电路装置、振荡装置以及电子设备的制造方法

本发明涉及电路装置、振荡装置以及电子设备等。

背景技术：
以往，被称为TCXO(temperaturecompensatedcrystaloscillator：温度补偿石英振荡器)的温度补偿型石英振荡装置是公知的。该TCXO被用作例如便携终端等无线设备的RF电路的基准信号源等。作为实现TCXO的电路装置的现有技术，例如有专利文献1中公开的技术。然而，在石英振子等振荡器中会发生如下问题等：在振荡器上附着了制造时产生的异物的状态下使用时，由于该异物的原因导致振荡频率不稳定，如果所附着的异物脱落，则振荡频率会跳至不同的频率。该情况下，可以考虑以下方法：在振荡装置中安装振荡器之前，对单体的振荡器进行过驱动(overdrive)(强激励)，从而去除异物。然而，根据振荡装置的封装结构的不同，有的结构难以进行这种振荡器单体中的过驱动试验。此外，即便振荡装置的封装结构是可以进行过驱动试验的结构，也存在如下问题：随着振荡装置的封装或嵌入的电路装置(IC)的小型化，难以设置过驱动用的电极(端子)。专利文献1：日本特开2009-124214号公报

技术实现要素：
根据本发明的几个方式，可以提供能够有效利用电路装置所具有的电路元件来实现振荡器的过驱动(overdrive)的电路装置、振荡装置以及电子设备等。本发明的一个方式涉及一种电路装置，其包含：提供振荡用电流的电流供给电路；振荡电路，其具有振荡器的振荡用晶体管，基于来自所述电流供给电路的所述振荡用电流，通过所述振荡用晶体管来驱动所述振荡器；以及控制所述电流供给电路的控制部，在设定为过驱动模式的情况下，所述振荡电路以比通常模式时的驱动能力大的驱动能力来驱动所述振荡器。根据本发明的一个方式，基于来自电流供给电路的振荡用电流，通过振荡用晶体管来驱动振荡器，进行振荡器的振荡动作。而且，当设定为过驱动模式时，以比通常模式中的驱动能力大的驱动能力来驱动振荡器。因此，可以有效利用电路装置所具有的电路元件来实现振荡器的过驱动。此外，在本发明的一个方式中，可以是，还包含调节器，该调节器被提供电源电压，并基于所述电源电压生成振荡用电源电压，在所述通常模式中，所述电流供给电路基于来自所述调节器的所述振荡用电源电压而工作，对所述振荡电路提供所述振荡用电流，在所述过驱动模式中，所述电流供给电路基于所述电源电压而工作，对所述振荡电路提供所述振荡用电流。这样，在通常模式中，电流供给电路基于振荡用电源电压而工作，对振荡电路提供振荡用电流。由此，能够实现稳定的振荡动作等。另一方面，在过驱动模式中，电流供给电路基于电源电压而工作，对振荡电路提供振荡用电流。因此，在过驱动模式中，能够提高振荡电路的驱动能力，能够实现有效的过驱动。此外，在本发明的一个方式中，可以是，还包含调节器，该调节器被提供电源电压，并基于所述电源电压生成振荡用电源电压，在所述通常模式中，所述振荡电路的所述振荡用晶体管从被提供所述振荡用电源电压而工作的所述电流供给电路得到所述振荡用电流的供给，进行晶体管动作，在所述过驱动模式中，所述振荡电路的所述振荡用晶体管被提供所述电源电压而进行晶体管动作。这样，在通常模式中，由基于振荡用电源电压而工作的电流供给电路提供振荡用电流，振荡用晶体管进行晶体管动作。另一方面，在过驱动模式中，振荡用晶体管被提供电源电压而进行晶体管动作。因此，在过驱动模式中，振荡用晶体管被提供电源电压而工作，由此，能够提高振荡电路的驱动能力，能够实现有效的过驱动。此外，在本发明的一个方式中，可以是，所述振荡电路包含双极型的所述振荡用晶体管和设置在所述振荡用晶体管的集电极/基极之间的反馈电阻，在所述通常模式中，对所述振荡用晶体管的所述集电极提供来自所述电流供给电路的所述振荡用电流，在所述过驱动模式中，对所述振荡用晶体管的所述集电极提供所述电源电压。这样，在过驱动模式中，由于向集电极提供电源电压，使得双极型的振荡用晶体管进行晶体管动作，因此能够提高振荡电路的驱动能力。此外，在本发明的一个方式中，可以是，所述振荡用晶体管由并联设置在所述振荡用电流的供给节点与第1电源节点之间的多个晶体管构成，所述控制部进行如下控制：在所述过驱动模式中，与所述通常模式相比，增加被提供所述振荡用电流而工作的所述晶体管的个数。