半导体器件的制作方法

相关申请的交叉引用

2018年9月19日提交的日本专利申请no.2018-175242的公开内容，包括说明书、附图和摘要，通过引用整体结合于此。

本公开涉及一种半导体器件，其并入熔断功能并且可以在发生熔断故障时可靠地断开缺陷部分。

背景技术：

用于执行功率控制的功率器件被设置在诸如电池的上游单元和下游负载之间。如果在功率器件中发生故障，则可能发生由于过电流引起的功率损失，并且可能损坏负载器件。为此，提供了一种具有针对出现故障的对策的功率器件。

例如，在日本专利no.5845108(下文称为专利文献1)中，公开了一种具有内置熔断功能并且即使在发生短路故障之后也能够正常操作的功率器件。专利文献1的功率器件包括多个输出单元、与多个输出单元对应设置的多个键合导线以及控制端子驱动电路。多个输出单元中的每一个都具有输出晶体管。假设输出晶体管在多个输出单元中的特定输出单元中被破坏。输出晶体管当导通时在所有输出单元中被通电。因此，损耗不会变得非常大，并且即使输出晶体管被破坏，也会正常执行导通操作。另一方面，在关断时，输出晶体管仅在故障输出单元中被通电，并且电流以集中的方式流到输出晶体管。结果，连接到输出单元的键合导线被熔断。这防止了电流流入故障的输出单元，并防止电流在关断时通过短路故障的输出晶体管继续从第一电源流到负载。当熔断后键合导线被接通时，通过除故障的输出单元之外的输出单元从第一电源向负载供应功率。也就是说，只有故障的输出单元失效，其他正常的输出单元维持功率器件的功能。

在日本未审查的专利申请公开no.2017-147751中，公开了一种能够防止半导体器件烧坏而无需并入熔断器的半导体器件。

技术实现要素：

在专利文献1中，如果故障的输出晶体管的短路电阻值小，则足够的电流流过故障的输出晶体管，使得键合导线可以被熔断而没有任何问题。然而，如果故障的输出晶体管的短路电阻值大，则流过故障的输出晶体管的电流变小，使得键合导线可能不被熔断。根据本说明书的描述和附图，其他目的和新颖特征将变得显而易见。

尽管在本说明书中描述了多个实施例的半导体器件，但是一个实施例的半导体器件如下。半导体器件包括输出晶体管、输出端子、连接输出晶体管和输出端子的键合导线、用于控制输出晶体管的输出的输出晶体管驱动电路以及用于检测输出晶体管的故障的故障检测电路。当故障检测电路检测到输出晶体管的故障时，输出晶体管驱动电路控制输出晶体管的输出，使得比未检测到故障的情况下的电流大的电流流过键合导线。

根据一个实施例，可以可靠地断开故障的输出晶体管的电流路径。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的包括功率控制器件的半导体器件的示例性配置的图。

图2是示出根据第一实施例的功率控制器件的示例性配置的电路图。

图3是示出根据第一实施例的故障检测电路的配置示例的电路图。

图4是示出图3所示的故障检测电路的操作的表。

图5是示出根据第一实施例的导线熔断检测电路的配置示例的电路图。

图6是示出根据第一实施例的半导体器件的示例性封装的图。

图7是图6中所示的输出晶体管的局部截面图。

图8是说明正常操作的定时图。

图9是说明检测到故障时的操作的定时图。

图10是导线焊接处理的说明图。

图11是示出根据第二实施例的包括功率控制器件的半导体器件的配置示例的图以及包括半导体器件的功率控制系统的配置示例。

图12是示出根据第二实施例的半导体器件的配置示例的电路图。

图13是示出根据第二实施例的示例性故障检测电路的电路图。

图14是示出接通状态下的故障检测操作的说明图。

图15是关断状态下的故障检测操作的说明。

图16是示出故障检测电路的操作的表。

图17是示出根据第三实施例的半导体器件的示例性配置的电路图。

图18是示出根据第四实施例的半导体器件的示例性配置的电路图。

具体实施方式

在用于说明实施例的所有附图中，相同的部分原则上由相同的附图标记表示，并且省略其重复描述。

(第一实施例)本实施例描述了具有熔断功能的半导体器件。当检测到半导体器件的输出晶体管的故障时，连接到输出晶体管的所有键合导线都被熔断。

图1是示出根据第一实施例的包括功率控制器件的半导体器件的示例性配置的图。如图1所示，半导体器件1包括微计算机3和功率控制器件10。

功率控制器件10连接到上游的电池5和下游的负载7，并且是用于根据负载7的规格转换从电池5供应的功率的半导体器件。尽管用于汽车电子的智能功率器件(ipd)在图1中被示出为功率控制器件10，但本实施例也适用于其他应用的功率控制器件。

微计算机3是功率控制器件10的控制器件。微计算机3输出各种信号，例如功率控制器件10的接通/断开切换信号。

图2是示出根据第一实施例的半导体器件的示例性配置的电路图。图2还示出了除功率控制器件10之外的微计算机3和负载7。如图2所示，功率控制器件10包括功率输出单元10a和控制单元10b。功率输出单元10a是用于执行功率转换的功能块。功率输出单元10a包括电源端子11、输出端子13以及输出晶体管a1至an和b1至bn。

控制单元10b是用于基于从微计算机3输出的信号和功率输出单元10a的状态来控制功率输出单元10a的功能块。控制单元10b包括栅极驱动电路(输出晶体管驱动电路)15-1至15-n、栅极隔离电路17-1至17-n、栅极放电电路19-1至19-n、故障检测电路21、熔断信号输出电路23、异常信号输出电路25和导线熔断检测电路27。

在输出晶体管a1至an和b1至bn中，输出晶体管a1、b1至an和bn分别作为一对晶体管被包括在同一单元c1至cn中。输出晶体管a1、b1至an、bn被并联连接在电源端子11和输出端子13之间。

输出晶体管a1至an和输出晶体管b1至bn例如是nmosfet(负金属氧化物半导体场效应晶体管)和igbt(绝缘栅双极晶体管)。输出晶体管a1至an和b1至bn的漏极端子连接到电源端子11，并且经由电源端子11从电池5供应功率。

输出晶体管a1、b1至an、bn的源极端子分别经由对应的键合导线bw1至bwn连接至输出端子13。如上所述，功率输出单元10a包括多个单元，每个单元包括键合导线和对应的多个输出晶体管。

