LTE功率放大器模块的制作方法

本实用新型涉及功率放大模块的技术领域，特别是一种LTE功率放大器模块的技术领域。

背景技术：

随着数据通信与多媒体业务需求的发展，适应移动数据、移动计算及移动多媒体运作需要的第四代移动通信开始兴起，因频谱资源紧张，4G的频谱主要分配在D频段和E频段。4G LTE有着传输速率更快、频谱利用率更高的优点。为了实现频谱的高利用率，其采用的是正交频分复用技术，作为下行传输方案。正交频分复用多址是一种高频谱效率的多址技术,其主要缺点在于具有较高的峰均比,从而当信号的峰均比超过功率放大器的线性动态范围时,会引入非线性失真，影响信号的传输性能。为了保证通信质量，必须减小非线性失真，而功率回退则是减小失真的最直接方式。功率回退则会降低放大器单元的电流效率，增加了耗电量。随着频率的增加，以及基础小型化的要求，对放大器模块的散热提出了更苛刻的要求，即对功率放大模块的电流效率提出了更高的要求。传统的功率放大器模块其内部的功率放大管主要工作在A类或者AB类状态下，电流效率低，散热要求高，散热器的尺寸比较大。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的为提供一种LTE功率放大器模块，能够防止电源和控制信号对上部的边缘导电层上的射频信号的影响，稳定性更好，只用一个功率放大管，就可以实现doherty电路结构，可以减小体积，降低了生产成本，电子元器件数量减小也提高了系统的可靠性，电路板接地效果好，抗干扰能力强，输出功率可以达到标称值。

为实现上述目的，本实用新型提出了一种LTE功率放大器模块，包括外包边金属皮、PCB板、金属底座、内包边金属皮和功率放大管，所述外包边金属皮包裹在PCB板边缘，所述外包边金属皮用于提高功率放大管的接地效果、防止内部信号泄露和隔离外部信号干扰，所述PCB板上设置有功率放大管槽，所述功率放大管槽内设置有1‐3个功率放大管，所述功率放大管槽内设置有内包边金属皮，所述内包边金属皮用于提高功率放大管的接地效果，功率放大管上的接地引脚焊接在金属底座上，功率放大管上的输入和输出引脚焊接在PCB板上。

作为优选，所述PCB板包括上绝缘层、基板、下绝缘层、第一导电中间层、第二导电中间层和边缘导电层，所述基板上部设置有上绝缘层，所述基板下部设置有下绝缘层，所述基板和上绝缘层之间设置有的第一导电中间层，所述第一导电中间层用于接地，所述基板与下绝缘层之间设置有第二导电中间层，所述第二导电中间层用于传输控制信号和电能，所述下绝缘层和上绝缘层的外侧面上分别设置有边缘导电层，上部的边缘导电层用于传输射频信号，下部的边缘导电层用于接地。

作为优选，所述功率放大管槽内设置有1个功率放大管。

作为优选，所述放大管为非对称型双管芯功率管。

作为优选，所述功率放大管上的输入和输出引脚焊接在上部的边缘导电层上。

作为优选，所述内包边金属皮不与上部的边缘导电层和上绝缘层接触。

附图说明

图1是本实用新型实施例中LTE功率放大器模块的俯视图；

图2是本实用新型实施例中LTE功率放大器模块的主视剖视图；

图3是本实用新型实施例中LTE功率放大器模块的示意图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参阅图1‐图3，本实用新型一种LTE功率放大器模块，包括外包边金属皮1、PCB板2、金属底座5、内包边金属皮3和功率放大管4，所述外包边金属皮1包裹在PCB板2边缘，所述外包边金属皮用于提高功率放大管的接地效果、防止内部信号泄露和隔离外部信号干扰，所述PCB板2上设置有功率放大管槽201，所述功率放大管槽201内设置有1‐3个功率放大管4，所述功率放大管槽201内设置有内包边金属皮3，所述内包边金属皮3用于提高功率放大管4的接地效果，功率放大管4上的接地引脚焊接在金属底座5上，功率放大管4上的输入和输出引脚焊接在PCB板上，所述PCB板2包括上绝缘层21、基板22、下绝缘层23、第一导电中间层24、第二导电中间层25和边缘导电层26，所述基板22上部设置有上绝缘层21，所述基板22下部设置有下绝缘层23，所述基板22和上绝缘层21之间设置有的第一导电中间层24，所述第一导电中间层24用于接地，所述基板22与下绝缘层23之间设置有第二导电中间层25，所述第二导电中间层25用于传输控制信号和电能，所述下绝缘层23和上绝缘层21的外侧面上分别设置有边缘导电层26，上部的边缘导电层26用于传输射频信号，下部的边缘导电层26用于接地。所述功率放大管槽201内设置有1个功率放大管4。所述放大管为非对称型双管芯功率管。所述功率放大管4上的输入和输出引脚焊接在上部的边缘导电层26上。所述内包边金属皮3不与上部的边缘导电层26和上绝缘层21接触。

综上所述，为本实用新型提供的LTE功率放大器模块，本方案中的功率放大器模块，采用的是1:1.5的非对称doherty结构，电流效率最高点是在回退8dB的时候，因LTE信号通常肖峰到PAR＝8dB，所以，其效率最高点正是模块输出的额定功率点。同时本方案中的功率放大管为双管芯非对称结构，即只需1个管子就可以实现doherty结构。整个电路的尺寸只是2个独立管组成doherty结构的60％。LTE采用了MIMO技术，其放大单元是多路结构，每个链路的功放模块的尺寸要求很高，本方案中的PCB板采用的4层板，其优点是可以在中间层走控制线和电源线等。本方案中在安装工艺方面进行了改进，相对于传统的PCB板，方案中采用金属包边形式，而且在功放管槽采用了半金属化槽的工艺，很好的克服了高频效应，既可以良好接地，又不会导致功放管的栅极或漏极接地短路，输出功率可以达到标称值。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。