本发明涉及一种表面处理铜箔、带载体的铜箔、层压体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。
背景技术：
历经这半个世纪，印刷配线板得到了很大的进步，如今已达到在几乎所有的电子机器中使用的程度。随着近年来的电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化进步，对印刷配线板要求优异的高频对应。
高频用基板中，为了确保输出信号的品质，要求传输损耗降低。传输损耗主要包括由树脂(基板侧)引起的介电损耗、与由导体(铜箔侧)引起的导体损耗。树脂的介电常数及介电损耗角正切变得越小，介电损耗越减少。高频信号中，导体损耗的主要原因为：由于频率变得越高，电流越是仅在导体的表面流通的表皮效果，电流流通的截面积减少，电阻升高。
作为以降低高频用铜箔的传输损耗为目的的技术，例如，在专利文献1中公开了如下的高频电路用金属箔，其在金属箔表面的单面或两面被覆银或银合金，在该银或银合金被覆层上，以比上述银或银合金被覆层的厚度薄厚度施加有银或银合金以外的被覆层。而且记载有，借此可提供在卫星通信中所使用的超高频区域中也减小由表皮效果引起的损耗的金属箔。
另外，专利文献2中公开了如下的高频电路用粗糙化处理压延铜箔，其特征在于：压延铜箔的再结晶退火后的压延面上的通过x射线衍射来求出的(200)面的积分强度(i(200))相对于微粉末铜的通过x射线衍射来求出的(200)面的积分强度(i0(200))，为i(200)/i0(200)＞40，对该压延面进行通过电镀的粗糙化处理后的粗糙化处理面的算术平均粗糙度(以下设为ra)为0.02μm～0.2μm，十点平均粗糙度(以下设为rz)为0.1μm～1.5μm，且上述高频电路用粗糙化处理压延铜箔为印刷电路基板用原材料。而且记载有，借此能够提供可在超过1ghz的高频率下使用的印刷电路板。
进而，专利文献3中公开了如下的电解铜箔，其特征在于：铜箔的表面的一部分为由瘤状突起构成的表面粗糙度为2μm～4μm的凹凸面。而且记载有，借此可提供高频传输特性优异的电解铜箔。
进而，专利文献4中公开了如下的表面处理铜箔，其是在至少一个表面形成有表面处理层的表面处理铜箔，并且表面处理层包含粗糙化处理层，表面处理层中的co、ni、fe的合计附着量为300μg/dm2以下，表面处理层具有zn金属层或者包含zn的合金处理层，表面处理层表面的以激光显微镜来测定的三维表面积相对于二维表面积的比为1.0～1.9，至少一个表面的表面粗糙度rzjis为2.2μm以下，在两表面形成有上述表面处理层，且上述两表面的表面粗糙度rzjis为2.2μm以下。而且记载有，借此可提供即便用于高频电路基板也良好地抑制传输损耗的表面处理铜箔。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利第4161304号公报
[专利文献2]日本专利第4704025号公报
[专利文献3]日本特开2004-244656号公报
[专利文献4]日本专利第5710737号公报。
技术实现要素：
[发明所要解决的问题]
关于在高频电路基板中使用时的铜箔的传输损耗的控制，虽如上所述进行了多种研究，但仍然留有很大的开发余地。另外，在高频电路基板制造时存在利用酸等对电路(铜配线)进行软蚀刻的情况，因此也依然期待铜箔的耐酸性提高。
[解决问题的技术手段]
本发明者们发现，在具有铜箔以及在铜箔的一个或两个面具有包含粗糙化处理层的表面处理层的表面处理铜箔中，通过控制表面处理层中的ni的含有比率、以及表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz，则即便用于高频电路基板，也可良好地减少传输损耗，且耐酸性变得良好。
本发明是以上述见解为基础来完成，一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、以及在上述铜箔的一个或两个面具有包含粗糙化处理层的表面处理层，上述表面处理层包含ni，上述表面处理层中的ni的含有比率为8质量％以下(0质量％除外)，且上述表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz为1.4μm以下。
本发明的表面处理铜箔在一实施形态中，上述表面处理层的合计附着量为1.0～5.0g/m2。
本发明的表面处理铜箔在另一实施形态中，上述表面处理层包含co，且上述表面处理层中的co的含有比率为15质量％以下(0质量％除外)。
本发明的表面处理铜箔在进而另一实施形态中，上述表面处理层中的co的附着量为30～2000μg/dm2。
本发明的表面处理铜箔在进而另一实施形态中，上述表面处理层包含ni，且上述表面处理层中的ni的附着量为10～1000μg/dm2。
本发明的表面处理铜箔在进而另一实施形态中，上述表面处理层更具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的组群中的1种以上的层。
本发明的表面处理铜箔在进而另一实施形态中，用于高频电路基板用的覆铜层压板或者印刷配线板。
本发明在另一方面，是一种带树脂层的表面处理铜箔，其具有本发明的表面处理铜箔、以及树脂层。
本发明在进而另一方面，是一种带载体的铜箔，其在载体的一个或两个面具有中间层及极薄铜层，并且上述极薄铜层为本发明的表面处理铜箔或本发明的带树脂层的表面处理铜箔。
本发明在进而另一方面，是一种层压体，其具有本发明的表面处理铜箔、本发明的带树脂层的表面处理铜箔或本发明的带载体的铜箔。
本发明在进而另一方面，是一种层压体，其包含本发明的带载体的铜箔及树脂，并且上述带载体的铜箔的端面的一部分或全部由上述树脂所覆盖。
本发明在进而另一方面，是一种层压体，其具有两个本发明的带载体的铜箔。
本发明在进而另一方面，是一种印刷配线板的制造方法，其使用有本发明的表面处理铜箔、本发明的带树脂层的表面处理铜箔或者本发明的带载体的铜箔。
本发明在进而另一方面，是一种印刷配线板的制造方法，其包括：将本发明的表面处理铜箔或者本发明的带树脂层的表面处理铜箔与绝缘基板进行层压而形成覆铜层压板的步骤，或者将本发明的带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体而形成覆铜层压板的步骤；以及利用半加成法(セミアディティブ法)、减成法(サブトラクティブ法)、部分加成法(パートリーアディティブ法)或者改良型半加成法(モディファイドセミアディティブ法)中的任一方法来形成电路的步骤。
本发明在进而另一方面，是一种印刷配线板的制造方法，其包括：在本发明的表面处理铜箔的上述表面处理层侧表面形成电路的步骤，或者在本发明的带载体的铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路的步骤；以埋没上述电路的方式，在上述表面处理铜箔的上述表面处理层侧表面、或者上述带载体的铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层的步骤；以及通过在形成上述树脂层后，去除上述表面处理铜箔，或者通过在剥离上述载体或上述极薄铜层后，去除上述极薄铜层或上述载体，而使埋没于上述树脂层的电路露出的步骤。
本发明在进而另一方面，是一种印刷配线板的制造方法，其包括：在本发明的带载体的铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面层压树脂基板的步骤；在上述带载体的铜箔的与层压有树脂基板的一侧相反侧的表面，至少1次设置树脂层及电路的步骤；以及在形成上述树脂层及电路后，从上述带载体的铜箔剥离上述载体或上述极薄铜层的步骤。
本发明在进而另一方面，是一种印刷配线板的制造方法，其包括：在具有本发明的带载体的铜箔的层压体或者本发明的层压体的一个或两个面，至少1次设置树脂层及电路的步骤；以及在形成上述树脂层及电路后，从构成上述层压体的带载体的铜箔剥离上述载体或上述极薄铜层的步骤。
本发明在进而另一方面，是一种电子机器的制造方法，其使用有利用本发明的方法制成的印刷配线板。
[发明的效果]
依据本发明，可提供一种即便用于高频电路基板也可良好地减少传输损耗，且耐酸性良好的表面处理铜箔。
附图说明
图1a～c是使用本发明的带载体的铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例所涉及的至电路镀敷·抗蚀剂(レジスト)去除为止的步骤中的配线板截面的示意图。
图2d～f是使用本发明的带载体的铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例所涉及的从树脂及第二层带载体的铜箔层压至激光打孔为止的步骤中的配线板截面的示意图。
图3g～i是使用本发明的带载体的铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例所涉及的从通孔填充(ビアフィル)形成至第1层的载体剥离为止的步骤中的配线板截面的示意图。
图4j～k是使用本发明的带载体的铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例所涉及的从闪蚀(フラッシュエッチング)至凸块·铜柱形成为止的步骤中的配线板截面的示意图。
图5是电路图案的宽度方向的横截面及蚀刻因素(エッチングファクター)的计算方法的概略示意图。
图6是实施例的耐酸性评价试验中的聚酰亚胺树脂基板与铜电路的截面示意图。
图7是实施例的耐酸性评价试验中的聚酰亚胺树脂基板与铜电路的表面示意图。
具体实施方式
＜表面处理铜箔＞
本发明的表面处理铜箔具有铜箔，以及在铜箔的至少一个面、即铜箔的一个或两个面具有表面处理层。将本发明的表面处理铜箔贴合于绝缘基板上后，可将表面处理铜箔蚀刻为作为目标的导体图案，最终可制造印刷配线板。本发明的表面处理铜箔也可作为高频电路基板用的表面处理铜箔来使用。此处，所谓高频电路基板，是指使用该电路基板的电路来传输的信号的频率为1ghz以上的电路基板。另外，优选为上述信号的频率为3ghz以上，更优选为5ghz以上，更优选为8ghz以上，更优选为10ghz以上，更优选为15ghz以上，更优选为18ghz以上，更优选为20ghz以上，更优选为30ghz以上，更优选为38ghz以上，更优选为40ghz以上，更优选为45ghz以上，更优选为48ghz以上，更优选为50ghz以上，更优选为55ghz以上，更优选为58ghz以上。
＜铜箔＞
对于本发明中可使用的铜箔的形态并无特别限制，典型而言，本发明中使用的铜箔可为电解铜箔或压延铜箔中的任一者。通常，电解铜箔是从硫酸铜镀敷浴中，向钛或不锈钢的桶上电解析出铜来制造，压延铜箔是反复进行利用轧辊的塑性加工及热处理来制造。在要求弯曲性的用途中应用压延铜箔的情况多。
作为铜箔材料，除了通常作为印刷配线板的导体图案来使用的韧铜(jish3100合金编号c1100)或无氧铜(jish3100合金编号c1020或者jish3510合金编号c1011)或磷脱氧铜(jish3100合金编号c1201、c1220或c1221)或电解铜等高纯度的铜以外，例如也可使用：加入sn的铜，加入ag的铜，添加有sn、ag、in、au、cr、fe、p、ti、sn、zn、mn、mo、co、ni、si、zr、p、及/或mg等的铜合金，添加有ni及si等的科森(コルソン)系铜合金之类的铜合金。另外，也可使用具有公知组成的铜箔及铜合金箔。此外，本说明书中单独使用用语“铜箔”时，也包括铜合金箔。
