1.一种用于驱动高侧开关的栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路包括：
样本和电平移位电路，所述样本和电平移位电路连接到所述高侧开关；
取样电容器，所述取样电容器被配置为对至少一个放大器的输出电压进行取样；和
至少一个电压供应，所述至少一个电压供应连接到所述至少一个放大器；
其中：所述取样电容器被进一步配置为对所述高侧开关的栅极电容充电；并且
所述至少一个放大器被配置为限制高侧开关输出电流。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述高侧开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOS晶体管)。
3.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路，还包括电路负载，所述电路负载连接到所述nMOS晶体管的源极侧。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的栅极驱动器电路，其中所述至少一个放大器被配置为在第二电压至所述电压供应的共模电压范围内工作，所述第二电压小于所述电压供应。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的栅极驱动器电路，其中所述取样电容器在2pF至250pF的电容范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的栅极驱动器电路，其中所述栅极驱动器电路为单个芯片上的集成电路。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的栅极驱动器电路，还包括与晶体管串联连接的电流感测电阻器，其中所述电流感测电阻器和所述晶体管与所述高侧开关并联连接。
8.一种用于驱动高侧开关的方法，所述方法包括：
向至少一个放大器供应至少一个电压；
通过至少一个放大器来限制所述高侧开关的输出电流；
利用取样电容器对所述至少一个放大器的输出电压进行取样，所述取样电容器被配置用于所述输出电压的所述取样；
电平移位所述至少一个放大器的所述输出电压；以及
使用所述取样电容器对所述高侧开关的栅极电容充电。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述高侧开关打开时向负载供应输入电压。
10.根据权利要求8至9中任一项所述的方法，其中所述高侧开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOS晶体管)。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括将电路负载连接到所述nMOS晶体管的源极侧。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，还包括在第二电压至供应所述至少一个电压的电压供应的共模电压范围内操作所述至少一个放大器，所述第二电压小于所述电压供应。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，其中所述取样电容器在2pF至250pF的电容范围内。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的方法，其中步骤由单个芯片上的集成电路进行。
15.根据权利要求8至14中任一项所述的方法，还包括提供与晶体管串联连接的电流感测电阻器，其中所述电流感测电阻器和所述晶体管与所述高侧开关并联连接。
16.一种电路，包括：
高侧开关；和
栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路用于驱动高侧开关，所述栅极驱动器电路包括：
样本和电平移位电路，所述样本和电平移位电路连接到所述高侧开关；
取样电容器，所述取样电容器被配置为对至少一个放大器的输出电压进行取样；和
至少一个电压供应，所述至少一个电压供应连接到所述至少一个放大器；其中：
所述取样电容器还被配置为对所述高侧开关的栅极电容充电；并且
所述至少一个放大器被配置为限制高侧开关输出电流。
17.根据权利要求16所述的栅极驱动器电路，其中所述高侧开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOS晶体管)。
18.根据权利要求17所述的栅极驱动器电路，还包括电路负载，所述电路负载连接到所述nMOS晶体管的源极侧。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的栅极驱动器电路，其中所述至少一个放大器被配置为在第二电压至所述电压供应的共模电压范围内工作，所述第二电压小于所述电压供应。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的栅极驱动器电路，其中所述取样电容器在2pF至250pF的电容范围内。
21.根据权利要求16至20中任一项所述的栅极驱动器电路，其中所述栅极驱动器电路为单个芯片上的集成电路。
22.根据权利要求16至21中任一项所述的栅极驱动器电路，还包括与晶体管串联连接的电流感测电阻器，其中所述电流感测电阻器和所述晶体管与所述高侧开关并联连接。
23.一种微控制器，所述微控制器包括根据权利要求16至22中的任一项所述的栅极驱动器电路。