带载体的极薄铜箔及其制造方法以及印刷配线基板的制作方法

专利名称：带载体的极薄铜箔及其制造方法以及印刷配线基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及带载体的极薄铜箔以及带载体的极薄铜箔的制造方法，特别是涉及适于作为用于高密度极细配线(精密图形)的印刷配线基板用的带载体的极薄铜箔。
背景技术：
印刷配线基板如下制造。首先在由玻璃、环氧树脂和玻璃、聚酰亚胺树脂等构成的电绝缘性基板的表面上，放置形成表面电路用的薄铜箔，然后加热、加压制造覆铜层合板。
接着，在该覆铜层合板上，依次进行通孔的穿设和通孔的电镀，之后在该覆铜层合板表面的铜箔上进行腐蚀处理，形成具备希望线宽和希望线间间距的配线图形，最后，进行抗焊剂的形成和其他的精加工处理。
该覆铜层合板所用的铜箔把向基板热压接一边的表面制成粗糙面，用该粗糙面发挥对该基材的固定效果，这样来提高该基板与铜箔的结合强度、确保作为印刷配线基板的可靠性。最近，把铜箔的粗糙面预先用环氧树脂那样的粘接用树脂覆盖、把该粘接用树脂制成半硬化状态(B步骤)的绝缘树脂层的带树脂铜箔作为形成表面电路用的铜箔使用，把其绝缘树脂层的一侧热压接在基材上，进行印刷配线基板特别是组合配线基板的制造。所谓组合配线基板是多层配线板的一种，是指在绝缘基板上按绝缘层、导体图形各一层的顺序形成、在用激光法和光刻法开口的孔(通路)内实施电镀、把层间导通同时把配线层层叠的配线板。
该配线基板应对各种电子部件的高密度化，使敷金属夹层能微细化，从而配线图形也能高密度化。于是要求有能以微细的线宽和线间间距进行配线的配线图形、所谓精密图形的印刷配线基板，例如在半导体插件上使用的印刷配线基板就要求线宽和线间间距分别在30μm左右这种具有高密度极细配线的印刷配线基板。
作为形成这种微细印刷配线用的铜箔，若使用厚铜箔的话，则腐蚀到基材表面的时间变长。其结果是形成的配线图形中其侧壁的垂直性被剥离，形成的配线图形中配线的宽度狭窄的配线图形有时会导致断线。因此作为在精密图形用中使用的铜箔在使用厚度9μm以下、特别是最近由于信息量的增大电路数增加故使用5μm以下的铜箔。
但薄铜箔(极薄铜箔)机械强度低，在制造印刷配线基板时容易发生皱纹和折痕，有时还产生铜箔断裂，所以作为在精密图形用途中使用的极薄铜箔已开始使用通过剥离层把极薄铜箔层直接电极淀积在载体铜箔单面上的带载体的极薄铜箔。
如图4所示，带载体的极薄铜箔是在作为载体的箔(以下叫做「载体箔」)1的单面上把剥离层2和铜电镀层3按该顺序形成，该铜电镀层3的最外层表面被加工成粗糙面。把该粗糙面重叠在玻璃、环氧基材上之后把整体热压接，接着通过剥离层2把载体箔1剥离、除去，使铜电镀层3的与剥离层2结合的一侧露出，以把规定的配线图形形成在铜电镀层3上的状态使用。
载体箔1在把所述薄的铜电镀层3与基材结合之前作为支撑铜电镀层3的增强材料(载体)在起作用。剥离层2是在把所述铜电镀层3和该载体箔1分离时用于更好剥离的层，把该载体箔1剥离除去时与该载体箔1一起被除去，所以能把该载体箔1干净且容易地剥离。而与玻璃、环氧基材粘合的铜电镀层3则顺次进行通孔的穿设和通孔的电镀，接着对位于该覆铜层合板表面的铜箔进行腐蚀处理、形成具备希望线宽和希望线间间距的配线图形，最后进行形成抗焊剂和其他的精加工处理。
这样带载体的铜箔能把电镀层3的厚度制成例如9μm以下的极薄，能形成精密图形，而且由于处理时操作性优良，故特别是在制造组合配线板中被使用。

发明内容
有人提出，在载体箔上设置铬酸盐薄剥离层，在该剥离层上用碱性焦磷酸铜浴设置铜层，在其上再设置铜层的合成箔作为带载体的铜箔(例如参照特公昭61-34385号公报)。
把该合成箔应用于例如FR-4级那样的耐热性玻璃环氧树脂层合板上时热压接温度是170℃左右，所以虽然能把铜箔和载体箔剥离，但剥离强度依赖于载体铜箔的表面粗糙度，剥离强度没有稳定性。在以高耐热性树脂、特别是以聚酰亚胺树脂为基材时无论是铸造法或是热压接法时加工温度都是在300℃以上的高温，所以由温度引起的铜的扩散剧烈，载体铜箔的表面粗糙度进一步影响剥离强度，载体箔与极薄铜箔的剥离强度没有稳定性，剥离强度的偏差也大。而且把极薄铜箔向剥离层上均匀实施电镀难，所以有在极薄铜箔上存在的针孔的数量也多(参照例如特公平08-18401号公报的比较例5～6)的问题。
本发明的目的在于提供一种带载体的极薄铜箔及其制造方法以及使用该带载体的极薄铜箔的印刷配线基板，具有能承受诸如使用高耐热性树脂的基材时那样的高温下的加工温度的剥离层，通过把载体箔粗糙度的影响限制到最小，可以用稳定的剥离强度使载体箔和极薄铜箔容易地剥离，通过在载体箔上均匀电镀铜箔，使得在10μm以下的极薄铜箔上针孔也很少。
本发明带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有触击镀层，所述极薄铜箔以及所述触击镀层是含有P的Cu层或含有P的Cu合金层。
本发明带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的触击镀层，在该触击镀层上设有极薄铜镀层，在该极薄层上设有由Cu或Cu合金构成的所述极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的触击镀层，在该触击镀层上设有极薄铜镀层，在该极薄层上设有由含有P的Cu或含有P的Cu合金构成的所述极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的触击镀层，在该触击镀层上设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的极薄层，在该极薄层上设有由Cu或Cu合金构成的所述极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的触击镀层，在该触击镀层上设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的极薄层，在该极薄层上设有由含有P的铜或含有P的Cu合金构成的所述极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，极薄铜箔侧的载体箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，设置于该载体箔表面的剥离层上设置的极薄铜箔的载体箔侧的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在从该极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部向极薄铜箔侧在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置，形成至少覆盖剥离层表面90％以上面积的铜或铜合金层，而且进行300℃以上热压接处理后的剥离强度是0.01KN/m～0.05KN/m。