此外，铜箔的板厚无需特别限定，例如1～1000μm、或1～500μm、或1～300μm、或3～100μm、或5～70μm、或6～35μm、或9～18μm。
另外，本发明在另一方面，是一种在载体的至少一个面、即载体的一个面或两个面依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，并且极薄铜层为本发明的表面处理铜箔。本发明中在使用带载体的铜箔的情况下，在极薄铜层表面设置以下的粗糙化处理层等表面处理层。此外，后文对带载体的铜箔的另一实施形态进行说明。
＜表面处理层＞
本发明的表面处理铜箔的表面处理层包含ni。在表面处理铜箔的表面处理层包含ni的情况下，具有耐酸性提高的效果。另外，通过表面处理层中的ni的含有比率设为8质量％以下(0质量％除外)，可进一步提高高频传输特性。若该ni的含有比率超过8质量％，则存在产生表面处理铜箔的高频传输特性恶化的问题的顾虑。该表面处理层中的ni的含有比率优选为7.5质量％以下，更优选为7质量％以下，更优选为6.5质量％以下，更优选为6质量％以下，更优选为5.5质量％以下，更优选为5质量％以下，更优选为4.8质量％以下，更优选为4.5质量％以下，更优选为4.2质量％以下，更优选为4.0质量％以下，更优选为3.8质量％以下，更优选为3.5质量％以下，更优选为3.0质量％以下，更优选为2.5质量％以下，更优选为2.0质量％以下，更优选为1.9质量％以下，进而更优选为1.8质量％以下。另外，就耐酸性的观点而言，该表面处理层中的ni的含有比率优选为0质量％以上，优选为大于0质量％，优选为0.01质量％以上，优选为0.02质量％以上，优选为0.03质量％以上，优选为0.04质量％以上，优选为0.05质量％以上，优选为0.06质量％以上，优选为0.07质量％以上，优选为0.08质量％以上，优选为0.09质量％以上，优选为0.10质量％以上，优选为0.11质量％以上，优选为0.15质量％以上，优选为0.18质量％以上，优选为0.20质量％以上，优选为0.25质量％以上，优选为0.50质量％以上，优选为0.80质量％以上，优选为0.90质量％以上，优选为1.0质量％以上，优选为1.1质量％以上，优选为1.2质量％以上，优选为1.3质量％以上，优选为1.4质量％以上，优选为1.5质量％以上。
表面处理层中的ni的附着量优选为10μg/dm2以上。通过该ni的附着量设为10μg/dm2以上，存在可进一步提高表面处理铜箔的耐酸性的情况。另外，表面处理层中的ni的附着量优选为1000μg/dm2以下。通过该ni的附着量设为1000μg/dm2以下，存在高频传输特性进而提高的情况。就表面处理铜箔的耐酸性的观点而言，该ni的附着量优选为20μg/dm2以上，优选为30μg/dm2以上，优选为40μg/dm2以上，优选为50μg/dm2以上，优选为55μg/dm2以上，优选为60μg/dm2以上，优选为70μg/dm2以上，优选为75μg/dm2以上，优选为100μg/dm2以上，优选为110μg/dm2以上，优选为120μg/dm2以上，优选为130μg/dm2以上，优选为140μg/dm2以上，优选为160μg/dm2以上，优选为180μg/dm2以上，优选为200μg/dm2以上，优选为220μg/dm2以上，优选为240μg/dm2以上，优选为260μg/dm2以上，优选为280μg/dm2以上，优选为530μg/dm2以上。另外，就表面处理铜箔的高频传输特性的观点而言，该ni的附着量优选为950μg/dm2以下，优选为900μg/dm2以下，优选为850μg/dm2以下，优选为800μg/dm2以下，优选为750μg/dm2以下，优选为700μg/dm2以下，优选为650μg/dm2以下，优选为600μg/dm2以下，优选为550μg/dm2以下，优选为500μg/dm2以下，优选为450μg/dm2以下，优选为400μg/dm2以下，优选为350μg/dm2以下，优选为300μg/dm2以下，优选为250μg/dm2以下，优选为200μg/dm2以下，优选为180μg/dm2以下，优选为160μg/dm2以下，优选为150μg/dm2以下，优选为140μg/dm2以下，优选为130μg/dm2以下，优选为125μg/dm2以下，优选为120μg/dm2以下，优选为115μg/dm2以下，优选为110μg/dm2以下，优选为105μg/dm2以下，优选为100μg/dm2以下，优选为95μg/dm2以下，优选为90μg/dm2以下，优选为85μg/dm2以下，优选为80μg/dm2以下。
本发明的表面处理铜箔的表面处理层优选为包含co，且表面处理层中的co的含有比率为15质量％以下(0质量％除外)。通过该co的含有比率设为15质量％以下，存在可进一步提高高频传输特性的情况。该co的含有比率更优选为14质量％以下，更优选为13质量％以下，更优选为12质量％以下，更优选为11质量％以下，更优选为10质量％以下，更优选为9质量％以下，更优选为8质量％以下，更优选为7.5质量％以下，更优选为7质量％以下，进而更优选为6.5质量％以下，进而更优选为6.0质量％以下，进而更优选为5.5质量％以下。另外，通过表面处理铜箔的表面处理层包含co，存在微细电路形成性提高的情况。表面处理层中的co的含有比率优选为0质量％以上，优选为大于0质量％，优选为0.01质量％以上，优选为0.02质量％以上，优选为0.03质量％以上，优选为0.05质量％以上，优选为0.09质量％以上，优选为0.1质量％以上，优选为0.11质量％以上，优选为0.15质量％以上，优选为0.18质量％以上，优选为0.2质量％以上，优选为0.3质量％以上，优选为0.5质量％以上，优选为0.8质量％以上，优选为0.9质量％以上，优选为1.0质量％以上，优选为1.5质量％以上，优选为2.0质量％以上，优选为2.5质量％以上，优选为3.0质量％以上，优选为3.5质量％以上，优选为4.0质量％以上，优选为4.5质量％以上。
表面处理层中的co的附着量优选为30μg/dm2以上。通过该co的附着量设为30μg/dm2以上，存在对于电路制作时的蚀刻液的溶解性提高的情况，且存在微细配线形成性变得更良好的情况。另外，表面处理层中的co的附着量优选为2000μg/dm2以下。另外，通过该co的附着量设为2000μg/dm2以下，存在可进一步提高高频传输特性的情况。就表面处理铜箔的微细配线形成性的观点而言，该表面处理层中的co的附着量优选为35μg/dm2以上，优选为40μg/dm2以上，优选为45μg/dm2以上，优选为50μg/dm2以上，优选为55μg/dm2以上，优选为60μg/dm2以上，优选为70μg/dm2以上，优选为80μg/dm2以上，优选为90μg/dm2以上，优选为100μg/dm2以上，优选为150μg/dm2以上，优选为200μg/dm2以上，优选为250μg/dm2以上，优选为300μg/dm2以上，优选为350μg/dm2以上，优选为400μg/dm2以上，优选为450μg/dm2以上，优选为500μg/dm2以上，优选为550μg/dm2以上，优选为600μg/dm2以上，优选为650μg/dm2以上，优选为700μg/dm2以上，优选为940μg/dm2以上。另外，就表面处理铜箔的高频传输特性的观点而言，该表面处理层中的co的附着量优选为1950μg/dm2以下，优选为1900μg/dm2以下，优选为1850μg/dm2以下，优选为1800μg/dm2以下，优选为1750μg/dm2以下，优选为1700μg/dm2以下，优选为1650μg/dm2以下，优选为1600μg/dm2以下，优选为1550μg/dm2以下，优选为1500μg/dm2以下，优选为1450μg/dm2以下，优选为1400μg/dm2以下，优选为1350μg/dm2以下，优选为1300μg/dm2以下，优选为1250μg/dm2以下，优选为1200μg/dm2以下，优选为1150μg/dm2以下，优选为1100μg/dm2以下，优选为1050μg/dm2以下，优选为1000μg/dm2以下，优选为950μg/dm2以下，优选为900μg/dm2以下，优选为730μg/dm2以下，优选为700μg/dm2以下，优选为600μg/dm2以下，优选为570μg/dm2以下，优选为550μg/dm2以下，优选为500μg/dm2以下，优选为475μg/dm2以下。
本发明的表面处理铜箔优选为表面处理层的合计附着量为1.0g/m2以上。该表面处理层的合计附着量为构成表面处理层的元素的附着量的合计量。构成该表面处理层的元素例如可列举：cu、ni、co、cr、zn、w、as、mo、p、fe等。通过表面处理层的合计附着量设为1.0g/m2以上，存在可提高表面处理铜箔与树脂的粘附性的情况。所述的表面处理层的合计附着量优选为5.0g/m2以下。通过表面处理层的合计附着量设为5.0g/m2以下，存在可进一步提高高频传输特性的情况。就表面处理铜箔与树脂的粘附性的观点而言，该表面处理层的合计附着量优选为1.05g/m2以上，优选为1.1g/m2以上，优选为1.15g/m2以上，优选为1.2g/m2以上，优选为1.25g/m2以上，优选为1.3g/m2以上，优选为1.35g/m2以上，优选为1.4g/m2以上，优选为1.5g/m2以上。另外，就表面处理铜箔的高频传输特性的观点而言，该表面处理层的合计附着量优选为4.8g/m2以下，优选为4.6g/m2以下，优选为4.5g/m2以下，优选为4.4g/m2以下，优选为4.3g/m2以下，优选为4.0g/m2以下，优选为3.5g/m2以下，优选为3.0g/m2以下，优选为2.5g/m2以下，优选为2.0g/m2以下，优选为1.9g/m2以下，优选为1.8g/m2以下，优选为1.7g/m2以下，优选为1.65g/m2以下，优选为1.60g/m2以下，优选为1.55g/m2以下，优选为1.50g/m2以下，优选为1.45g/m2以下，进而更优选为1.43μg/dm2以下，进而更优选为1.4g/m2以下。
此外，本发明中，在表面处理层存在于铜箔的两个面的情况下，表面处理层的合计附着量、表面处理层中的co的含有率、ni的含有率以及co、ni等元素的附着量为其中一面的表面处理层中的当量，并不是形成于两个面的表面处理层中所含有的元素(例如co等)的合计值。
此外，表面处理层的合计附着量、表面处理层所含有的元素(co及/或ni)的附着量、表面处理层中的co的含有率、以及表面处理层中的ni的含有率可通过以下方式而增多或增大：提高形成表面处理层时所使用的表面处理液中的该元素的浓度，及/或在表面处理为镀敷的情况下，提高电流密度、及/或延长表面处理时间(进行镀敷时的通电时间)等。另外，表面处理层的合计附着量、表面处理层所含有的元素(co及/或ni)的附着量、表面处理层中的co的含有率、以及表面处理层中的ni的含有率可通过以下方式而减少及/或减小：降低形成表面处理层时所使用的表面处理液中的该元素的浓度，及/或在表面处理为镀敷的情况下，降低电流密度、及/或缩短表面处理时间(进行镀敷时的通电时间)等。
