机器的散热方法与流程

本发明涉及一种机器的散热方法。
背景技术：
：各种各样的电子机器(例如控制台、个人计算机、电子基板等)由于气氛温度或本身具有的电子部件的发热(自发热)，经常会产生运行不良或故障。因此，对这些电子机器设计了各种冷却装置。作为冷却装置，已知有空调、冷却风扇、散热器等。但是，空调或冷却风扇存在有运转成本，不容易保养，并且，其自身有时也会发生故障等的问题。此外，散热器存在为了提高其导热效果而需要增大散热器本身的大小(体积、接触面积)，设置的空间受限等的问题。并且，散热器与发热部件之间通常需要涂硅润滑脂等，硅润滑脂是挥发性的，需要定期重新涂覆，从而也有不容易保养的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-298703号公报技术实现要素：发明所要解决的技术问题本发明鉴于以上情况，目的在于提供一种低成本、不需要繁杂保养的机器的散热方法。解决技术问题的手段本发明涉及的散热方法，是框体内部具有发热源的机器的散热方法。该方法中，在框体的壁面的内壁上贴附第一散热片，在框体的壁面的外壁上，贴附与上述第一散热片隔着壁面而相对的第二散热片。上述第一及第二散热片具备：导热层、与上述导热层的第一面相邻的热辐射层、以及与上述导热层的第二面相邻的基部，上述基部包含在askerc下测定的硬度为40以下的导热性有机硅树脂。在本发明的一个实施方式中，第一散热片及第二散热片，按照基部与壁面接触的方式，贴附在壁面上。并且，所述第一散热片或第二散热片，贴附在所述发热源附近的所述壁面上。基部包含在askerc下测定的硬度为40以下的导热性有机硅树脂。并且，第一散热片或第二散热片具有所述发热源面积10倍以上的面积。发明效果根据本发明，能够提供一种低成本、不需要繁杂保养的机器的散热方法。附图说明图1是表示在本实施方式的散热方法中使用的散热片10的结构的剖视图。图2是表示在本实施方式的散热方法中作为对象的电子机器(控制台100)的外观结构的一个例子。图3是表示在本实施方式的散热方法中的散热片10的使用方法的示意图。图4是表示在本实施方式的散热方法中的散热片10的使用方法的示意图。图5是表示在本实施方式的散热方法中的散热片10的使用方法的示意图。图6是表示在本实施方式的散热方法中的散热片10的使用方法的示意图。图7是表示在本实施方式的散热方法中的散热片10的使用方法的示意图。图8是表示本实施方式的散热方法的效果的图表。具体实施方式以下，参照附图，对本发明的实施方式涉及的散热方法进行详细说明。图1是说明在该实施方式的散热方法中使用的散热片10的结构。图1是表示散热片10的剖视图。该散热片10由热辐射层11、导热层12、及导热性基部13的层叠结构而形成。在导热层12的表面层叠热辐射层11，进一步在其背面层叠导热性基部13。热辐射层11具有高热辐射率，具有吸收或辐射周围的热的功能。导热层12，具有将导热性基部13的热传导到热辐射层11，且反之将热辐射层11的热传导到导热性基部13的功能。导热性基部13形成为在具有高导热性的同时具有充分的柔软性，可以贴附在各种形状的物体上。该层叠结构，例如可以通过贴合法、涂覆法、压延法等形成，但不仅限于这些方法。本实施方式的散热方法，通过将该散热片10贴附在如图2所示的电子机器、例如控制台100的预定位置上，进行对控制台100的散热。关于散热片10的贴附方法等随后叙述。图示的控制台100，平均大小为高150cm，宽1m，深80cm左右，但这仅仅是作为一个示例。本实施方式的散热方法，并不限定使用在如图示所示的机器上，也可以适用在从内部发热的各种机器上。接着，对构成散热片10的热辐射层11、导热层12、及导热性基部13依次进行详细说明。热辐射层11热辐射层11，其热辐射率设定在0.80以上，优选为0.80～0.99。热辐射率不足0.80的情况下，有可能得不到充分的散热效果。关于热辐射层11的材料，是将例如二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硼或氮化铝等陶瓷粉、堇青石粉、或石墨等热辐射率高的粒子中的一种或两种以上组合而成的有机树脂层。作为有机树脂，可列举丙烯酸树脂、有机硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂等，但并不限于这些树脂。