本发明带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，极薄铜箔侧的载体箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，设置于该载体箔表面的剥离层上设置的极薄铜箔的载体箔侧的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在从该极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部向极薄铜箔侧、在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置，形成至少导电率为90％以上的铜或铜合金层，而且进行300℃以上热压接处理后的剥离强度是0.01KN/m～0.05KN/m。
本发明带载体的极薄铜箔制造方法中带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其制造方法是在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有P的Cu或含有P的Cu合金电镀浴用触击电镀将含有P的Cu层或含有P的Cu合金层制膜，在其上用电镀形成由含有P的Cu或含有P的Cu合金构成的极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔制造方法中带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其制造方法是在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有P的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层，在该触击镀层上通过电镀铜或铜合金制膜成极薄层，在该极薄层上通过电镀Cu或Cu合金来形成极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔制造方法中带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其制造方法是在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层后，在该剥离层上用含有磷的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层，在该触击镀层上通过电镀铜或铜合金制膜成极薄层，在该极薄层上通过电镀含有P的Cu或含有P的Cu合金来形成极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔制造方法中带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其制造方法是在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有P的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层，在该触击镀层上把由含有P的Cu或含有P的Cu合金构成的极薄层制膜，在该极薄层上通过电镀Cu或Cu合金来形成极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔制造方法中带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其制造方法是在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有磷的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层，在该触击镀层上把由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的极薄层制膜，在该极薄层上通过电镀含有P的Cu或含有P的Cu合金来形成极薄铜箔。
本发明带载体的极薄铜箔制造方法中带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其制造方法是在表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm的载体箔表面上把剥离层制膜，在该剥离层上把载体箔侧形成表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，用含有/或不含有pH3～pH13的P的Cu或者含有/或不含有P的Cu合金电镀浴把触击镀层制膜、在形成的极薄铜箔侧的表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上，至少用铜层覆盖剥离层表面90％以上面积，在该触击镀层上把含有P/或不含有P的铜层或铜合金层作为规定厚度的极薄铜箔来形成。
本发明带载体的极薄铜箔制造方法中带载体的极薄铜箔由载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其制造方法是在表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm的载体箔表面上把剥离层制膜，在该剥离层上载体箔侧的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，用含有/或不含有pH3～pH13的P的Cu或含有/或者不含有P的Cu合金电镀浴制膜形成触击镀层、在从形成的极薄铜箔侧的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上成为导电率90％以上的铜层，在该触击镀层上把含有P/或不含有P的铜层或铜合金层作为规定厚度的极薄铜箔来形成。