输出晶体管a1、b1至an、bn的栅极端子分别连接到对应于单元c1至cn的栅极隔离电路17-1至17-n。基于从栅极隔离电路17-1至17-n输出的栅极信号，使输出晶体管a1、b1至an、bn导通和截止。

栅极驱动电路15-1至15-n是用于控制输出晶体管a1、b1至an、bn的操作的电路。栅极驱动电路15-1至15-n分别连接到微计算机3和对应的栅极隔离电路17-1至17-n。栅极驱动电路15-1至15-n基于从微计算机3输出到栅极隔离电路17-1至17-n的输入信号来输出预定信号。

栅极驱动电路15-1至15-n也连接到熔断信号输出电路23。当检测到输出晶体管的故障时，栅极驱动电路15-1至15-n忽略输入信号，并且基于从熔断信号输出电路23输出的熔断信号来控制输出晶体管a1、b1至an、bn的操作。稍后将描述故障检测时的操作。

栅极隔离电路17-1至17-n基于从对应的栅极驱动电路15-1至15-n输出的信号，将栅极信号输出到对应的输出晶体管。提供栅极隔离电路17-1至17-n以防止当输出晶体管故障时其他正常的输出晶体管的操作(电压)受到影响。因此，栅极隔离电路17-1至17-n具有用于对应的输出晶体管的不同输出端子。

当从对应的栅极驱动电路15-1至15-n输出用于操作功率输出单元10a的信号时，栅极隔离电路17-1至17-n输出用于使对应的输出晶体管a1、b1至an、bn导通的栅极信号。例如，当高电平信号(输入信号)输入到栅极驱动电路15-1到15-n时，从栅极驱动电路15-1到15-n输出用于操作功率输出单元10a的信号。因此，例如，从栅极隔离电路17-1至17-n输出高电平栅极信号。输入信号基本上同时输入到栅极驱动电路15-1至15-n。因此，栅极隔离电路17-1至17-n基本上同时输出高电平栅极信号，并且输出晶体管a1、b1至an、bn基本上同时导通。

栅极放电电路19-1至19-n分别连接到对应单元c1至cn的输出晶体管a1、b1至an、bn的栅极端子和漏极端子。栅极放电电路19-1至19-n是当对应单元c1至cn的输出晶体管处于截止状态时对栅极电荷放电的功能块。

故障检测电路21是用于检测输出晶体管的故障的电路。故障检测电路21的输入侧连接到微计算机3和输出晶体管a1和b1的源极端子。然而，它仅仅是示例，并且故障检测电路21的输入侧可以连接到另一输出晶体管的源极端子而不是输出晶体管a1和b1的源极端子，或者可以连接到输出端子13。故障检测电路21的输入侧也连接到微计算机3。

故障检测电路21的输出侧连接到熔断信号输出电路23和异常信号输出电路25。故障检测电路21通过将用于故障检测的故障检测阈值电压与输出晶体管的源极电压(即，输出端子13的电压)进行比较来检测输出晶体管的故障。当检测到输出晶体管的故障时，故障检测电路21将预定的故障检测信号输出到熔断信号输出电路23和异常信号输出电路25。

将描述故障检测电路21的配置的示例。图3是示出根据第一实施例的故障检测电路的示例性配置的电路图。图3中所示的故障检测电路21包括电阻元件r1至r3、比较器21a、反相电路21b、nand电路21c和晶体管21d。电阻元件r1和r2串联连接在电源端子11和电源端子12之间。电阻元件r1和r2是用于电源端子11和12之间的电压分压的元件。异常检测阈值电压由电阻元件r1和r2产生。连接电阻元件r1和电阻元件r2的节点被连接到比较器21a的负端子。

由电阻元件r1和r2分压的预定电压被施加到比较器21a的负端子。该电压是用于检测输出晶体管的故障的异常检测阈值电压，并且由电阻元件r1和r2的电阻值的比率设定。例如，如果电阻元件r2的电阻值的比率减小，则可以提高故障检测灵敏度。比较器21a的正端子连接到例如输出晶体管a1和b1的源极端子，并且源极端子的电压(输出端子13的电压)被施加到正端子。比较器21a的输出端子连接到nand电路21c的第一输入端子，并且比较器21a将正端子和负端子的电压的比较结果输出到nand电路21c。具体地，当正端子的电压高于负端子的电压时，比较器21a输出高电平信号。另一方面，当负端子的电压高于正端子的电压时，比较器21a输出低电平信号。

反相器电路21b的输入端子被连接到微计算机3，并且来自微计算机3的输入信号被输入其中。反相器电路21b的输出端子被连接到nand电路21c的第二输入端子，并且输出逻辑反相输入信号。

nand电路21c基于比较器21a和反相器21b的输出来输出预定信号。nand电路21c的输出端子被连接到晶体管21d的栅极端子。当分别从比较器21a和反相器21b输入高电平信号时，nand电路21c输出低电平信号，否则输出高电平信号。也就是说，当检测到输出晶体管的故障时，nand电路21c输出低电平信号。

晶体管21d由例如pmosfet(正mosfet)制成。晶体管21d的源极端子连接到内部电源端子10a。晶体管21d的漏极端子经由电阻元件r3连接到电源端子12。当高电平信号输入到晶体管21d的栅极端子时，晶体管21d被截止，晶体管21d的漏极端子被下拉到电源端子12，并且晶体管21d输出低电平的故障检测信号。在这种情况下，故障检测电路21通知熔断信号输出电路23和异常信号输出电路25未检测到输出晶体管的故障。

另一方面，当低电平信号输入到晶体管21d的栅极端子时，晶体管21d被导通，并且高电平电压从内部电源端子10a被供应给漏极端子。在这种情况下，晶体管21d输出高电平的故障检测信号，并通知熔断信号输出电路23和异常信号输出电路25已检测到故障。

图4是列出图3的故障检测电路的操作的表。图4示出了输出晶体管的状态(正常或故障)、来自微计算机3的输入信号、输出晶体管的源极电压、故障检测电路21的逻辑(确定结果)和故障检测信号。

首先，将描述输出晶体管正常的情况。当输入晶体管的输入信号和源极电压都处于高电平时，故障检测电路21确定输出晶体管正常，并且输出低电平的故障检测信号。此外，当输入晶体管的输入信号和源极电压都处于低电平时，故障检测电路21确定输出晶体管正常，并且输出低电平的故障检测信号。