本发明的表面处理铜箔的表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz为1.4μm以下。若表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz超过1.4μm，则存在产生高频传输特性恶化的问题的顾虑。表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz更优选为1.3μm以下，更优选为1.2μm以下，进而更优选为1.1μm以下，进而更优选为1.0μm以下，进而更优选为0.9μm以下，进而更优选为0.8μm以下。所谓“表面处理层的最表面”，在由通过表面处理而形成的多个层来形成表面处理层的情况下，是指该多个层的最外侧(最表面)的层的表面。而且，对于该多个层的最外侧(最表面)的层的表面测定十点平均粗糙度rz。表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz的下限无需特别限定，典型而言，例如为0.01μm以上，例如为0.05μm以上，例如为0.1μm以上。
此外，在表面处理为镀敷的情况下，表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz可通过以下方式而增大：提高电流密度，及/或延长表面处理时间(进行镀敷时的通电时间)等。另外，在表面处理为镀敷的情况下，表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz可通过以下方式而减小：降低电流密度，及/或缩短表面处理时间(进行镀敷时的通电时间)等。
本发明的表面处理铜箔的表面处理层具有粗糙化处理层。粗糙化处理层通常是在铜箔的与树脂基材粘接的面即粗糙化面，以提高层压后的铜箔的剥落强度为目的，通过在脱脂后的铜箔的表面进行“节瘤”状的电沉积而形成。有时进行通常的镀铜等来作为粗糙化前的预处理，有时为了防止电沉积物的脱落，也进行通常的镀铜等来作为粗糙化后的修整处理。本发明中，也包括所述的预处理及修整处理在内，称为“粗糙化处理”。
本发明的表面处理铜箔中的粗糙化处理层例如可通过利用以下的条件，形成一次粒子后，形成二次粒子来制作。
(一次粒子的镀敷条件)
若列举一次粒子的镀敷条件的一例，则如下所述。
液组成：铜10～20g/l、硫酸50～100g/l
液温：25～50℃
电流密度：1～58a/dm2
库伦量：1.5～70as/dm2
(二次粒子的镀敷条件)
若列举二次粒子的镀敷条件的一例，则如下所述。
液组成：铜10～20g/l、镍5～15g/l、钴5～15g/l
ph：2～3
液温：30～50℃
电流密度：20～50a/dm2
库伦量：12～50as/dm2
另外，表面处理层也可更具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的组群中的1种以上的层。此外，该耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层也可分别由多个层所形成(例如2层以上、3层以上等)。另外，表面处理层也可具有：由ni与选自由fe、cr、mo、zn、ta、cu、al、p、w、mn、sn、as及ti所组成的组群中的一种以上元素构成的合金层，及/或铬酸盐处理层，及/或硅烷偶联处理层，及/或ni-zn合金层。
耐热层、防锈层可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的组群中的1种以上元素构成的层，也可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的组群中的1种以上元素构成的金属层或者合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可含有包含所述元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层也可为包含镍-锌合金的层。此外，耐热层及/或防锈层也可为镍-锌合金层。上述镍-锌合金层除了含有不可避免的杂质以外，还可含有50wt％～99wt％的镍、50wt％～1wt％的锌。上述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量可为5～1000mg/m2，优选为10～500mg/m2，优选为20～100mg/m2。另外，包含上述镍-锌合金的层或者上述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选为1.5～10。另外，上述包含镍-锌合金的层或者上述镍-锌合金层的镍的附着量优选为0.5mg/m2～500mg/m2，更优选为1mg/m2～50mg/m2。在耐热层及/或防锈层为包含镍-锌合金的层的情况下，当导通孔(スルーホール)或通孔(ビアホール)等的内壁部与去污(デスミア)液接触时，铜箔与树脂基板的界面难以被去污液所侵蚀，铜箔与树脂基板的粘附性提高。
例如耐热层及/或防锈层可为将附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选为5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层，与附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选为5mg/m2～40mg/m2的锡层依次层压而成者，上述镍合金层也可由镍-钼合金、镍-锌合金、镍-钼-钴合金、镍-锡合金中的任一种所构成。
本说明书中，所谓铬酸盐处理层，是指经包含无水铬酸、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的溶液进行处理的层。铬酸盐处理层也可包含co、fe、ni、mo、zn、ta、cu、al、p、w、sn、as及ti等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一形态)。铬酸盐处理层的具体例可列举：经无水铬酸或二铬酸钾水溶液进行处理的铬酸盐处理层、或经包含无水铬酸或二铬酸钾及锌的处理液进行处理的铬酸盐处理层等。
硅烷偶联处理层可使用公知的硅烷偶联剂来形成，也可使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷、乙烯基系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶联剂等来形成。此外，如上所述的硅烷偶联剂也可混合2种以上来使用。其中，优选为使用氨基系硅烷偶联剂或者环氧系硅烷偶联剂来形成的层。
另外，可对铜箔、极薄铜层、粗糙化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联处理层或者铬酸盐处理层的表面进行公知的表面处理。
此外，可对铜箔、极薄铜层、粗糙化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联处理层或者铬酸盐处理层的表面，进行国际公开编号wo2008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号wo2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号wo2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号wo2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013-19056号中记载的表面处理。
＜传输损耗＞
在传输损耗小的情况下，以高频来进行信号传输时的信号的衰减受到抑制，因此在以高频来进行信号传输的电路中，可进行稳定的信号传输。因此，传输损耗的值小者适合用于以高频进行信号传输的电路用途，故而优选。在将表面处理铜箔与市售的液晶聚合物树脂(可乐丽(クラレ)股份有限公司制造的vecstarctz-厚度50μm，羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的树脂)贴合后，通过蚀刻，以特性阻抗达到50ω的方式形成微带线，在使用hp公司制造的网络分析仪hp8720c测定穿透系数，来求出频率40ghz下的传输损耗的情况下，频率40ghz下的传输损耗优选为小于7.5db/10cm，更优选为小于7.3db/10cm，更优选为小于7.1db/10cm，更优选为小于7.0db/10cm，更优选为小于6.9db/10cm，更优选为小于6.8db/10cm，更优选为小于6.7db/10cm，更优选为小于6.6db/10cm，，进而更优选为小于6.5db/10cm。
＜带载体的铜箔＞
本发明的另一实施形态的带载体的铜箔在载体的至少一个面、即载体的一个面或两个面依次具有中间层、极薄铜层。而且，上述极薄铜层为所述的本发明的一实施形态的表面处理铜箔。
＜载体＞
本发明中可使用的载体典型而言为金属箔或者树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、lcp(液晶聚合物)膜、氟树脂膜、pet(聚对苯二甲酸乙二酯)膜、pp(聚丙烯)膜、聚酰胺膜、聚酰胺酰亚胺膜的形态来提供。
本发明中可使用的载体典型而言是以压延铜箔或电解铜箔的形态来提供。通常，电解铜箔是从硫酸铜镀敷浴中向钛或不锈钢的桶上电解析出铜来制造，压延铜箔是将利用轧辊的塑性加工与热处理反复进行来制造。作为铜箔的材料，除了韧铜(jish3100合金编号c1100)或无氧铜(jish3100合金编号c1020或jish3510合金编号c1011)或磷脱氧铜或电解铜等高纯度的铜以外，例如也可使用：加入sn的铜、加入ag的铜，添加有cr、zr或mg等的铜合金，添加有ni及si等的科森系铜合金之类的铜合金。另外，也可使用公知的铜合金。此外，当本说明书中单独使用用语“铜箔”时，也包括铜合金箔。
本发明中可使用的载体的厚度也并无特别限制，只要适当调节为适合于发挥作为载体的作用的厚度即可，例如可设为5μm以上。但，若过厚，则生产成本提高，故而通常优选为设为35μm以下。因此，载体的厚度典型而言为8～70μm，更典型而言为12～70μm，更典型而言为18～35μm。另外，就降低原料成本的观点而言，载体的厚度优选为小。因此，载体的厚度典型而言为5μm以上35μm以下，优选为5μm以上18μm以下，优选为5μm以上12μm以下，优选为5μm以上11μm以下，优选为5μm以上10μm以下。此外，在载体的厚度小的情况下，在载体的通箔时容易产生折褶。为了防止折褶的产生，例如有效的是使带载体的铜箔制造装置的搬送辊平滑、或缩短搬送辊与下一个搬送辊的距离。此外，在作为印刷配线板的制造方法之一的埋入工艺(エンベッティド法(enbeddedprocess))中使用带载体的铜箔的情况下，载体的刚性必须高。因此，在用于埋入工艺的情况下，载体的厚度优选为18μm以上300μm以下，优选为25μm以上150μm以下，优选为35μm以上100μm以下，进而更优选为35μm以上70μm以下。