根据本发明则提供以使用所述带载体的极薄铜箔而构成高密度极细配线为特征的印刷配线基板。
所述本发明的目的和特征通过下面参照附图的叙述就更加明确了。


图1是表示带载体的铜箔的一结构例的剖面说明图；图2是表示带载体的铜箔的另一结构的剖面说明图；图3(a)是表示使用了图1所示带载体的铜箔的印刷配线基板结构的剖面说明图；图3(b)是表示使用了图2所示带载体的铜箔的印刷配线基板结构的剖面说明图；图4是表示现有带载体的铜箔的一实施例的剖面说明图。
具体实施例方式
本发明所使用的载体箔可以使用铝箔、铝合金箔、不锈钢箔、铁合金箔、钛箔、钛合金箔、铜箔、铜合金箔等，但从成本来看最好是使用电解铜箔、电解铜合金箔、压延铜箔或压延铜合金箔等，而且最好使用其厚度是7μm～200μm厚度的箔。作为载体箔若采用薄铜箔则机械强度低，制造印刷配线基板时容易发生皱纹和折痕、有产生铜箔断开的危险性，所以作为载体箔、7μm以下的难于发挥作用。若载体箔的厚度为200μm以上时，则对产品而言，每单位线圈的重量(线圈单重)增加、对生产性影响大，同时设备上也要求更大的拉力、设备需要变大，不理想。
所述载体箔上设置的剥离层最好是铬金属、铬合金和铬金属层上铬水合氧化物、铬水合氧化物层，Ni、Fe或它们的合金层或/和它们的水和物层。作为铬合金可以举出镍-铬、钴-铬、铬-钨、铬-铜、铬-铁等。
作为三元系合金可以举出镍-钴-铬、镍-铁-铬、镍-铬-钼、镍-铬-钨、镍-铬-铜、镍-铬-磷、钴-铁-铬、钴-铬-钼、钴-铬-钨、钴-铬-铜、钴-铬-磷等。形成这些剥离层的金属以及它们的水合氧化物最好是通过电处理来形成。为了谋求更高温下加热冲压后剥离性的稳定，剥离层的基底使用镍、铁或它们的合金层便可。
把极薄铜箔从载体箔剥离时的剥离强度受形成剥离层的金属的附着量的影响。即当镀层附着量多时，构成剥离层的金属(以下单叫做剥离材料金属)成为完全覆盖载体箔表面的状态，剥离强度被考虑成把剥离材料金属表面与后来附着的金属箔的结合剥离开的力。与此相对，在剥离材料金属的附着量少时，载体箔表面没有被剥离材料金属完全覆盖，剥离强度被考虑成仅仅是把露出的载体箔金属和剥离材料金属与在其上附着的金属的结合力剥离开的力。因此根据形成剥离层的剥离材料金属的附着量不同载体的剥离强度变化，当把剥离层形成(附着)到某种程度厚时就不再变化，根据实验，作为形成剥离层的金属的附着量即使把附着量增加到0.01～100mg/dm2以上时，与箔的剥离强度也不再变化。但形成剥离层的金属Cr金属、考虑到对环境的影响最好是在4.5mg/dm2以下。
剥离层仅用金属(或合金)形成也能维持所述那样的高温剥离，但若在其金属表层存在水合氧化物时则剥离性会更加提高。电镀液中的浸泡时间、电流值、电镀液切断、水洗状态、刚电镀完后电镀液的pH等与表层形成的水合氧化物有密切的关系，一般认为该水合氧化物层对高温剥离性的影响大。但即使这时，作为形成剥离层的金属的Cr金属、考虑到对环境的影响也最好是在4.5mg/dm2以下。若超过此则针孔变多，不理想。用Cr的水合氧化物形成剥离层时、考虑到对环境的影响Cr金属(包括其合金)的附着量最好是在0.015mg/dm2以下。
一般地，向剥离层上电镀极薄铜箔、由于剥离层剥离性的原因进行均匀的电镀非常难，极薄铜箔上针孔的数量增多。因此本发明用焦磷酸触击铜电镀或形成复离子的电镀液在剥离层上进行触击电镀。通过这样在剥离层上实施触击电镀能把均匀的极薄铜箔电镀在剥离层上，即使是在10μm以下的极薄铜箔上也能使针孔的数量显著减少。
作为焦磷酸铜触击电镀液的组成，例如Cu2P2O7·3H2O 5～50g/LK4P2O750～300g/LpH 8～10对形成良好的电镀覆膜是理想的。
作为形成复离子的电镀液可以举出氰基·氨基磺酸铜电镀浴。作为氰化铜触击电镀浴的例，例如CuCN10～50g/LKCN 20～60g/L
pH11～13对形成良好的电镀覆膜是理想的。
作为氨基磺酸铜触击电镀浴例如Cu(NH2SO3)·4H2O20～100g/LNiCl26H2O10～60g/LH3BO310～40g/LpH 3.5～4.5对形成良好的电镀覆膜是理想的。
即使载体箔的表面粗糙度存在偏差，通过进行触击电镀也能得到有稳定性的剥离强度。生成作为剥离层的铬酸盐覆膜、特别是由于生成的覆膜薄，所以更容易受到载体箔表面的表面粗糙度的影响而成为剥离强度有偏差的原因之一，但通过在剥离层上进行触击电镀能抑制该剥离强度的偏差。作为替代剥离层上的触击电镀、用脉冲电镀也能得到同样的效果。该触击镀层作为剥离层采用有机覆膜，对该有机覆膜上的镀层也显示有效果，在触击镀层上形成10μm以下的极薄铜箔时对减少针孔数量有效果。
用触击电镀附着的铜层的平均镀层厚度最好是0.01μm～0.5μm，电镀条件按浴种的不同而有多种，但最好作为电流密度是0.1A/dm2～10A/dm2，作为电镀时间是0.1秒～2分左右。电流密度是0.1A/dm2以下时则难于把镀层均匀覆盖在剥离层上，若是10A/dm2以上时则在电镀液的金属浓度稀的触击电镀中发生镀层烧伤而得不到均匀的铜镀层，所以不理想。电镀时间在0.1秒以下时对得到足够的镀层来说短，不理想。
作为触击镀层的形成方法，首先为了不损害剥离层的剥离性而用焦磷酸铜电镀浴在剥离层上覆上0.01μm以上0.5μm以下的薄铜镀层，然后也可用电流效率良好的硫酸铜电镀浴等的电镀浴形成一定的膜厚。即使在该方法中，作为能容易剥离而且减少针孔数量的带载体的铜箔的制造方法，也是在剥离层上实施焦磷酸铜触击电镀，在实施了均匀又薄的铜镀层后再用焦磷酸铜电镀浴对所述触击铜镀层没有侵害地进行电镀，在形成了有稳定性的镀膜的基础上使用电流效率良好的硫酸铜电镀浴、氰化铜电镀浴、氟硼化铜电镀浴、焦磷酸铜电镀浴等电镀到目标镀层厚度，质量良好且有效率。
设置在剥离层上的极薄铜箔的电镀浴记载有通过使用形成复离子的浴能得到减少针孔数量的效果(参照上述的特公昭61-34385号公报)。但形成复离子的电镀液一般地其粘合性不太好，所以在比载体箔表面的剥离层表面凹凸的凹部Rz值+0.2μm以下的位置处不能把剥离层表面均匀覆盖，但通过在剥离层上实施触击电镀能在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1～0.2μm的位置把剥离层的表层覆盖90％以上，能使针孔数量更减少，使剥离性稳定。
