声波装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的某个方面涉及声波装置，特别地，涉及具有IDT的声波装置。
【背景技术】
[0002]近来，在以智能电话或移动电话为代表的移动通信装置中发展了高性能。例如，操纵从第三代系统快速转变成LTE (长期演进)。在LTE中，以较高速度执行大容量的数据通信。因此，高频分量所要求的规格变高。正要求的是使用声波装置减少滤波器或双工器的插入损耗。存在诸如表面声波装置的在压电基板上设置IDT (叉指换能器)的声波装置作为移动通信装置等中使用的声波装置。
[0003]日本专利申请公开 N0.2000-341073、N0.2003-87083、N0.2008-113273、N0.11-298286和N0.2013-518455公开了在表面声波装置中的IDT的开口方向上的IDT两侧设置格栅。
【发明内容】
[0004]根据本发明的一个方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括:IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中:在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面(slowness surface)具有凹型；所述格栅的电极指的占空比大于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度大于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度大于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指的节距小于IDT的电极指的节距；所述格栅的谐振频率与IDT的谐振频率基本上相同。
[0005]根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括:IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中:在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面具有凹型；所述格栅的电极指的占空比大于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度大于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度大于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指的节距小于IDT的电极指的节距；所述格栅的电极指和IDT的电极指借助弯曲区域彼此连接。
[0006]根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括:IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中:在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面具有凹型；所述格栅的电极指的占空比大于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度大于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度大于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指相对于所述开口方向倾斜。
[0007]根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括:IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中:在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面具有凸型；所述格栅的电极指的占空比小于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度小于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度小于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指的节距大于IDT的电极指的节距；所述格栅的谐振频率与IDT的谐振频率基本上相同。
[0008]根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括:IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中:在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面具有凸型；所述格栅的电极指的占空比小于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度小于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度小于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指的节距大于IDT的电极指的节距；所述格栅的电极指和IDT的电极指借助弯曲区域彼此连接。
【附图说明】
[0009]图1A示出根据第一比较例的声波装置的平面图；
[0010]图1B示出第一比较例的相对于频率的声波速度；
[0011]图2A至图2C示出相对于传播方向上的声波逆速度Sx的开口方向上的声波逆速度Sy ;
[0012]图3A示出在传播方向上的第一比较例的逆速度面是凹型的情况下声波限于开口方向的频率范围；
[0013]图3B示出在传播方向上的第一比较例的逆速度面是凸型的情况下声波限于开口方向的频率范围；
[0014]图4示出第二比较例的传播方向的逆速度面是凹型的情况下声波限于开口方向的频率范围；
[0015]图5示出第一实施方式中的相对于频率的声波速度；
[0016]图6示出根据第一实施方式的声波装置的平面图；
[0017]图7示出第一实施方式的声波装置中的相对于归一化频率的声波速度；
[0018]图8示出根据第一实施方式的第一修改实施方式的声波装置的平面图；
[0019]图9示出根据第一实施方式的第二修改实施方式的声波装置的平面图；
[0020]图10示出根据第一实施方式的第三修改实施方式的声波装置的平面图；
[0021]图11示出相对于归一化频率的第一实施方式的声波装置中的声波的速度；
[0022]图12示出根据第一实施方式的第四修改实施方式的声波装置的平面图；
[0023]图13示出第三比较例的声波装置的平面图；
[0024]图14示出指示第一实施方式的第四修改实施方式和第三比较例的谐振器的反射特征(Sll)的史密斯圆图(smith chart)；
[0025]图15A示出根据第一实施方式的第五修改实施方式的声波装置的平面图；
[0026]图15B示出电极指的剖视图；
[0027]图16A示出根据第一实施方式的第六修改实施方式的声波装置的平面图；
[0028]图16B示出电极指的剖视图；
[0029]图17示出第二实施方式中的相对于频率的声波速度；
[0030]图18A示出根据第二实施方式的声波装置的平面图；
[0031]图18B示出沿着图18A的A-A线截取的剖视图；
[0032]图19A和图19B分别不出第二实施方式的第一修改实施方式和第二修改实施方式的声波装置的剖视图。
【具体实施方式】
[0033]当IDT的两侧设置格栅时，可抑制在开口方向上从IDT区域泄漏声波。因此，可抑制插入损耗。然而，对声波泄漏的抑制并不充分。
[0034]将描述表面声波的泄漏，表面声波的泄漏是抑制表面声波装置的低损耗的因素之一。图1A示出根据第一比较例的声波装置的平面图。图1B示出第一比较例的相对于频率的声波速度。如图1A中所示，第一比较例的声波装置具有在压电基板50上形成IDT 10的结构。IDT 10具有多个电极指12a和多个电极指12b。多个电极指12a和多个电极指12b分别连接到汇流条14a和汇流条14b。电极指12a和电极指12b基本上是交替设置的。表面声波的传播方向是传播方向。电极指12a和电极指12b的延伸方向是开口方向。传播方向垂直于开口方向。电极指12a与电极指12b的重叠区域是IDT区域20。汇流条14a和汇流条14b的区域是外围区域22。在IDT区域20和外围区域22之间设置间隙区域24。
[0035]如图1B中所示，在IDT区域20中，在谐振频率66是频率fr时，声波速度最小。在相对于谐振频率fr的高频侧，速度最大。速度最小的谐振频率和速度最大的频率之间的频带是阻带(stop band)。在阻带中出现反谐振频率67。在第一比较例中，夕卜围区域22是汇流条14a和汇流条14b并且具有均一结构。因此，外围区域22中的声波的速度是恒定的。
[0036]认为，当表面声波在传播方向上传播时，能量的部分在开口方向上泄漏，这是抑制表面声波装置的低损耗的因素之一。可以说明当IDT 10和汇流条14a和14b被视为表面声波的波导时开口方向上的能量泄漏。也就是说，基于在IDT区域20和外围区域22中传播的声波的速度的大小，确定声波的能量是否限于IDT区域20中。
[0037]图2A至图2C示出相对于传播方向上的声波逆速度Sx的开口方向上的声波逆速度Sy。逆速度是声波的相位速度的倒数。如图2A至图2C中所示，传播方向的声波逆速度被称为逆速度70。从X方向向着Y方向倾斜角度Θ的声波逆速度被称为逆速度72。反向速度70和72的边缘面是逆速度面76。X方向上的逆速度72的投影分量被称为投影分量74。在图2A中，投影分量74大于逆速度70。在这种情况下，逆速度面76具有相对于原点的凹型形状。在图2B中，投影分量74与逆速度70相同。在这种情况下，逆速度面76是平坦面。在