一种微波扫频装置的制作方法

本实用新型涉及微波技术领域，特别涉及一种微波扫频装置。

背景技术：

微波等离子体灯，是上世纪九十年代刚刚出现的一种新型的环保节能灯，它具有光效较高、光感舒适，超长寿命、光衰较小、节约能源，更加环保，性能稳定等特性。LEP( Light Emitting Plasma，等离子光源)由于其热光源的发光特性，决定了其光谱分布接近太阳光光谱，是国际公认的高效、节能、高品质光源。

虽然第一代LEP在光效和光谱方面都有非常大的优势，但基于磁控管技术第一代微波等离子体灯因体积庞大，结构复杂、故障率高等弊端没有得到很好的发展，近年来随着半导体技术的发展，使微波LEP技术重新进入人们的视野，并极有发展潜力。

第二代LEP最重要的问题就是要解决大功率频率源的问题，并且频率源能适应不同负载条件下的应用，目前在LEP方面的技术大都采用射频发生VCO/PLL、功率放大器及控制模块MCU的架构，可参考电子科技大学硕士论文—《微波等离子体灯射频源研究》，华东师范大学硕士论文《小型微波等离子体功率源研究》。公开号CN103731141A名称为《一种基于锁相环的微波等离子体灯扫频源系统》的专利，该基于锁相环的微波等离子体灯扫频源系统包括：输出电路单元，连接芯片电路单元，用于差分输出或单端输出，得到所需的输出功率；环路滤波器电路单元，连接芯片电路单元，用于滤除鉴相器输出中的高频部分；芯片电路单元，连接输出电路单元和环路滤波器电路单元，内部集成了鉴相器、压控振荡器和分频器，用于对扫频信号的分频、鉴相、压控振荡，实现扫频信号的稳定输出。该系统的环路滤波器电路单元及芯片电路单元实现了频率发生器的功能，输出电路单元实现了功率放大器的功能。

但是在实际工程应用上，常常发生反馈不灵敏或不能调节吸收频率的问题因此，一款能便于反馈和能调节吸收频率的微波扫频装置正是目前所需。

技术实现要素：

本实用新型为克服上述现有技术所述的至少一种缺陷（不足），提供一种微波扫频装置。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案如下：一种微波扫频装置，包括频率信号源、信号放大器及分析系统，还包括反馈控制器、光电探测器和吸收频率控制器；

所述频率信号源一端通过信号放大器与分析系统相连接；另一端通过分析系统和吸收频率控制器与光电探测器相连接；

所述反馈控制器首尾两端分别与光电探测器和吸收频率控制器相连接，通过光电探测器和吸收频率控制器，能实现微波等离子体灯的光电调节控制，而利用信号放大器与分析系统，能分析放大了的信号，并通过反馈控制器，实现反馈调节。

进一步的，所述光电探测器包括第一耦合器、第二耦合器、与第一耦合器相连接的第一探测器、与第二耦合器相连接的第二探测器及光电比较电路，所述第一探测器通过光电比较电路与第二探测器相连接，通过探测器与耦合器的连接，可以快速将探测到的信号传递到耦合器中，而通过光电比较电路，能对比出光电的转化比率。

更进一步的，所述第一耦合器和第二耦合器外围设有绝缘块，通过外围的绝缘块，能使得第一耦合器和第二耦合器的绝缘性更好。

进一步的，所述第一耦合器为前向微带耦合器，第二耦合器为反向微带耦合器，通过前向微带耦合器和反向微带耦合器的配合正反测量，能使得测量的数据更加准确，使得数据能得到有效的反馈。

更进一步的，所述吸收频率控制器包括光频吸收半导体和调频控制器，所述光频吸收半导体与调频控制器相连接，通过调频控制器调节光频吸收半导体的吸收率，能调节微波等离子体灯的光电转换率。

进一步的，所述分析系统为数据分析中央处理器，通过数据分析中央处理器，能集中处理信息。

更进一步的，所述信号放大器包括放大元件、第一晶体管、第二晶体管和线圈，所述放大元件两端分别通过线圈与第一晶体管、第二晶体管相连接，通过第一晶体管、第二晶体管和放大元件，能实现电路信号的发大，能更好的分析数据。