这样，在过驱动模式中，由于构成振荡用晶体管的晶体管的个数增加，因此能够实现过驱动时的驱动能力的维持等。此外，在本发明的一个方式中，可以是，还包含过驱动用驱动电路，在所述通常模式中，所述振荡电路通过所述振荡用晶体管来驱动所述振荡器，在所述过驱动模式中，所述振荡电路通过所述过驱动用驱动电路来驱动所述振荡器。这样，在过驱动模式中，由于能够通过驱动能力高的过驱动用驱动电路来驱动振荡器，因此，例如能够增大负性电阻的绝对值，能够实现有效的过驱动。此外，在本发明的一个方式中，可以是，所述振荡用晶体管是集电极被提供所述振荡用电流而工作的双极型晶体管，所述过驱动用驱动电路是由串联连接的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管构成的反相器电路。这样，在过驱动模式中，可以通过驱动能力比双极型晶体管高的反相器电路来驱动振荡器。此外，在本发明的一个方式中，可以是，所述振荡电路包含与所述振荡器的一端和另一端中的至少一方连接的可变电容电路，在所述过驱动模式中，所述控制部将所述可变电容电路的电容值设定为比所述通常模式小的电容值。这样，在过驱动模式中，与振荡器的一端和另一端中的至少一方连接的可变电容电路变小，由此，振荡电路的负载电容变小。由此，能够增大振荡电路的负性电阻的绝对值，能够实现有效的过驱动。此外，在本发明的一个方式中，可以是，所述可变电容电路是振荡频率调整用的可变电容电路或者振荡频率的温度补偿用的可变电容电路。这样，能够有效地利用振荡频率调整用或振荡频率的温度补偿用的可变电容电路来实现有效的过驱动。此外，在本发明的一个方式中，可以是，所述振荡电路包含双极型的所述振荡用晶体管和设置于所述振荡用晶体管的集电极/基极之间的电阻值可变的反馈电阻，在所述过驱动模式中，所述控制部将所述反馈电阻的电阻值设定成比所述通常模式小的电阻值。这样，在过驱动模式中，通过减小反馈电阻的电阻值，能够增大振荡电路的负性电阻的绝对值，能够实现有效的过驱动。此外，本发明的其他方式涉及一种振荡装置，该振荡装置包含上述任意一个方式所述的电路装置和所述振荡器。此外，本发明的其他方式涉及一种电子设备，该电子设备包含上述任意一个方式所述的电路装置。附图说明图1是关于过驱动试验的说明图。图2的(A)～图2的(C)是单密封结构的封装的例子。图3的(A)、图3的(B)是H型结构的封装的例子。图4的(A)是本实施方式的电路装置和振荡装置的结构例，图4的(B)是本实施方式的方法的说明图。图5的(A)、图5的(B)是示出电流调整比特及振荡频率与振荡用电流之间的关系的图。图6的(A)、图6的(B)是控制振荡用电流来实现过驱动的方法的说明图。图7是本实施方式的电路装置的详细结构例。图8是本实施方式的电路装置的第1变形例。图9是第1变形例的动作说明图。图10是本实施方式的电路装置的第2变形例。图11是本实施方式的电路装置的第3变形例。图12是本实施方式的电路装置的第4变形例。图13是本实施方式的电路装置的第5变形例。图14是本实施方式的电路装置的第6变形例。图15是本实施方式的电子设备的结构例。标号说明XTAL：振荡器，BT：振荡用晶体管，RF：反馈电阻，IOS：振荡用电流，BUF：缓冲电路，C1、C2：第1、第2电容器（可变电容电路），C3：第3电容器，CM：电流镜像电路，TB1：基准电流晶体管，TB2：电流供给晶体管，BA1～BAM：晶体管，GA1～GAM：控制信号，BT0～BTN：晶体管，SA1～SAM、SC1～SCN、SD1、SD2、SWA、SWB：开关元件，INV：反相器电路（过驱动用驱动电路），C1A、C1B、C2A、C2B：电容器，10：振荡电路，20：电流供给电路，28：温度补偿电压产生电路，30：控制部，40：存储器，50：调节器，500：电路装置，510：通信部，520：处理部，530：操作部，540：显示部，550：存储部。具体实施方式以下，对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外，以下说明的本实施方式不对权利要求书中记载的本发明的内容进行不当的限定，本实施方式中说明的所有结构并非都是作为本发明的解决手段所必需的。