接下来，将描述输出晶体管异常的情况，即发生故障的情况。当输入晶体管的输入信号和源极电压都处于高电平时，故障检测电路21确定输出晶体管是正常的，并且输出低电平的故障检测信号。在这种情况下，故障的输出晶体管执行正确操作并被确定为正常。另一方面，如果输入信号处于低电平并且输入晶体管的源极电压处于高电平，则故障检测电路21确定输出晶体管中已发生故障并输出高电平的故障检测信号。也就是说，在本实施例中，当输出晶体管处于截止状态时，检测到输出晶体管的故障。

熔断信号输出电路23是用于在检测到输出晶体管的故障时输出用于熔断键合导线bw1至bwn的熔断信号的电路。熔断信号输出电路23连接到栅极驱动电路15-1到15-n，并在检测到故障时将用于熔断键合导线bw1至bwn的熔断信号f1到fn顺序地输出到对应的栅极驱动电路15-1到15-n。当输入熔断信号f1至fn时，栅极驱动电路15-1至15-n经由栅极隔离电路17-1至17-n使对应的输出晶体管导通。驱动输出晶体管的时段由定时器电路(未示出)等定义。

异常信号输出电路25连接到微计算机3、导线熔断检测电路27等。当从故障检测电路21输出故障检测信号时，故障信号输出电路25输出用于通知微计算机3、导线熔断检测电路27和栅极驱动电路15-1至15-n已检测到输出晶体管的故障的故障信号。例如，异常信号输出电路25在未检测到故障时输出低电平的异常信号，并在检测到故障时输出高电平的异常信号。

导线熔断检测电路27是用于在检测到故障时执行的导线熔断处理中检测键合导线的熔断的功能块。导线熔断检测电路27的输入侧连接到输出端子13和异常信号输出电路。导线熔断检测电路27的输出侧连接到熔断信号输出电路23。导线熔断检测电路27在感测到键合导线的熔断时，将预定的熔断检测信号fd1-fdn输出到熔断信号输出电路23。

图5是示出根据第一实施例的导线熔断检测电路的示例性配置的电路图。图5示出了除了导线熔断检测电路27之外的输出晶体管、负载7、电源端子11、输出端子13等。导线熔断检测电路27包括晶体管27a和27b以及电阻元件r11。晶体管27a由例如pmosfet形成，并且晶体管27b由例如nmosfet形成。

晶体管27a的源极端子连接到电源端子11，并且晶体管27b的漏极端子经由电阻元件r11连接到晶体管27b的漏极端子。电阻元件r11被设置在导线熔断检测电路27的输出端子27d和晶体管27a之间。晶体管27a的栅极端子连接到反相器电路27c的输出端子13。反相器电路27c的输入端子连接到异常信号输出电路25。因此，逻辑反相的异常信号被输入到晶体管27a的栅极端子。晶体管27b的源极端子连接到内部电源10b。晶体管27b的栅极端子通过键合导线bw0连接到输出端子13。

将描述在熔断键合导线时导线熔断检测电路27的操作的概况。当输入高电平异常信号时，反相器电路27c输出逻辑反相的低电平信号。结果，晶体管27a导通。此外，在执行导线熔断处理时，对应于熔断信号f(f1至fn)的输出晶体管导通，并且输出端子13的电压变为高电平，从而晶体管27b也导通。此时，由于电阻元件r11通过电阻元件r11对电源端子11和输出端子13之间的电压进行分压，因此导线熔断检测电路27输出对应的低电平的导线熔断检测信号fd(fd1至fdn)。

当键合导线熔断时，输出端子13处的电压通过负载7被拉出至低电平，并且晶体管27b截止。结果，导线熔断检测电路27输出高电平的导线熔断检测信号。结果，熔断信号输出电路23被通知键合导线已熔断。

这里，将描述半导体器件封装。图6是示出根据第一实施例的半导体器件的示例性封装的图。例如，根据本实施例的功率控制器件10实现为8引脚sop(小外形封装)封装，但不限于该封装。

图6中所示的功率控制器件10包括例如半导体芯片chip、引线框架rd1至rd4、引线框架的岛is等。半导体芯片chip由半导体衬底构成，并且半导体芯片安装在岛部分上。功率控制器件10的功率输出单元10a和控制电路50形成在半导体芯片chip上。控制电路50可以包括控制单元10b和微计算机3，或者可以不包括微计算机3。

图6中所示的功率输出单元10a被设置有多个(24个)输出晶体管a1、b1至a12、b12。输出晶体管a1、b1至a12、b12在图中的横向方向上布置成一行。输出晶体管a1、b1至a12、b12经由键合导线bw1至bw12连接至引线框架rd1。控制单元10b经由键合导线bw0连接到引线框架rd1。因此，岛部分is也用作电源端子11，并且引线框架rd1也用作输出端子13。

接下来，将描述输出晶体管的截面结构。图7是图6中所示的输出晶体管的部分截面图。图7示出了包括输出晶体管a1、b1和a2的截面图。注意图7的输出晶体管是mosfet。输出晶体管附近的半导体衬底包括漏极区域da、基极区域ba、多个栅极电极ge、多个背栅接触区域bg、多个源极区域sa等。

基极区域ba设置在漏极区域da的主表面daa上。每个栅极电极ge被掩埋在半导体衬底中，使得栅极电极ge从基极区域ba的主表面baa到达漏极区域da。另一方面，栅极电极ge的上端基本上与基极区域ba的主表面baa重合。栅极电极ge在垂直方向上形成在图6中的输出晶体管的整个区域之上。因此，每个栅极电极ge具有用于在栅极电极ge和相邻的栅极电极ge之间划分基极区域ba的沟槽结构。虚设栅极dg设置在相邻的输出晶体管a1、b1和a2之间。与栅极电极ge一样，虚设栅极dg具有沟槽结构，并且虚设栅极dg掩埋在半导体衬底中，以便从基极区域ba的主表面baa到达漏极区域da。

绝缘层ins设置在基极区域ba的主表面baa上，以覆盖栅极电极ge和虚设栅极dg的上端。绝缘层ins防止栅极电极ge、虚设栅极dg和后面将描述的源极电极之间的接触。除了上端侧之外，栅极电极ge和虚设栅极dg中的每一个都被栅极氧化物膜go覆盖。