此外，也可在载体的与设置极薄铜层的一侧的表面相反侧的表面设置一次粒子层及二次粒子层。在载体的与设置极薄铜层的一侧的表面相反侧的表面设置一次粒子层及二次粒子层，这具有如下优点：当将载体从具有该一次粒子层及二次粒子层的表面侧来层压于树脂基板等支持体上时，载体与树脂基板难以剥离。
以下，示出使用电解铜箔作为载体的情况下的制造条件的一例。
＜电解液组成＞
铜：90～110g/l
硫酸：90～110g/l
氯：50～100ppm
流平剂1(双(3-磺基丙基)二硫化物)：10～30ppm
流平剂2(胺化合物)：10～30ppm
上述胺化合物可使用以下化学式的胺化合物。
此外，只要未特别载明，则本发明中使用的电解、表面处理或镀敷等中使用的处理液的剩余部分为水。
[化1]
(上述化学式中，r1及r2为选自由羟基烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一组群中者)
＜制造条件＞
电流密度：70～100a/dm2
电解液温度：50～60℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
＜中间层＞
在载体上设置中间层。也可在载体与中间层之间设置其他层。本发明中使用的中间层若为如下构成，则无特别限定：于带载体的铜箔在绝缘基板上的层压步骤前，难以从载体剥离极薄铜层，另一方面，在绝缘基板上的层压步骤后可从载体剥离极薄铜层。例如，本发明的带载体的铜箔的中间层可包含选自由cr、ni、co、fe、mo、ti、w、p、cu、al、zn、它们的合金、它们的水合物、它们的氧化物、有机物所组成的组群中的一种或两种以上。另外，中间层也可为多个层。
另外，例如，中间层可通过如下方式来构成：从载体侧起形成由选自由cr、ni、co、fe、mo、ti、w、p、cu、al、zn所构成的元素组群中的一种元素构成的单一金属层，或者由选自由cr、ni、co、fe、mo、ti、w、p、cu、al、zn所构成的元素组群中的一种或两种以上元素构成的合金层，且在其上形成由选自由cr、ni、co、fe、mo、ti、w、p、cu、al、zn所构成的元素组群中的一种或两种以上元素的水合物或氧化物、或者有机物构成的层，或者由选自由cr、ni、co、fe、mo、ti、w、p、cu、al、zn所构成的元素组群中的一种元素构成的单一金属层，或者由选自由cr、ni、co、fe、mo、ti、w、p、cu、al、zn所构成的元素组群中的一种或两种以上元素构成的合金层。
在将中间层仅仅设置于单面的情况下，优选为在载体的相反面设置镀ni层等防锈层。此外，在通过铬酸盐处理或铬酸锌处理或镀敷处理来设置中间层的情况下，认为存在铬或锌等所附着的金属的一部分成为水合物或氧化物的情况。
另外，例如，中间层可在载体上依次层压镍、镍-磷合金或者镍-钴合金与铬而构成。由于镍与铜的粘接力高于铬与铜的粘接力，故而当剥离极薄铜层时，在极薄铜层与铬的界面剥离。另外，对于中间层的镍期待阻隔效果，即，防止铜成分从载体向极薄铜层扩散。中间层中的镍的附着量优选为100μg/dm2以上40000μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上4000μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上2500μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上且小于1000μg/dm2，中间层中的铬的附着量优选为5μg/dm2以上100μg/dm2以下。
＜极薄铜层＞
在中间层上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀而形成，从可用于一般的电解铜箔，且可以高电流密度来形成铜箔的方面而言，优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常比载体更薄，例如为12μm以下。典型而言为0.5～12μm，更典型而言为1～5μm，进而典型而言为1.5～4μm，进而典型而言为2～3.5μm。此外，也可在载体的两面设置极薄铜层。
本发明的表面处理铜箔、及/或本发明的带载体的铜箔自身的使用方法为本领域技术人员所熟知，例如将表面处理铜箔、及/或极薄铜层的表面贴合于纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布·纸复合基材环氧树脂、玻璃布·玻璃无纺布复合基材环氧树脂以及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物、氟树脂、聚酰胺树脂、低介电聚酰亚胺膜等绝缘基板，(在带载体的铜箔的情况下，热压接后剥下载体)形成覆铜层压板，将粘接于绝缘基板的表面处理铜箔、及/或极薄铜层蚀刻为作为目标的导体图案，最终可制造印刷配线板。
＜树脂层＞
本发明的表面处理铜箔可为在表面处理层的表面或者最表面具备树脂层的带树脂层的表面处理铜箔。另外，也可在由ni与选自由fe、cr、mo、zn、ta、cu、al、p、w、mn、sn、as及ti所组成的组群中的一种以上元素构成的合金层，或者铬酸盐层、或者硅烷偶联层、或者ni-zn合金层的表面具备树脂层。树脂层更优选为形成于表面处理铜箔的最表面。
本发明的带载体的铜箔也可在一次粒子层或二次粒子层上，耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、或者硅烷偶联处理层上具备树脂层。
上述树脂层可为粘接剂，也可为粘接用的半固化状态(b阶段)的绝缘树脂层。所谓半固化状态(b阶段)，包括如下状态：以手指触摸其表面，并无粘着感，可将该绝缘树脂层重叠保管，若进而受到加热处理，则产生固化反应。
另外，上述树脂层可包含热固化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，上述树脂层也可包含热塑性树脂。其种类并无特别限定，例如可列举包含选自以下组群中的一种以上的树脂来作为优选者：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯缩醛树脂、聚氨基甲酸酯树脂、聚醚砜、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、多胺、芳香族多胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热固化性聚苯醚树脂、氰酸酯酯系树脂、羧酸的酐、多元羧酸的酐、具有可交联的官能基的线状聚合物、聚亚苯基醚树脂、2,2-双(4-氰酸基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚亚苯基醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改性聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、磷腈系树脂、橡胶改性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯基丁醛、苯氧基、高分子环氧、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂以及氰基酯树脂。
另外，上述环氧树脂可为分子内具有2个以上环氧基的树脂，若为可用于电气·电子材料用途的树脂，则无特别问题，可使用。另外，上述环氧树脂优选为使用分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物来进行环氧化的环氧树脂。另外，可将选自以下组群中的1种或2种以上混合使用：双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、双酚s型环氧树脂、双酚ad型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚a型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改性双酚a型环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯、n,n-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油基胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂；或者可使用上述环氧树脂的氢化体或卤化体。
上述含磷的环氧树脂可使用公知的含有磷的环氧树脂。另外，上述含磷的环氧树脂优选为：例如作为由分子内具有2个以上环氧基的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物而来的衍生物而获得的环氧树脂。
上述树脂层可包含：公知的树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、介电体(也可使用包含无机化合物及/或有机化合物的介电体、包含金属氧化物的介电体等任一种的介电体)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。另外，上述树脂层可使用以下专利文献中记载的物质(树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置来形成，例如：国际公开编号wo2008/004399、国际公开编号wo2008/053878、国际公开编号wo2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号wo97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号wo2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号wo2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号wo2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号wo2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号wo2008/114858、国际公开编号wo2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号wo2009/001850、国际公开编号wo2009/145179、国际公开编号wo2011/068157、日本特开2013-19056号。
将上述这些树脂溶解于例如甲基乙基酮(mek)、甲苯等溶剂中而制成树脂液，利用例如辊涂布机法等，将上述树脂液涂布于上述表面处理铜箔上及/或上述极薄铜层上，或者包含上述耐热层、防锈层、或者上述铬酸盐皮膜层、或者上述硅烷偶联剂层等的表面处理层上，接着视需要进行加热干燥而去除溶剂，成为b阶段状态。干燥时使用例如热风干燥炉即可，干燥温度若为100～250℃、优选为130～200℃即可。
