图2C中，投影分量74小于逆速度70。在这种情况下，逆速度面76具有相对于原点的凸型形状。
[0038]以此方式，当在相对于主传播方向的倾斜方向上传播的声波的主传播方向上的逆速度72的投影分量74大于在主传播方向上传播的声波的逆速度70时，逆速度面是凹型。当在相对于主传播方向的倾斜方向上传播的声波的主传播方向上的逆速度72的投影分量74小于在主传播方向上传播的声波的逆速度70时，逆速度面是凸型。逆速度面是凸型还是凹型由压电基板50的类型等来确定。例如，当使用旋转Y切LiTaO3基板时，类型是凹型。当使用旋转Y切LiNbO3基板时，类型是凸型。
[0039]图3A示出在传播方向上的第一比较例的逆速度面是凹型的情况下声波限于开口方向的频率范围。图3B示出在传播方向上的第一比较例的逆速度面是凸型的情况下声波限于开口方向的频率范围。实线指示IDT区域20中的声波速度。虚线指示外围区域22中的声波速度。如图3A和图3B中所示，声波在IDT区域20中的行为与图1B相同。因此，省略对行为的说明。在第一比较例中，外围区域22是汇流条14a和14b并且具有均一结构。因此，外围区域22中的声波速度是恒定的。
[0040]如图3A中所示，在凹型中，在IDT区域20中的声波速度大于外围区域22中的声波速度的频率范围60中，声波能量限于IDT区域20中。另一方面，在IDT区域20中的声波速度小于外围区域22中的声波速度的频率范围中，声波能量从IDT区域20泄漏到外围区域22。
[0041]如图3B中所示，在凸型中，在IDT区域20中的声波速度小于外围区域22中的声波速度的频率范围60中，声波能量限于IDT区域20中。另一方面，在IDT区域20中的声波速度大于外围区域22中的声波速度的频率范围中，声波能量从IDT区域20泄漏到外围区域22。
[0042]因此，在第二比较例中，如文献I的图6中所示，外围区域22具有格栅，格栅和电极指12a之间的占空比(线路的占有率)不同于格栅和电极指12b之间的占空比。在第二比较例中，在凹型中，在IDT中，格栅的占空比大于电极指的占空比。
[0043]图4示出第二比较例的传播方向的逆速度面是凹型的情况下声波限于开口方向的频率范围。如图4中所示，当格栅中的电极指的占空比放大时，外围区域22中的声波速度沿着阻带中的速度倾斜变小。因此，格栅的谐振频率66b转变到相对于IDT的谐振频率66a的低频侧。因此，在阻带外，外围区域22中的声波速度小于IDT区域20的声波速度。然而，在阻带中，外围区域22中的声波速度与IDT区域20的声波速度基本上相同。因此，声波能量限于IDT区域20中的频率范围60在阻带之外。此外，在本发明的发明人的模拟中，当IDT区域20的声波速度与外围区域22的声波速度一致时，声波能量泄漏到外围区域22是显著的。因此，在第二比较例中，在阻带中，能量损耗变大，插入损耗变大。
[0044][第一实施方式]
[0045]第一实施方式是凹型的示例。图5示出第一实施方式中的相对于频率的声波速度。如图5中所示，在第一实施方式中，外围区域22中的声波速度特征从第二比较例(虚线)转变到高频侧，如箭头64指示的。也就是说，第二比较例的外围区域22的谐振频率66b转变到谐振频率66c并且与IDT区域20的谐振频率66a —致。因此，在阻带中，外围区域22中的速度可小于IDT区域20中的速度。因此，可抑制声波能量泄漏到外围区域22。
[0046]图6示出根据第一实施方式的声波装置的平面图。如图6中所示，IDT 10、格栅15a和15b和由诸如铝膜或铜膜的金属膜制成的连接指18a和18b设置在压电基板50上。IDT 10的金属膜、格栅15a和15b和连接指18a和18b的厚度大致是均一的。压电基板50是凹型基板，例如，是旋转Y切LiTaO3基板。IDT 10具有电极指12a和12b。电极指12a和12b彼此重叠的区域是IDT区域20。向电极指12a和12b施加不同电压。因此，电极指12a和12b激发在传播方向上传播的表面声波。电极指12a和12b大致交替设置。当IDT10中的电极指12a和12b的节距和宽度分别是λ I和Wl时，电极指12a和12b的占空比是2XW1/A 10