背栅接触区域bg设置在相邻栅极电极ge之间的区域的中心部分中的基极区域ba的主表面baa侧。源极区域sa设置在背栅接触区域bg和栅极电极ge之间的区域中。然而，在虚设栅极dg周围没有提供源极区域sa。

源极电极se1、se2设置在基极区域ba的主表面baa上。源极电极se1、se2与背栅接触区域bg和源极区域sa接触。虚设栅极的电位与相邻输出晶体管之一的源极电极的电位相同。背电极be设置在漏极区域da的背表面dab上。

在描述故障检测时的操作之前，将描述正常时的操作。图8是用于说明正常操作的定时图。图8分别示出了输入信号、输出信号(输出端子13)、异常信号、熔断信号、熔断检测信号的电压和输出电流。

如图8所示，输入信号是交替重复低电平(lo)和高电平(hi)的信号。当输入信号处于低电平时，输出晶体管a1、b1至an、bn截止，并且输出信号处于低电平。另一方面，当输入信号处于高电平时，输出晶体管a1、b1至an、bn导通，并且输出信号处于高电平。以这种方式，输出信号根据输入信号的电平重复低电平和高电平。当输出信号处于高电平时，供应给负载7的输出电流变大，而当输出信号处于低电平时，输出电流变小。

图9是用于说明故障检测时的操作的定时图。图9还示出了输入信号、输出信号(输出端子13)、异常信号、熔断信号、熔断检测信号的电压和输出电流。图9示出了单元c1的输出晶体管an和bn中的任何一个发生故障的情况。图10是导线熔断处理的说明图。

在图9中，当输出晶体管处于导通状态时，在时间t0发生故障。但是，这里，由于没有出现异常逻辑，因此未检测到故障。在时间t1，输入信号从高电平切换到低电平。然而，尽管输出信号在故障检测之前从高电平电压略微下降，但是它处于比异常检测阈值电压高的电平。因此，由于异常逻辑在时间t1发生，故障检测电路21检测到输出晶体管的故障，并且将故障的发生通知给熔断信号输出电路23和异常信号输出电路25。然后，异常信号从低电平切换到高电平，并且还将故障检测通知给导线熔断检测电路27。

向栅极驱动电路15-1至15-n的故障检测的通知可以通过例如上述故障检测信号或异常信号来执行，或者可以由其他信号执行。当通知检测到故障时，栅极驱动电路15-1至15-n忽略从微计算机3输出的输入信号。然后，熔断信号输出电路23顺序地执行导线熔断处理，以针对所有输出晶体管驱动电路将用于仅接通一个单元的输出晶体管的熔断信号输出到对应的栅极驱动电路。

首先，熔断信号输出电路23对键合导线bw1执行导线熔断处理。熔断信号输出电路23在时间t2将熔断信号f1输出到栅极驱动电路15-1，并导通单元c1的输出晶体管a1、b1。另一方面，其他单元c2至cn的输出晶体管a2、b2至an、bn处于截止状态。然后，由于电源端子11和输出端子13仅通过除故障的输出晶体管之外的单元c1彼此连接，因此电流集中在单元c1上。以这种方式，栅极驱动器15-1可以控制输出晶体管的输出，使得比未检测到故障时的电流大的电流流过键合导线bw1。

在熔断信号f1被输出的同时，键合导线bw1被熔断。然而，由于这里假设单元cn的输出晶体管发生故障，电流继续流过故障的输出晶体管。当经过了预定时段时，熔断信号输出电路23停止熔断信号f1的输出，并结束对键合导线bw1的导线熔断处理。

随后，熔断信号输出电路23将熔断信号f2至fn顺序地输出到栅极驱动电路15-2至15-n，从而顺序地对键合导线bw2至bwn执行导线熔断处理。执行导线熔断处理的顺序不限于此。

在用于键合导线bwn的导线熔断处理中，当键合导线bwn被熔断时，所有键合导线都被熔断，使得输出电流几乎变为零。结果，如图10所示，导线熔断检测电路27识别出所有键合导线已经被熔断，输出高电平的熔断检测信号，并通知给熔断信号输出电路23。

当导线熔断检测电路27没有在最后单元cn的导线熔断处理后检测到键合导线的熔断时，它确定仍然存在尚未被熔断的键合导线，并且输出低电平的信号。在这种情况下，熔断信号输出电路23将输出晶体管的导通时间设置得比先前的键合导线熔断处理长。然后，每个栅极驱动电路15-1至15-n基于长的导通时间再次执行键合导线熔断处理。例如，第二次导线熔断处理的导通时间设置为第一次导通时间的两倍，并且第三次导线熔断处理的导通时间设置为第一次导通时间的三倍。以这种方式，每次的导通时间被设置为第一次导通时间的整数倍。

(修改示例)熔断信号输出电路23可以基于针对每个导线熔断处理输出的熔断检测信号fd1至fdn来确定是否再次执行导线熔断处理。例如，在除了单元cn之外的输出晶体管发生故障的情况下，当连接到故障的输出晶体管的键合导线熔断时，输出高电平的熔断检测信号。然后，在随后的导线熔断处理中，变得可以确定各个键合导线是否已经熔断。因此，在输出第一高电平熔断检测信号之后执行的导线熔断处理中，如果在某些情况下未检测到键合导线的熔断，则确定存在未熔断的键合导线，并且熔断信号输出电路23执行第二次和随后的导线熔断处理。结果，连接到正常输出晶体管的键合导线也可以被可靠地熔断和切断。

根据本实施例，当检测到输出晶体管的故障时，对每个单元驱动输出晶体管，并且比未检测到故障时的电流大的电流流过键合导线。根据这种配置，由于可以切断连接到故障的输出晶体管的键合导线，因此可以可靠地切断故障的输出晶体管的电流路径。这也可以防止半导体器件的烧毁。

根据本实施例，在所有键合导线上依次执行导线熔断处理。根据该配置，当检测到输出晶体管的故障时，所有键合导线熔断，使得包括发生故障的半导体器件的所有电流路径被可靠地断开。

此外，根据本实施例，当在最后一个单元中的导线熔断处理完成之后不能检测到键合导线的熔断时，输出晶体管的导通时间被设置为长，并且导线熔断处理被再次执行。根据该配置，可以更可靠地执行键合导线的熔断。

