0—致，包括:支撑板210、超导屏蔽层220、增强屏蔽层230、制冷层240。这里的支撑板210可以为如图6所示的碗状，也可以为平板状。支撑板210以及盖体的具体形状并不影响本发明的保护范围。
[0057]具体的，超导屏蔽层220的结构可以与上述的超导屏蔽层120—致。如图7所示，在支撑板210上沿相互垂直的两个方向贴附超导带220a以形成超导屏蔽层220，同样的可以贴附高磁导率合金带材形成增强屏蔽层230。或者也可以在一体形成的支撑物上涂覆超导材料和高磁导率合金材料。
[0058]作为一种可选的方式，这里的制冷层可以为具有真空夹层的无磁不锈钢结构。这样一方面可以实现隔热，保证对超导屏蔽层的制冷效果，另一方面无磁的不锈钢结构也可以进一步减少对被保护元器件的干扰。
[0059]在具体实施时，可以使用液氮对制冷层进行浸泡，实现制冷。此时这里的可以为由钇系YBCO或铋系BSCCO等高温超导材料制作。
[0060]实施例二
[0061]如图8所示，为本发明实施例二提供的磁屏蔽装置的结构示意图。与实施例一不同，本发明实施例二中超导屏蔽层120本身是由超导材料制作的圆形筒状结构，不单独设置一个圆形支撑筒。具体的，该圆形筒状结构可以是对整块的超导块材进行挖洞形成的。更进一步的，这里的超导块材可以为YBC0，Bi2212等高温超导块材。另外，还可以采用超低温的超导材料作为屏蔽层，如NbTi，NbTi的延展性好，适于进行机械加工，可以降低制作的难度。在具体实施时，在采用高温超导块材时可以使用液氮对制冷层进行浸泡，实现制冷，在采用低温超导材料时可以采用液氦进行浸泡，实现制冷。经仿真实验发现，这样的磁屏蔽装置的屏蔽能力可达140dB以上。
[0062]本发明实施例二提供的磁屏蔽装置的其他结构可以与实施例一中的磁屏蔽装置中的相应结构一致。
[0063]实施例三
[0064]如图9所示，为本发明实施例三提供的磁屏蔽装置的结构示意图。该磁屏蔽装置包括两个如图1所不的磁屏蔽壳体，且第一磁屏蔽壳体位于第二磁屏蔽壳体的内部，且两个筒状磁屏蔽壳体的轴向相互垂直。此时，各个磁屏蔽壳体可以不包含盖体。这样的结构能够进一步提升屏蔽能力。
[0065]本发明实施例三提供的磁屏蔽装置的其他结构可以与实施例一中的磁屏蔽装置中的相应结构一致。
[0066]实施例四
[0067]如图10所示，为本发明实施例四提供的磁屏蔽装置的结构示意图，与实施例一中的磁屏蔽装置不同的是，这里的磁屏蔽装置包括两层的超导屏蔽层102，以及两层的增强屏蔽层103。内层的增强屏蔽层103位于内层的超导屏蔽层102的外侧，且位于外层的超导屏蔽层102的内侧，外层的增强屏蔽层103位于外层的超导屏蔽层102的外侧。通过这样的结构，能够进一步增强屏蔽效果。当然在实际应用中，为了增强屏蔽效果，也可以设置多余两组的屏蔽层组合(每一个超导屏蔽层组合包括一层超导屏蔽层以及位于所述超导屏蔽层外侧的增强屏蔽层)。
[0068]本发明实施例四提供的磁屏蔽装置的其他结构可以与实施例一中的磁屏蔽装置中的相应结构一致。
[0069]实施例五
[0070]如图11所示，为本发明实施例五提供的磁屏蔽装置的结构示意图，与实施例一、二、三、四的磁屏蔽装置不同的是，本发明实施例五提供的磁屏蔽装置为方筒形。如图11所示，为该屏蔽装置的主腔体100的结构示意图。此时，可以设置同为方形盖体200，也可以不设置盖体200。
[0071]本发明实施例五提供的磁屏蔽装置的其他结构可以与实施例一中的磁屏蔽装置中的相应结构一致。
[0072]综合上述各个实施例五可以看出，磁屏蔽装置可以为方筒形或者圆筒形，或者也可以为其他形状的筒结构。并且，本发明提供的磁屏蔽壳体也不必然设置为筒状，将本发明提供的磁屏蔽壳体制设置为其他形状(比如碗状等)同样能够达到提高屏蔽效果的效果。本发明中磁屏蔽装置的具体形状并不做限制。另外，本发明提供的磁屏蔽壳体并不必然的需要设置盖体。
[0073]另一方面，本发明还提供了:
[0074]Al，一种磁屏蔽装置，包括磁屏蔽壳体，所述磁屏蔽壳体包括超导屏蔽层以及位于所述超导屏蔽层外侧的增强屏蔽层，所述增强屏蔽层由包含高磁导率合金材料的材料制作。
[0075]A2、如Al所述的磁屏蔽装置，所述磁屏蔽壳体为筒状。
[0076]A3、如A2所述的磁屏蔽装置，其特征在于，筒状磁屏蔽壳体还包括支撑筒，所述超导屏蔽层和所述增强屏蔽层包括环绕在所述支撑筒外侧的环形部分。