该情况下，将上述粒子的粒径设定在0.1～50μm，更优选设定在1～10μm。上述的粒子可以如下形成：将上述材料通过用球磨机或喷磨机等粉碎机粉碎而形成粉体。此外，上述粒径的值，是通过日机装株式会社的microtruck粒度分布测定装置mt3300ex测定的值。平均粒径的基准是体积。粉体的热辐射率优选为0.80～0.99，更优选为0.85～0.99。另外，上述粒子，以相对于有机树脂100质量份为40～200质量份，特别优选50～150质量份左右的量来使用。配比量过少则不能充分得到热辐射性，相反若过多则有可能难以填充粉体。另外，上述材料仅是一个例子，在能够得到的所期望的柔软性及热辐射性的范围内，可以选择各种材料。作为热辐射层，也可以使用市售的产品。例如可以使用赛拉科(セラック)株式会社制造的赛拉科α(セラックα)(热辐射率0.96)或朋诺株式会社制造的pelcool(含有粉体的丙烯酸树脂)。另外，热辐射层11的厚度可以设定为10～100μm，优选20～50μm。若比10μm厚度小，则加工困难。另外，若比100μm厚，则热辐射层11的柔软性降低。此外，上述的热辐射率，是使用京都电子工业株式会社制造的热辐射率测定器aerd测定的数值。导热层12导热层12，由面方向的导热率为200w/mk以上，优选200～2000w/mk的材料形成。导热层12，例如通过石墨片、铝箔或铜箔形成。石墨片，弯曲及拉伸强度不够充足，但在面内的导热性非常优异从而优选。铝箔或铜箔，弯曲及拉伸强度高，且制造成本低，从而比石墨片更好。另外，导热层12的厚度为0.01～0.1mm，优选为0.03～0.1mm，更优选为0.03～0.08mm。若导热层12的厚度过薄，则散热片10整体的刚性缺乏，难以处理散热片10。另一方面，若厚度超过0.1mm，则散热片10的柔软性受损，在向电子机器100贴附时，可能存在例如难以贴附在有曲率的壁面上的情况。此外，作为热辐射层11及导热层12，也可以使用浅利电机株式会社制造的morgensheet(将作为导热层的铝箔和作为热辐射层的热辐射性聚酯树脂层叠而成的热辐射片)。导热性基部13导热性基部13，其导热率在1.4w/mk以上，优选在2.0w/mk以上。导热率的上限并没有特别设定，但通常在10w/mk以下。该导热率，可以通过在有机硅树脂层中使用的有机硅组合物中配合预定量的导热性填充剂得到。此外，导热性基部13的导热率，是通过京都电子工业株式会社的导热率计tpa-501测定的值。构成导热性基部13的有机硅组合物在后面详细叙述。导热性基部13的厚度在0.2mm以上，优选在0.5mm以上，更优选在1mm以上。若导热性基部13的厚度大，则能够大幅提高电子机器100内的温度降低效果从而优选。若厚度过小，则在将热传导到导热层12及热辐射层11之前难以得到贮藏热的效果，其结果是散热片10的散热特性降低。导热性基部13的厚度上限没有特别限定，但从实际使用时的质量的观点出发，设定为15mm以下，优选在10mm以下，更优选在5mm以下。另外，导热性基部13，例如可以通过有机硅树脂形成。导热性基部13应当给予散热片10预定以上的柔软性，从而使其能够贴附在各种形状的物体上。例如，其硬度设定在askerc测定下的40以下，更优选在30以下。若硬度超过40则对发热体的追随性缺乏，有增加接触热阻的问题。该askerc硬度，可以通过调整构成导热性基部13的有机硅树脂层中使用的有机硅组合物中的有机硅树脂含量、有机氢化聚硅氧烷含量来得到。对于构成导热性基部13的有机硅组合物，以下进行详细说明。作为导热性基部13中的有机硅组合物，能够采用含有以下要素(a)～(d)的有机硅组合物(a)：(a)100质量份的有机聚硅氧烷，其由平均分子式rasio(4-a)/2表示(r独立地是碳原子数为1-12的未取代或取代的一价烃基，a是1.8-2.2的正数)，并且其一分子中具有2个以上的结合于硅原子的链烯基；(b)导热性填充剂：200-4000质量份；(c)有机氢化聚硅氧烷(其添加量为(c)成分中的直接结合于硅原子的氢原子与(a)成分中的链烯基的摩尔比为0.5-5.0的量)，其一分子中具有2个以上的结合于硅原子的氢原子；(d)铂系化合物(以铂元素量计，为(a)成分的0.1-1000ppm)。另外，作为导热性基部13中的有机硅组合物，也可以采用含有以下要素(b)、(f)、(g)的有机硅组合物(b)。