根据本实施例，单元c1至cn中的每一个包括多个输出晶体管，并且这些输出晶体管并联连接。根据这种配置，可以增加导线熔断处理时的电流，从而可以可靠地熔断键合导线。另外，可以缩短导线熔断处理时输出晶体管的导通时间，并且可以缩短导线熔断处理所需的时间。另外，即使输出晶体管的电流供应能力由于故障而降低，也可以确保熔断所需的电流。

接下来，将描述第二实施例。在第一实施例中，当半导体器件处于截止状态时检测到输出晶体管的故障，但是当半导体器件处于导通状态时没有检测到输出晶体管的故障。因此，本实施例描述了一种半导体器件，其中即使在半导体器件导通时也可以检测到故障。

图11是示出根据本发明第二实施例的包括功率控制器件的半导体器件的配置示例和包括半导体器件的功率控制系统的配置示例的图。如图11所示，根据本实施例的功率控制系统包括半导体器件101、半导体器件501a、501b等。

半导体器件101包括微计算机103和功率控制器件110。与第一实施例类似，功率控制器件110具有能够在检测到故障时熔断键合导线的熔断功能。功率控制器件110的输入端子被连接到电池5，以及输入端子将从电池5提供的功率供给到下游侧的半导体器件501a、501b。因此，在图11的功率控制系统中，功率控制器件110是较高级别的单元，半导体器件501a、501b是较低级别的单元。在图11中，尽管半导体器件501a和501b被示为较低级别的单元，但是可以提供更低级别的单元。

半导体器件501a、501b分别包括微计算机503a、503b和功率控制器件510a、510b。功率控制器件510a、510b的输入经由线n1连接到功率控制单元110的输出。功率控制器件510a和510b的输出分别连接到负载7a、7b。半导体器件501a、501b将从主机单元的半导体器件101提供的功率提供给相应负载7a、7b。较低级别的单元的功率控制器件510a、510b可以是没有熔断功能的典型ipd、功率mosfet、igbt等，或者可以是具有熔断功能的功率控制器件。

因此，图11的半导体器件101用作继电器。通常，在电池和继电器之间提供故障安全熔断器。然而，在本实施例中，由于功率控制器件110具有熔断器功能，因此可以省略电池和继电器之间的熔断器。结果，可以减少诸如线束的部件的数量，并且可以减轻半导体器件101的重量。

图12是示出根据本第二实施例的功率控制器件的示例性配置的电路图。微计算机103也在图12中示出。如图12所示，功率控制器件110包括功率输出单元110a和控制单元110b。功率输出单元110a包括电源端子11、输出端子13和输出晶体管a1到am、b1至bm、a1'至am'和b1'至bm'。

控制单元10b包括栅极驱动电路(输出晶体管驱动电路)15-1至15-m、栅极隔离电路17-1至17-m、栅极放电电路19-1至19-m、19-1'至19-m'、故障检测电路121(121-1至121-m)、熔断信号输出电路23、异常信号输出电路25和导线熔断检测电路27。

在输出晶体管a1至am、b1至bm、a1'至am'和b1'至bm'中，输出晶体管a1、b1至am、bm以及a1'、b1'至am'、bm'分别是作为晶体管对被包括在同一单元c1至cm、c1'至cm'中。输出晶体管a1、b1至am、bm以及a1'、b1'至am'、bm'并联连接在电源端子11和输出端子13之间。

输出晶体管a1、b1至am、bm以及a1'、b1'至am'、bm'的漏极端子连接到电源端子11，并且经由电源端子11从电池5供应功率。

输出晶体管a1、b1至am、bm以及a1'、b1'至am'、bm'的源极端子分别经由对应的键合导线bw1至bwm和bw1'至bwm'连接到输出端子13。如上所述，功率输出单元110a包括多个单元，每个单元包括键合导线和对应的多个输出晶体管。

输出晶体管a1、b1至am、bm的栅极端子分别连接到对应于单元c1至cm的栅极隔离电路17-1至17-m。输出晶体管a1'、b1'至am'、bm'的栅极端子分别连接到对应于单元c1'至cm'的栅极隔离电路17-1至17-m。也就是说，栅极隔离电路17-1对应于单元c1和c1'。类似地，随后的栅极隔离电路17-2至17-m分别对应于单元c2、c2至cm、cm'。基于从栅极隔离电路17-1至17-m输出的栅极信号，导通和截止输出晶体管a1、b1、a1'、b1'至am、bm、am'、bm'。

栅极驱动电路15-1至15-m是用于控制对应的输出晶体管a1、b1、a1'、b1'至am、bm、am'、bm'的操作的电路。栅极驱动电路15-1至15-m分别连接到微计算机103和对应的栅极隔离电路17-1至17-m。栅极驱动电路15-1至15-m基于从微计算机103输出的输入信号来输出预定信号到栅极隔离电路17-1至17-m。

栅极驱动电路15-1至15-m也连接到熔断信号输出电路23。当检测到输出晶体管的故障时，栅极驱动电路15-1至15-m忽略输入信号，并且基于从熔断信号输出电路23输出的熔断信号来控制输出晶体管a1、b1至an、bn的操作。

栅极隔离电路17-1至17-m基于从对应的栅极驱动电路15-1至15-m输出的信号将栅极信号输出到对应的输出晶体管。当用于操作功率输出单元110a的信号从对应的栅极驱动电路15-1至15-m输出时，栅极隔离电路17-1至17-m输出用于导通对应的输出晶体管a1、b1、a1'、b1'至am、bm、am'、bm'的栅极信号。

栅极放电电路19-1至19-m和19-1'至19-m'分别连接到对应单元c1至cm和c1'至cm'的输出晶体管a1、b1至am、bm以及a1'、b1'至am'、bm'的栅极端子和漏极端子。

如图12所示，故障检测电路121-1至121-m的输入侧分别连接到微计算机103和对应的输出晶体管a1、b1、a1'、b1'至am、bm、am'、bm'的源极端子。故障检测电路121-1至121-m的输出侧分别连接到熔断信号输出电路23和异常信号输出电路25。

图13是示出根据第二实施例的示例性故障检测电路的电路图。故障检测电路121-1至121-m具有相同的基本配置，除了对应的单元彼此不同以外。因此，下面将以故障检测电路121-1为例描述故障检测电路的配置。

