1.一种新型可控硅触发装置，其组成包括：可控硅触发信号端，其特征是：所述的可控硅触发信号端分别连接电阻R1和三极管Q1，所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1，所述的三极管Q1连接电阻R2，所述的二极管D1连接二极管D2，所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1和过零触发光耦U2，所述的电容C1接地，所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1，所述的过零触发光耦U1连接+12V电源，所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路。
2.根据权利要求1所述的新型可控硅触发装置，其特征是：可控硅触发信号端经过电阻R1降压后,供给三极管Q1的b级使其导通，并通过二极管D1和二极管D2形成基本稳定的1.4V电压值，控制信号的主电流经三极管Q1的ce级和电阻R2输入到过零触发光耦U2中，当电流经过电阻R2产生的电压降超过0.7V时，三极管Q1的Vbe达不到保持导通的0.7V，于是三极管Q1关断；电阻R2选择合适阻值，使得流经过零触发光耦U1和过零触发光耦U2的电流能够保证其正常工作。