(b)导热性填充剂(100-3000质量份)(f)有机硅树脂(100质量份)(g)有机过氧化物系化合物(根据有机过氧化物换算为0.1-2质量份)。接着，对上述有机硅组合物(a)中含有的各成分(a)～(d)进行更详细的说明。(a)有机聚硅氧烷(a)成分的含有链烯基的有机聚硅氧烷，其由平均分子式rasio(4-a)/2表示(r独立地是碳原子数为1-12的未取代或取代的一价烃基，a是1.8-2.2的正数，优选为1.95～2.05的正数)，并且其一分子中具有2个以上、优选为2～100个的结合于硅原子的链烯基，其是加成反应固化型组合物的主剂(基础聚合物)。通常主链部分一般是由二有机硅氧烷单元的重复而构成。但是，在分子结构的一部分上，也可以含有支链的结构，还可以为环状体，但从固化物的机械强度等的物性上考虑，优选直链状的二有机聚硅氧烷。上述化学式rasio(4-a)/2中，r是彼此相同或相异的碳原子数1～12的、特别是1～10的未取代或取代的一价烃基，作为结合于硅原子的链烯基以外的官能团，例如可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等烷基、环戊基、环己基、环庚基等环烷基、苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、联苯基等芳基、苄基、苯基乙基、苯丙基、甲基苄基等芳烷基以及与这些基团的碳原子结合的部分或全部氢原子被氟、氯、溴等卤素原子、氰基等取代的基团，例如，氯甲基、2-溴乙基、3-氯丙基、3，3，3-三氟丙基、氯苯基、氟苯基、氰乙基、3，3，4，4，5，5，6，6，6-九氟己基等。代表性的基团的碳原子数为1～10，特别有代表性的基团的碳原子数为1～6，优选为甲基、乙基、丙基、氯甲基、溴乙基、3，3，3-三氟丙基、氰乙基等碳原子数为1～3的未取代或取代的烷基及苯基、氯苯基、氟苯基等的未取代或取代的芳基。此外，结合于硅原子的链烯基以外的官能团可以全部相同或不同。另外，作为链烯基，例如可列举，乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基、环己基等通常为碳原子数2～8左右的基团，其中，优选乙烯基、烯丙基等的低级链烯基，在当中特别优选乙烯基。该有机聚硅氧烷在25℃的动态黏度，通常设定为10～100000mm2/s，更优选在500～50000mm2/s的范围。动态黏度过低，则得到的组合物的保存稳定性有变差的情况，此外若过高则得到的组合物的延展性有变差的情况。此外，在该实施方式中，动态黏度可以通过奥斯特瓦尔德粘度计测定。此外(a)成分的有机聚硅氧烷，可以仅通过一种物质形成，也可以通过不同动态黏度的两种以上物质组合而成。(b)导热性填充剂作为填充在导热性有机硅组合物中的导热性填充剂，可以使用非磁性的铜或铝等金属、氧化铝、二氧化硅、氧化镁、氧化铁红、氧化铍、二氧化钛、氧化锆、氧化锌等金属氧化物、氮化铝、氮化硅、氮化硼等金属氮化物、氢氧化铝、氢氧化镁等金属氢氧化物、人造金刚石或碳化硅等一般作为导热性填充剂使用的物质。导热性填充剂，可以单独一种，也可以两种以上组合使用。导热性填充剂的平均粒径，可以设定为0.1～200μm，优选为0.1～100μm，进一步优选为0.5～50μm。这里提到的平均粒径，可以通过microtruck粒度分布测定装置mt3300ex(日机装(株))测定。此外，平均粒径的基准是体积。导热性填充剂的配合量，以(a)成分为100质量份计，可以为200～4000质量份，更优选为200～3000质量份。导热性填充剂的配合量过少，则热导电性基部13的导热率有不充分的情况，相反若配合量过多，则有成形性下降，粘接性降低的情况。(c)有机氢化聚硅氧烷(c)成分的有机氢化聚硅氧烷，是其一分子中具有2个以上、优选为2～100个的结合于硅原子的氢原子(sih基)的有机氢化聚硅氧烷，起到对(a)成分的交联剂的作用。即，在后述的(d)成分的铂系化合物的存在下，(c)成分中的结合于硅原子的氢原子，通过硅氢化反应加成到(a)成分中的链烯基中，生成具有交联键的三维网状结构的交联固化物。作为与(c)成分中的硅原子结合的有机基团，例如可列举不具有脂肪族不饱和键的未取代或取代的一价烃基等。