一种新型IGBT驱动装置的制作方法

本实用新型是一种新型IGBT驱动装置，属于半导体技术领域。

背景技术：

绝缘栅双极晶体管IGBT安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，自关断、开关频率高(10-40kHz)的特点，是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。IGBT的驱动和保护是其应用中的关键技术。开关电源中大功率器件驱动电路的设计一向是电源领域的关键技术之一。普通大功率三极管和绝缘栅功率器件(包括VMOS场效应管和IGBT绝缘栅双极性大功率管等),由于器件结构的不同,具体的驱动要求和技术也大不相同。前者属于电流控制器件,要求合适的电流波形来驱动；后者属于电场控制器件,要求一定的电压来驱动。

现有技术公开申请号为CN201220605668.5的一种IGBT驱动装置，其包括：控制器，所述控制器具有第一输出端和第二输出端，并分别通过所述第一输出端和第二输出端输出第一控制信号和第二控制信号；第一驱动器，所述第一驱动器与所述控制器相连，所述第一驱动器根据所述第一控制信号产生第一驱动信号；第二驱动器，所述第二驱动器与所述控制器和所述第一驱动器相连，所述第二驱动器根据所述第一驱动信号和所述第二控制信号产生第二驱动信号以驱动IGBT。该IGBT驱动装置能够保护IGBT不会误导通而损坏，提高了可靠性。但是，现有技术由于没有对驱动装置进行可控的导通和关断处理，在过电压、过电流的情况下设备容易被损坏，安全性能与稳定性能不足。

技术实现要素：

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种新型IGBT驱动装置，以解决现有技术由于没有对驱动装置进行可控的导通和关断处理，在过电压、过电流的情况下设备容易被损坏，安全性能与稳定性能不足的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种新型IGBT驱动装置，其结构包括控制器、驱动底座、固定孔、驱动电路板、可控硅、三相IGBT模块、输出端，所述控制器与驱动底座采用面与面贴合的方式相连接，所述驱动底座垂直连接于控制器的下端表面，所述固定孔嵌入于驱动底座的上表面，所述驱动电路板通过电固定连接于驱动底座的上表面，所述可控硅固定连接于驱动电路板的内部，所述可控硅由硅晶体闸流管、连接口、金属接触片组成，所述连接口嵌入于硅晶体闸流管的上端表面，所述金属接触片均匀垂直排列于硅晶体闸流管的前端表面，所述可控硅通过金属接触片与驱动电路板相连接，所述三相IGBT模块通过电垂直连接于驱动电路板的上表面，所述输出端嵌入于三相IGBT模块的内部。

进一步的，所述控制器的左部上表面嵌入有活动连接孔，所述控制器的右部上表面垂直连接有连接头，所述连接头的表面贯穿有连接孔。

进一步的，所述活动连接孔的形状为椭圆形。

进一步的，所述驱动电路板是长度为30mm的矩形。

进一步的，所述金属接触片的数量为3-4个。

进一步的，所述驱动电路板与三相IGBT模块的数量均为3个。

进一步的，所述硅晶体闸流管的形状为螺栓形/平板形。

本实用新型的有益效果：通过设有可控硅，可以对驱动装置进行可控的导通和关断处理，避免过电压、过电流对设备产生影响，保证了设备的可靠工作，有效提高了设备的安全性能与稳定性能。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型一种新型IGBT驱动装置的结构示意图。

图2为本实用新型可控硅的结构示意图。

图中：控制器-1、驱动底座-2、固定孔-3、驱动电路板-4、可控硅-5、三相IGBT模块-6、输出端-7、硅晶体闸流管-50、连接口-51、金属接触片-52、活动连接孔-10、连接头-11、连接孔-12。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

请参阅图1-图2，本实用新型提供一种新型IGBT驱动装置，其结构包括控制器1、驱动底座2、固定孔3、驱动电路板4、可控硅5、三相IGBT模块6、输出端7，所述控制器1与驱动底座2采用面与面贴合的方式相连接，所述驱动底座2垂直连接于控制器1的下端表面，所述固定孔3嵌入于驱动底座2的上表面，所述驱动电路板4通过电固定连接于驱动底座2的上表面，所述可控硅5固定连接于驱动电路板4的内部，所述可控硅5由硅晶体闸流管50、连接口51、金属接触片52组成，所述连接口51嵌入于硅晶体闸流管50的上端表面，所述金属接触片52均匀垂直排列于硅晶体闸流管50的前端表面，所述可控硅5通过金属接触片52与驱动电路板4相连接，所述三相IGBT模块6通过电垂直连接于驱动电路板4的上表面，所述输出端7嵌入于三相IGBT模块6的内部，所述控制器1的左部上表面嵌入有活动连接孔10，所述控制器1的右部上表面垂直连接有连接头11，所述连接头11的表面贯穿有连接孔12，所述活动连接孔10的形状为椭圆形，所述驱动电路板4是长度为30mm的矩形，所述金属接触片52的数量为3-4个，所述驱动电路板4与三相IGBT模块6的数量均为3个，所述硅晶体闸流管50的形状为螺栓形/平板形。

本专利所说的可控硅是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

使用时，首先检查各部分是否稳固连接，确认设备完好之后，将设备放置在合适的位置，将设备与变频电源、电机调速器进行连接，之后该设备即可开始正常工作。

本实用新型的控制器-1、驱动底座-2、固定孔-3、驱动电路板-4、可控硅-5、三相IGBT模块-6、输出端-7、硅晶体闸流管-50、连接口-51、金属接触片-52、活动连接孔-10、连接孔-12，部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知，本实用新型解决的问题是现有技术由于没有对驱动装置进行可控的导通和关断处理，在过电压、过电流的情况下设备容易被损坏，安全性能与稳定性能不足，本实用新型通过上述部件的互相组合，通过设有可控硅，可以对驱动装置进行可控的导通和关断处理，避免过电压、过电流对设备产生影响，保证了设备的可靠工作，有效提高了设备的安全性能与稳定性能，具体如下所述：

所述可控硅5固定连接于驱动电路板4的内部，所述可控硅5由硅晶体闸流管50、连接口51、金属接触片52组成，所述连接口51嵌入于硅晶体闸流管50的上端表面，所述金属接触片52均匀垂直排列于硅晶体闸流管50的前端表面，所述可控硅5通过金属接触片52与驱动电路板4相连接，所述三相IGBT模块6通过电垂直连接于驱动电路板4的上表面。

本实用新型的实施例1中，所述金属接触片的数量为3个，所述硅晶体闸流管的形状为螺栓形；

本实用新型的实施例2中，所述金属接触片的数量为4个，所述硅晶体闸流管的形状为平板形。

综上所述，当本实用新型的金属接触片的数量采用4个，硅晶体闸流管的形状采用平板形时，本实用新型的可控性较强，响应速度达到最佳状态。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。