[0047]格栅15a和15b分别形成在开口方向上的IDT区域20两侧的外围区域22中。格栅15a具有电极指16a和17a。格栅15b具有电极指16b和17b。电极指16a经由连接指18a连接至Ij电极指12a。电极指16b经由连接指18b连接到电极指12b。格栅15a和15b的电极指17a和17b是哑电极(dummy electrode)并且没有连接到电极指12a和12b。电极指16a和哑电极指17a大致交替设置。电极指16b和哑电极指17b大致交替设置。外围区域22的最靠外电极指和IDT区域20的最靠外电极指彼此分开地设置在传播方向上。当传播方向上的格栅15a和15b的电极指16a、16b、17a和17b的节距和宽度是λ 2和W2时，占空比是2XW2/A2。
[0048]IDT区域20和外围区域22之间的间隙是间隙区域24。在间隙区域24中，设置连接指18a和18b。IDT区域20的占空比不同于外围区域22的占空比。因此，连接指18a和18b具有梯形形状。IDT区域20的电极指的节距不同于外围区域22的电极指的节距。因此，电极指在连接指18a和18b中是弯曲的。
[0049]用下面的条件模拟第一实施方式的声波装置中的声波速度。
[0050]压电基板:旋转42度的Y切X传播LiTaO3基板
[0051]金属膜的材料:铝膜
[0052]IDT 的占空比:0.5
[0053]格栅的占空比:0.6
[0054]格栅的电极指的节距:λ 2 = 0.9968 X λ I
[0055]间隙区域24在开口方向上的宽度是例如λ I或更小并且比IDT区域20在开口方向上的宽度的20倍X λ?小得多。因此，可忽略间隙区域24。此后，同样适用。
[0056]图7示出第一实施方式的声波装置中的相对于归一化频率的声波速度。实线和虚线分别指示IDT区域20和外围区域22中的声波速度的模拟结果。如图7中所示，在包括阻带的整个频率范围内，外围区域22的声波速度小于IDT区域20的声波速度。在第一实施方式中，外围区域22中的电极指16a至电极指17b的占空比比IDT区域20中的大。因此，如在图5的第二比较例的情况中一样，阻带之外的频带中的外围区域22的声波被延迟。此外，外围区域22中的电极指16a至电极指17b的节距比IDT区域20中的小。因此，速度特征可转变到高频侧。因此，可抑制声波能量泄漏到外围区域22。
[0057]图8示出根据第一实施方式的第一修改实施方式的声波装置的平面图。如图8中所示，可在IDT区域20和外围区域22之间提供连接线路19a和连接线路19b，连接线路19a连接外围区域22的电极指16a和17a，连接线路19b连接电极指16b和17b。在这种情况下，连接指18a和18b不必弯曲。当连接线路19a和19b在开口方向上的宽度是λ I或更小时，可基本上忽略连接线路19a和19b的影响。其它结构与第一实施方式相同。因此，省略对这些结构的说明。
[0058]图9示出根据第一实施方式的第二修改实施方式的声波装置的平面图。如图9中所示，可在开口方向上的外围区域22之外设置连接线路19a和连接线路19b，连接线路19a连接外围区域22的电极指16a和17a，连接线路19b连接外围区域22的电极指16b和17b。在这种情况下，连接线路19a和连接线路19b在开口方向上的宽度是λ I或更小时，可基本上忽略连接线路19a和连接线路19b的影响。连接线路19a和连接线路19b可设置在开口方向上的外围区域22的中心附近。
[0059]反射器30设置在传播方向上的IDT 10的两侧。反射器30具有电极指32、电极指36、连接指38和连接线路39。电极指32设置在IDT区域20中。电极指36设置在外围区域22中。连接指38设置在间隙区域24中并且连接电极指32和电极指36。连接线路39连接电极指36。在反射器30中，外围区域22中的电极指36在传播方向上的宽度W2大于IDT区域20中的电极指32在传播方向上的宽度Wl。外围区域22中的电极指36在传播方向上的占空比2XW2/A2小于占空比2XW1/X I。其它结构与第一实施方式相同。因此，省略对这些结构的说明。反射器可设置在第一实施方式和第一实施方式的修改实施方式中。
[0060]图10示出根据第一实施方式的第三修改实施方式的声波装置的平面图。如图10中所示，格栅15a的电极指16a和17a的节距λ 2、格栅15b的电极指16b和17b的另一个节距λ 2、IDT 10的电极指12a和12b的节距λ I彼此相同。格栅15a和15b的电极指16a至1