为了得到与极薄铜箔表面所设树脂的粘合性而对极薄铜箔表面进行粗糙化处理，把粗糙化处理面的表面粗糙度Rz制成Rz0.2～4.0(μm)便可。即粗化处理考虑到在粗糙度是0.2μm以下时对与树脂的粘合性不太产生影响，所以没有进行粗化的意义，而粗糙度是4μm时，则能得到足够的粘合性，再进一步粗化没有必要。表面粗糙度Rz是指JISB 0601-1994「表面粗糙度的定义与表示」中的5.1「十点平均粗糙度的定义」中规定的表面粗糙度。
下面参照附图以实施例详细说明本发明。
实施例1(图1)1、准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度31μm、光泽面粗糙度Rz＝1.5μm的未处理电解铜箔。
2、形成剥离层对所述载体铜箔1的光泽面连续进行电处理，形成金属Cr附着量是0.50mg/dm2的金属铬剥离层2。
3、在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的触击镀层接着在该剥离层2上、在Cu2P2O7·3H2O30g/LK4P2O7300g/LpH8的溶液中以电流密度1.5A/dm2的条件进行30秒钟的触击电镀，在剥离层的表面及其近旁形成含有P的层2A。
4、形成极薄铜箔接着在含有P的触击镀层2A上、在Cu2P2O7·3H2O 85g/LK4P2O7350g/LNH3OH(28％)5ml/LpH 8.5的溶液中以电流密度4A/dm2的条件通过电镀形成极薄铜层2B，加上了所述触击镀层2A膜厚的总镀层厚度tp1成为tp1＝3μm，形成极薄铜箔3。
再用公知的方法实施把铜的粒子附着在极薄铜箔3表面上的粗化处理。作为防锈处理和表面处理，在实施了粗化处理的极薄铜箔上用公知的方法进行镀锌和铬酸盐处理，得到带载体箔的极薄铜箔。
实施例2(图2)1、准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度31μm、光泽面粗糙度Rz＝0.2μm的未处理电解铜箔。
2、形成剥离层对所述载体铜箔1的光泽面连续进行电处理，形成由Cr附着量是0.30mg/dm2的水合氧化物膜构成的剥离层2。
3、在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的触击镀层接着在剥离层2上，在Cu2P2O7·3H2O30g/LK4P2O7300g/LpH8的溶液中以电流密度1.5A/dm2的条件进行60秒钟的触击电镀，在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的层2A。
4、形成极薄铜箔-1接着在含有P的触击镀层2A上用Cu浓度 50g/LH2SO4100g/L电流密度15A/dm2形成铜的极薄铜层2C。
5、形成极薄铜箔-2接着在Cu2P2O7·3H2O 85g/LK4P2O7350g/LNH3OH(28％) 5ml/LpH 8.5的溶液中以电流密度4A/dm2的条件通过电镀形成极薄铜层2B，加上了触击镀层2A和极薄铜层2C、2B膜厚的总镀层厚度tp2成为tp2＝3μm，形成了极薄铜箔3。
再用公知的方法实施把铜的粒子附着在极薄铜箔3表面上的粗化处理。作为防锈处理和表面处理，在实施了粗化处理的极薄铜箔上用公知的方法进行镀锌和铬酸盐处理，得到带载体箔的极薄铜箔。
实施例3(图2)1、准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度35μm、光泽面粗糙度Rz＝0.8μm的未处理电解铜箔。
2、形成剥离层对所述载体铜箔1的光泽面连续进行电处理，形成由金属附着量是0.50mg/dm2的金属铬和水合氧化物膜构成的剥离层2。
3、在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的层接着在该剥离层上、在Cu2P2O7·3H2O 16g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以电流密度1.5A/dm2的条件进行60秒钟的触击电镀，在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的层2A。
4、形成极薄铜层-1接着在含有P的触击镀层2A上用Cu2P2O7·3H2O 70g/LK4P2O7250g/LNH3OH(28％) 4ml/LpH 8.5形成铜的极薄铜层2C。
5、形成极薄箔-2接着在含有P的极薄铜层2C上、在Cu浓度 55g/LH2SO480g/L的溶液中以电流密度15A/dm2的条件通过电镀形成极薄铜层2B，触击镀层2A和所述极薄铜层2C、2B的总镀层厚度tp2成为tp2＝3μm，形成了极薄铜箔3。
再用公知的方法实施使铜的粒子附着的粗化处理。作为防锈处理和表面处理，在实施了粗化处理的极薄铜层上用公知的方法进行镀锌和铬酸盐处理，得到带载体箔的极薄铜箔。
实施例4(图2)准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度35μm、光泽面粗糙度Rz＝4.1μm的未处理电解铜箔。剥离层2以及极薄铜箔3的形成以与实施例3相同条件进行。
实施例5(图2)1、准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度31μm、光泽面粗糙度Rz＝1.1μm的未处理电解铜箔。
2、形成剥离层在所述载体铜箔1的光泽面上用dip法形成附着量是0.014mg/dm2的水合氧化物膜的剥离层2。
3、在剥离层的表面及其近旁形成含有P的层接着在该剥离层上、在Cu2P2O7·3H2O20g/LK4P2O7300g/LpH8的溶液中以电流密度1.2A/dm2的条件进行60秒钟的触击电镀，在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的层2A。
4、形成极薄铜箔-1接着在含有P的触击镀层2A上、用Cu2P2O7·3H2O 100g/LK4P2O7280g/LNH3OH(28％) 5ml/LpH 8.5形成极薄铜层2C。
5、形成极薄铜箔-2接着在CuCN70g/LKCN 90g/L的溶液中以电流密度5A/dm2的条件通过电镀形成极薄铜层2B，触击镀层2A和所述极薄铜层2C、2B的总镀层厚度tp2成为tp2＝3μm，形成了极薄铜箔3。
然后用公知的方法实施使铜的粒子附着的粗化处理。作为防锈处理和表面处理，在实施了粗化处理的极薄铜层上用公知的方法进行镀锌和铬酸盐处理，得到带载体箔的极薄铜箔。