具体的，可列举与作为上述脂肪族不饱和基团以外的结合于硅原子的基团而示例的基团相同类型的、未取代的或取代的一价烃基，其中，从合成容易及经济性的观点出发，优选甲基。本发明中的(c)成分的有机氢化聚硅氧烷的构造没有特别限定，直链状、支链状或环状均可，优选直链状。此外，有机氢化聚硅氧烷的聚合度(硅原子数)为2～100，特别优选2～50。此外，作为(c)成分的有机氢化聚硅氧烷的优选的具体例子，例如可列举以下的物质。分子链两端被三甲基硅氧基封端的甲基有机氢化聚硅氧烷、分子链两端被三甲基硅氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢化硅氧烷共聚物、分子链两端被三甲基硅氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢化硅氧烷-甲苯基硅氧烷共聚物、分子链两端被二甲基氢化硅氧基封端的二甲基聚硅氧烷、分子链两端被二甲基氢化硅氧基封端的甲基硅氧烷-甲基氢化硅氧烷共聚物、分子链两端被二甲基氢化硅氧基封端的甲苯基聚硅氧烷。此外，(c)成分的有机氢化聚硅氧烷可以单独一种使用，也可以两种以上组合使用。(c)成分的配合量，相比1摩尔(a)成分中的链烯基，(c)成分中的sih基团可以为0.5～5.0摩尔，更优选为0.8～4.0摩尔。若相比1摩尔(a)成分中的链烯基，(c)成分中的sih量不足0.5摩尔，则组合物不固化，固化物的强度不充分，有可能发生无法作为成形体、复合体进行处理等问题。另一方面，若超过5.0摩尔的使用量，固化物表面的粘附性恐会不充分。(d)铂系化合物(d)成分的铂系化合物，促进上述(a)成分中的链烯基和(c)成分中的结合于硅原子的氢原子进行加成反应，是为了使得本实施方式的组合物变换为三维网状结构的交联固化物而配合的催化剂成分。(d)成分可以从通常的硅氢化反应中使用的公知的催化剂中适宜选择使用。作为具体例子，可以列举例如，白金(包括铂黑)、铑、钯等铂族金属单体、h2ptcl4·nh2o、h2ptcl6·nh2o、nahptcl6·nh2o、khptcl6·nh2o、na2ptcl6·nh2o、k2ptcl4·nh2o、ptcl4·nh2o、ptcl2、na2hptcl4·nh2o(其中，n是0～6的整数，优选为0或6)等氯化铂、氯化铂酸及氯化铂酸盐、醇改性氯化铂酸、氯化铂酸和烯烃的络合物、将铂黑、钯等铂族金属负载在氧化铝、二氧化硅、碳等载体上而成的物质、铑-烯烃络合物、氯三(三苯基膦)铑(威尔金森催化剂)、氯化铂、氯化铂酸、氯化铂酸盐和含有乙烯基的硅氧烷的络合物等。这些铂系化合物，可以单独一种使用，也可以两种以上组合使用。另外，上述(d)成分的铂系化合物的配合量，只要是可以固化组合物所需要的量即可。通常，经过铂族金属元素质量换算，相比(a)成分，设定为0.1～1000ppm左右，优选设定为0.5～500ppm左右。此外，根据需要，可以配合反应调节剂。反应调节剂具有调整在(d)成分的存在下进行的(a)成分和(c)成分的加成反应的硅氢化反应速度的作用。该种反应调节剂，可以从通常的加成反应固化型有机硅组合物所使用的公知的加成反应调节剂中适宜选择。作为其具体例，可列举1-乙炔基-1-环己醇、3-丁炔-1-醇、乙炔基亚甲基甲醇等乙炔化合物、氮化合物、有机磷化合物、硫化合物、肟化合物、有机氯化合物等。这些反应调节剂，可以单独一种使用，也可以两种以上组合物使用。反应调节剂的配合量，根据(d)成分的使用量的不同而不同。一般来讲，只要是能够将硅氢化反应的进行调整到所期望的反应速度的量即可。通常，相比(a)成分的质量，为10～50000ppm左右即可。接着，对上述有机硅组合物(b)中含有的各成分(b)、(f)、(g)进行更加详细的说明。关于(b)成分，由于和有机硅组合物(a)中的(b)相同，以下对(f)、(g)成分进行说明。(f)有机硅树脂(f)成分的有机硅树脂，具有赋予导热性有机硅组合物固化后的固化物表面粘附性的作用。作为这样的有机硅树脂的例子，是r13sio1/2单元(m单元)和sio4/2单元(q单元)的共聚物，m单元和q单元之比(摩尔比)m/q是0.5～1.5，优选为0.6～1.4，更优选为0.7～1.3的有机硅树脂。上述m/q在上述范围内则可以得到所期望的粘附力。该情况下，根据需要，也可以含有r12sio2/2单元(d单元)和r1sio3/2单元(t单元)，这些d单元及t单元的配合设定在15摩尔％以下，更优选在10摩尔％以下。