具备上述树脂层的表面处理铜箔、及/或带载体的铜箔(附有树脂的带载体的铜箔)是以如下的实施方式来使用：将该树脂层重叠于基材上后，对整体进行热压接而使该树脂层进行热固化，接着在带载体的铜箔的情况下，剥离载体而使极薄铜层露出(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，在表面处理铜箔或极薄铜层上形成既定的配线图案。
若使用该附有树脂的表面处理铜箔、及/或带载体的铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时的预浸料材的使用片数。而且，将树脂层的厚度设为可确保层间绝缘的厚度，即便完全不使用预浸料材，也可制造覆铜层压板。另外，此时也可在基材的表面底涂绝缘树脂来进一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用预浸料材的情况下，节约预浸料材的材料成本，另外层压步骤也变得简略，因此在经济性方面变得有利，而且存在如下优点：仅与预浸料材的厚度相应地制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。
该树脂层的厚度优选为0.1～80μm。若树脂层的厚度薄于0.1μm，则粘接力下降，当在不介隔预浸料材的情况下将该附有树脂的带载体的铜箔层压于具备内层材的基材上时，存在难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘的情况。
另一方面，若使树脂层的厚度厚于80μm，则难以通过1次涂布步骤来形成目标厚度的树脂层，会花费多余的材料费与工时，因此在经济性方面变得不利。进而，所形成的树脂层由于其可挠性劣化，故而存在如下情况：操作时容易产生龟裂等，另外，与内层材热压接时会产生过剩的树脂流动，从而难以进行顺利的层压。
进而，作为附有树脂的带载体的铜箔的另一制品形态，也可在上述极薄铜层所具有的表面处理层上，或者上述耐热层、防锈层、或者上述铬酸盐处理层、或者上述硅烷偶联处理层上由树脂层被覆，形成半固化状态后，接着剥离载体，以不存在载体的附有树脂的铜箔的形式来制造。
通过在印刷配线板上搭载电子零件类，来完成印刷电路板。本发明中，“印刷配线板”中也包含如上所述搭载有电子零件类的印刷配线板、及印刷电路板以及印刷基板。
另外，可使用该印刷配线板来制作电子机器，也可使用该搭载有电子零件类的印刷电路板来制作电子机器，也可使用该搭载有电子零件类的印刷基板来制作电子机器。以下，示出使用本发明的带载体的铜箔的印刷配线板的制造步骤的若干例子。此外，使用本发明的表面处理铜箔作为带载体的铜箔的极薄铜层，也同样可制造印刷配线板。
本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔(以下，也可将“带载体的铜箔”及“极薄铜层”换称为表面处理铜箔，另外将“极薄铜层侧”换称为“表面处理层侧”，来制造印刷配线板；在如上所述换称的情况下，作为未记载载体者，也可制造印刷配线板)及绝缘基板的步骤；将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤；以极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式，将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，经过将上述带载体的铜箔的载体剥下的步骤来形成覆铜层压板，然后，利用半加成法、改良型半加成法、部分加成法及减成法中的任一方法来形成电路的步骤。绝缘基板也可设为加入有内层电路的基板。
本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或者铜箔籽(シード)层上进行薄的非电解镀敷，形成图案后，使用电镀及蚀刻来形成导体图案的方法。
因此，使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，将剥下上述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；
在通过利用蚀刻来去除上述极薄铜层而露出的上述树脂上设置导通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；
对上述树脂以及包含上述导通孔或/及盲孔的区域设置非电解镀敷层的步骤；
在上述非电解镀敷层上设置抗镀敷层(めっきレジスト)的步骤；
对上述抗镀敷层进行曝光，然后，将形成电路的区域的抗镀敷层去除的步骤；
在去除了上述抗镀敷层的上述形成电路的区域设置电解镀敷层的步骤；
去除上述抗镀敷层的步骤；以及
通过闪蚀等，将位于上述形成电路的区域以外的区域的非电解镀敷层去除的步骤。
使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层、以及上述绝缘树脂基板上设置导通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，将剥下上述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；
对通过利用蚀刻等来去除上述极薄铜层而露出的上述树脂以及包含上述导通孔或/及盲孔的区域设置非电解镀敷层的步骤；
在上述非电解镀敷层上设置抗镀敷层的步骤；
对上述抗镀敷层进行曝光，然后，将形成电路的区域的抗镀敷层去除的步骤；
在去除了上述抗镀敷层的上述形成电路的区域设置电解镀敷层的步骤；
去除上述抗镀敷层的步骤；以及
通过闪蚀等，将位于上述形成电路的区域以外的区域的非电解镀敷层去除的步骤。
使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层、以及上述绝缘树脂基板上设置导通孔或/及盲孔的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，将剥下上述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；
对通过利用蚀刻等来去除上述极薄铜层而露出的上述树脂以及包含上述导通孔或/及盲孔的区域设置非电解镀敷层的步骤；
在上述非电解镀敷层上设置抗镀敷层的步骤；
对上述抗镀敷层进行曝光，然后，将形成电路的区域的抗镀敷层去除的步骤；
在去除了上述抗镀敷层的上述形成电路的区域设置电解镀敷层的步骤；
去除上述抗镀敷层的步骤；以及
通过闪蚀等，将位于上述形成电路的区域以外的区域的非电解镀敷层去除的步骤。
使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤、
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，将剥下上述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；
对通过利用蚀刻来去除上述极薄铜层而露出的上述树脂的表面设置非电解镀敷层的步骤；
在上述非电解镀敷层上设置抗镀敷层的步骤；
对上述抗镀敷层进行曝光，然后，将形成电路的区域的抗镀敷层去除的步骤；
在去除了上述抗镀敷层的上述形成电路的区域设置电解镀敷层的步骤；
去除上述抗镀敷层的步骤；以及
通过闪蚀等，将位于上述形成电路的区域以外的区域的非电解镀敷层以及极薄铜层去除的步骤。
本发明中，所谓改良型半加成法，是指如下方法：在绝缘层上层压金属箔，利用抗镀敷层来保护非电路形成部，通过电解镀敷来进行电路形成部的镀厚铜后，去除抗蚀剂，通过(闪光(フラッシュ))蚀刻来去除上述电路形成部以外的金属箔，借此在绝缘层上形成电路。
因此，使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层及绝缘基板上设置导通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域设置非电解镀敷层的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层表面设置抗镀敷层的步骤；
设置上述抗镀敷层后，通过电解镀敷来形成电路的步骤；
去除上述抗镀敷层的步骤；以及
通过闪蚀，将通过去除上述抗镀敷层而露出的极薄铜层去除的步骤。
使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层上设置抗镀敷层的步骤；
对上述抗镀敷层进行曝光，然后，将形成电路的区域的抗镀敷层去除的步骤；
在去除了上述抗镀敷层的上述形成电路的区域设置电解镀敷层的步骤；
去除上述抗镀敷层的步骤；以及
通过闪蚀等，将位于上述形成电路的区域以外的区域的非电解镀敷层以及极薄铜层去除的步骤。
本发明中，所谓部分加成法，是指如下方法：在设置导体层而成的基板、视需要打出导通孔或通孔用的孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要设置阻焊层(ソルダレジスト)或者抗镀敷层后，在上述导体电路上，通过非电解镀敷处理来对导通孔或通孔等进行厚镀，借此制造印刷配线板。
因此，使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层及绝缘基板上设置导通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层表面设置抗蚀刻层(エッチングレジスト)的步骤；
对上述抗蚀刻层进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，去除上述极薄铜层及上述催化剂核而形成电路的步骤；
去除上述抗蚀刻层的步骤；
在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法来去除上述极薄铜层及上述催化剂核而露出的上述绝缘基板表面，设置阻焊层或抗镀敷层的步骤；以及
在未设置上述阻焊层或抗镀敷层的区域设置非电解镀敷层的步骤。
本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等，选择性地去除覆铜层压板上的铜箔的不需要部分而形成导体图案的方法。
因此，使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤、
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层及绝缘基板上设置导通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域设置非电解镀敷层的步骤；
在上述非电解镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤；
在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置抗蚀刻层的步骤；
对上述抗蚀刻层进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，去除上述极薄铜层、上述非电解镀敷层以及上述电解镀敷层而形成电路的步骤；以及
去除上述抗蚀刻层的步骤。
使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中，包括：准备本发明的带载体的铜箔及绝缘基板的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压的步骤；