实施例6(图2)1、准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度31μm、光泽面粗糙度Rz＝4μm的未处理电解铜箔。
2、形成剥离层对所述载体铜箔1的光泽面连续进行镍-铬合金的电镀，形成附着量是0.50mg/dm2的镍-铬合金镀层的剥离层2。
3、在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的层接着在该镍-铬合金剥离层上、在Cu2P2O7·3H2O 30g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以电流密度1.5A/dm2的条件进行60秒钟的触击电镀，在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的层2A。
4、形成极薄铜箔-1接着在含有P的触击镀层2A上、在Cu2P2O7·3H2O 90g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以电流密度4A/dm2的条件用电镀形成厚度1μm、含有P的铜的极薄铜层2C。
5、形成极薄铜箔-2接着在含有P的铜层2C上、在Cu浓度 50g/LH2SO4100g/L的溶液中以电流密度20A/dm2的条件通过电镀形成极薄铜层2B，触击镀层2A和所述极薄铜层2C、2B的总镀层厚度tp2成为tp2＝3μm，形成了极薄铜箔3。
最后用公知的方法实施使铜的粒子附着的粗化处理。作为防锈处理和表面处理，在实施了粗化处理的极薄铜层上用公知的方法进行镀锌和铬酸盐处理，得到带载体箔的极薄铜箔。
实施例7(图2)1、准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度31μm、光泽面粗糙度Rz＝1.8μm的未处理电解铜箔。
2、形成剥离层对所述载体铜箔1的光泽面连续进行电处理，形成Cr附着量是1.50mg/dm2的金属铬的剥离层2。
3、在剥离层的表面及其近旁形成含有P的层接着在该剥离层2上，在
Cu2P2O7·3H2O 30g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以电流密度1.5A/dm2的条件进行2分钟的触击电镀，在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的层2A。
4、形成极薄铜箔-1接着在含有P的触击镀层2A上、用CuCN55g/LKCN 70g/L的条件形成极薄铜层2C。
5、形成极薄铜箔-2接着在极薄铜层2C上、在Cu2P2O7·3H2O 85g/LK4P2O7350g/LNH3OH(28％) 5ml/LpH 8.5的溶液中以电流密度3A/dm2的条件通过电镀形成极薄铜层2B，触击镀层2A和所述极薄层2C、2B的总镀层厚度tp2成为tp2＝3μm，形成了极薄铜箔3。
再用公知的方法实施使铜的粒子附着的粗化处理。作为防锈处理和表面处理，在实施了粗化处理的极薄铜层上用公知的方法进行镀锌和铬酸盐处理，得到带载体箔的极薄铜箔。
实施例8(图2)1、准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度31μm、光泽面粗糙度Rz＝3.5μm的电解铜箔。
2、形成剥离层对所述载体铜箔1的光泽面连续进行铁-铬合金的电镀处理，形成附着量是1.0mg/dm2的铁-铬镀层的剥离层2。
3、在剥离层的表面及其近旁形成含有P的层接着在该铁-铬镀层2上，在Cu2P2O7·3H2O 30g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以电流密度1.5A/dm2的条件进行1分钟的触击电镀，在剥离层2的表面及其近旁形成含有P的层2A。
4、形成极薄铜箔-1接着在含有P的触击镀层2A上、在Cu2P2O7·3H2O 50g/LK4P2O7300g/LpH 8的溶液中以电流密度4A/dm2的条件通过电镀形成含有P的极薄铜层2C。
5、形成极薄铜箔-2接着在含有P的极薄铜层2C上、在Cu浓度 50g/LH2SO4100g/L的溶液中以电流密度15A/dm2的条件通过电镀形成极薄铜层2B，触击镀层2A和所述极薄铜层2C、2B的总镀层厚度tp2成为tp2＝3μm，形成了极薄铜箔3。
再用公知的方法实施使铜的粒子附着的粗化处理。作为防锈处理和表面处理，在实施了粗化处理的极薄铜层上用公知的方法进行镀锌和铬酸盐处理，得到带载体箔的极薄铜箔。
实施例9(图1)1、准备载体铜箔作为载体铜箔1准备厚度31μm、光泽面粗糙度Rz＝1.0μm的电解铜箔。
2、形成剥离层对所述载体铜箔1的光泽面连续进行电处理，形成由金属附着量是0.50mg/dm2的金属铬和水合氧化物膜构成的剥离层2。
3、在剥离层的表面形成触击镀层在氰化铜触击电镀浴的组成是CuCN30g/LKCN 40g/LpH 11.5的浴中以电流密度4A/dm2进行1.5分钟的电镀，制膜形成触击镀层2A。
4、形成极薄铜箔在触击镀层2A上、在CuCN70g/LKCN 90g/L的溶液中以电流密度5A/dm2的条件通过电镀形成极薄铜层2B，把触击镀层2A和所述极薄铜层2B的膜厚相加的总镀层厚度tp1成为tp1＝3μm，形成了极薄铜箔3。
再用公知的方法实施使铜的粒子附着的粗化处理。作为防锈处理和表面处理，在实施了粗化处理的极薄铜层上用公知的方法进行镀锌和铬酸盐处理，得到带载体箔的极薄铜箔。
实施例10(图3(a))在实施例1制作的带载体箔的极薄铜箔的表面上用压辊涂料器把树脂漆涂敷6.0mg/dm2的厚度，然后用温度160℃进行5分钟热处置，制成B级的绝缘树脂层4，剥离载体箔1，形成带树脂的铜箔，使用该带树脂层的铜箔制作成印刷配线基板。使用的漆是把艾皮库隆(エビクロン)1121-75M(商品名、日本インク化学(株)制的双酚A型环氧树脂漆)130重量份和双氰二酰胺2.1重量份和2-乙基-4-甲基咪唑0.1重量份和甲基溶纤剂20重量份加以混合制造的。
比较例1在实施例3的状态下，不进行焦磷酸触击电镀来调整带载体的极薄铜箔。
比较例2把载体箔换成表面粗糙度Rz＝4.1μm的，在实施例3的状态下，不进行焦磷酸触击电镀来调整带载体的极薄铜箔。