上述表示m单位等的通式中的r1是未取代或取代的一价烃基、优选为不含有脂肪族不饱和键的未取代的或取代的一价烃基。作为这样的r1的例子，例如，甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等烷基、环戊基、环己基、环庚基等环烷基、苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、联苯基等芳基、苄基、苯基乙基、苯丙基、甲基苄基等芳烷基以及这些基团的与碳原子结合的一部分或全部氢原子被氟、氯、溴等卤素原子、氰基等取代的基团，例如，氯甲基、2-溴乙基、3-氯丙基、3，3，3-三氟丙基、氯苯基、氟苯基、氰乙基、3，3，4，4，5，5，6，6，6-九氟己基等碳原子数为1～12、优选碳原子数为1～6的基团。作为r1，这些当中，优选甲基、乙基、丙基、氯甲基、溴乙基、3，3，3-三氟丙基、氰乙基等碳原子数为1～3的未取代或取代的烷基，以及苯基、氯苯基、氟苯基等未取代或取代的芳基。另外，r1可以全部相同或不同。就r1而言，只要不要求具有耐溶剂性等特殊特性，从成本、得到的难易程度、化学稳定性、给予环境负担等观点出发，优选全部都是甲基。在配合(f)成分的情况下，其配合量，相对于(a)成分100质量份，优选为50～500质量份、更优选为60～350质量份、进一步优选为70～250质量份。(f)成分的配合量，在不足50质量份或超过500质量份的情况下，有得不到期望的粘附性的情况。此外，(f)成分本身在室温下为固体或粘稠的液体，但也可以溶解在溶剂中的状态使用。这种情况下，组合物的添加量要去除溶剂部分来决定。(g)有机过氧化物系化合物通过有机过氧化物而进行的有机硅组合物的固化反应，是通过在有机过氧化物系化合物的存在下，使具有乙烯基等链烯基的直链状有机聚硅氧烷与在分子链末端(一端或两端)及分子链非末端的任何一方或双方自由基聚合而生成。作为(g)成分的有机过氧化物系化合物，可列举二酰基过氧化物、二烷基过氧化物等。有机过氧化物系化合物，由于在光或热下不稳定，难以将固体的有机过氧化物系化合物分散在组合物中，因此以稀释在有机溶剂中，或分散在有机硅成分中的状态来使用的情况比较多。有机过氧化物系化合物的配合量，相对于(f)有机硅树脂100质量份，通过有机过氧化物换算，优选设定为0.1～2质量份，更优选设定为0.1～1.6质量份。配合量若过少则有可能固化反应不充分进行，相反若过多则有可能损害组合物的稳定性。(h)表面处理剂此外，在有机硅组合物中，除了上述成分，还可以添加表面处理剂。该表面处理剂是在制备组合物时，对(b)成分的导热性填充剂进行疏水化处理而使其与组合物(a)中的(a)成分的有机聚硅氧烷或组合物(b)中的(f)成分的有机硅树脂的润湿性提高，用于使该导热性填充剂在(a)成分或(f)成分组成的基质中分散均匀的物质。作为该表面处理剂，优选以下的(h-1)及(h-2)成分。(h-1)通过下述通式(2)表示的烷氧基硅烷化合物r2mr3nsi(or4)4-m-n(2)(在式(2)中，r2独立地是碳原子数为6～15的烷基、r3独立地是未取代或取代的碳原子数为1～8的一价烃基、r4独立地是碳原子数为1～6的烷基，m是1～3的整数，n为0、1或2，m+n为1～3的整数。)(h-2)通过下述通式(3)表示的、支链一端的末端被三烷氧基硅烷基封端的二甲基聚硅氧烷。上述通式(3)中，r5独立地是碳原子数为1～6的烷基，与上述式(2)中的r4表示的烷基是相同种类的基团。此外，k是5～100的整数。首先，对(h-1)成分进行说明。作为上述通式(2)中的r2表示的烷基，例如可列举己基、辛基、壬基、癸基、十二烷基、十四烷基等。这样通过r2表示的烷基的碳原子数若在6～15的范围内，则可以充分提高(b)成分的导热性填充剂的润湿性，处理使用性变好，使得组合物成为低温特性良好的物质。另外，作为通过上述r3表示的未取代或取代的一价烃基，例如，可列举甲基、乙基、丙基、己基、辛基等烷基；环戊基、环己基等环烷基；乙烯基、丙烯基等链烯基；苯基、甲苯基等芳基；2-苯基乙基、2-甲基-2苯基乙基等芳烷基；3，3，3-三氟丙基、2-(九氟丁基)乙基、2-(十七氟辛基)乙基、对氯苯基等卤化烃基等。在本发明中，在这些当中，特别优选甲基及乙基。