将上述带载体的铜箔与绝缘基板进行层压后，剥下上述带载体的铜箔的载体的步骤；
在剥下上述载体而露出的极薄铜层及绝缘基板上设置导通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域进行去污处理的步骤；
对包含上述导通孔或/及盲孔的区域设置非电解镀敷层的步骤；
在上述非电解镀敷层的表面形成掩模的步骤；
在未形成掩模的上述非电解镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤；
在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置抗蚀刻层的步骤；
对上述抗蚀刻层进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，去除上述极薄铜层及上述非电解镀敷层而形成电路的步骤；以及
去除上述抗蚀刻层的步骤。
设置导通孔或/及盲孔的步骤、以及其后的去污步骤也可不进行。
此处，使用图式，对使用本发明的带载体的铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。
首先，如图1-a所示，准备在表面具有形成有粗糙化处理层的极薄铜层的带载体的铜箔(第1层)。
接着，如图1-b所示，在极薄铜层的粗糙化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光·显影，将抗蚀剂蚀刻为既定的形状。
接着，如图1-c所示，形成电路用的镀敷层后，去除抗蚀剂，借此形成既定形状的电路镀敷层。
接着，如图2-d所示，以覆盖电路镀敷层的方式(以电路镀敷层埋没的方式)，在极薄铜层上设置埋入树脂来层压树脂层，继而从极薄铜层侧粘接另一带载体的铜箔(第二层)。
接着，如图2-e所示，从第二层的带载体的铜箔上剥下载体。
接着，如图2-f所示，在树脂层的既定位置进行激光打孔，使电路镀敷层露出而形成盲孔。
接着，如图3-g所示，在盲孔中埋入铜，形成通孔填充。
接着，如图3-h所示，在通孔填充上，如上述图1-b及图1-c所述般形成电路镀敷层。
接着，如图3-i所示，从第1层的带载体的铜箔上剥下载体。
接着，如图4-j所示，通过闪蚀来去除两表面的极薄铜层，使树脂层内的电路镀敷层的表面露出。
接着，如图4-k所示，在树脂层内的电路镀敷层上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。如此来制作使用本发明的带载体的铜箔的印刷配线板。
此外，在上述印刷配线板的制造方法中，也可将“极薄铜层”换称为载体，且将“载体”换称为极薄铜层，在带载体的铜箔的载体侧的表面形成电路，以树脂埋入电路，来制造印刷配线板。另外，在上述印刷配线板的制造方法中，也可通过将“在表面具有形成有粗糙化处理层的极薄铜层的带载体的铜箔”换称为表面处理铜箔，在表面处理铜箔的表面处理层侧表面、或者表面处理铜箔的与表面处理层相反侧的表面形成电路，以树脂埋入电路，然后，去除表面处理铜箔，来制造印刷配线板。此外，本说明书中所谓“表面处理铜箔的表面处理层侧表面”，是指表面处理铜箔的具有表面处理层的一侧的表面，或者在表面处理层的一部分或全部被去除的情况下，是指表面处理层的一部分或全部被去除后的表面处理铜箔的具有表面处理层的一侧的表面。即，所谓“表面处理铜箔的表面处理层侧表面”，是包含“表面处理层的最表面”以及表面处理层的一部分或全部被去除后的表面处理铜箔的表面的概念。
上述另一带载体的铜箔(第二层)可使用本发明的带载体的铜箔，也可使用以前的带载体的铜箔，进而也可使用通常的铜箔。另外，在图3-h所示的第二层的电路上，也可进而形成1层或多层的电路，也可利用半加成法、减成法、部分加成法或者改良型半加成法中的任一方法来进行这些电路形成。
若利用如上所述的印刷配线板的制造方法，则形成电路镀敷层埋入树脂层中的构成，因此，在如例如图4-j所示，通过闪蚀来去除极薄铜层时，电路镀敷层由树脂层所保护，保持其形状，借此容易形成微细电路。另外，由于电路镀敷层由树脂层所保护，故而耐迁移性提高，电路的配线的导通被良好地抑制。因此，容易形成微细电路。另外，当如图4-j及图4-k所示，通过闪蚀来去除极薄铜层时，电路镀敷层的露出面成为从树脂层凹陷的形状，因此容易在该电路镀敷层上形成凸块，进而在其上形成铜柱，制造效率提高。
此外，埋入树脂可使用公知的树脂、预浸料。例如可使用：bt(スマレイミドトリアジン，双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸有bt树脂的玻璃布的预浸料、味之素精细化学股份有限公司制造的abf膜或abf。另外，上述埋入树脂可使用本说明书中记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料。
另外，上述第一层中使用的带载体的铜箔也可在该带载体的铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层中使用的带载体的铜箔得到支持，难以产生褶皱，因此具有生产性提高的优点。此外，上述基板或树脂层中，只要具有支持上述第一层中使用的带载体的铜箔的效果，则可使用所有的基板或树脂层。例如可使用本申请案说明书中记载的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔来作为上述基板或树脂层。
另外，本发明的印刷配线板的制造方法可为包括以下步骤的印刷配线板的制造方法(无芯(コアレス)工艺)：将本发明的带载体的铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面与树脂基板进行层压的步骤；在和与上述树脂基板层压的极薄铜层侧表面或上述载体侧表面相反侧的带载体的铜箔的表面，至少1次设置树脂层及电路的步骤；以及在形成上述树脂层及电路的2层后，从上述带载体的铜箔剥离上述载体或上述极薄铜层的步骤。关于该无芯工艺，具体例为：首先，将本发明的带载体的铜箔的极薄铜层侧表面或者载体侧表面与树脂基板进行层压来制造层压体(也称为覆铜层压板、覆铜层压体)。然后，在和与树脂基板层压的极薄铜层侧表面或上述载体侧表面相反侧的带载体的铜箔的表面形成树脂层。在形成于载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层上，也可进而从载体侧或极薄铜层侧层压另一带载体的铜箔。另外，也可将以下的层压体用于上述的印刷配线板的制造方法(无芯工艺)：具有以树脂基板或树脂或预浸料为中心，在该树脂基板或树脂或预浸料的两个表面侧，以载体/中间层/极薄铜层的顺序或者极薄铜层/中间层/载体的顺序来层压带载体的铜箔的构成的层压体；或者具有以“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板或树脂或预浸料/载体/中间层/极薄铜层”的顺序来层压的构成的层压体；或者具有以“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的顺序来层压的构成的层压体；或者具有以“极薄铜层/中间层/载体/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的顺序来层压的构成的层压体。而且，在该层压体的两端的极薄铜层或者载体的露出的表面，也可通过在设置另一树脂层，进而设置铜层或者金属层后，对该铜层或者金属层进行加工而形成电路。进而，也可以埋入该电路的方式，将另一树脂层设置于该电路上。另外，可将如上所述的电路及树脂层的形成进行1次以上(增层(ビルドアップ)工艺)。而且，关于以上述方式形成的层压体(以下，也称为层压体b)，可使各个带载体的铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离来制作无芯基板。此外，在所述的无芯基板的制作中，也可使用2个带载体的铜箔，制作后述的具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的层压体、或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的层压体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的层压体，将该层压体用于中心。可在这些层压体(以下，也称为层压体a)的两侧的极薄铜层或者载体的表面，设置1次以上的树脂层及电路，设置1次以上的树脂层及电路后，使各个带载体的铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离来制作无芯基板。所述的层压体也可在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。其他层可为树脂基板或者树脂层。此外，本说明书中，于极薄铜层、载体、层压体在极薄铜层表面、载体表面、层压体表面具有其他层的情况下，“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“层压体的表面”、“层压体表面”设为包含该其他层的表面(最表面)的概念。另外，层压体优选为具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于，当使用该层压体来制作无芯基板时，由于在无芯基板侧配置极薄铜层，故而使用改良型半加成法，容易在无芯基板上形成电路。另外原因在于，由于极薄铜层的厚度薄，故而该极薄铜层容易去除，在去除极薄铜层后使用半加成法，容易在无芯基板上形成电路。
此外，本说明书中，未特别记载“层压体a”或“层压体b”的“层压体”表示至少包含层压体a及层压体b的层压体。
此外，在上述无芯基板的制造方法中，通过将带载体的铜箔或者上述层压体(包含层压体a)的端面的一部分或全部以树脂覆盖，可在利用增层工艺来制造印刷配线板时，防止药液渗入中间层或者构成层压体的1个带载体的铜箔与另1个带载体的铜箔之间，可防止由药液的渗入所引起的极薄铜层与载体的分离或带载体的铜箔的腐蚀，可提高产率。此处使用的“将带载体的铜箔的端面的一部分或全部覆盖的树脂”或者“将层压体的端面的一部分或全部覆盖的树脂”可使用可用于树脂层的树脂或者公知的树脂。另外，上述无芯基板的制造方法中，在带载体的铜箔或者层压体中俯视时，带载体的铜箔或者层压体的层压部分(载体与极薄铜层的层压部分、或者1个带载体的铜箔与另1个带载体的铜箔的层压部分)的外周的至少一部分可由树脂或者预浸料所覆盖。另外，利用上述无芯基板的制造方法来形成的层压体(层压体a)可使一对带载体的铜箔以可相互分离的方式接触而构成。另外，在该带载体的铜箔中俯视时，也可遍及带载体的铜箔或者层压体的层压部分(载体与极薄铜层的层压部分、或者1个带载体的铜箔与另1个带载体的铜箔的层压部分)的外周的全体或者层压部分的整个面，由树脂或者预浸料所覆盖。另外，在俯视的情况下，树脂或者预浸料优选为大于带载体的铜箔或者层压体或者层压体的层压部分，优选为将该树脂或者预浸料层压于带载体的铜箔或者层压体的两面，形成具有带载体的铜箔或者层压体由树脂或者预浸料所袋装(包裹)的构成的层压体。通过设为如上所述的构成，当俯视带载体的铜箔或者层压体时，带载体的铜箔或者层压体的层压部分由树脂或者预浸料所覆盖，可防止其他构件从该部分的侧方向、即相对于层压方向而言为横向的方向碰撞，结果可减少操作中的载体与极薄铜层或者带载体的铜箔彼此的剥落。另外，通过以不露出带载体的铜箔或者层压体的层压部分的外周的方式由树脂或者预浸料所覆盖，可防止如上所述的药液处理步骤中的药液向该层压部分的界面的浸入，可防止带载体的铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，当从层压体的一对带载体的铜箔上分离出一个带载体的铜箔时、或者将带载体的铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，在由树脂或者预浸料所覆盖的的带载体的铜箔或者层压体的层压部分(载体与极薄铜层的层压部分、或者1个带载体的铜箔与另1个带载体的铜箔的层压部分)利用树脂或者预浸料等而牢固粘附的情况下，存在必须通过切断等来去除该层压部分等的情况。
