本发明涉及到一种抗辐照加固方法，特别涉及到一种抗辐照电子件的加固方法。
背景技术：
由于卫星、飞船，空间站等航天器在空间运行时，脱离了大气层的保护，直接暴露在空间环境下，电子设备会受到来自外太空的辐射和高能粒子的冲击而发生各种辐射效应，造成工作的异常，从国内外对航天事故的统计数据发现，大约40％的故障源于空间辐射。因此，在使用航天器件时必须对其进行专门的抗辐照处理，以确保其工作的可靠性。
航天器件抗辐照处理的方法也比较多，有基于芯片设计和特殊材料应用的，如使用蓝宝石基底或绝缘体基底工艺的器件，但是这种工艺复杂而且成本高，或者使用遮蔽层以增加航天器件的抗辐照性能，这种方法更加复杂。
技术实现要素：
1、所要解决的技术问题：
现有的抗辐照处理方法工艺复杂，成本高。
2、技术方案：
为了解决以上问题，本发明提供了一种抗辐照电子件的加固方法，包括以下步骤：第一步：pcb设计准备，第二步：抗辐照材料的成型；第三步：预固定；第四步：试装；第五步：焊接；第六步：加固；所述的pcb设计准备包括布局设计、焊盘设计、封装设计、电子件周边预留绑线工艺孔设计；所述的预固定为成型完成的铅片需要与电子件之间进行预固定，使之成为一个整体，方法为：用无水乙醇清洗电子件粘贴表面，在待粘贴铅片上均匀涂一层厚度为0.2-0.3mm的室温硫化硅橡胶，将铅片平放在平台上，电子件和铅片粘贴，固化20小时，预加固完成。所述加固的方法为：针对双列直插件选用室温硫化橡胶进行局部粘贴，针对表贴期间选用硅橡胶进行局部灌封处理。
所述的抗辐照材料的成型的方法为：①铅片的成型：将厚度为0.5 mm～2.0 mm的铅片，按待加固处理电子件的形状与尺寸剪裁和成型，并将铅片边缘进行倒角处理；②标识：用激光打标机或壳子机在成型完成的铅片上做好标识；③清洗和烘干：用无水乙醇对标识完成的铅片进行清洗，去掉表面油脂及成型和标识环节残留的金属屑，然后放入烘干箱内烘干；④试装：将成型完成的铅片与电子件进行试装，检查方向、批次和型号是否一致，检查成型尺寸是否弯曲吻合。
所述的标识包括电子件方向、型号和批次。
第六步后还有检验步骤，具体为：固封完成后，对加固的电子件进行全面的检验，包括电子件标识是否清晰、方向是否正确，焊接是否合格和加固是否牢靠。
3、有益效果：
本发明提供的电子件抗辐照加固方法，结构简单、技术简单、可操作性强、工作可靠和使用寿命长。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
本发明提供了一种电子件抗辐照加固方法，包括以下步骤：第一步：pcb设计准备，第二步：抗辐照材料的成型；第三步：预固定；第四步：试装；第五步：焊接；第六步：加固。
实施例1
一种抗辐照电子件的加固方法，首先pcb设计准备，pcb设计准备包括布局设计、焊盘设计、封装设计、电子件周边预留绑线工艺孔设计，pcb是最重要的步骤，如果pcb设计不能满足需求，会影响到加固的稳定性。pcb设计准备，进入第二步抗辐照材料的成型，本发明抗辐照材料选用铅，方法为抗辐照材料的成型的方法为：①铅片的成型：将厚度为0.5 mm～2.0 mm的铅片，按待加固处理电子件的形状与尺寸剪裁和成型，并将铅片边缘进行倒角处理；②标识：用激光打标机或壳子机在成型完成的铅片上做好标识；所述的标识包括电子件方向、型号和批次，③清洗和烘干：用无水乙醇对标识完成的铅片进行清洗，去掉表面油脂及成型和标识环节残留的金属屑，然后放入烘干箱内烘干；④试装：将成型完成的铅片与电子件进行试装，检查方向、批次和型号是否一致，检查成型尺寸是否弯曲吻合。
然后进入第三步，预固定。在成型完成前，要保证电子件和铅片是一个整体。预固定的方法为：用无水乙醇清洗电子件粘贴表面，在待粘贴铅片上均匀涂一层厚度为0.2-0.3mm的室温硫化硅橡胶，将铅片平放在平台上，电子件和铅片粘贴，固化20小时，预加固完成。第三步完成后，进入第四步，试装，在试装过程中，可以检查到pcb设计是否合理，各个管脚是否变形，如果不合理，重新进入第一步。
第四步完成后，进入第五步，焊接，将电子件和连接的部分加固固定连接。焊接后进入第六部加固，所述加固的方法为：针对双列直插件选用室温硫化橡胶进行局部粘贴，针对表贴期间选用硅橡胶进行局部灌封处理。加固的目的是使元器件满足力学试验的要求。本发明提供的加固方法工艺一致性好，操作可靠、加固牢靠、抗机械振动效果好。加固的目的是使电子件满足力学试验的要求。
最后第七步，检验，固封完成后，对加固的电子件进行全面的检验，包括电子件标识是否清晰、方向是否正确，焊接是否合格和加固是否牢靠。
进过以上七步，电子件的抗辐照得到加强。
从以上可以看出，本发明提供的抗辐照电子件的加固方法，结构简单、技术简单、可操作性强、工作可靠和使用寿命长。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本发明的，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此本发明的保护范围应当以本技术的权利要求保护范围所界定的为准。