致相同，因此参照图3进行说明。另外，图23是能够同时制造多个音叉型水晶振动片40的水晶晶片40W的俯视图，图24是能够同时制造多个底部42的底部晶片42W的俯视图，图25是其底部晶片42W的仰视图。在步骤SlOl中，如图23所示，在均勻的水晶晶片40W上通过蚀刻形成多个音叉型水晶振动片40。S卩，同时形成基部404、一对振动臂405、一对支撑臂406a、406b、槽部407 及锤部408。此时，多个音叉型水晶振动片40的外形通过连结部409连结在水晶晶片40W 上。在步骤S102中，利用图17所示的喷镀及蚀刻方法形成励振电极402a、402b及引出电极 403a、403b。在步骤S103中，沿着点划线的切断线CL切断各个音叉型水晶振动片40。在步骤S12中，通过步骤S121及步骤S122制造多个底部42。如图24及图25所示，与第1实施方式相比，仅在底部贯通孔BH2和连接电极424a、424b的形状及位置上有所不同。在步骤S13中，在步骤SlO中制造的音叉型水晶振动片40通过导电性粘接剂43 放置在底部42的第2端面M2上。此时，以音叉型水晶振动片40的引出电极403a、403b与形成在底部42的第2端面M2上的连接电极424a、424b对齐的方式，音叉型水晶振动片40 放置在底部42的第2端面M2上。
在步骤S14中，将一对频率测定用探针PBl、PB2分别抵接在底部42B的外部电极 425a和外部电极425c上，测定一个一个的音叉型水晶振动片40的频率。图25所示，即使在外部电极425a、425c上施加交替电压，底部42B的外部电极425a、425c仅与底部42A或底部42C的接地电极425b、425d电连接，并不与底部42A或底部42C的外部电极425a、425c 电连接。因此，不受来自相邻的底部42的影响，能够以晶片状态正确地测定音叉型水晶振动片40的频率。在步骤S15中，如第1实施方式的说明，在音叉型水晶振动片40的振动臂405的锤部408上照射激光，使金属从锤部408升华，调整频率。在步骤S16中，通过加热低熔点玻璃、加压盖部晶片和底部晶片，盖部晶片和底部晶片由低熔点玻璃LG进行接合。在步骤S17中，切断已接合的盖部晶片、水晶晶片40W及底部晶片42W。由此，制造数百至数千个第4水晶振子400。以上，虽然对本发明的最优的实施方式进行了说明，但是在本领域技术人员的技术范围内，本发明可以在其技术范围内对实施方式进行各种变更、变形而实施。例如，本说明书中由低熔点玻璃接合了底部晶片、水晶晶片及盖部晶片，但是可以以聚亚胺树脂来代替低熔点玻璃。当使用聚亚胺树脂的情况，可以进行丝网印刷，也可以将感光性的聚亚胺树脂涂布在整面上后进行曝光。另外，在本说明书中使用了水晶振动片，但也可以适用除了水晶之外的钽酸锂、铌酸锂等的压电材料。再有作为压电装置本发明还适用于将装入了振荡电路的IC等收放在空腔内的水晶振荡器。
权利要求
1.一种压电装置，其特征在于，具备具有形成在两主面的一对励振电极以及从所述一对励振电极引出的一对引出电极的压电振动片；以及具有形成在所述压电振动片一侧的第1面并与所述一对引出电极连接的一对连接电极以及形成在所述第1面的相反侧的第2面的两对实装端子，并且从上所述第1面观察具有四个边的四边形的底部，在所述底部的相互对向的两边上形成向所述底部的中心侧洼进的两对侧槽以及在所述两对侧槽上连结所述第1面和所述第2面的两对侧面电极，所述两对侧面电极中的一对分别与所述一对连接电极以及所述两对实装端子中的一对连接。
2.根据权利要求1所述的压电装置，其特征在于，所述两对实装端子包含与外部通电的一对外部电极以及用于接地的一对接地电极， 所述一对外部电极以及所述一对接地电极相互配置在所述第2面的对角线上。
3.根据权利要求1所述的压电装置，其特征在于，所述两对实装端子包含与外部通电的一对外部电极以及用于接地的一对接地电极， 所述一对外部电极形成在所述两边中的一侧，所述一对接地电极形成在所述两边中的另一侧。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的压电装置，其特征在于， 所述底部具有从所述第1面凹进的凹部，所述压电振动片以所述一对引出电极与所述一对连接电极连接的方式利用导电性粘接剂配置在所述底部上。
5.根据权利要求4所述的压电装置，其特征在于，具备接合在所述底部的所述第1面上的所述四边形的盖部， 所述盖部与所述底部由封装材料进行接合。
6.根据权利要求1至3的任意一项所述的压电装置，其特征在于，所述压电振动片具有形成所述一对励振电极的振动部以及形成所述引出电极且包围所述振动部的所述四边形的框体，所述压电振动片以所述一对引出电极与所述一对连接电极连接的方式进行配置。
7.根据权利要求6所述的压电装置，其特征在于， 具备接合在所述框体的一侧的主面上的盖部，所述盖部与所述框体的一侧的主面由封装材料进行接合，所述框体的另一侧的主面与所述底部由封装材料进行接合。
