专利名称：基于带隙基准源且复位点可变的上电复位por电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路中的上电复位电路，特别涉及一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路。
背景技术：
上电复位电路是当电源电压高于或低于某一个电压值时产生的复位信号给锁存 器和(或)模拟电路用。常规的电阻和电容(即RC)复位电路随工艺和温度的不同，其变化比较大。图I为传统的带隙基准源电路，图中运算放大器Al的输出端连接R4，Rl的一端连接R4的输出端，另一端分别于PNP三极管Ql的发射极、运算放大器Al的正输入端连接，Ql的集电极、基极均接地；R2的一端接R4的输出端，另一端分别与R3、运算放大器Al的负输入端连接，R3的输出端与PNP三极管Q2的发射极连接，Q2的集电极、基极均接地。调整电阻的比例和PNP的面积比可以得到基准电压Vref。图I中，如果将Al的输出与R4的连接断开，R4接电源，Al的输出就是复位信号，这样就构成了传统的基于带隙基准源的上电复位电路，该电路的复位点只能在带隙基准电压I. 25V附近。基于上述原因，设计一种结构简单，随工艺和温度变化比较小，复位点相对比较灵活的上电复位电路是本领域技术人员一个亟需解决的问题。
发明内容针对上述现有技术存在的缺陷，本发明的目的是提供一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，使得其随工艺和温度变化比较小，且复位点相对比较灵活。本发明的技术方案是一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一 PNP三极管、第二 PNP三极管以及运算放大器，电源输入端连接第四电阻，所述第五电阻连接在第四电阻的输出端与地之间，所述第一电阻一端连接第四电阻的输出端，另一端分别与第一 PNP三极管的发射极和运算放大器的正输入端连接，所述第一 PNP三极管的集电极和基地接地，所述第二电阻一端连接第四电阻的输出端，另一端分别于第三电阻和运算放大器的负输入端连接，所述第三电阻的输出端与第二 PNP三极管的发射极连接，所述第二 PNP三极管的集电极和基地接地。进一步地，所述第二 PNP三极管的发射极面积是第一 PNP三极管的发射极面积的一倍以上。优选地，所述第二 PNP三极管Q2的发射极面积是第一 PNP三极管Ql的发射极面积的8倍或24倍。本发明的有益效果是本发明在传统的基于带隙基准源的电路中增加一个电阻可实现复位点大于I. 25V且随工艺和温度变化比较小的电压值。本发明电路结构简单，容易实现，通用性强，复位信号POR随工艺和温度变化比较小，可广泛应用于各类系统，特别是应用于对复位电压点要求比较高的电源管理和功率因数校正等系统中。
图I是带隙基准源电路的原理图；图2是本发明实施例I的电路原理图。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。参照附图2，提出本发明的具体实施例2，如图所示，一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第 五电阻R5、第一 PNP三极管Ql、第二 PNP三极管Q2以及运算放大器A2，电源输入端\c连接第四电阻R4，所述第五电阻R5连接在第四电阻R4的输出端与地之间，所述第一电阻Rl —端连接第四电阻R4的输出端，另一端分别与第一 PNP三极管Ql的发射极和运算放大器A2的正输入端连接，所述第一 PNP三极管Ql的集电极和基地接地，所述第二电阻R2 —端连接第四电阻R4的输出端，另一端分别于第三电阻R3和运算放大器A2的负输入端连接，所述第三电阻R3的输出端与第二 PNP三极管Q2的发射极连接，所述第二 PNP三极管Q2的集电极和基地接地。所述第二 PNP三极管Q2的发射极面积是第一 PNP三极管Ql的发射极面积的一倍以上。优选为，所述第二 PNP三极管Q2的发射极面积是第一 PNP三极管Ql的发射极面积的8倍或24倍。图2中用A表示发射极面积，第二 PNP三极管Q2的发射极面积是第一 PNP三极管Ql的发射极面积的η倍，其中η大于I。图2中Z点的电压是比较器的阈值电压，Vz = VEB2+(l+R2/R3)VTlnn，其中Vt是热电压，具有正温度系数，Veb2具有负温度系数，调整R2和R3的比值可以得到与温度无关的阈值电压Vz ;比较器通过判断X和Y点的电压来判断电源电压的范围。阈值电压Vz基本是一定的，电阻R4和增加的电阻R5的比值可以改变电源电压在何值时到达电压Vz，从而可以实现复位点的调节可变。
权利要求1.一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一 PNP三极管、第二 PNP三极管以及运算放大器，电源输入端连接第四电阻，所述第五电阻连接在第四电阻的输出端与地之间，所述第一电阻一端连接第四电阻的输出端，另一端分别与第一 PNP三极管的发射极和运算放大器的正输入端连接，所述第一 PNP三极管的集电极和基地接地，所述第二电阻一端连接第四电阻的输出端，另一端分别于第三电阻和运算放大器的负输入端连接，所述第三电阻的输出端与第二 PNP三极管的发射极连接，所述第二 PNP三极管的集电极和基地接地。
2.根据权利要求I所述的基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，其特征在于所述第二 PNP三极管的发射极面积是第一 PNP三极管的发射极面积的一倍以上。
3.根据权利要求2所述的基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，其特征在于所述第二 PNP三极管的发射极面积是第一 PNP三极管的发射极面积的8倍或24倍。
专利摘要一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP三极管、第二PNP三极管以及运算放大器，在传统的基于带隙基准源的电路中增加一个电阻可实现复位点大于1.25V且随工艺和温度变化比较小的电压值。本实用新型电路结构简单，容易实现，通用性强，复位信号POR随工艺和温度变化比较小，可广泛应用于各类系统，特别是应用于对复位电压点要求比较高的电源管理和功率因数校正等系统中。
文档编号H03K17/22GK202475387SQ201220011989
公开日2012年10月3日 申请日期2012年1月12日 优先权日2012年1月12日
发明者徐挺, 石万文, 雷红军 申请人:苏州华芯微电子股份有限公司