把对上述实施例中所示的箔的载体剥离和针孔进行评价用的样品如下述制作并进行了评价(1)制作测量载体剥离用的单面覆铜层合板把所述带载体箔的极薄铜箔(实施例1～10、比较例1、2)切断成纵250mm、横250mm后、在极薄铜箔3的表面(粗糙面侧的面)上放置热压接后厚度是1mm的玻璃纤维强化环氧预浸渍片(FR-4)，把整体用2张平滑的不锈钢板夹住，用温度170℃、压力50kg/cm2热压接60分钟，制造带载体箔的FR-4载体剥离用单面覆铜层合板。
把所述带载体箔的极薄铜箔(实施例1～10、比较例1、2)切断成纵250mm、横250mm后、在极薄铜箔3的表面(粗糙面侧的面)上放置厚度50μm的聚酰亚胺片(宇部兴产制UPILEX-VT)，把整体用2张平滑的不锈钢板夹住，通过20torr(2666.44Pa)的真空泵、用温度330℃、压力2kg/cm2热压接10分钟，然后用温度330℃、压力50kg/cm2热压接5分钟，制造带载体箔的聚酰亚胺载体剥离用单面覆铜层合板。
(2)制作测量针孔用的单面覆铜层合板用与所述FR-4用载体剥离用单面覆铜层合板相同的工序制作测量针孔用的单面覆铜层合板。
特性评价(1)载体剥离的测量从用所述(1)的方法制作的带载体铜箔的单面覆铜层合板上切试料，以JISC6511规定的方法为基准、如图3(a)、图3(b)所示那样把载体铜箔以测量试料宽度10mm从树脂层4剥离，剥离强度用3次进行测量。评价结果示于表1。
(2)测定针孔在暗室内把用所述(2)的方法制作的纵250mm、横250mm的单面覆铜层合板的树脂基材侧对着光，通过透过来的光计数针孔的个数。评价结果也示于表1。
(3)在从极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1～0.2μm的位置、测量剥离层上铜镀层面积比的方法以实施例1～10和比较例1、2的镀敷条件，在设置于载体箔表面的剥离层上，如图1和图2所示，加以平均时，在从该极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，直至极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1～0.2μm的位置镀铜，在其表面上粘贴透明胶带，把铜侧粘贴在透明胶带上并剥离，测量剥离层表面积和剥离的铜层的表面积，算出其比率。结果也示于表1。
作为确认的方法另外也可以把铜箔埋在树脂中、在从极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，直至在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1～0.2μm的位置进行研磨并测量。而且还可以用FIB(Focused ionbeam)等把树脂埋住的铜箔切片、加以确认。
(4)从在载体箔表面的剥离层表面上形成的极薄铜箔表面凹凸的凸部到极薄铜箔表面的粗糙度Rz值+0.2μm位置的铜层的导电率测量方法以实施例和比较例的电镀条件，在设置于载体箔表面的剥离层上，自该剥离层表面凹凸的凹部至Rz值+0.2μm的位置镀铜，在其表面上粘贴透明胶带，把铜侧粘贴在透明胶带上并剥离，测量附着在胶带上的铜层的导电率。其结果示于表1。
作为确认的方法也可以从极薄铜箔的载体箔侧把从在载体箔表面的剥离层表面上形成的极薄铜箔表面凹凸的凸部到极薄铜箔表面的粗糙度Rz值+0.1μm～0.2μm处进行研磨或化学溶解，进行研磨或溶解前后导电率的测量，用其差求得导电率，该方法对带树脂的铜箔的情况有效。


评价结果(1)载体剥离FR-4载体剥离时，即使热压接温度是170℃，比较例样品的载体剥离的数值也稍大，与此相对，实施例的样品稳定且载体剥离也低。聚酰亚胺载体剥离时，由于热压接温度是330℃的高温，所以比较例1不能剥离，比较例2可以剥离，但在0.05KN/m以上，难于剥离，与此相对，实施例的样品得到了全部都可剥离的结果、实施例5的样品显示出最低值。
(2)针孔比较例1见到的针孔多，与此相对，实施例的样品与之比较能确认数量少。且比较例2的针孔数量最多。
所述实施例中作为载体箔使用了电解铜箔，但作为载体箔使用电解铜合金箔、压延铜(合金)箔、铝箔、铝合金箔、不锈钢箔、钛箔、钛合金箔也能得到同样的效果。
作为触击电镀后极薄铜层的形成方法是以硫酸铜浴、焦磷酸铜电镀浴进行的，但也可以是氨基磺酸铜电镀浴、氟硼化铜电镀浴等。
(3)面积比测定从极薄铜箔表面凹凸的凸部到载体箔侧的极薄铜箔表面粗糙度Rz值+0.2μm位置的铜层与剥离层的面积比，实施例中90％以上是铜层，铜层进入剥离层的凹凸内，剥离层与铜层毫无遗漏地贴紧，铜层保护剥离层、防止剥离层的恶化，可理解为通过防止剥离层的恶化来谋求剥离强度的稳定化。而比较例中面积比低至75％以下。这表示在比较例中铜层没进入剥离层的凹凸内、剥离层与铜层处于剥离的状态，在电镀铜层之际剥离层由电镀浴被恶化，可以推定其形成剥离强度不稳定的结果。
(4)测量导电率从极薄铜箔表面凹凸的凸部到载体箔侧的极薄铜箔表面粗糙度Rz值+0.2μm位置的导电率，实施例中全部是超过90％的结果，而比较例的铜箔显示90％以下的值。从该结果也理解为在实施例中尽管难于电镀的剥离层表面和形状凹凸，但由于铜层对凹凸毫无遗漏地贴紧、且不剥离剥离层地进行电镀，所以实现了剥离强度的稳定化。而比较例中也是难以电镀的剥离层表面和形状凹凸，由于是进行一般的表面处理，所以铜层对凹凸不均匀地贴紧，显示出剥离层与铜层表面的空间率大。在电镀铜层之际剥离层由电镀浴被部分剥离，其结果可以推定是形成剥离强度不稳定的结果的原因。
(5)印刷配线基板精密图形的应对在实施例10制作的印刷配线板上实施线宽、线间间距分别是30μm的高密度极细配线时能实现没有断线、短路处所的精密图形配线。
使用上述实施例制作的带载体的极薄铜箔用热压接法在350℃的高温下层合在把聚酰亚胺树脂作为基材的基板4上时，能容易地把粘合在基板4上的极薄铜箔3从与剥离层2结合的载体铜箔1上剥离，然后在极薄铜箔3的表面上顺次进行通孔的穿设和通孔电镀，对极薄铜箔3进行腐蚀处理、形成具备希望线宽和希望线间间距的配线图形，最后进行形成抗焊剂和其他的精加工处理，在完成印刷配线基板时，完全没有因腐蚀处理而形成的断线等，以精密间距来制作。
本发明的带载体的极薄铜箔及其制造方法中能不损害剥离层2剥离性地进行箔的制造，在高温下与树脂基板4接合加工者也能容易地从载体箔1和剥离层2剥离。剥离层2上的镀层由其剥离性的原因而难于被均匀电镀，但通过利用触击电镀能进行均匀的铜电镀、能制造针孔少的带载体的极薄铜箔。目前对在高温下加工为了能剥离也加入防止扩散层来应对用户的需求，但防止扩散层Ni、Ni-Co等的腐蚀性非常不好，有显著损害用户生产性的难点，但本发明品的带载体的极薄铜箔不形成防止扩散层就能剥离、所以也满足了用户的需求。