作为上述r4所示的烷基，例如可列举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等。在本发明中，在这些当中特别优选甲基及乙基。作为上述(h-1)成分的优选的具体例子，可以列举以下的物质。c6h13si(och3)3c10h21si(och3)3c12h25si(och3)3c12h25si(oc2h5)3c10h21si(ch3)(och3)2c10h21si(c6h5)(och3)2c10h21si(ch3)(oc2h5)2c10h21si(ch＝ch2)(och3)2c10h21si(ch2ch2cf3)(och3)2上述(h-1)成分，可以单独一种使用，也可以两种以上组合使用。(h-1)成分的配合量即使超过后述的配合量也没有更大的润湿效果，因此不经济。此外，该成分为挥发性，在开放体系下放置则组合物及固化后的固化物会逐渐变硬，优选使用所需要的最低含量。接着，对(h-2)成分进行说明。作为上述(h-2)成分的优选的具体例子，可以列举以下的物质。此外，(h-2)成分可以单独使用一种也可以两种以上组合使用。该(h-2)成分的配合量若超过后述的配合量，则得到的固化物的耐热性或耐湿性有下降的趋势。在本发明中，作为(b)成分的表面处理剂，可以使用选自上述(h-1)成分和(h-2)成分组成的组中的至少一种。该情况下，在组合物(a)中，全部(h)成分的配合量，相对于(a)成分100质量份计，优选为0.01～50质量份，特别优选为0.1～30质量份。另外，在组合物(b)中，全部(h)成分的配合量，相对于(f)成分100质量份计，优选为0.01～50质量份，特别优选0.1～30质量份。在本发明中，作为其他的任意成分，例如可以添加氟改性有机硅表面活性剂、作为着色剂的炭黑、二氧化钛等。进一步的，为了防止导热性填充剂的沉淀及补强，也可以适宜添加沉淀型二氧化硅或煅烧二氧化硅等二氧化硅微粉、触变性提高剂等。导热性有机硅组合物，可以通过将上述的(a)～(d)成分或(b)、(f)、(g)成分以及根据需要添加的其他成分按照常规方法混合制备而成。此外，作为导热性有机硅组合物的固化条件，与公知的加成反应固化型有机硅橡胶组合物或有机过氧化物固化型有机硅橡胶组合物相同。以下，示出散热片10的实施例及对比例。但是，本发明并不仅限于以下的实施例。在实施例及对比例的说明中，以下描述导热性复合片的成型方法。(导热层)铝箔：厚度为50μm，面方向的导热率为236w/mk铜箔：厚度为30μm，面方向的导热率为398w/mk(在导热层上层叠有热辐射层的热辐射片)(i-1)：将50μm厚的赛拉科α(セラックα)(热辐射层；热辐射率为0.96、含有平均粒径为5μm的氧化铝的有机硅树脂、赛拉密(セラミッション)株式会社制造)层叠在铝箔上(导热层；厚度为50μm)而成的热辐射片(i-2)将30μm厚的赛拉科α(セラックα)(热辐射层；热辐射率为0.96、赛拉密(セラミッション)株式会社制造)层叠在铝箔上(导热层；厚度为30μm)而成的热辐射片(i-3)morgensheetmg01-s((株)浅利电机制造；在厚度为60μm、导热率为230w/mk的铝箔上层叠厚度为30μm、热辐射率为0.99的热辐射性聚乙烯树脂(含有平均粒径为1μm的石墨的聚乙烯树脂)而成的热辐射片)(导热性有机硅树脂层(基部))(ii-1)～(ii-4)：具有下表所示的askerc硬度及导热率的导热性有机硅树脂层(基部)。通过贴合上述热辐射片和上述导热性有机硅树脂层(基部)得到导热性复合片(辐射片)。为了进行对比，将(ii-5)没有导热性的有机硅树脂层(导热率为0.16w/mk)、(ii-6)导热性有机硅两面胶带(导热率为1.0w/mk)、(ii-7)丙烯酸两面粘附胶带也与热辐射片贴合使用。以下示出构成上述树脂层(ii-1)～(ii-7)的组合物的(ii-1)～(ii-7)的组成。(a)含有链烯基的有机聚硅氧烷为下述通式所示x是有乙烯基的有机聚硅氧烷，p是该有机聚硅氧烷在25℃下的动态黏度为下述值时的数。(a-1)粘度：600mm2/s(a-2)粘度：30,000mm2/s(b)导热性填充剂(b-1)平均粒径为30μm的氢氧化铝粉(b-2)平均粒径为50μm的氧化铝粉(b-3)平均粒径为10μm的氧化铝粉(c)有机氢化聚硅氧烷由下述通式(5)表示的有机氢化聚硅氧烷。