本发明涉及印制电路板技术领域，尤其涉及一种应用ptfe基材的电路板的钻孔方法。
背景技术：
聚四氟乙烯简写为ptfe，具有抗酸抗碱、抗各种有机溶剂的特点，几乎不溶于所有的溶剂，具有优异的耐化学性、热稳定性、低摩擦系数、表面不粘性、表面能非常低、优异的电气性能和较软的机械性质，因此以ptfe材料为基材的电路板具有其特定的优越性。但是以ptfe材料为基材的电路板在生产制作过程中面临许多问题，如孔壁沉铜困难，阻焊油墨难附着在基材上，尤其因为ptfe板材的机械加工性极差，基质极软，非常不易于切割，钻孔加工中极易产生严重的毛刺和大量的钻污，材料碎屑缠刀问题严重等，而无论是使用高锰酸钾处理还是使用等离子处理都难以除去这些钻污，然而一旦出现钻污残留，就会导致沉铜和全板电镀后出现互联分离的问题，即孔壁铜与层间铜环之间存在非铜间隙，未完全互联。为了克服这些问题，钻孔加工前需对生产板进行特殊的低温处理，电路板制造行业现行的低温处理均采用喷液氮冷却的方法。钻孔前用液氮冷却生产板虽可较好地解决上述钻孔问题，但液氮冷却的方法不仅成本高，且工厂生产的危险系数高，存在操作人员皮肤被液氮冻伤，以及形成的氮气使空气中的氧分压下降而存在缺氧窒息的安全隐患。
技术实现要素：
本发明针对应用ptfe基材的电路板在钻孔前采用喷液氮冷却的前处理方法存在成本高及存在生产安全隐患的问题，通过采用另一种钻孔前处理方法并结合钻孔过程的控制，提供一种适用于应用ptfe基材的电路板的钻孔方法。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案。
一种应用ptfe基材的电路板的钻孔方法，先对生产板进行钻孔前处理，然后再在生产板上钻孔；所述钻孔前处理是将生产板至于-40℃以下的低温环境中冷冻30-40min；将所述生产板从低温环境中取出后，在3min以内进行钻孔。
优选的，所述钻孔前处理是将生产板置于冷热循环箱中，生产板在-40℃下进行冷冻处理；且将生产板置于冷热循环箱中之前，先将冷热循环箱内的温度设在60℃以上并保持15min以上。
优选的，钻孔前处理中，将生产板与钻孔时使用的垫板铝片一起放入冷热循环箱中。
优选的，在生产板上钻孔时，每一钻咀的连续冲击钻孔的次数控制在500次以内。
优选的，所述钻咀在生产板上进行钻孔前为未使用过的钻咀。
优选的，在生产板上钻孔时，每一钻咀的连续冲击钻孔的次数至500次时更换钻咀，且每次更换钻咀以继续进行钻孔前，先将生产板至于-40℃以下的低温环境中冷冻10min。
以上所述应用ptfe基材的电路板的钻孔方法，在生产板上钻孔后，依次采用等离子除胶法和化学除胶法对生产板进行清洁处理。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明通过先将生产板至于-40℃以下冷却30-40min再进行钻孔，以低温环境持续冷冻的方式取代喷液氮的瞬间冷冻方式，并且钻孔时将钻咀的寿命控制在500次以内以保障钻咀的切削能力，从而克服了因ptfe板材的特性及机械加工性极差导致钻孔过程中存在易出现难以清除的钻污的问题，进而克服因钻污而导致的互联分离问题，并且因采用低温环境持续冷冻方式进行钻孔前处理，可降低钻孔成本及避免使用液氮冷却存在的生产安全隐患，因此本发明方法还具有成本低、安全系数高的特点。
具体实施方式
为了更充分的理解本发明的技术内容，下面结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步介绍和说明。
实施例
本实施例提供一种针对应用ptfe基材的电路板的钻孔方法，包括先对生产板进行钻孔前处理，再在生产板上钻孔，然后对生产板进行钻孔后处理。
钻孔前处理是先将冷热循环箱的内部温度设置为60℃并保持15min以上，然后将生产板与钻孔时使用的垫板铝片一同置于内部温度设置为-40℃的冷热循环箱中冷冻30-40min。
生产板完成钻孔前处理后，将生产板连同垫板铝片一同从冷热循环箱中取出，并且自取出后3min内进行钻孔。生产板放置在垫板铝片上，用全新未使用过的钻咀在生产板上钻孔，且每一钻咀的连续冲击次数控制在500次以内，即钻咀的寿命控制在500次以内。每次更换钻咀以继续进行钻孔前，先将生产板至于内部温度设置为-40℃的冷热循环箱中冷冻10min，再次冷冻后再继续进行钻孔。
钻孔后对生产板进行钻孔后处理，采用等离子除胶法和化学除胶法对生产板进行清洁处理。在电路板的生产制作中，在生产板上钻孔后，生产板进入沉铜生产线进行沉铜处理，在沉铜处理的工序流程中包括等离子除胶和化学除胶的流程，沉铜处理的具体流程(各流程使用常规工艺参数)依次为：等离子除胶→上板→膨胀→水洗→化学除胶→回收水洗→顶喷水洗→预中和→水洗→中和→超声波水洗→除油→热水洗→水洗→酸洗→水洗→微蚀→水洗→预浸→活化→水洗→加速→水洗→沉铜→水洗→下板。
在电路板的生产制作中，对生产板继续依次进行全板电镀、外层线路制作、阻焊层制作、表面处理、成型等加工处理后，完成电路板的制作。
以上所述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。