1.一种高电压电平转换电路，包括：第一高压P沟道金属氧化物晶体管HVPMOS(1)、第二HVPMOS(2)、放电晶体管(30)和价VALANCE晶体管(40)；其中，
所述放电晶体管(30)由串接的第一本征高压N沟道金属氧化物晶体管HVNMOS(3)和第一低压N沟道金属氧化物晶体管LVNMOS(5)组成；
所述VALANCE晶体管(40)由串接第二本征HVNMOS(4)及第二LVNMOS(6)组成。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一LVNMOS(5)的源极、所述第二LVNMOS(6)的栅极以及所述第二本征HVNMOS(4)的栅极均与输入端IN连接，所述第一LVNMOS(5)的漏极与所述第一本征HVNMOS(3)的源极连接，所述第一LVNMOS(5)栅极及所述第一本征HVNMOS(3)的栅极连接到电源线VDD，所述第一本征HVNMOS(3)的漏极与所述第一HVPMOS(1)的漏极及所述第二HVPMOS(2)的栅极连接。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一HVPMOS(1)的源极及所述第二HVPMOS(2)的源极连接到电源线VHH，所述第一HVPMOS(1)的栅极、所述第二HVPMOS(2)的漏极以及所述第二本征HVNMOS(4)的漏极均与输出端OUT连接。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二本征HVNMOS(4)的源极与所述第二LVNMOS(6)的漏极连接。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二LVNMOS(6)的源极、所述第一LVNMOS(5)的基板、所述第一本征HVNMOS(3)的基板、所述第二本征HVNMOS(4)的基板、以及所述第二LVNMOS(6)的基板均连接到电源线VSS。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路采用栅极偏置电源。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电路，其特征在于，所述电路采用固定单电源供电。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的电路，其特征在于，所述VALANCE晶体管(40)为栅极偏置晶体管。