以上本发明是在目前必须加上防止扩散层的高温下的粘接加工中也能容易地剥离箔、也能减少针孔数量的带载体的极薄铜箔及其制造方法。这些是满足用户需求的箔，产品质量也非常稳定，还能降低制造成本。
权利要求
1.一种带载体的极薄铜箔，其包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有触击镀层，所述极薄铜箔以及所述触击镀层是含有P的Cu层或含有P的Cu合金层。
2.一种带载体的极薄铜箔，其包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的触击镀层，在该触击镀层上设有极薄铜镀层，在该极薄层上设有由Cu或Cu合金构成的所述极薄铜箔。
3.一种带载体的极薄铜箔，其包括载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其特征在于，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的触击镀层，在该触击镀层上设有极薄铜镀层，在该极薄层上设有由含有P的Cu或含有P的Cu合金构成的所述极薄铜箔。
4.一种带载体的极薄铜箔，其包括载体箔、剥离层、极薄铜箔所构成，其特征在于，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的触击镀层，在该触击镀层上设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的极薄层，在该极薄层上设有由Cu或Cu合金构成的所述极薄铜箔。
5.一种带载体的极薄铜箔，其包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在所述极薄铜箔与所述剥离层间设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的触击镀层，在该触击镀层上设有由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的极薄层，在该极薄层上设有由含有P的铜或含有P的Cu合金构成的所述极薄铜箔。
6.一种带载体的极薄铜箔，其包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，极薄铜箔侧的载体箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，于该载体箔表面的剥离层上设置的极薄铜箔的载体箔侧的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在从该极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上形成至少覆盖剥离层表面90％以上面积的铜或铜合金层，而且进行300℃以上热压接处理后的剥离强度是0.01KN/m～0.05KN/m。
7.一种带载体的极薄铜箔，其包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，极薄铜箔侧载体箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，于该载体箔表面的剥离层上设置的极薄铜箔的载体箔侧的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在从该极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上至少形成导电率90％以上的铜或铜合金层，而且进行300℃以上热压接处理后的剥离强度是0.01KN/m～0.05KN/m。
8.如权利要求1到5任一项所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，极薄铜箔侧的载体箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm箔，进行300℃以上热压接处理后的剥离强度是0.01KN/m～0.05KN/m。
9.如权利要求1到5任一项所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，极薄铜箔侧的载体箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，于该载体箔表面的剥离层上设置的极薄铜箔的载体箔侧的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在从该极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上形成至少覆盖剥离层表面90％以上面积的铜或铜合金层，而且进行300℃以上热压接处理后的剥离强度是0.01KN/m～0.05KN/m。
10.如权利要求1到5任一项所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，极薄铜箔侧的载体箔表面的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，于该载体箔表面的剥离层上设置的极薄铜箔的载体箔侧的表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，在从该极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上形成至少导电率为90％以上的铜或铜合金层，而且进行300℃以上热压接处理后的剥离强度是0.01KN/m～0.05KN/m。
11.如权利要求1到7任一项所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，所述剥离层是Cr金属或Cr合金。
12.如权利要求1到7任一项所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，所述剥离层是Cr金属或Cr合金的水合氧化物。
13.如权利要求1到7任一项所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，所述剥离层是用Cr金属或Cr合金与Cr金属或Cr合金的水合氧化物形成的。
