一种超低频石英晶体谐振器的制作方法

本实用新型涉及于谐振器技术领域，具体而言，涉及一种石英晶体谐振器。

背景技术：

石英晶体谐振器是利用α-石英(α-Si02)的压电效应制成的频率控制元器件。石英晶体谐振器具有频率精度高，输出频率相对稳定的特性，它是一种用于稳定频率和选择频率的重要频率元器件。在无线通讯、有线通讯，卫星通讯、导航、电子测量仪器、钟表、汽车等各种军用和民用产品中广泛应用。目前在市场上，大部分石英晶体谐振器生产工艺复杂，能耗高，周期长，制造成本高。

技术实现要素：

针对上述问题，本实用新型提供了一种超低频石英晶体谐振器。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种超低频石英晶体谐振器，包括由外壳和基座构成的壳体，其特征在于：所述壳体内安装有石英晶片、支架和导电胶，所述石英晶片表面镀有双层膜结构，在石英晶片表面镀有一层Cr膜，再镀上银膜，所述支架采用弹簧，所述石英晶片安装在弹簧顶端，石英晶片和弹簧接触处点有用于固定的导电胶，所述弹簧末端固定在绝缘子上，绝缘子贯穿在基座上，绝缘子中心处增设有引脚。

进一步的，所述石英晶片为正方形，尺寸为8mm*8mm。

进一步的，所述石英晶片呈现中间厚周边薄的形状。

进一步的，所述Cr膜为20A。

进一步的，所述弹簧、绝缘子和导电胶均为两组。

进一步的，所述外壳和基座在真空状态下进行封装。

由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优点：

1、本实用新型提供的一种超低频石英晶体谐振器，通过对晶片研磨后，使其呈现出中间厚两边薄的形状，使晶片的活力得到提升。

2、本实用新型提供的一种超低频石英晶体谐振器，通过利用溅射镀膜机在芯片表面先镀上一层20A的Cr膜后再镀上适当厚度的银膜，采用电极为7.10*7.10mm双层膜设计，以达到提高金属膜与芯片的附着力。

3、本实用新型提供的一种超低频石英晶体谐振器，采用支架为弹簧设计，利用自动上架点胶机将芯片安装并点上导电胶，已达到减少芯片受到的应力同时降低电阻。

4、采用真空封装的工艺，对石英晶体谐振器在1×10-1Pa真空状态下进行封装，以达到减少芯片振动阻力。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型一种超低频石英晶体谐振器的结构示意图；

图2为本实用新型一种超低频石英晶体谐振器的石英晶片剖视结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例

参考图1、图2，一种超低频石英晶体谐振器，包括由外壳1和基座2构成的壳体，壳体内安装有石英晶片3、支架和导电胶5，石英晶片3表面镀有双层膜结构，在石英晶片3表面镀有一层Cr膜6，再镀上银膜7，支架采用弹簧4，石英晶片3安装在弹簧4顶端，石英晶片3和弹簧4接触处点有用于固定的导电胶5，弹簧末端固定在绝缘子8上，绝缘子8贯穿在基座2上，绝缘子中心处增设有引脚9。

石英晶片3为正方形，尺寸为8mm*8mm。

石英晶片3呈现中间厚周边薄的形状。

通过利用溅射镀膜机在芯片表面先镀上一层20A的Cr膜后再镀上适当厚度的银膜，采用电极为7.10*7.10mm双层膜设计。

弹簧4、绝缘子8和导电胶5均为两组。

外壳1和基座2在真空状态下进行封装。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。