(平均聚合度：q＝28、r＝2)(d)铂系化合物5质量％氯化铂酸2-乙基己醇溶液(e)反应调节剂乙炔基亚甲基甲醇(f)有机硅树脂仅由me3sio0.5单元(m单元)和sio2单元(q单元)组成的有机硅树脂(me表示甲基。m/q摩尔比为1.15)的甲苯溶液(不挥发部分为60质量％，粘度为30mm2/s)(h)表面处理剂由下述通式(6)表示的、平均聚合度为30的一端末端为三甲氧基硅烷基封端的二甲基聚硅氧烷。表1有机硅组合物(ii-5)以质量比为65/20/0.05/0.15/0.1/14.7包含以下的(一)～(六)的有机硅粘附材料组合物(一)仅由me3sio0.5单元(m单元)和sio2单元(q单元)组成的有机硅树脂(me表示甲基。m/q摩尔比为1.15)的甲苯溶液(不挥发部分为60质量％，粘度为30mm2/s)(二)平均聚合度为8,000的由二甲基乙烯基在两端封端的二甲基聚硅氧烷(三)乙炔基亚甲基甲醇(四)在式(5)中q＝1、r＝40的有机氢化聚硅氧烷(五)5质量％的氯化铂酸2-乙基己醇溶液(六)甲苯组合物(ii-7)以97/3/0.03的比例包含以下(七)～(九)的丙烯酸树脂组合物(七)2-丙烯酸乙基己酯(八)丙烯酸(九)乙二醇二丙烯酸酯此外，上述的树脂组合物使用行星搅拌机混炼而得。树脂层的成型方法(ii-1)～(ii-3)：将得到的组合物流入到经过氟处理的膜中，使用模具进行120℃/10分钟的冲压固化得到预定的厚度。(ii-4)～(ii-6)：将得到的组合物涂覆在经过氟处理的膜上，使其达到预定的厚度，通过80℃/10分钟使得溶剂干燥，经过120℃/10分钟使其固化。(ii-7)：将得到的组合物涂覆在经过氟处理的膜上，通过中心波长为360nm的紫外线灯的照射，使其固化。复合片的评价方法如下表中所示，将各种热辐射片和各种树脂层贴合来制备复合片，使用以下的评价方法进行评价。对大小为30×120mm的厚度为2mm的铝板上施加15w的电力进行加热，当到达一定温度(64～66℃)时，在铝板上贴附大小为30×100mm的复合片，测定一分钟后的铝板的温度。这里，测定环境为25±2℃，湿度为50％±5％。实施例1～7，对比例1～5如实施例1～7，通过在面内的导热率为200w/mk以上的导热层上层叠厚度为10～100μm、优选热辐射率为0.80以上的热辐射层而成的热辐射片的导热层一侧上，层叠0.2mm以上的厚度且硬度在askerc40以下、优选导热率为1.4w/mk以上的导热性有机硅树脂层，可以得到降低热源温度的效果。特别是，导热性有机硅层的导热率越高且厚度越厚，则其对热源温度的降低效果越好。如对比例1、2所示，若在热辐射片上层叠导热率非常低的有机硅树脂层，则无法将从热源散发出的热有效地传递到热辐射层。如对比例2、4所示，若askerc硬度超过40则使得温度降低的效果变差。如对比例5所示，若使用丙烯酸制的两面粘附胶带，则从热源散发出的热不仅无法有效地传递到导热层，并且由于与有机硅树脂相比丙烯酸树脂耐热性差，因此在与热源直接接触之处使用时，对其长期使用的可靠性有疑问。表2实施例1234567热辐射片i-1i-2i-3i-3i-3i-3i-3导热性有机硅树脂层ii-1ii-2ii-1ii-3ii-3ii-4ii-4导热性有机硅树脂层的厚度(mm)0.53.00.50.53.00.53.01分钟后的温度(℃)60505859495748表3对比例12345热辐射片i-1i-2i-1i-2i-1树脂层ii-5ii-5ii-6ii-6ii-7树脂层的厚度(mm)0.10.10.30.10.11分钟后的温度(℃)6362626263接着，关于使用了具有该构造的散热片10的机器的散热方法，参照图3～图5进行说明。图3是图2所示的控制台100的内部结构的一个例子。如图3所示，在控制台100的内部，搭载有各种电路基板、变压器、电源、伺服放大器、电动机等多个作为发热源的部件。以往，为了释放由这样的电路基板等产生的热，使用空调、冷却风扇、散热器等冷却装置。但是，这些冷却装置，有不容易维护，且不能不考虑运行成本，此外还需要较大的设置空间的问题。但是，在本实施的方式中，如图3所示，通过将上述的散热片10贴附在控制台100的例如框体的壁面101的表面与背面上，按照夹住壁面101的方式相对贴附，从而冷却控制台100。图4是表示散热片10的贴附方法、贴附部分的示意图。