声波滤波器和使用其的双工器的制作方法

技术特征：

1.一种声波滤波器，包括：

衬底；

信号线，设置在所述衬底上并且将第一信号端子连接到第二信号端子；

至少一个串联谐振器，在所述第一和第二信号端子之间串联连接到所述信号线；以及

多个并联谐振器，并联连接在所述信号线和至少一个接地端子之间，所述多个并联谐振器包括第一和第二并联谐振器，其每个具有叉指换能器(IDT)电极和覆盖所述IDT电极的电介质膜，所述第一并联谐振器具有比所述第二并联谐振器的谐振频率更接近所述声波滤波器的通带的谐振频率，覆盖所述第一并联谐振器的IDT电极的电介质膜具有比覆盖所述第二并联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度更大的膜厚度。

2.根据权利要求1所述的声波滤波器，其中，所述第一并联谐振器包括两个第一并联谐振器。

3.根据权利要求2所述的声波滤波器，其中，所述两个第一并联谐振器中的一个在所述多个并联谐振器中具有最接近所述声波滤波器的通带的谐振频率，所述两个第一并联谐振器中的另一个在所述多个并联谐振器中具有第二接近所述声波滤波器的通带的谐振频率。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的声波滤波器，其中，所述衬底为铌酸锂压电衬底。

5.根据权利要求4所述的声波滤波器，其中，所述铌酸锂压电衬底具有满足下式的欧拉角(θ，ψ)，

[数学式1]

213°≤θ≤223°，以及-5°≤ψ≤5°。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的声波滤波器，其中，覆盖所述第一并联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度约为1850nm，覆盖所述第二并联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度约为1600nm。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的声波滤波器，其中，所述至少一个串联谐振器包括第一和第二串联谐振器，其每个具有IDT电极和覆盖所述IDT电极的电介质膜，所述第一串联谐振器具有比所述第二串联谐振器的反谐振频率更接近所述声波滤波器的通带的反谐振频率，覆盖所述第一串联谐振器的IDT电极的电介质膜具有比覆盖所述第二串联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度更大的膜厚度。

8.根据权利要求1-6中的任一项所述的声波滤波器，其中，所述至少一个串联谐振器包括多个串联谐振器，其每个具有IDT电极和覆盖所述IDT电极的电介质膜，所述多个串联谐振器中的第一串联谐振器在所述多个串联谐振器中具有最接近所述声波滤波器的通带的反谐振频率，覆盖所述第一串联谐振器的IDT电极的电介质膜比覆盖所述多个串联谐振器中的其他串联谐振器的IDT电极的电介质膜更厚。

9.一种声波滤波器，包括：

衬底；

信号线，设置在所述衬底上并且将第一信号端子连接到第二信号端子；

至少一个并联谐振器，并联连接在所述信号线和至少一个接地端子之间；以及

多个串联谐振器，在所述第一和第二信号端子之间串联连接到所述信号线，所述多个串联谐振器包括第一和第二串联谐振器，其每个具有IDT电极和覆盖所述IDT电极的电介质膜，所述第一串联谐振器具有比所述第二串联谐振器的反谐振频率更接近所述声波滤波器的通带的反谐振频率，覆盖所述第一串联谐振器的IDT电极的电介质膜具有比覆盖所述第二串联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度更大的膜厚度。

10.根据权利要求9所述的声波滤波器，其中，所述衬底为铌酸锂压电衬底。

11.根据权利要求10所述的声波滤波器，其中，所述铌酸锂压电衬底具有满足下式的欧拉角(θ，ψ)，

[数学式2]

213°≤θ≤223°，以及-5°≤ψ≤5°。

12.根据权利要求9-11中的任一项所述的声波滤波器，其中，所述至少一个并联谐振器包括第一和第二并联谐振器，其每个具有IDT电极和覆盖所述IDT电极的电介质膜，所述第一并联谐振器具有比所述第二并联谐振器的谐振频率更接近所述声波滤波器的通带的谐振频率，覆盖所述第一并联谐振器的IDT电极的电介质膜具有比覆盖所述多个并联谐振器中的其他并联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度更大的膜厚度。

13.根据权利要求9-11中的任一项所述的声波滤波器，其中，所述至少一个并联谐振器包括多个并联谐振器，其每个具有IDT电极和覆盖所述IDT电极的电介质膜，所述多个并联谐振器中的第一并联谐振器在所述多个并联谐振器中具有最接近所述声波滤波器的通带的谐振频率，覆盖所述第一并联谐振器的IDT电极的电介质膜具有第一膜厚度，所述第一膜厚度大于覆盖所述多个串联谐振器中的其他串联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度。

14.根据权利要求13所述的声波滤波器，其中，所述多个并联谐振器包括第二并联谐振器，所述第二并联谐振器在所述多个并联谐振器中具有第二接近所述声波滤波器的通带的谐振频率，覆盖所述第二并联谐振器的IDT电极的电介质膜具有所述第一膜厚度。

15.根据权利要求9-14中的任一项所述的声波滤波器，其中，覆盖所述第一串联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度约为1850nm，覆盖所述第二串联谐振器的IDT电极的电介质膜的膜厚度约为1600nm。

16.一种模块，包括权利要求1-15中的任一项所述的声波滤波器。

17.一种双工器，包括：

发射滤波器；以及

接收滤波器，所述接收滤波器和所述发射滤波器中的至少一个包括权利要求1-15中的任一项所述的声波滤波器。

18.一种模块，包括权利要求17所述的双工器。

19.一种通信设备，包括权利要求17所述的双工器。

20.一种声波滤波器，包括：

衬底；

信号线，设置在所述衬底上并且将第一信号端子连接到第二信号端子；

多个串联谐振器，在所述第一和第二信号端子之间串联连接到所述信号线，所述多个串联谐振器中的每个都具有第一叉指换能器(IDT)电极和覆盖所述第一IDT电极的第一电介质膜，所述多个串联谐振器包括第一串联谐振器，所述第一串联谐振器在所述多个串联谐振器中具有最接近所述声波滤波器的通带的反谐振频率，覆盖所述第一串联谐振器的第一IDT电极的第一电介质膜具有在所述多个串联谐振器中最厚的第一膜厚度；以及

多个并联谐振器，并联连接在所述信号线和至少一个接地端子之间，所述多个并联谐振器和所述多个串联谐振器一起形成梯型电路，所述多个并联谐振器每个都具有第二IDT电极和覆盖所述第二IDT电极的第二电介质膜，所述多个并联谐振器包括第一并联谐振器，所述第一并联谐振器在所述多个并联谐振器中具有最接近所述声波滤波器的通带的谐振频率，覆盖所述第一并联谐振器的第二IDT电极的第二电介质膜具有在所述多个并联谐振器中最厚的第二膜厚度。