14.如权利要求11所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，所述剥离层的Cr金属或Cr合金的附着量是4.5mg/dm2以下。
15.如权利要求12所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，由水合氧化物构成的剥离层中的Cr金属或Cr合金的附着量是0.015mg/dm2以下。
16.如权利要求1、5到7任一项所述的带载体的极薄铜箔，其特征在于，所述剥离层是Ni、Fe或它们的合金或/和含它们的水合氧化物。
17.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，所述带载体的极薄铜箔包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有P的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层并制膜，在其上用电镀形成由含有P的Cu或含有P的Cu合金构成的极薄铜箔。
18.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，所述带载体的极薄铜箔包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有P的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层，在该触击镀层上通过电镀铜或铜合金制膜成极薄层，在该极薄层上通过电镀Cu或Cu合金来形成极薄铜箔。
19.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，所述带载体的极薄铜箔包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有P的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层，在该触击镀层上通过电镀铜或铜合金制膜形成极薄层，在该极薄层上通过电镀含有P的Cu或含有P的Cu合金来形成极薄铜箔。
20.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，所述带载体的极薄铜箔包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有P的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层，在该触击镀层上制膜，形成由含有P的Cu或含有P的Cu合金构成极薄层，在该极薄层上通过电镀Cu或Cu合金来形成极薄铜箔。
21.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，所述带载体的极薄铜箔包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在载体箔的表面上电镀Cr、Ni、Fe或它们的合金、形成剥离层，在该剥离层上用含有P的Cu或含有P的Cu合金电镀浴触击电镀含有P的Cu层或含有P的Cu合金层，在该触击镀层上制膜，形成由含有P的Cu层或含有P的Cu合金层构成的极薄层，在该极薄层上通过电镀含有P的Cu或含有P的Cu合金来形成极薄铜箔。
22.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，所述带载体的极薄铜箔包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm的载体箔表面上，形成剥离层膜，在该剥离层上载体箔侧表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，用含有/或不含有pH3～pH13的P的Cu或者含有/或不含有P的Cu合金电镀浴制膜，形成触击镀层，在从形成的极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置上至少用铜层覆盖剥离层表面90％以上面积，在该触击镀层上把含有P/或不含有P的铜层或铜合金层作为规定厚度的极薄铜箔来形成。
23.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，所述带载体的极薄铜箔包括载体箔、剥离层、极薄铜箔，其特征在于，在表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm的载体箔表面上制膜，形成剥离层，在该剥离层上载体箔侧表面粗糙度Rz是0.1μm～5μm，用含有/或不含有pH3～pH13的P的Cu或者含有/或不含有P的Cu合金电镀浴制膜，形成触击镀层、在从形成的极薄铜箔的载体箔侧表面凹凸的凸部到极薄铜箔侧，在极薄铜箔的表面粗糙度Rz上加上0.1μm～0.2μm的位置形成导电率为90％以上的铜层，在该触击镀层上把含有P/或不含有P的铜层或铜合金层作为规定厚度的极薄铜箔来形成。
24.一种印刷配线基板，其特征在于，使用权利要求1到7任一项所述的带载体的极薄铜箔而构成高密度极细配线。
25.一种印刷配线基板，其特征在于，使用由权利要求17到23任一项所述的带载体的极薄铜箔的制造方法制造的带载体的极薄铜箔而构成高密度极细配线。
全文摘要
一种带载体的极薄铜箔及其制造方法以及使用该带载体的极薄铜箔的印刷配线基板，具有对使用高耐热性树脂基材时的高温下加工温度也能承受的剥离层，能使载体箔和极薄铜箔容易剥离，通过实施不损害剥离层剥离性的均匀电镀减少针孔。本发明在具有载体箔、剥离层、极薄铜箔的带载体的极薄铜箔中，在剥离层与极薄铜箔间的剥离层侧表面设有由含P的铜构成的触击镀层，根据需要在其上设有铜的极薄层，还设有由Cu或铜合金、或由含有P的Cu或含有P的Cu合金构成的极薄铜箔，形成带载体的极薄铜箔。所述载体箔与极薄铜箔间的剥离层最好是Cr、Cr合金或/和含Cr的水合氧化物、Ni、Fe或它们的合金层或/和它们的水合氧化物层。
文档编号C25D5/10GK1498749SQ20031010297
公开日2004年5月26日 申请日期2003年10月31日 优先权日2002年10月31日
发明者铃木裕二, 松田晃 申请人:古河电路铜箔株式会社