在该实施方式中，准备了2枚散热片10a、10b(步骤s1)。之后，散热片10a贴附在壁面101的表面上(步骤s2)，另外的散热片10b贴附在壁面101的背面的、隔着壁面101而与散热片10a相对的位置上(步骤s3)。此时，散热片10a及10b的导热性基部13一侧均贴向壁面101一侧。如以上那样，通过将散热片10a及10b贴附在壁面101上，可以进行控制台100的散热。此外，散热片10的面积优选设定为，例如比散热对象的发热部分(例如伺服放大器)大得多的面积，例如10倍以上的面积。由此，可以进一步地提高散热效果。以下，对于本实施的散热方法的作用进行说明。(1)从控制台100的内部的发热源散发的热向壁面101辐射后，在壁面101背面贴附的散热片10a的热辐射层11b将该热吸收。(2)该热辐射层11b吸收的热，传导到导热层12b，进一步传递到导热性基部13b。(3)导热性基部13b，将从导热层12b传递来的热，通过壁面101，传递到在壁面101表面一侧贴附的散热片10a。(4)散热片10a的导热性基部13a吸收从壁面101传导来的热。(5)被导热性基部13a吸收的热，向导热层12a传导。(6)之后，从导热层12a传导来的热，进一步向热辐射层11a传导，向外部释放。通过以上(1)～(6)的热移动，将控制台100的内部的热向外部释放，控制台100的内部的温度降低。该散热片，通过上述材料形成，在能长时间持续该效果的同时，不需要进行如在散热器中需要进行的硅润滑脂的涂覆等的保养。因此，通过使用该散热片的散热方法，可以在低成本且不进行繁杂保养下，进行对机器的散热。此外，在壁面101的表面及背面上，按照隔着壁面101的方式而相对配置的散热片10a、10b，优选至少一部分重叠贴附。理想的是，如图4所示，完全重叠为好。如图5所示，散热片10a及10b即使仅仅一部分重叠，也能得到一定的效果。此外，散热片10a、10b，可以仅在控制台100的框体的一个壁面101的表面/背面贴附，也可以如图6所示，在顶板及多个侧壁上贴附。如果有可能，也可以在框体的底板的里外贴附。如上述所述，在控制台100的内部，搭载有各种电路基板、变压器、电源、伺服放大器、电动机等多个作为发热源的部件。由此，通过在位于这些各种作为发热源的部件附近的框体壁面的里外贴附散热片10a、10b，可以不通过空调、冷却风扇、散热器等冷却装置就将控制台冷却。本实施方式的散热方法，不仅限于示例所示的控制台，对于内部具有作为发热源的内置部件，特别是含有多个这样的内置部件的机器也起效果。以上，对于具有框体的控制台100的散热方法进行了说明。但是，本发明的散热方法，并不仅限于具有这样框体的机器的散热。例如如图7所示，在是具有发热源的电子基板102的情况下，在其电子基板102的发热部分(例如cpu103)上直接贴附散热片10，也可以对该电子基板102进行冷却。该情况下，散热片10的面积，例如优选设定为作为散热对象的发热部分(例如cpu103)的10倍以上的面积。由此，可以进一步地提高散热效果。图8是表示使用本实施方式的散热片的散热方法的效果的图表。横轴表示从控制台100开始运行起所经过的时间，纵轴表示控制台100内的温度。为了进行对比，将(a)冷却风扇等冷却装置设为off的情况和(b)将冷却装置设为on的情况的温度变化一起表示。将冷却装置设为off、冷却装置不发挥功能的状态((a))下，控制台100内的温度缓慢上升，从运行开始120分钟后，比开始运行前上升了约12度。另一方面，将冷却装置设为on的情况下，虽然抑制了温度上升的程度，但是从运行开始120分钟后，还是比开始运行前上升了近10度。与之相比，使用本实施方式的散热片的情况下，与使用冷却装置的情况相比，抑制了接近一半的温度的上升。而且，使用散热片的散热方法，有成本低、并且基本不需要保养的优点。以上，对本发明的几个实施方式进行了说明，但是这些的实施方式仅作为示例来演示，并不作为对发明范围的限定。这些新的实施方式也可以通过其他的各种方式进行实施，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及变形，在被发明范围及主旨包含的同时，也被包含在与权利要求的范围中记载的发明均等的范围中。符号说明10散热片11热辐射层12导热层13导热性基部100控制台(电子设备)101壁面102电路基板103cpu当前第1页12