1.一种放大器，包括：
差分晶体管输入对，其中所述差分晶体管输入对包括与耦合节点电连接的第一晶体管和第二晶体管；
放大级，其具有与所述差分晶体管输入对电连接的输入以及输出；
补偿网络，其电连接在所述输出与所述耦合节点之间。
2.如权利要求1所述的放大器，其中配置为提供尾电流的电路元件与所述耦合节点电连接，使得所述耦合节点作为尾电流节点工作。
3.如权利要求2所述的放大器，其中所述电路元件是具有与所述耦合节点电连接的漏极的FET。
4.如权利要求2所述的放大器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是FET晶体管，并且其中所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极均与所述耦合节点电连接。
5.如权利要求4所述的放大器，其中FET晶体管是NMOS晶体管。
6.如权利要求2所述的放大器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是BJT，并且其中所述第一晶体管的发射极和所述第二晶体管的发射极均与所述耦合节点电连接。
7.如权利要求6所述的放大器，其中所述BJT是NPN晶体管。
8.如权利要求1所述的放大器，其中所述补偿网络包括电容器。
9.如权利要求8所述的放大器，其中所述补偿网络包括与所述电容器串联地连接的电阻器。
10.如权利要求8所述的放大器，其中
11.放大器，包括：
差分晶体管对，每个晶体管具有控制端子、第一端和第二端，其中所述第一端中的一个包括输出，其中所述第二端与共同节点耦合，并且其中所述控制端子上的输入信号控制所述第一端与所述第二端之间的电流流动；
放大器级，其具有接收来自所述差分晶体管对的晶体管的输出的输出信号且随后提供第一放大输出的输入；以及
反馈网络，其将所述第一放大输出与所述差分对的共同节点互连，从而提高相对于电源电压轨的电源抑制比。
12.如权利要求11所述的放大器，其中所述共同节点与作为电流源工作的电路元件电连接以将尾电流提供给所述差分晶体管对。
13.如权利要求11所述的放大器，其中所述差分晶体管对包括一对NMOS晶体管，并且其中所述共同节点包括将所述晶体管的源极互连而使得相对于正电源轨的电源抑制比被提高的节点。
14.如权利要求11所述的放大器，其中所述差分晶体管对包括一对PMOS晶体管，并且其中所述共同节点包括将所述晶体管的源极互连而使得相对于负电源轨的电源抑制比被提高的节点。
15.如权利要求11所述的放大器，其中所述差分晶体管对包括一对NPN晶体管，并且其中所述共同节点包括将所述晶体管的发射极互连而使得相对于正电源轨的电源抑制比被提高的节点。
16.如权利要求11所述的放大器，其中所述差分晶体管对包括一对PNP晶体管，并且其中所述共同节点包括将所述晶体管的发射极互连而使得相对于负电源轨的电源抑制比被提高的节点。
17.如权利要求11所述的放大器，其中所述反馈网络包括具有电容器的补偿网络。
18.如权利要求11所述的放大器，其中所述反馈网络包括串联连接的电容器和电阻器，具有串联地电连接的电容器和电阻器。
19.如权利要求18所述的放大器，其中所述反馈网络进一步包括与所述串联连接的电容器和电阻器并联地电连接的第二电容器。
20.如权利要求11所述的放大器，其中所述反馈网络包括补偿网络，所述补偿网络具有与配置为作为电阻器工作的CMOS晶体管串联地电连接的电容器。
21.如权利要求11所述的放大器，进一步包括第二反馈网络，
其中所述放大器级进一步提供第二放大输出，使得第二放大输出和第一放大输出作为差分输出工作；以及
其中所述第二反馈网络将所述第二放大输出与所述差分对的共同节点互连从而提高相对于所述电源电压轨的电源抑制比。
22.如权利要求21所述的放大器：
其中所述放大器是折叠级联放大器；以及
其中所述放大器级被配置为使得所述放大器作为AB类放大器工作。