故障检测电路121-1对应于一对单元c1和c1'而被设置，并且通过比较单元c1和c1'的源极电压来检测在单元c1和c1'中包括的输出晶体管的故障。类似地，分别对应于成对单元c2、c2'至cm、cm'提供了故障检测电路121-2至121-m。

如图13所示，故障检测电路121-1包括对应于单元c1的输出电压监视单元122、对应于单元c1'的输出电压监视单元122'等。输出电压监视单元122包括导通时间输出电压监视单元122a、截止时间输出电压监视单元122b、开关131和133以及比较器135。输出电压监视单元122'包括导通时间输出电压监视单元122'a、截止时间输出电压监视单元122'b、开关131'和133'和比较器135'。

导通时间输出电压监视单元122a和122'a是用于当电源控制器件110导通时监视单元c1和c1'的源极电压的功能块。截止状态输出电压监视单元122b和122'b是用于当电源控制器件110截止时监视单元c1和c1'的源极电压的功能块。

导通状态输出电压监视单元122a包括电阻器r111、r112和恒流晶体管123、125。电阻器r111的一个端子连接到包括在单元c1'中的输出晶体管的源极端子。电阻器r111的另一个端子连接到恒流晶体管125的漏极端子。电阻器r111的另一个端子也连接到开关131的第一输入端子131b。

电阻器r112的一个端子连接到包括在单元c1中的输出晶体管的源极端子。电阻器r112的另一个端子连接到恒流晶体管123的漏极端子。电阻器r112的另一个端子也连接到开关133的第一输入端子133b。

电阻元件r111的电阻值被设定为小于电阻元件r112的电阻值的值，例如约1/2。电阻器r111的电阻值使得在正常状态下即使在单元c1和c1'之间的源极电压出现差异，开关131和133的第一输入端子131b和133b处的电压的大小关系也不会反转。此外，电阻元件r111的电阻值使得在发生故障时，开关131和133的第一输入端子131b和133b处的电压的大小关系也确保被反转。

恒流晶体管123和125的源极端子连接到内部电源端子110b。恒流晶体管123和125的栅极端子连接到恒流端子110n。预定电压(例如，7v电压)被施加到内部电源端子110b。恒流晶体管123和125由例如nmosfet形成。恒流晶体管123和125基于从恒流端子110n提供的信号来允许预定的恒定电流在源极和漏极之间流动。

截止状态输出电压监视单元122b包括电阻器r113、r114和恒流晶体管127、129。电阻器r113的一端连接到包括在单元c1中的输出晶体管的源极端子。电阻器r113的另一端子连接到恒流晶体管127的漏极端子。电阻器r113的另一个端子也连接到开关133的第二输入端子133c。

电阻器r114的一个端子连接到包括在单元c1'中的输出晶体管的源极端子。电阻器r114的另一个端子连接到恒流晶体管129的漏极端子。电阻器r114的另一个端子也连接到开关131的第二输入端子131c。

电阻元件r113的电阻值被设置为小于电阻元件r114的电阻值的值，例如约1/2。电阻器r113的电阻值使得即使在正常状态下在单元c1和c1'之间的源极电压中出现差异，开关131和133的第二输入端子131c和133c处的电压的大小关系也不会反转。此外，电阻元件r113的电阻值使得在发生故障时，开关131和133的第二输入端子131c和133c处的电压的大小关系确保被反转。

恒流晶体管127和129的源极端子连接到电源端子11。恒流晶体管127和129的栅极端子连接到恒流端子110p。电源端子11连接到电池5，并且将预定电压(例如，13v)施加到电源端子11。恒流晶体管127和129由例如pmosfet形成。恒流晶体管127和129基于从恒流端子110p提供的信号来允许预定的恒定电流在源极和漏极之间流动。

开关131的输出端子131a连接到比较器135的负端子。开关133的输出端子133a连接到比较器135的正端子。开关131和133例如是模拟开关。开关131通过例如与从微计算机103输出的输入信号互锁来切换连接到输出端子131a和133a的输入端子。

如图13所示，由于导通时间输出电压监视单元122'a和截止时间输出电压监视单元122'b具有与导通时间输出电压监视单元122a和截止时间输出电压监视单元122b相同的配置，故省略其详细说明。通过向导通时间输出电压监视单元122a和截止时间输出电压监视单元122b的符号添加引号“'”来得到导通时间输出电压监视单元122'a和截止时间输出电压监视单元122'b的部件的符号。

比较器135的输出端子连接到or电路137的第一输入端子。比较器135'的输出端子连接到or电路137的第二输入端子。or电路137的输出端子连接到熔断信号输出电路23。or电路137基于比较器135和135'的监视结果来输出预定的故障检测信号kd1。

类似地，故障检测电路121-2至121-m基于监视结果分别输出预定的故障检测信号kd2至kdm。

(检测导通状态下的故障的动作)(正常状态下的动作)接下来，将描述本实施例中的故障检测操作。图14是导通状态下的故障检测操作的说明图。在下文中，将以故障检测电路121-1为例来描述故障检测操作。当输入信号处于高电平时，电源控制器件110接通。此时，开关131和133分别将输出端子131a和133a连接到第一输入端子131b和133b。类似地，开关131'和133'分别将输出端子131'a和133'a连接到第一输入端子131'b和133'b。

如果在输出晶体管中没有发生故障，则单元c1和c1'的源极电压变为例如大约13v，并且变为基本相同的电压。内部电源端子110b的电压被设置为低于源极电压的恒定电压，例如，大约7v。电阻元件r111的电阻值小于电阻元件r112。因此，开关131的第一输入端子131b的电压变得高于开关133的第一输入端子133b的电压。因此，比较器135输出低电平信号。

类似地，在导通时间输出电压监视单元122'中，由于开关131'的第一输入端子131'b的电压高于开关133'的第一输入端子133'b的电压，比较器135'输出低电平信号。

从比较器135和135'输出的低电平信号被输入到or电路137的每个输入端子。因此，or电路137输出低电平信号。

接下来，将描述在单元c1的输出晶体管中发生故障的情况。例如，当单元c1的源极电压由于发生故障而下降时，开关133的第一输入端子133b的电压在输出电压监视单元122中下降。另一方面，开关131的第一输入端子131b的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135中，由于负侧端子具有比正侧端子高的电压，因此比较器135输出低电平信号。

