高而改变。
[0088] 图3-图4分别示出根据表1-4制备的且具有Imm厚度和2mm厚度的示例性组合物 的反射（R)、吸收（A)和透射（T)性质的图示。一方面，增加至ABS树脂的Metglas? 2705M 粉末体积负载可以使得在IGHz至20GHz范围内的反射和吸收升高，同时透射下降。作为一 个实例，具有2_厚度的组合物样品证实透射值相对于具有Imm厚度的较薄组合物样品低， 这部分由于用于反射、再反射和吸收EM波的路径长度升高。因此，可以改变组合物的厚度 用于操控组合物的透射。
[0089] -方面，如图5-图6所示，可以通过反射、吸收和/或透射数据的屏蔽效能计算来 定量透射。具体地，图5-6分别示出根据表1-4制备的且具有Imm厚度和2mm厚度的示例 性组合物的屏蔽效能性质的图示。一方面，在ABS中40vol%的Metglas 2705M下，屏蔽效 能是在-15dB或入射的EM波97%衰减。作为一个实例，在高负载（30-40vol%)下，不同 厚度的组合物的屏蔽效能基本上相同，表示具有足够填料的复合物的饱和度使得表面反射 相对于通过样品的再反射和吸收起支配作用。
[0090] -方面，如图7所示，可以通过比较不同厚度和体积负载的样品的阻抗数据进一 步证明饱和行为。具体地，图7示出了根据表1-4制备的示例性组合物的阻抗性质的图示。 一方面，对于具有高负载（30-40vol % )磁性有损耗填料的组合物样品，复合物在Imm厚度 和2mm厚度下的阻抗基本类似，表示表面反射率对两个厚度都是高的。作为参考，具有377 欧姆阻抗（自由空间（free space)的阻抗）的复合物允许EM波完全透射该厚度的复合物。 阻抗值越小，表面反射越大。在较低的体积负载（10-20vol%)下，电渗流不太可能发生且 组合物变得更具透射性，从而要求更大的厚度以使透射降低至与较高体积负载的样品可相 比。
[0091] 尽管结合优选的实施方案和具体的实施例已经描述了本方法和系统，但并不旨在 将范围限制于给出的【具体实施方式】，因为本文中的实施方式在所有方面旨在是示例性的而 非限制性的。
[0092] 除非另外明确指出，否则绝不希望将本文所述的任何方法解释为需要以特定顺序 进行其步骤。因此，在方法权利要求未实际列举其步骤所遵循的顺序或者未另外将步骤将 限制于具体顺序的权利要求或说明中具体陈述时，它在任何方面决不表示推断出顺序。这 表明了用于解释的任何可能的非表达基础，包括与步骤或操作流程的设置有关的逻辑事 件，源自语法组织或标点的普通含义，在说明书中描述的实施方式的数量或类型。
[0093] 在整个发明申请中，参考了多个公开物。在此，通过引用将这些出版物的全部公开 内容以其全部结合在本申请中，以便更全面地描述所述方法和系统所属领域的现有技术。
[0094] 对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不背离范围或精神的情况下，可以 进行各种修改和变化。对于本领域技术人员而言，通过考虑本文公开的说明书和实践，其他 实施方式将是显而易见的。该说明书和实施例应当认为仅是示例性的，真正范围和精神通 过随附的权利要求指出。
【主权项】
1. 一种用于形成在约IGHz至约20GHz频率范围的至少一部分内表现出能量耗散的组 合物的方法，所述方法包括： 处理磁性有损耗材料以增加所述材料的脆性； 将至少一部分的所述磁性有损耗材料加工成粉末；以及 将至少一部分的所述粉末与电介质树脂混合，其中，将所述粉末相对于所述组合物的 总体积的百分比体积配置为使得入射电磁辐射的耗散在约IGHz至约20GHz频率范围的至 少一部分内显著优化。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述磁性有损耗材料包括热处理。3. 根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中，处理所述磁性有损耗材料包括引发 至少一部分的所述磁性有损耗材料的大量结晶。4. 根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，在约350°C进行热处理。5. 根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述磁性有损耗材料包括Metglas 2705M〇6. 根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述磁性有损耗材料包括Metglas 2705M 带。