抗冲击石英晶体谐振器的制作方法

文档序号:7533270阅读:385来源:国知局
专利名称:抗冲击石英晶体谐振器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种压电晶体类的石英晶体谐振器电子器件,特别适合于高加速度条件下的无线电工程或武器装备中作稳频及计数的晶体谐振器器件。
目前,石英晶体谐振器大都采用弹簧或弹簧片做晶体片支架的固定,并用金属外壳或玻璃外壳进行封装,这种结构制作的石英晶体谐振器其抗冲击程度都比较低,一般只能达到几十G到几千G加速度的水平,对于一些特殊无线电工程和武器装备中所需要用的石英晶体谐振器,则抗冲击加速度要达到几万G,因此目前市场上使用的石英晶体谐振器结构无法达到抗加速度要求和满足使用,而且金属外壳及玻璃外壳封装体积大,无法用在特殊要求场合。
本实用新型的目的在于避免上述背景技术中的不足之处而提供一种将晶体片直接粘接固定在壳座上的抗冲击加速度高达几万G的抗冲击石英晶体谐振器,并本实用新型还具有性能高稳定度、工艺结构简单可靠、超薄型、小型化、成本低廉,便于批量生产等特点。
本实用新型的目的是这样实现的它由上盖1、底座2、晶体片3、上电极4、下电极5、上电极膜6、下电极膜7构成,其中底座2为凹槽结构,晶体片3边缘粘接固定在底座2的凹槽内,上盖1与底座2用环氧树脂粘接固定封装,晶体片3的上下面蒸发金属加工上电极膜6、下电极膜7,底座2两侧边上分别绕结与上电极膜6、下电极膜7连接的上电极4、下电极5。并本实用新型上盖1、底座2壳体可制作成园型、方型或条型结构状。上盖1、底座2可采用陶瓷材料、石英材料制作。
本实用新型相比背景技术有如下优点1.本实用新型将晶体片3直接粘接固定在壳体底座2上,因此抗冲击加速度高,可高达几万G。而且能实现性能高稳定度,满足特殊高加速度场合使用。
2.本实用新型采用上盖1与底座2整体粘接封装,因此结构简单可靠、能实现超薄型、小型化,而且工作频率范围宽,可高达6MHz至100MHz。
3.本实用新型可制作成园型、方型或条型等多种形状的系列产品,而且制作工艺简单,达到成本低廉,便于批量生产。
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细描述。


图1是本实用新型一种方型结构实施例的结构示意图。
图2是本实用新型图1沿A—A线剖视结构示意图。
参照图1,图2,本实用新型由上盖1、底座2、晶体片3、上电极4、下电极5、上电极膜6、下电极膜7构成。其中底座2为凹槽结构,实施例底座2采用陶瓷材料制作成方型结构,其尺寸长×宽为12×12毫米、厚度为3毫米。晶体片3边缘用导电胶粘接固定在底座2的凹槽内,实施例晶体片3采用通用的晶体加工工艺加工而成,晶体片3的厚薄、尺寸主要由用户工作频率决定。实施例晶体片3尺寸稍小于底座2凹槽边框尺寸。
晶体片3的上下面用真空镀膜机采用真空镀膜方法蒸发金属加工上电极膜6、下电极膜7,上下电极膜6、7的作用是在其两端加上电场后使晶体片3产生振荡。上盖1与底座2用环氧树指粘接固定封装,上盖1与底座2直接构成了本实用新型结构的壳体,实施例上盖1采用0.5毫米厚的陶瓷片制作,其尺寸与底座2尺寸相同,长×宽为12×12毫米。底座2两侧边上分别烧结与上电极膜6、下电极膜7连接的上电极4、下电极5,上下电极4、5用作晶体片3电极引线,与外接电路连接。实施例上电极4、下电极5可制成无引线结构,也可制作有引线结构,根据用户要求而定。实施例烧结上下电极4、5采用普通“马福炉”设备进行加工。
本实用新型上盖1、底座2根据用户要求还可制作成园型结构状、或条型结构状,既可采用陶瓷材料制作,也可采用石英材料制作,根据用户的工作频率要求制作成系列产品,实施例上盖1、底座2采用陶瓷材料制作。本实用新型产品经试验测试抗冲击加速度可达2万G以上。
权利要求1.一种抗冲击石英晶体谐振器,它包括晶体片(3)、上电极(4)、下电极(5)、上电极膜(6)、下电极膜(7),其特征在于它还包括上盖(1)、底座(2),其中底座(2)为凹槽结构,晶体片(3)边缘粘接固定在底座(2)的凹槽内,上盖(1)与底座(2)用环氧树指粘接固定封装,晶体片(3)上下面蒸发金属加工上电极膜(6)、下电极膜(7),底座(2)两侧边上分别烧结与上电极膜(6)、下电极膜(7)连接的上电极(4)、下电极(5)。
2.根据权利要求1所述的抗冲击石英晶体谐振器,其特征在于上盖(1)、底座(2)壳体可制作成园型、方型或条型结构状。
3.根据权利要求1或2所述的抗冲击石英晶体谐振器,其特征在于上盖(1)、底座(2)可采用陶瓷材料、石英材料制作。
专利摘要本实用新型公开了一种抗冲击石英晶体谐振器,它由上盖、底座、晶体片、上下电极膜、上下电极构成。采用晶体片直接粘接固定在底座上,达到高达几万G的抗冲击加速度,它的上盖、底座壳体可制作成圆型、方型或条型结构状的系列产品。采用陶瓷或石英材料封装实现小型化、超薄型。它还具有性能高稳定度、工艺结构简单可靠、成本低廉,便于批量生产等特点,特别适合高加速度条件下的无线电工程或武器装备等作晶体谐振器器件。
文档编号H03H9/15GK2287352SQ9721298
公开日1998年8月5日 申请日期1997年4月4日 优先权日1997年4月4日
发明者马京路, 张笑阳, 张振友, 吴策 申请人:电子工业部第五十四研究所
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