另一方面，在输出电压监视单元122'中，开关131'的第一输入端子131'b的电压降低。另一方面，开关133'的第一输入端子133'b的电压基本上与正常状态下的电压相同。因此，在比较器135'中，当正端子的电压变得高于负端子的电压时，比较器135'输出高电平信号。

or电路137基于从比较器135'输出的高电平信号输出高电平故障检测信号kd1。如上所述，当单元c1的源极电压下降时，输出电压监视单元122'检测到故障。

接下来，当单元c1的源极电压由于发生故障而上升时，开关133的第一输入端子133b的电压在导通时间输出电压监视单元122a中上升。另一方面，开关131的第一输入端子131b的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135中，当正端子的电压变得高于负端子的电压时，比较器135输出高电平信号。

另一方面，在输出电压监视单元122'中，开关131'的第一输入端子131'b的电压上升。另一方面，开关133'的第一输入端子133'b的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135'中，由于负侧端子具有比正侧端子高的电压，因此比较器135输出低电平信号。

or电路137基于从比较器135输出的高电平信号输出高电平的故障检测信号kd1。如上所述，当单元c1的源极电压上升时，输出电压监视单元122检测到故障。

接下来，将描述单元c1'的输出晶体管发生故障的情况。当单元c1'的源极电压由于发生故障而下降时，开关131的第一输入端子131b的电压在输出电压监视单元122中下降。另一方面，开关133的第一输入端子133b的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135中，当正端子的电压变得高于负端子的电压时，比较器135输出高电平信号。

另一方面，在输出电压监视单元122'中，开关133'的第一输入端子133'b的电压降低。另一方面，开关131'的第一输入端子131'b的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135'中，由于负侧端子具有比正侧端子高的电压，因此比较器135'输出低电平信号。

or电路137基于从比较器135输出的高电平信号来输出高电平的故障检测信号kd1。如上所述，当单元c1'的源极电压下降时，输出电压监视单元122检测到故障。

接下来，当单元c1'的源极电压由于故障的发生而上升时，开关133'的第一输入端子133'b的电压在导通时间输出电压监视单元122'a中上升。另一方面，开关131'的第一输入端子131'b的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135'中，由于正侧端子具有比负侧端子高的电压，因此比较器135'输出高电平信号。

另一方面，在输出电压监视单元122中，开关131的第一输入端子131b的电压上升。另一方面，开关133的第一输入端子133b的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135中，由于负侧端子具有比正侧端子高的电压，因此比较器135输出低电平信号。

or电路137基于从比较器135'输出的高电平信号来输出高电平的故障检测信号kd1。当单元c1'的源极电压以这种方式上升时，输出电压监视单元122'检测到故障。

图15是截止状态下的故障检测操作的说明图。当输入信号处于低电平时，电源控制器件110截止。此时，开关131和133分别将输出端子131a和133a连接到第二输入端子131c和133c。类似地，开关131'和133'分别将输出端子131'a和133'a连接到第二输入端子131'c和133'c。

如果在输出晶体管中没有发生故障，则单元c1和c1'的源极电压例如在0v的量级，并且变为彼此大致相同的电压。电源端子11的电压设定为高于源极电压的恒定电压，例如约13v。电阻元件r113的电阻值小于电阻元件r114。因此，开关131的第二输入端子131c的电压变得高于开关133的第二输入端子133c的电压。因此，比较器135输出低电平信号。

类似地，在输出电压监视单元122'中，由于开关131'的第二输入端子131'c的电压高于开关133'的第二输入端子133'c的电压，因此比较器135'输出低电平信号。or电路137输出低电平信号。

接下来，将描述在截止状态下在单元c1的输出晶体管中发生故障的情况。当单元c1的源极电压由于故障的发生而上升时，开关133的第二输入端子133c的电压在输出电压监视单元122中上升。另一方面，开关131的第二输入端子131c的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135中，当正端子的电压变得高于负端子的电压时，比较器135输出高电平信号。

另一方面，在输出电压监视单元122'中，开关131'的第二输入端子131'c的电压上升。另一方面，开关133'的第二输入端子133'c的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135'中，由于负侧端子具有比正侧端子高的电压，因此比较器135'输出低电平信号。

or电路137基于从比较器135输出的高电平信号来输出高电平的故障检测信号kd1。如上所述，当单元c1的源极电压上升时，输出电压监视单元122检测到故障。

接下来，将描述单元c1'的输出晶体管发生故障的情况。当单元c1'的源极电压由于故障的发生而上升时，开关131的第二输入端子131c的电压在输出电压监视单元122中上升。另一方面，开关133的第二输入端子133c的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135中，由于负侧端子具有比正侧端子高的电压，因此比较器135输出低电平信号。

另一方面，在输出电压监视单元122'中，开关133'的第二输入端子133'c的电压上升。另一方面，开关131'的第二输入端子131c的电压与正常状态下的电压基本相同。因此，在比较器135'中，当正端子的电压变得高于负端子的电压时，比较器135'输出高电平信号。

or电路137基于从比较器135'输出的高电平信号来输出高电平的故障检测信号kd1。当单元c1'的源极电压以这种方式上升时，输出电压监视单元122'检测到故障。

故障检测电路121-1通过根据输入信号的电平来切换开关，执行在导通状态和截止状态二者中的输出晶体管的故障检测。

类似地，其他故障检测电路121-2至121-n对对应的单元c2、c2'至cm、cm'执行故障检测操作，并在检测到故障时输出高电平的故障检测信号kd2至kdm。。

图16是列出图13的故障检测电路的操作的表。与图4类似，图16示出了输出晶体管的状态(正常或故障)、来自微计算机3的输入信号、输出晶体管的源极电压、故障检测电路121的逻辑(确定结果)和故障检测信号。如图16所示，在本实施例中，即使在导通状态下，也检测输出晶体管的故障。

当从故障检测电路121-1至121-n输出任何一个故障检测信号时，熔断信号输出电路23执行导线熔断处理。导线熔断处理基本上与第一实施例的相同。更具体地说，熔断信号输出电路23按照例如栅极驱动电路15-1、15-2...15-m的顺序依次输出熔断信号。

当熔断信号输入到对应的栅极驱动电路15-1至15-m时，栅极隔离电路17-1至17-m输出栅极信号，用于使对应的一对单元的输出晶体管导通预定时段。结果，对于每一对单元顺序地执行导线熔断处理。

