一种晶振及其制造方法与流程

本发明涉及电子领域，尤其是一种晶振及其制造方法。

背景技术：

晶振是石英晶体谐振器和石英晶体振荡器的统称，它是利用具有压电效应的石英晶体片制造的，其作用是产生原始的时钟频率，经过不同的频率发生器的放大或缩小后产生不同的总线频率。由于晶振具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点，被应用于手机、pad等消费类电子中。

目前晶振的结构如图1所示，包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个连接焊点连接，所述导电上盖焊接在基座上。其制造工艺是将陶瓷基座、晶片和导电上盖通过胶黏剂或者焊料按照生产制程连接在一起，但是导电上盖是导体，在跌落、滚筒等应力测试中，晶振整体变形导致晶片与上盖碰撞导致晶片断裂问题；因此，需要寻找一种新的方案改善晶片变形与导电上盖碰撞导致的断裂问题。

技术实现要素：

为了克服现有技术中在在跌落、滚筒时晶片容易与导电上盖碰撞导致断裂的问题，本发明实施例提供的一种晶振，能有效地对晶片和导电上盖进行绝缘缓冲处理，防止晶体与导电上盖碰撞导致断裂损坏。

本发明实施例提供的一种晶振，包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个所述连接焊点连接，其中，所述导电上盖底面贴设有绝缘缓冲片，绝缘缓冲片位于所述晶片上方。

本发明实施例提供的一种晶振，通过导电上盖底面贴设有绝缘缓冲片，绝缘缓冲片将晶片和导电上盖隔开，起到了很好的绝缘作用，避免晶片和导电上盖碰撞瞬间短路；同时绝缘缓冲片在定向跌落和滚筒等测试过程中能对晶片进行缓冲，避免晶片损坏断裂。所述绝缘缓冲片贴设在导电上盖下表面，安装方便、节省空间。

上述所述绝缘泡棉面积小于所述容置腔的开口面积，且大于所述晶片的上表面面积。

上述所述绝缘缓冲片为绝缘泡棉片。

本发明结构简单，安装方便，节省空间。使用绝缘泡棉作为绝缘缓冲片的材料，成本低、缓冲效果好。

本发明提供的一种晶振的制造方法，其包括：

将合成水晶制成晶片；

在晶片表面镀金属层，形成电极，并使金属层厚度达到预设范围；

将已形成电极的晶片固定在基座的容置腔内，并固化晶片；

调整晶片表面电极的厚度，使晶振的频率达到预设要求；

制造导电上盖，所述导电上盖底面贴设有绝缘缓冲片；

对基座与导电上盖进行封焊。

本发明实施例提供的一种晶振的制造方法，通过贴设在导电上盖底部的绝缘缓冲片，对晶片与导电上盖进行隔离，方法简单，能有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶体变形与导电上盖碰撞导致的断裂问题。

上述所述制造导电上盖，所述导电上盖底面贴设有绝缘缓冲片的步骤，包括：

将整张绝缘泡棉贴合在上盖材料上；

根据所述晶片和所述容置腔的大小，将绝缘泡棉冲切出所述绝缘缓冲片；

根据所述基座大小，以绝缘缓冲片为中心，将上盖材料冲切出所述导电上盖。

上述所述根据所述晶片和所述容置腔的大小将绝缘泡棉冲切出所述绝缘缓冲片的步骤中，所述绝缘缓冲片的面积小于所述容置腔的开口面积，且大于所述晶片的上表面面积。

上述所述将合成水晶制成晶片的步骤,包括：

将合成水晶按预设切割角度切割成薄晶片；

将所述薄晶片研磨至预设频率的对应厚度；

将所述薄晶片切割成预设尺寸大小的晶片；

去除晶片表面不光滑部分。

上述所述在晶片表面镀金属层，形成电极，并使金属层厚度达到一定范围的步骤，具体为，用离子轰击金靶溅射晶片表面形成镀金层或用蒸镀法在晶片表面形成镀银层。

上述所述将已形成电极的晶片固定在基座的容置腔内，并固化晶片的步骤，具体为，用导电银胶将所述晶片的电极与容置腔底部的任意一个连接焊点连接，并用烘烤固化法固化导电银胶。

上述所述对基座与导电上盖进行封焊的步骤，具体为将基座与导电上盖放置在充满氮气的环境或真空环境中进行封焊。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中晶振的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的晶振的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的晶振制造方法的流程示意图；