7. 根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，加工至少一部分的所述磁性有损耗 材料包括磨制。8. 根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，加工至少一部分的所述磁性有损耗 材料包括冷冻磨制。9. 根据权利要求1-8中任一项所述的方法，进一步包括过滤至少一部分的所述粉末。10. 根据权利要求9所述的方法，其中，所过滤的粉末具有小于或等于250微米的平均 粒径。11. 根据权利要求9所述的方法，其中，所过滤的粉末具有小于或等于75微米的平均粒 径。12. 根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中，所述电介质树脂包括热塑性树脂。13. 根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中，所述粉末相对于所述组合物的总 体积的百分比体积是约10%至约40%。14. 根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中，所述粉末相对于所述组合物的总 体积的百分比体积是约30 %至约40 %。15. 根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中，所述粉末相对于所述组合物的总 体积的百分比体积是约10%至约20%。16. 由权利要求1-15中任一项所述的方法形成的组合物。17. -种在约IGHz至约20GHz频率范围的至少一部分内用于能量耗散行为的组合物， 所述组合物包含： 电介质；和 与至少一部分的所述电介质混合的磁性有损耗粉末，其中，将所述磁性有损耗粉末相 对于所述组合物的总体积的百分比体积配置为使得入射电磁辐射的耗散在约IGHz至约 20GHz频率范围的至少一部分内显著优化。18. 根据权利要求17所述的组合物，其中，所述磁性有损耗粉末具有小于或等于250微 米的平均粒径。19. 根据权利要求17-18中任一项所述的组合物，其中，所述磁性有损耗粉末具有小于 或等于75微米的平均粒径。20. 根据权利要求17-19中任一项所述的组合物，其中，所述电介质包括热塑性聚合 物。21. 根据权利要求17-20中任一项所述的组合物，其中，所述磁性有损耗粉末相对于所 述组合物的总体积的百分比体积是约10%至约40%。22. 根据权利要求17-21中任一项所述的组合物，其中，所述磁性有损耗粉末相对于所 述组合物的总体积的百分比体积是约30%至约40%。23. 根据权利要求17-22中任一项所述的组合物，其中，所述磁性有损耗粉末相对于所 述组合物的总体积的百分比体积是约10%至约20%。24. 根据权利要求17-23中任一项所述的组合物，其中，将所述组合物的厚度配置为使 所述入射电磁辐射的透射最小化。25. 根据权利要求17-24中任一项所述的组合物，其中，将所述磁性有损耗粉末相对于 所述组合物的总体积的百分比体积配置为使得入射至所述组合物的电磁辐射的反射、吸收 和透射中的一种或多种在约IGHz至约20GHz频率范围的至少一部分内显著优化。
【专利摘要】一种用于形成在约1GHz至约20GHz频率范围的至少一部分内表现出能量耗散的组合物的方法，可以包括处理磁性有损耗材料以增加材料的脆性，将至少一部分的磁性有损耗材料加工成粉末，以及混合至少一部分的粉末与电介质树脂，其中，将粉末相对于组合物的总体积的百分比体积配置为使得入射电磁辐射的耗散在约1GHz至约20GHz频率范围的至少一部分内显著优化。
【IPC分类】H05K9/00, C08K7/00, C08L55/02, C03C14/00, C08K3/08
【公开号】CN105075416
【申请号】CN201480004317
【发明人】达维德·路易斯·西莫内, 加里·史蒂芬·巴尔奇, 大卫·亚历山大·吉柏森, 哈罗德·杰·帕琴, 阿伦·劳伦斯·加纳, 格雷戈里·约翰·帕克, 谭啟, 弗朗西斯·约翰逊
【申请人】沙特基础全球技术有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2014年1月11日
【公告号】EP2944164A2, US20140197352, WO2014110465A2, WO2014110465A3