同样在本实施例中，如果在导线熔断处理完成之后不能检测到键合导线的熔断，则输出晶体管的导通时间被设置为长，并且再次执行导线熔断处理。

在本实施例中，同时导通的输出晶体管的数量是同时导通的输出晶体管数量的两倍，即，导通的输出晶体管的数量是同时导通的输出晶体管的数量(即第一实施例)的两倍。因此，栅极隔离电路17-1至17-m可以仅导通一对单元中的一个单元的输出晶体管，并且然后仅导通另一个单元的输出晶体管。以这种方式，可以执行导线熔断处理。

根据本实施例，故障检测电路121(121-1至121-m)通过比较一对单元的源极电压来检测功率控制器件110(输出晶体管)的故障。根据该配置，即使当输出晶体管处于导通状态时，也可以检测输出晶体管的故障。

接下来，将描述第三实施例。本实施例将描述一种半导体器件，其中仅在包括故障的输出晶体管的一对单元上执行导线熔断处理。

图17是示出根据第三实施例的功率控制器件的示例性配置的电路图。功率控制器件210安装在例如图11的半导体器件101上。如图17所示，功率控制器件210包括功率输出单元110a和控制单元210b。

控制单元210b与图12的控制单元110b不同在于，提供了多个熔断信号输出电路23-1至23-m并提供了or电路226。

熔断信号输出电路23-1至23-m被设置为分别对应于故障检测电路121-1至121-m。熔断信号输出电路23-1至23-m的配置与图2和图12的熔断信号输出电路23的配置相同。熔断信号输出电路23-1至23-m的输入侧分别连接到对应的故障检测电路121-1至121-m。熔断信号输出电路23-1至23-m的输出侧分别连接到对应的栅极驱动电路15-1至15-m。熔断信号输出电路23-1至23-m分别连接到导线熔断检测电路27。

当故障检测信号kd1至kdn从对应的故障检测电路121-1至121-m输出时，熔断信号输出电路23-1至23-m将熔断信号f1至fm输出到对应的栅极驱动电路15-1至15-m。

or电路226是如下功能块：当从任何故障检测电路输出故障检测信号时，通知已检测到故障的异常信号。or电路226的输入端子分别连接到故障检测电路121-1到121-m。or电路226的输出端子连接到异常信号输出电路。例如，or电路226可以通过组合多个2输入或3输入or电路来配置，或者如果故障检测电路的数量少，则可以仅通过m个输入的or电路来配置。

由于故障检测操作与该实施例的相同，因此省略其描述。当故障检测信号kd2从任何一个故障检测电路(例如，121-2)输出时，对应的熔断信号输出电路23-2将熔断信号f2输出到对应的栅极驱动电路15-2。此时，所有栅极驱动电路15-1至15-m基于异常信号和故障检测信号kd2来忽略输入信号。

基于熔断信号f2，栅极驱动电路15-2经由栅极隔离电路19-2仅使单元c2和c2'的输出晶体管导通预定时段。结果，单元c2的键合导线bw2和单元c2'的键合导线bw2'被熔断并切断。当键合导线bw2、bw2'熔断时，导线熔断检测电路27检测到导线熔断并输出对应的导线熔断检测信号fd2。

当在输出熔断信号f2的预定时段内没有输出导线熔断检测信号fd2时，熔断信号输出电路23-2以已经描述的方式将输出晶体管的导通时间(熔断信号的输出时间)设定为长，并且在单元c2和c2'上再次执行导线熔断处理。当输出导线熔断检测信号fd2时，切断信号输出电路23-2可以停止切断信号f2的输出。

当导线熔断处理完成时，其他栅极驱动电路15-1和15-3至15-m基于输入的信号恢复正常操作，例如，基于诸如熔断检测信号的信号，例如fd2。

当同时输出多个故障检测信号时，顺序地执行与每个故障检测信号对应的导线熔断处理。当所有这些导线熔断处理完成时，开始正常操作。

根据本实施例，仅对已经检测到故障的一对单元的输出晶体管执行导线熔断处理。根据该配置，可以仅断开已经检测到故障的一对单元，并且通过剩余的正常单元继续负载的操作。

接下来，将描述第四实施例。在本实施例中，将描述通过pwm(脉宽调制)控制来执行导线熔断处理的半导体器件。

图18是示出根据本第四实施例的功率控制器件的示例性配置的电路图。如图18所示，功率控制器件310包括功率输出单元310a和控制单元310b。功率输出单元310a仅包括图2的功率输出单元10a的单元c1。

将控制单元310b与图2进行比较，仅提供一个栅极驱动电路、一个栅极隔离电路和一个栅极放电电路。控制单元310b的其他电路配置与图2的相同。

当故障检测电路21输出故障检测信号时，熔断信号输出电路23将熔断信号输出到栅极驱动电路15-1。然后，栅极驱动电路15-1执行导线熔断处理，以通过pwm控制提高用于驱动单元c1的输出晶体管a1和b1的输入信号的占空比。例如，栅极驱动电路15-1通过将输入信号的占空比设置为100％来执行导线熔断处理。

栅极驱动电路15-1在输出熔断信号的预定时段内将输入信号的占空比设置为100％。当经过预定时段并且停止熔断信号的输出时，栅极驱动电路15-1将输入信号的占空比返回为正常状态。然而，由于单元c1的键合导线bw1被熔断，所以没有电流从电池流到负载。

当在预定时段内没有从导线熔断检测电路27输出导线熔断检测信号时，熔断信号输出电路23将熔断信号的输出时间设置为长，并且再次执行导线熔断处理。

根据本实施例，栅极驱动电路15仅包括一个单元c1，并且栅极驱动电路15执行导线熔断处理，以通过pwm控制来提高输入信号的占空比。根据该配置，由于在故障检测时不需要用于忽略输入信号的控制，所以电流路径可以通过仅一个单元来隔离。此外，简化了电路配置。

输出晶体管驱动电路15-1通过将输入信号的占空比设置为100％来执行导线熔断处理。这使得可以在多个循环中执行导线熔断处理。

尽管已经基于实施例具体描述了由本发明人做出的发明，但是本发明不限于上述实施例，并且不用说，在不脱离其主旨的情况下可以进行各种修改。