也可从载体侧或极薄铜层侧，将本发明的带载体的铜箔层压于另一个本发明的带载体的铜箔的载体侧或极薄铜层侧，来构成层压体。另外，也可为上述一个带载体的铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面、与上述另一个带载体的铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面，视需要经由粘接剂，直接层压而获得的层压体。另外，上述一个带载体的铜箔的载体或极薄铜层、与上述另一个带载体的铜箔的载体或极薄铜层也可接合。此处，在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，该“接合”也包含经由该表面处理层而相互接合的实施方式。另外，该层压体的端面的一部分或全部也可由树脂所覆盖。
载体彼此、极薄铜层彼此、载体与极薄铜层、带载体的铜箔彼此的层压除了单纯地重叠以外，例如可利用以下的方法来进行。
(a)冶金性接合方法：熔接(电弧焊、tig(タングステン·イナート·ガス，钨·惰性·气体)焊接、mig(メタル·イナート·ガス，金属·惰性·气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超声波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；
(b)机械性接合方法：敛缝、利用铆钉的接合(通过自冲铆接的接合、通过铆接的接合)、绗缝机；
(c)物理性接合方法：粘接剂、(两面)胶带。
通过使用上述接合方法，将一个载体的一部分或全部与另一个载体的一部分或全部或者极薄铜层的一部分或全部进行接合，而将一个载体与另一个载体或极薄铜层进行层压，可制造使载体彼此或者载体与极薄铜层以可分离的方式接触而构成的层压体。在一个载体与另一个载体或极薄铜层轻轻地接合，一个载体与另一个载体或极薄铜层进行层压的情况下，即便不去除一个载体与另一个载体或极薄铜层的接合部，一个载体与另一个载体或极薄铜层也可分离。另外，在一个载体与另一个载体或极薄铜层强力地接合的情况下，通过切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等，将一个载体与另一个载体或极薄铜层接合的部位去除，可将一个载体与另一个载体或极薄铜层分离。
另外，可通过实施以下步骤来制作不具有芯的印刷配线板：在以上述方式构成的层压体上至少1次设置树脂层及电路的步骤；以及在至少1次形成上述树脂层及电路后，从上述层压体的带载体的铜箔剥离上述极薄铜层或载体的步骤。此外，也可在该层压体的至少一个面、即层压体的一个或两个表面，设置树脂层及电路。
所述层压体中使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料可为本说明书中记载的树脂层，也可包含本说明书记载的树脂层中所使用的树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，所述带载体的铜箔或者层压体可在俯视时小于树脂或者预浸料或者树脂基板或者树脂层。
另外，树脂基板只要具有可适用于印刷配线板等的特性，则不受特别限制，例如，刚性pwb用途中可使用：纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布·纸复合基材环氧树脂、玻璃布·玻璃无纺布复合基材环氧树脂以及玻璃布基材环氧树脂等，fpc用途中可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、lcp(液晶聚合物)膜、氟树脂等。此外，在使用lcp膜或氟树脂膜的情况下，存在较使用聚酰亚胺膜的情况而言，该膜与表面处理铜箔的剥离强度变小的倾向。因此，在使用lcp膜或氟树脂膜的情况下，通过在形成铜电路后，以覆盖层来覆盖铜电路，则该膜与铜电路难以剥落，可防止由剥离强度下降所引起的该膜与铜电路的剥离。
[实施例]
以下，基于实施例及比较例来进行说明。此外，本实施例始终为一例，并非仅仅限定于该例子。即，包含本发明中所含的其他实施方式或者变形。
实施例6及比较例4的原箔是使用厚度12μm的压延铜箔tpc(jish3100c1100所规定的韧铜，jx金属制造，表面的十点平均粗糙度rz＝0.7μm)。实施例7及比较例5的原箔是使用厚度12μm的电解铜箔(jx金属制造的hlp箔，析出面(m面)的表面的十点平均粗糙度rz＝0.7μm)，在析出面(m面)设置表面处理层。
另外，实施例1～5、8～15以及比较例1～3的原箔是使用利用以下方法制成的带载体的铜箔。
实施例1～5、8、10～15、比较例1～3是准备厚度18μm的电解铜箔(jx金属制造的jtc箔)来作为载体，实施例9是准备上述厚度18μm的标准压延铜箔tpc来作为载体。而且利用下述条件，在载体的表面形成中间层，且在中间层的表面形成表1所记载的厚度(1μm或3μm)的极薄铜层。此外，在载体为电解铜箔的情况下，在光泽面(s面)形成中间层。
·实施例1～5、8～15以及比较例1～3
＜中间层＞
(1)ni层(镀ni)
通过利用以下的条件，在卷对卷型的连续镀敷线上，对载体进行电镀，形成3000μg/dm2的附着量的ni层。以下记载具体的镀敷条件。
硫酸镍：270～280g/l
氯化镍：35～45g/l
乙酸镍：10～20g/l
硼酸：30～40g/l
亮光剂：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸钠：55～75ppm
ph：4～6
液温：55～65℃
电流密度：10a/dm2
(2)cr层(电解铬酸盐处理)
接着，将(1)中形成的ni层表面进行水洗及酸洗后，继而，在卷对卷型的连续镀敷线上，通过利用以下的条件进行电解铬酸盐处理，在ni层上附着11μg/dm2的附着量的cr层。
重铬酸钾1～10g/l、锌0g/l
ph：7～10
液温：40～60℃
电流密度：2a/dm2
＜极薄铜层＞
接着，将(2)中形成的cr层表面进行水洗及酸洗后，继而，在卷对卷型的连续镀敷线上，通过利用以下的条件进行电镀，在cr层上形成表1所记载的厚度(1μm或3μm)的极薄铜层，制作带载体的铜箔。
铜浓度：90～110g/l
硫酸浓度：90～110g/l
氯化物离子浓度：50～90ppm
流平剂1(双(3-磺基丙基)二硫化物)：10～30ppm
流平剂2(胺化合物)：10～30ppm
此外，使用下述胺化合物作为流平剂2。
[化2]
(上述化学式中，r1及r2为选自由羟基烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一组群中者)
电解液温度：50～80℃
电流密度：100a/dm2
电解液线速：1.5～5m/sec
＜粗糙化处理1、粗糙化处理2＞
继而，使用表3所记载的镀敷浴，如表1所记载来进行粗糙化处理1。关于实施例3、12～14、比较例1、4、5，继粗糙化处理1之后，使用表3所记载的镀敷浴，如表1所记载来进行粗糙化处理2。
＜耐热处理、防锈处理＞
继而，关于实施例2、3、9～14，使用表4所记载的镀敷浴，如表1所记载来进行耐热处理。进而，关于实施例9、11，使用表4所记载的镀敷浴，如表1所记载来进行防锈处理。
＜铬酸盐处理、硅烷偶联处理＞
继而，对实施例1～5、8～15、比较例1～5进行以下的电解铬酸盐处理。
·电解铬酸盐处理
液组成：重铬酸钾1g/l
液温：40～60℃
ph：0.5～10
电流密度：0.01～2.6a/dm2
通电时间：0.05～30秒
然后，对于实施例1～5、7、9～15、比较例1～5进行以下的使用二氨基硅烷的硅烷偶联处理。
·硅烷偶联处理
硅烷偶联剂：n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷
硅烷偶联剂浓度：0.5～1.5vol％
处理温度：20～70℃
处理时间：0.5～5秒
(表面处理层的合计附着量)
·蚀刻前的粗糙化粒子个数的确定
利用扫描型电子显微镜(sem)，以10000倍对实施例、比较例的具有表面处理层的面侧拍摄照片。在所获得的照片的大小5μm×5μm的任意的3个视野中数出粗糙化粒子的个数。并且，将3个视野中的粗糙化粒子的算术平均值作为每1视野的粗糙化粒子的个数。此外，关于视野中包含粗糙化粒子的一部分的粗糙化粒子，也作为粗糙化粒子来计数。
·蚀刻的实施
利用以下的条件，进行0.5秒的蚀刻。
(蚀刻条件)
·蚀刻形式：喷雾蚀刻
·喷雾喷嘴：实心锥(フルコーン)型
·喷雾压：0.10mpa
·蚀刻液温：30℃
·蚀刻液组成：
h2o218g/l
h2so492g/l
cu8g/l
添加剂jcu股份有限公司制造的fe-830iiw3c适量
剩余部分水
此外，为了防止由蚀刻液引起的侵蚀，未进行蚀刻的一侧的面是以耐酸带或者预浸料等来掩盖。
·蚀刻后的样品表面的粗糙化粒子个数的测定以及蚀刻结束时间的决定
以与所述相同的方式测定蚀刻后的样品表面的粗糙化粒子个数。
而且，在粗糙化粒子个数成为蚀刻前的粗糙化粒子个数的5％以上20％以下的个数的情况下，结束蚀刻。
此外，所述的粗糙化粒子个数是否为蚀刻前的粗糙化粒子个数的5％以上20％以下的个数的判定，是根据以下式子的值a是否为5％以上20％以下来进行。
a(％)＝蚀刻后的粗糙化粒子个数(个/25μm2)/蚀刻前的粗糙化粒子个数(个/25μm2)×100％
设定所述蚀刻结束的基准的原因在于，在样品表面的粗糙化粒子不存在的部位，存在表面处理层下的铜箔或者极薄铜层被蚀刻的情况。在粗糙化粒子个数超过蚀刻前的粗糙化粒子个数的20％的情况下，再次进行0.5秒的蚀刻。而且，将所述粗糙化粒子个数的测定、与所述0.5秒的蚀刻反复进行，直至粗糙化粒子个数成为蚀刻前的粗糙化粒子个数的20％以下的个数为止。此外，进行最初的0.5秒的蚀刻时，在粗糙化粒子个数成为小于蚀刻前的粗糙化粒子个数的5％的情况下，将蚀刻的时间设为0.05秒以上0.4秒以下的范围的任一时间(例如0.05秒、0.1秒、0.15秒、0.2秒、0.25秒、0.3秒、0.35秒或0.4秒)，来进行所述蚀刻后的样品表面的粗糙化粒子个数的测定。而且，将粗糙化粒子个数成为蚀刻前的粗糙化粒子个数的5％以上20％以下的个数的合计蚀刻时间作为蚀刻结束时间。