1.过驱动如前所述，在石英振子等振荡器中，在振荡器上附着了制造时所产生的异物的状态下使用时，会发生振荡频率不稳定，或者振荡频率跳动等问题。因此，在图1中，在将振荡器XTAL安装于振荡装置之前，对单体的振荡器XTAL进行过驱动试验。具体而言，在振荡器XTAL(石英振子等)中流过较大的交流电流，使其大幅振动，由此去除附着在振荡器XTAL的表面的异物。然而，根据振荡装置的封装结构的不同，有的结构难以进行这样的振荡器单体的过驱动试验。此外，随着振荡装置等的小型化，还存在难以设置过驱动用的电极这样的问题。例如在图2的(A)～图2的(C)中，作为石英振荡器等振荡装置200的封装结构，示出了单密封结构的例子。图2的(B)是图2的(A)的A-A’处的剖面图。单密封结构是在振荡装置200的封装210内的相同空间内安装了振荡器XTAL(振子)和电路装置IC，并通过盖220(盖部)进行了密封的封装结构。例如在图2的(B)中，在封装210内的空间内，设置有电路装置IC和振荡器XTAL，电路装置IC的电极TIC与振荡器XTAL的电极TXT通过布线LC连接。而且，在电路装置IC的上方安装了振荡器XTAL，并通过振荡器XTAL上方的盖220进行了密封。而且，如图2(C)所示，使用形成于封装210的底面的用户安装电极TU1～TU4(振荡装置的控制电极)来进行振荡装置200的控制等。作为用户安装电极TU1～TU3，例如有频率控制电极(VCON)、电源电极(VDD、VSS)等。该情况下，可以像用户安装电极TU1～TU4那样，也使振荡器XTAL的电极TXT(端子)露出到振荡装置200的外部，但是，由于电极TXT是影响特性的电极，因此通常不露出到外部。在该单密封结构中，在安装了电路装置IC后安装振荡器XTAL。而且，电路装置IC与振荡器XTAL通过封装210内的布线LC连接。因此，存在以下问题：无法进行振荡器XTAL单体的特性确认，无法进行图1所示的振荡器XTAL单体的过驱动试验。因此，存在如下问题：在产品的品质和成品率方面，比其他的封装结构差。在图3的(A)、图3的(B)中，作为振荡装置200的封装结构，示出了H型结构的例子。图3的(A)是图2的(A)的A-A’处的剖面图。在H型结构中，在封装210的上下设置了被称作腔室的空间，在安装在用户基板上的下侧腔室中安装电路装置IC，在上侧腔室中安装振荡器XTAL。此外，电路装置IC的电极TIC与振荡器XTAL的电极TXT通过布线LC连接。并且，振荡器XTAL侧的腔室被盖220密封。按照安装振荡器XTAL、安装电路装置IC这一顺序来进行振荡装置200的组装。在该H型结构中进行过驱动的情况下，在安装电路装置IC的一侧的腔室中设置有与振荡器XTAL连接的电极，可以使用该电极执行过驱动试验。例如在图3的(B)中，TU1～TU4是用户安装电极，TI1～TI4是IC安装电极。而且，TOV1、TOV2是振荡器XTAL的特性确认用电极，可以使用这些电极TOV1、TOV2来执行过驱动试验。具体而言，在安装了振荡器XTAL并通过盖220进行了密封之后，使用电极TOV1、TOV2进行过驱动试验。然后，安装电路装置IC，完成振荡装置200。然而，对于该H型结构而言，随着封装的小型化和IC的小型化，也是难以设置过驱动用的电极(TOV1，TOV2)。例如，过驱动试验是从外部使探针接触过驱动用的电极，但是，如果封装等进一步小型化，过驱动用的电极的大小变小，则难以进行探针的接触作业。因此，可能无法去除附着在振荡器上的异物，导致可靠性和成品率的降低等。2.结构在图4的(A)中示出了能够解决以上那样的问题的本实施方式的电路装置和包含该电路装置的振荡装置的结构例。本实施方式的电路装置包含振荡电路10、电流供给电路20以及控制部30。此外，电路装置还可以包含温度补偿电压产生电路28和存储器40。另外，本实施方式的电路装置的结构不限于图4的(A)的结构，可以实施其一部分结构要素(例如温度补偿电压产生电路)的省略/变更、或者其他结构要素的追加等各种变形。此外，本实施方式的振荡装置还包含由振荡电路10和电流供给电路20等构...