[0077]A4、如A3所述的磁屏蔽装置，所述超导屏蔽的环形部分由超导带在所述支撑筒上环绕形成；和/或，
[0078]所述增强屏蔽层的环形部分高磁导率合金材料带在所述支撑筒上环绕形成。
[0079]A5、如A4所述的磁屏蔽装置，环绕在所述支撑筒上的带材包括缠绕在所述支撑筒上的第一部分和沿轴向贴附在支撑筒上的第二部分。
[0080]A6、如A5所述的磁屏蔽装置，所述第一部分缠绕在第二部分的外侧。
[0081]A7、如A3所述的磁屏蔽装置，所述支撑筒为圆形，所述超导屏蔽层和所述增强屏蔽层的环形部分同轴环绕在圆形支撑筒的外侧。
[0082]AS、如A3所述的磁屏蔽装置，所述支撑筒的筒壁中设置有真空层。
[0083]A9、如A2所述的磁屏蔽装置，筒状磁屏蔽壳体还包括圆形金属筒，所述超导屏蔽层涂覆在所述圆形金属筒上，所述增强屏蔽层包括环绕在所述超导屏蔽层的外侧且与所述圆形金属筒同轴的环形部分。
[0084]A10、如A2所述的磁屏蔽装置，所述超导屏蔽层为由超导材料制作的圆形筒状结构，所述增强屏蔽层包括环绕在所述圆形筒状结构的外侧且与所述圆形筒状结构同轴的环形部分。
[0085]All、如A2-10任一项所述的磁屏蔽装置，筒状磁屏蔽壳体包括盖体，所述盖体位于所述长筒状磁屏蔽壳体的端部，用于屏蔽轴向上的磁场。
[0086]A12、如A2-10任一项所述的磁屏蔽装置，筒状磁屏蔽壳体的数目为两个，其中第一筒状磁屏蔽壳体位于第二个筒状磁屏蔽壳体形成的腔体内，且第一筒状磁屏蔽壳体的轴向与第二第二个筒状磁屏蔽壳体的轴向垂直。
[0087]A13、如Al所述的磁屏蔽装置，还包括:设置在磁屏蔽壳体上的导线过孔。
[0088]A14、如Al所述的磁屏蔽装置，所述磁屏蔽壳体还包括位于所述增强屏蔽层外侧的制冷层；所述制冷层为具有真空层的无磁不锈钢结构。
[0089]A15、如Al所述的磁屏蔽装置，所述超导屏蔽层由钇系YBCO、铋系BSCCO和NbTi合金中的一种或多种制作。
[0090]A16、如Al所述的磁屏蔽装置，所述磁屏蔽壳体包括至少两个屏蔽层组合，每一个屏蔽层组合包括一层超导屏蔽层以及位于所述超导屏蔽层外侧的增强屏蔽层。
[0091]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种磁屏蔽装置，其特征在于，包括磁屏蔽壳体，所述磁屏蔽壳体包括超导屏蔽层以及位于所述超导屏蔽层外侧的增强屏蔽层，所述增强屏蔽层由包含高磁导率合金材料的材料制作。
2.如权利要求1所述的磁屏蔽装置，其特征在于，所述磁屏蔽壳体为筒状。
3.如权利要求2所述的磁屏蔽装置，其特征在于，筒状磁屏蔽壳体还包括支撑筒，所述超导屏蔽层和所述增强屏蔽层包括环绕在所述支撑筒外侧的环形部分。
4.如权利要求3所述的磁屏蔽装置，其特征在于，所述超导屏蔽的环形部分由超导带在所述支撑筒上环绕形成；和/或， 所述增强屏蔽层的环形部分高磁导率合金材料带在所述支撑筒上环绕形成。
5.如权利要求4所述的磁屏蔽装置，其特征在于，环绕在所述支撑筒上的带材包括缠绕在所述支撑筒上的第一部分和沿轴向贴附在支撑筒上的第二部分。
6.如权利要求5所述的磁屏蔽装置，其特征在于，所述第一部分缠绕在第二部分的外侧。
7.如权利要求3所述的磁屏蔽装置，其特征在于，所述支撑筒为圆形，所述超导屏蔽层和所述增强屏蔽层的环形部分同轴环绕在圆形支撑筒的外侧。
8.如权利要求3所述的磁屏蔽装置，其特征在于，所述支撑筒的筒壁中设置有真空层。
9.如权利要求2所述的磁屏蔽装置，其特征在于，筒状磁屏蔽壳体还包括圆形金属筒，所述超导屏蔽层涂覆在所述圆形金属筒上，所述增强屏蔽层包括环绕在所述超导屏蔽层的外侧且与所述圆形金属筒同轴的环形部分。
10.如权利要求2所述的磁屏蔽装置，其特征在于，所述超导屏蔽层为由超导材料制作的圆形筒状结构，所述增强屏蔽层包括环绕在所述圆形筒状结构的外侧且与所述圆形筒状结构同轴的环形部分。
【专利摘要】本发明提供了一种磁屏蔽装置，包括磁屏蔽壳体，所述磁屏蔽壳体包括超导屏蔽层以及位于所述超导屏蔽层外侧的增强屏蔽层，所述增强屏蔽层由包含高磁导率合金材料的材料制作。本发明提供的磁屏蔽装置与现有技术中的磁屏蔽装置相比，屏蔽能力大幅提升。
【IPC分类】H05K9-00
【公开号】CN104640426
【申请号】CN201510055848
【发明人】高琦
【申请人】北京原力辰超导技术有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年2月3日