8.根据权利要求1至7的任意一项所述的压电装置，其特征在于，连结所述第1面与所述第2面的所述侧槽的侧面的剖面具有从所述第1面至所述第2 面的中央部向外侧突出的突出部。
9.一种压电装置的制造方法，该压电装置具有两对实装端子，其特征在于，具备准备压电振动片的压电振动片的准备工序，该压电振动片具有形成在两主面的一对励振电极以及从所述一对励振电极引出的一对弓丨出电极；准备底部晶片的底部晶片的准备工序，该底部晶片包含具有第1面及所述第1面的相反侧的第2面的四边形的第1底部及第2底部且在相邻的所述第1底部与所述第2底部的共有的一边上形成有从所述第1面贯通至所述第2面的一对贯通孔；电极形成工序，在所述底部晶片的所述一对贯通孔的侧面形成一对侧面电极，在所述第2面的所述一对贯通的的周围形成所述第1底部的所述实装端子及所述第2底部的所述实装端子；放置工序，以所述压电振动片的所述一对引出电极与所述第1底部的所述实装端子及所述第2底部的所述实装端子连接的方式，将所述压电振动片配置在所述第1底部及所述第2底部上；以及第1测定工序，通过实装端子测定放置在所述第1底部上的所述压电振动片的频率及放置在所述第2底部上的所述压电振动片的频率，所述两对实装端子包含与外部导通的一对外部电极以及用于接地的一对接地电极， 所述电极形成工序，在所述一对侧面电极中的一侧形成所述第1底部的所述外部电极与所述第2底部的所述接地电极，在所述一对侧面电极中的另一侧形成所述第1底部的所述接地电极与所述第2底部的所述外部电极。
10.一种压电装置的制造方法，该压电装置具有两对实装端子，其特征在于，具备 准备压电晶片的压电晶片的准备工序，该压电晶片使第1压电振动片与第2压电振动片分别相邻地形成，该第1压电振动片及第2压电振动片包含具有形成在两主面的一对励振电极的振动片以及具有从所述一对励振电极引出的一对引出电极并包围所述振动片的框体；准备底部晶片的底部晶片的准备工序，该底部晶片包含具有第1面及所述第1面的相反侧的第2面的四边形的第1底部及第2底部且在相邻的所述第1底部与所述第2底部的共有的一边上形成有从所述第1面贯通至所述第2面的一对贯通孔；电极形成工序，在所述底部晶片的所述一对贯通孔的侧面形成一对侧面电极，在所述第2面的所述一对贯通的的周围形成所述第1底部的所述实装端子及所述第2底部的所述实装端子；放置工序，以所述第1压电振动片及第2压电振动片分别对应所述第1底部及所述第 2底部的方式，将所述压电晶片配置在所述底部晶片上；以及第1测定工序，通过实装端子测定所述第1压电振动片的频率及所述第2压电振动片的频率，所述两对实装端子包含与外部导通的一对外部电极及用于接地的一对接地电极， 所述电极形成工序，在所述一对侧面电极中的一侧形成所述第1底部的所述外部电极与所述第2底部的所述接地电极，在所述一对侧面电极中的另一侧形成所述第1底部的所述接地电极与所述第2底部的所述外部电极。
11.根据权利要求9或10所述的压电装置的制造方法，其特征在于，还具备 在所述第1测定工序后调整所述压电振动片的频率的第1调整工序； 准备盖部晶片的盖部晶片准备工序；以及由所述盖部晶片进行封装后以通过所述一对贯通孔的方式切断所述底部晶片的切断工序。
12.根据权利要求9至11的任意一项所述的压电装置的制造方法，其特征在于，在所述底部晶片的准备工序中，形成所述贯通孔时从所述第1面及所述第2面进行蚀刻或喷砂，在所述电极形成工序中，将所述侧面电极形成在所述贯通孔时，从所述第1面及所述第2面进行喷镀。
13.根据权利要求10所述的压电装置的制造方法，其特征在于，还具备 在所述压电晶片的准备工序后且所述放置工序前，通过所述一对引出电极测定所述压电晶片的所述第1压电振动片及所述第2压电振动片的频率的第2测定工序；以及在所述第2测定工序后调整所述第1压电振动片及所述第2压电振动片的频率的第2调整工序。
全文摘要
本发明提供不受相邻的压电装置的影响，能够对形成于晶片上的多个压电装置的频率进行测定并调整的压电装置及压电装置的制造方法。压电装置(100)具备具有形成在两主面的一对励振电极及从一对励振电极引出的一对引出电极的压电振动片(10)；以及具有形成在压电振动片一侧的第1面并与一对引出电极连接的一对连接电极及形成在第1面的相反侧的第2面的两对实装端子，并且从上第1面观察具有四个边的四边形的底部(12)。在底部的相互对向的两边上形成向底部的中心侧洼进的两对侧槽(122a～122d)及在两对侧槽上连结第1面和第2面的两对侧面电极。另外，两对侧面电极中的一对分别与一对连接电极及两对实装端子中的一对连接。
文档编号H03H3/02GK102457249SQ20111028054
公开日2012年5月16日 申请日期2011年9月20日 优先权日2010年10月15日
发明者水沢周一, 高桥岳宽 申请人:日本电波工业株式会社