·蚀刻前的样品的重量测定
试样的大小：10cm见方的片材(以压机来冲压的10cm见方的片材)
试样的采集：任意的3个部位
此外，试样的重量测定中使用可测定至小数点后第四位的精密天平。而且，将所得的重量的测定值直接用于上述计算。
精密天平是使用亚速旺(アズワン)股份有限公司的iba-200。压机是使用野口压机(野口プレス)股份有限公司制造的hap-12。
此外，也可包含下述的蚀刻实施时使用的耐酸带或者预浸料等掩盖构件来进行上述的重量测定。在该情况下，后述的蚀刻后的样品重量的测定中也包括掩盖构件来进行重量测定。另外，在样品为带载体的铜箔的情况下，也可包含载体来进行上述的重量测定。在该情况下，后述的蚀刻后的样品重量的测定中也包括载体来进行重量测定。
·蚀刻后的样品的重量测定
将样品的与具有表面处理层的一侧相反侧的面掩盖后，在蚀刻结束时间之间对样品的表面处理面侧进行蚀刻。然后测定样品的重量。此外，当利用扫描型电子显微镜来观察时，利用扫描型电子显微镜来观察的样品由于蒸镀铂等贵金属，故而样品重量也大于实际的样品的重量。因此，蚀刻后的样品的重量测定是使用未利用扫描型电子显微镜来观察的样品。粗糙化处理层大致均匀地形成于铜箔或者极薄铜层上。因此，判断为宜使用未利用扫描型电子显微镜进行观察的样品。
·表面处理层的合计附着量的算出
表面处理层的合计附着量(g/m2)＝{(蚀刻前的10cm见方的片材的样品的重量(g/100cm2))－(蚀刻后的10cm见方的片材的样品的重量(g/100cm2))}×100(m2/100cm2)
将3个部位的表面处理层的合计附着量的算术平均值作为表面处理层的合计附着量的值。
(表面处理层中的co含有率、ni含有率、co、ni附着量的测定)
co、ni的附着量是将实施例、比较例的大小10cm×10cm的样品，以浓度20质量％的硝酸水溶液溶解自表面起1μm的厚度，使用sii公司制造的icp发光分光分析装置(型号：sps3100)，通过icp发光分析来进行测定。将3个部位的样品的co、ni的附着量的算术平均值作为co、ni的附着量的值。
此外，在铜箔的两面设置有表面处理层的实施例、比较例中，通过在单面贴附耐酸带或热压接fr4等预浸料等来掩盖，将单面的表面处理层溶解来测定co、ni及其他元素的附着量。然后，将所述掩盖去除，对另一单面测定co、ni及其他元素的附着量，或者使用另一样品来测定另一单面的co、ni及其他元素的附着量。此外，表2中记载的值设为单面的值。对于在两面设置有表面处理层的铜箔，两面的co、ni及其他元素的附着量均成为相同的值。此外，在co、ni及其他元素不溶解于浓度20质量％的硝酸水溶液中的情况下，也可利用可使co、ni及其他元素溶解的液体(例如，硝酸浓度：20质量％、盐酸浓度：12质量％的硝酸与盐酸的混合水溶液等)而溶解后，通过上述的icp发光分析来进行测定。此外，可使co、ni溶解的液体可使用公知的液体、或公知的酸性液、或公知的碱性液。
此外，在铜箔或者极薄铜层的凹凸大时，铜箔或者极薄铜层的厚度为1.5μm以下的情况等，当仅仅溶解从表面处理层侧的表面起1μm的厚度时，与上述表面处理层相反侧的面的表面处理成分、或带载体的铜箔的中间层的成分也会溶解。因此，在这种情况下，从铜箔或者极薄铜层的表面处理层侧的表面起溶解铜箔或者极薄铜层的厚度的30％。
此外，所谓元素的“附着量”，是指每样品单位面积(1dm2或1m2)的该元素的附着量(质量)。
另外，表面处理层中的co含有率、ni含有率是利用以下的式子来算出。
表面处理层中的co含有率(％)＝co附着量(μg/dm2)/表面处理层的合计附着量(g/m2)×10-4(g/m2)/(μg/dm2)×100
表面处理层中的ni含有率(％)＝ni附着量(μg/dm2)/表面处理层的合计附着量(g/m2)×10-4(g/m2)/(μg/dm2)×100
(十点平均粗糙度rz的测定)
依据jisb0601-1982，使用小阪研究所股份有限公司制造的接触粗糙度计surfcorderse-3c触针式粗糙度计，来测定粗糙化处理层侧表面的表面粗糙度rz(十点平均粗糙度)。任意地测定10个部位的rz，将该rz的10个部位的平均值作为rz的值。
(传输损耗的测定)
对于各样品，与液晶聚合物树脂基板(可乐丽股份有限公司制造的vecstarctz-厚度50μm，作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的树脂)贴合后，通过蚀刻，以特性阻抗成为50ω的方式形成微带线，使用hp公司制造的网络分析仪n5247a来测定穿透系数，求出频率40ghz下的传输损耗。此外，将所述样品与液晶聚合物树脂基板层压后，对于铜箔的厚度薄于3μm的样品，通过进行镀铜而将铜箔与镀铜层的合计厚度设为3μm。另外，将所述样品与液晶聚合物树脂基板层压后，在铜箔的厚度厚于3μm的情况下，对铜箔进行蚀刻而将厚度设为3μm。
(剥离强度的测定)
对于各样品，从表面处理层侧起与液晶聚合物树脂基板(可乐丽股份有限公司制造的vecstarctz-厚度50μm，作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的树脂)贴合。然后，在样品为带载体的铜箔的情况下剥下载体。而且，在样品的铜箔或者极薄铜层的厚度薄于18μm的情况下，对铜箔或者极薄铜层表面进行镀铜，将铜箔或者极薄铜层与镀铜层的合计厚度设为18μm。另外，在样品的铜箔或者极薄铜层的厚度厚于18μm的情况下，进行蚀刻而将铜箔或者极薄铜层的厚度设为18μm。而且，剥离强度是利用负荷传感器(ロードセル)，将液晶聚合物树脂基板侧拉伸，依据90°剥离法(jisc64718.1)来测定。此外，剥离强度是对各实施例、各比较例测定3个样品。而且，将各实施例、各比较例的3个样品的剥离强度的算术平均值作为各实施例、各比较例的剥离强度的值。此外，剥离强度理想的是0.5kn/m以上。
(微细配线形成性)
将实施例及比较例的各样品与液晶聚合物树脂基板(可乐丽股份有限公司制造的vecstarctz-厚度50μm，作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的树脂)贴合。然后，在样品为带载体的铜箔的情况下，从载体剥下极薄铜层。然后，对于样品的铜箔或者极薄铜层的厚度薄于3μm的样品，通过进行镀铜而将铜箔或者极薄铜层与镀铜层的合计厚度设为3μm。另外，在铜箔或者极薄铜层的厚度厚于3μm的情况下，对铜箔进行蚀刻而将厚度设为3μm。继而，在液晶聚合物树脂基板上的铜箔或者极薄铜层或者镀铜层表面涂布感光性抗蚀剂后，通过曝光步骤来印刷50根的l/s＝5μm/5μm宽的电路，利用以下的喷雾蚀刻条件来进行将铜箔或者极薄铜层或者镀铜层表面的不需要部分去除的蚀刻处理。
(喷雾蚀刻条件)
蚀刻液：氯化铁水溶液(波美度(ボーメ度)：40度)
液温：60℃
喷雾压：2.0mpa
继续进行蚀刻，对电路顶部宽度成为4μm时的电路底部宽度(底边x的长度)以及蚀刻因素进行评价。蚀刻因素是当将在被蚀刻成逐渐扩展状(末広がり)的情况(产生凹陷(ダレ)的情况)、假定电路被垂直蚀刻的情况下的从来自铜箔上表面的垂线与树脂基板的交点起的凹陷长度的距离设为a的情况下，表示该a与铜箔的厚度b的比：b/a，该数值越大，是指倾斜角变得越大，蚀刻残渣不残留，凹陷变小。图5中示出电路图案的宽度方向的横截面的示意图、以及使用该示意图的蚀刻因素的计算方法的概略。该x是通过从电路上方的sem观察来测定，算出蚀刻因素(ef＝b/a)。此外，以a＝(x(μm)－4(μm))/2来计算。通过使用该蚀刻因素，可简单地判定蚀刻性的好坏。本发明中，将蚀刻因素为6以上评价为蚀刻性：◎◎，将5以上且小于6评价为蚀刻性：◎，将4以上且小于5评价为蚀刻性：○○，将3以上且小于4评价为蚀刻性：○，将小于3或无法算出评价为蚀刻性：×。此外，表中“底边x的长度”中的“连结”表示至少在底边部分与邻接的电路连结，无法形成电路。
(耐酸性)
在实施例及比较例的各样品上涂布聚酰胺酸(宇部兴产制造的u-清漆-a，bpda(ビフェニルテトラカルボン酸二無水物，联苯基四羧酸二酐)系)，在100℃干燥，在315℃使其固化而形成具有聚酰亚胺树脂基板(bpda(联苯基四羧酸二酐)系聚酰亚胺)及铜箔的覆铜层压板。然后，在样品为带载体的铜箔的情况下，从载体剥下极薄铜层。然后，对于样品的铜箔或者极薄铜层的厚度薄于3μm的样品，通过进行镀铜而将铜箔或者极薄铜层与镀铜层的合计厚度设为3μm。另外，在铜箔或者极薄铜层的厚度厚于3μm的情况下，对铜箔进行蚀刻而将厚度设为3μm。继而，在聚酰亚胺树脂基板上的铜箔或者极薄铜层或者镀铜层表面涂布感光性抗蚀剂后，通过曝光步骤来印刷50根的l/s＝5μm/5μm宽的电路(配线)，利用以下的喷雾蚀刻条件来进行将铜箔或者极薄铜层或者镀铜层表面的不需要部分去除的蚀刻处理。
(喷雾蚀刻条件)
蚀刻液：氯化铁水溶液(波美度：40度)
液温：60℃
喷雾压：2.0mpa
继续蚀刻至电路顶部宽度成为4μm为止。然后，使具有铜电路的聚酰亚胺树脂基板在由硫酸10wt％、过氧化氢2wt％构成的水溶液中浸渍1分钟后，利用光学显微镜来观察聚酰亚胺树脂基板与铜电路的界面。(参照图6、图7)而且，对经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度进行观察，以如下方式来评价耐酸性。此外，经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度作为电路的被侵蚀部分的电路的宽度方向的长度。而且，将所观察的样品的电路内经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度的最大值，作为该样品的经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度。
耐酸性的评价如下所述。“◎◎”：经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度小于0.6μm；“◎”：经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度为0.6μm以上且小于0.8μm；“○○”：经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度为0.8μm以上且小于1.0μm；“○”：经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度为1.0μm以上且小于1.2μm；“×”：经硫酸与过氧化氢的水溶液所侵蚀的电路的宽度为1.2μm以上。
将上述制造条件以及评价结果示于表1～4中。
[表3]
[表4]
(评价结果)
实施例1～15均良好地抑制传输损耗，且耐酸性良好。
比较例1、4、5的表面处理层中的ni的含有比率为0质量％，另外，表面处理层的最表面的十点平均粗糙度rz超过1.4μm，传输损耗大，且耐酸性不良。
比较例2的表面处理层中的ni的含有比率超过8质量％，传输损耗大。
比较例3的表面处理层中的ni的含有比率为0质量％，耐酸性不良。
此外，本申请案主张基于2017年2月7日提出申请的日本专利申请第2017-020508号的优先权，将该日本专利申请案的全部内容引用于本申请案中。