图4为本发明实施例提供的晶振制造方法中制造导电上盖，所述导电上盖底面贴设有绝缘缓冲片步骤的流程示意图；

图5为本发明实施例提供的晶振制造方法中将合成水晶制成晶片步骤的流程示意图。

具体实施方式：

为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：

图2为本发明实施例提供的晶振的结构示意图，本发明提供了一种晶振结构，如图2所示，包括基座3、设在基座3顶部的导电上盖1、设在基座3内的晶片2以及设在基座3底部的两个焊盘4，所述基座3于导电上盖1下设有容置腔5，容置腔5底部设有两个连接焊点6与所述焊盘4对应连接，所述晶片2设在所述容置腔5内，晶片2表面设有电极8与其中一个所述连接焊点6连接，其所述导电上盖1底面贴设有绝缘缓冲片7，绝缘缓冲片7位于所述晶片2上方。

上述所述绝缘缓冲片7的面积小于所述容置腔5的开口面积，且大于所述晶片2的上表面面积。

上述所述绝缘缓冲片7为绝缘泡棉片。

本实施例所述的晶振，通过贴设在所述导电上盖1底面的绝缘缓冲片7，将晶片2和导电上盖1隔开，起到了很好的绝缘作用，避免晶片2和导电上盖1碰撞瞬间短路；同时绝缘缓冲片7在定向跌落和滚筒等测试过程中能对晶片2进行缓冲，避免晶片2损坏断裂。所述绝缘缓冲片7贴设在导电上盖1下表面，安装方便、节省空间。使用绝缘泡棉作为绝缘缓冲片的材料成本低、缓冲效果好。

实施例二：

图3为本发明实施例提供的晶振制造方法的流程示意图；图4为本发明实施例提供的晶振制造方法中制造导电上盖，所述导电上盖底面贴设有绝缘缓冲片步骤的流程示意图；图5为本发明实施例提供的晶振制造方法中将合成水晶制成晶片步骤的流程示意图。

本发明提供的一种晶振的制造方法，其包括：

步骤301将合成水晶制成晶片2；

步骤302在晶片2表面镀金属层，形成电极8，并使金属层厚度达到预设范围；

步骤303将已形成电极8的晶片2固定在基座3的容置腔5内，并固化晶片2；

步骤304调整晶片2表面电极8的厚度，使晶振的频率达到预设要求；

步骤305制造导电上盖1，所述导电上盖1底面贴设有绝缘缓冲片7；

步骤306对基座3与导电上盖1进行封焊。

上述所述步骤305制造导电上盖1，所述导电上盖1底面贴设有绝缘缓冲片7的步骤，包括：

步骤3051将整张绝缘泡棉贴合在上盖材料上；

步骤3052根据所述晶片2和所述容置腔5的大小，将绝缘泡棉冲切出所述绝缘缓冲片7；

步骤3053根据所述基座3大小，以绝缘缓冲片7为中心，将上盖材料冲切出所述导电上盖1。

上述所述步骤3052根据所述晶片2和所述容置腔5的大小将绝缘泡棉冲切出所述绝缘缓冲片7的步骤中，所述绝缘缓冲片7的面积小于所述容置腔5的开口面积，且大于所述晶片2的上表面面积。

上述所述步骤301将合成水晶制成晶片2的步骤,包括：

步骤3011将合成水晶按预设切割角度切割成薄晶片；

步骤3012将所述薄晶片研磨至预设频率的对应厚度；

步骤3013将所述薄晶片切割成预设尺寸大小的晶片2；

步骤3014去除晶片2表面不光滑部分。

上述所述步骤3014去除晶片2表面不光滑部分的步骤，具体为用化学蚀刻法去除晶片2表面不光滑部分。

上述所述步骤302在晶片2表面镀金属层，形成电极8，并使金属层厚度达到预设范围的步骤，具体为，用离子轰击金靶溅射晶片2表面形成镀金层或用蒸镀法在晶片2表面形成镀银层。

上述所述步骤303将已形成电极8的晶片2固定在基座3的容置腔5内，并固化晶片2的步骤，具体为，用导电银胶将所述晶片2的电极8与容置腔5底部的任意一个连接焊点6连接，并用烘烤固化法固化导电银胶。

上述所述步骤306对基座3与导电上盖1进行封焊的步骤，具体为将基座3与导电上盖1放置在充满氮气的环境或真空环境中进行封焊。

本实施例提供的晶振制造方法，通过贴设在导电上盖1底面的绝缘缓冲片7，对晶片2与导电上盖1进行隔离，方法简单，能有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶体2变形与导电上盖1碰撞导致的断裂问题。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。