进一步的，所述反馈控制器包括正弦反馈振荡器、反馈MCU和积分放大器，所述反馈MCU一端与积分放大器相连接，另一端与正弦反馈振荡器相连接，通过积分放大器可以有效的放大反馈的信息，而利用正弦反馈振荡器，可以快速判断电流的波值，而通过反馈MCU，进行反馈控制。

与现有技术相比，本实用新型技术方案的有益效果是：

本实用新型公开的微波扫频装置，通过光电探测器和吸收频率控制器，能实现微波等离子体灯的光电调节控制，而利用信号放大器与分析系统，能分析放大了的信号，并通过反馈控制器，实现反馈调节。

附图说明

图1是现有技术中微波等离子体灯频率源的结构示意图；

图2是本实用新型中微波扫频装置的结构示意图；

图3是光电比较电路图。

图中，1为频率发生器、2为功率放大器、3为MCU电路、4为频率信号源、5为信号放大器、6为分析系统、7为反馈控制器、8为吸收频率控制器、9为第一耦合器、10为第二耦合器、11为第一探测器、12为第二探测器、13为光电比较电路、14为光电探测器。

具体实施方式

附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接连接，可以说两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型的具体含义。下面结合附图和实施例对本实用新型的技术方案做进一步的说明。

如图1所示，为现有技术中的微波等离子体灯频率源的结构示意图，通过频率发生器1、功率放大器2和MCU电路3，实现微波等离子体灯频率源的调节和反馈。

如图2-3所示，本实用新型公开一种微波扫频装置，包括频率信号源4、信号放大器5及分析系统6，反馈控制器7、光电探测器14和吸收频率控制器8；频率信号源4一端通过信号放大器5与分析系统7相连接；另一端通过分析系统7和吸收频率控制器8与光电探测器14相连接；反馈控制器首尾两端分别与光电探测器14和吸收频率控制器8相连接，通过光电探测器和吸收频率控制器8，能实现微波等离子体灯的光电调节控制，而利用信号放大器与分析系统，能分析放大了的信号，并通过反馈控制器，实现反馈调节。

其中，光电探测器包括第一耦合器9、第二耦合器10、与第一耦合器9相连接的第一探测器11、与第二耦合器10相连接的第二探测器12及光电比较电路13，第一探测器9通过光电比较电路13与第二探测器12相连接，通过探测器与耦合器的连接，可以快速将探测到的信号传递到耦合器中，而通过光电比较电路13，能对比出光电的转化比率。除此之外，在第一耦合器9和第二耦合器10外围设有绝缘块，通过外围的绝缘块，能使得第一耦合器和第二耦合器的绝缘性更好。

在本实用新型中，第一耦合器9为前向微带耦合器，第二耦合器10为反向微带耦合器，通过前向微带耦合器和反向微带耦合器的配合正反测量，能使得测量的数据更加准确，使得数据能得到有效的反馈，而吸收频率控制器8包括光频吸收半导体和调频控制器，光频吸收半导体与调频控制器相连接，通过调频控制器调节光频吸收半导体的吸收率，能调节微波等离子体灯的光电转换率。

在本实用新型中，分析系统为数据分析中央处理器，通过数据分析中央处理器，能集中处理信息，而信号放大器包括放大元件、第一晶体管、第二晶体管和线圈，放大元件两端分别通过线圈与第一晶体管、第二晶体管相连接，通过第一晶体管、第二晶体管和放大元件，能实现电路信号的发大，能更好的分析数据。

此外，反馈控制器包括正弦反馈振荡器、反馈MCU和积分放大器，所述反馈MCU一端与积分放大器相连接，另一端与正弦反馈振荡器相连接，通过积分放大器可以有效的放大反馈的信息，而利用正弦反馈振荡器，可以快速判断电流的波值，而通过反馈MCU，进行反馈控制。

图中，描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。