专利名称：电子器件,尤其是以声表面波工作的器件－ofw器件的制作方法
上述发明根据权利要求1前序部分所述涉及一电子器件，尤其是以声表面被工作的器件-OFW器件。
在老的德国专利申请P4415411.9中描述了用于电子器件的罩盖，尤其是用于以声表面波工作的器件-OFW器件，其具有位于封闭基体的盖帽上的器件结构，其中，该盖帽通过位于基体上的底盖构成，其在器件结构的范围内含有用于接收的凹槽。该器件结构通过此类的盖帽尽最大可能地保护了外界环境的影响，该结构通过位于压电基体上的导电结构构成。这主要用在老的德国专利申请中给出的罩盖材料中。然而此保护层却不能足够抵制气体、水蒸汽的扩散和一定的化学物质进入。在某种材料的情况下，该罩盖可以明显地用于水蒸汽扩散。以此并且通过化学物质并不能进一步保护该频率的稳定。
上述发明的任务在于，给出用于上述老专利中可知的封闭电子器件的措施，以此可以有效地保护以气体扩散，尤其是水蒸汽扩散以及其他化学物质形式的外境环境影响。
此任务通过权利要求1和2的特征部分的特征按照本发明的前述的电子器件解决。
本发明的改进结构位于从属权利要求中。
下面借助附图中所述的实施例详细解释本发明。
图1按照本发明的第一实施例保护气体扩散的OFW器件的示意性措施，图2按照本发明的措施保护气体扩散的相应于图1的示意性描述，图3图2实施例中的示意性部分描述的俯视图。
按照图1，上述技术中以原理性描述的OFW器件通过压电基体构成，其位于导电结构2上。在此导电结构中例如涉及叉指换能器、谐振器或反射器的电极指。如同开头所述的老德国专利申请所述，该导电结构2在基体1上通过罩盖4封闭，该导电结构2位于基体1上。
为了该导电结构2抵御气体扩散，尤其是水蒸汽扩散或其他的化学物质，其通过气体扩散阻挡或内部保护层3覆盖。对于此类的保护层3，材料层的顺序考虑使用本发明的改进结构。
按照本发明的实施例，保护层3是由导电结构2的氧化材料构成的薄层。因为该导电结构一般电铝构成，该绝缘层可以有利地由氧化铝(Al2O3)构成。
考虑使用对于保护层3以及导电结构2的氧化材料不同的氧化物，例如氧化硅。另外，保护层3也可以通过镍，例如硅镍构成。一般地，构成保护层3的内材料层是由成组的氧化组、镍、碳、氧化镍、硫化物、硒化物或碲化物构成。
如图2所示，在本发明的其他改进结构中，附加覆盖导电结构2的保护层3含有基体1和以保护层3覆盖的导电结构2覆盖的其它保护层5。对于此保护层5考虑使用已经论及的材料层。如图3所示，此保护层覆盖基体1和以保护层3覆盖的具有连接面7的凹槽的导电结构2。在图3中没有详细描述图1和图2中的可选择覆盖导电结构2的保护层3。
在本发明的改进中附加描述的保护层3和5在罩盖上还含有保护层6，其气体扩散也是受限制的。为了清楚起见，在位于罩盖4上的此保护层6可以是选择性的实施结构，其在图2中划出。
保护层6也可以使用上述的材料层。在此材料层中也可以使用有机树脂，其一般对于所有所述的保护层3、5和6适用。
上述技术中的保护层的有利的制造方法为电磁生成，其中在电化学生成的氧化物的情况下，稳定性是通过相位辐射和/或UV辐射形成以及通过离子射击生成。该保护层是由Al2O3或AlN形成，以实现O--或N--的离子射击。
为了保护层的附加沉积阻挡，可以通过金属有机物进行连接，例如硅烷。
该层的厚度以及滤波性能的确定可以通过其它的层结构或层去除量实现。
导电结构2能够含有Al，Al+Si或Al+Ta。
权利要求
1.电子器件，尤其是以声表面波工作的器件-OFW器件，具有位于基体(1)的上表面上的导电结构(2)和位于基体(1)上的与导电结构(2)相连的罩盖(4)，其特征在于，导电结构(2)通过阻挡气体扩散的保护层(3)覆盖。
2.电子器件，尤其是以声表面波工作的器件-OFW器件，具有位于基体(1)的上表面上的导电结构(2)和位于基体(1)上的与导电结构(2)相连的罩盖(4)，其特征在于，至少该导电结构(2)是通过惰性的保护层(3)覆盖。
3.如权利要求1和/或2的器件，其特征在于，作为保护层(3)含有一由氧化物、镍、碳、氧化镍、硫化物、硒化物或碲化物所组成的有机惰性材料所组成的层。
4.如权利要求1到3之一的器件，其特征在于，作为保护层(3)含有由导电结构(2)的金属氧化物构成的层。
5.如权利要求1到3之一的器件，其特征在于，作为保护层(3)含有与导电结构(2)的金属的氧化物不同的氧化物所构成的层。
6.如权利要求5的器件，其特征在于，含有与导电结构(2)的金属的氧化物不同的氧化物-氧化硅。
7.如权利要求1到3之一的器件，其特征在于，作为保护层(3)含有镍层。
8.如权利要求7的器件，其特征在于，作为镍含有硅-镍。
9.如权利要求1到8之一的器件，其特征在于，基体(1)和由保护层(3)覆盖的具有用于导电结构(2)的连结面(7)-焊片-的凹槽的导电结构(2)通过附加的保护层(5)覆盖。
10.如权利要求1到9之一的器件，其特征在于，含有一个抵抗环境影响的保护层(6)。
11.如权利要求10的器件，其特征在于，罩盖(4)上的保护层(6)通过权利要求2到8的材料构成。
12.如权利要求1、9和10的器件，其特征在于，至少一层(3，5，6)是由有机的树脂构成。
13.如权利要求1到12之一的器件，其特征在于，该导电结构(2)含有Al，Al+Si或Al+Ta。
14.生产如权利要求1到13之一所述的器件的方法，其特征在于，至少一个保护层(3，5，6)是由电磁产生。
15.如权利要求14的方法，其特征在于，电磁产生的氧化物通过相位辐射和/或UV辐射进行稳定。
16.生产如权利要求1到13之一所述的器件的方法，其特征在于，至少一个保护层(3，5，6)是由离子射击形成。
17.如权利要求16的方法，其特征在于，通过O--或N--的离子射击实现由Al2O3或AlN构成的保护层(3，5，6)。
18.如权利要求14到17的方法，其特征在于，反作用组是由金属有机物的连接构成。
19.如权利要求18的方法，其特征在于，使用硅作为金属有机物的连接。
20.如权利要求14到19的方法，其特征在于，使用其它的层结构或层去除量来实现确定该保护层(3，5，6)的厚度。
全文摘要
在电子器件中,尤其是具有位于基体(1)上的导电结构(2)的和与此相连的位于基体(1)上的罩盖(4)的OFW器件中;至少该导电结构(2)通过阻挡气体扩散的和惰性保护层(3)进行覆盖。
文档编号H03H9/25GK1209225SQ96199940
公开日1999年2月24日 申请日期1996年12月16日 优先权日1995年12月21日
发明者W·帕尔, A·斯特泽尔, H·克吕格尔, J·马吹 申请人:西门子松下部件公司