7b相对于开口方向倾斜角度Θ。其它结构与第一实施方式相同。因此，省略对这些结构的说明。因此，当电极指16a至17b相对于开口方向倾斜时，格栅15a和15b的谐振频率可转变到高频侧。
[0061]用下面的条件模拟第一实施方式的第三修改实施方式的声波装置中的声波速度。
[0062]压电基板:旋转42度的Y切传播LiTaO3基板
[0063]金属膜的材料:招膜
[0064]IDT 的占空比:0.5
[0065]格栅的占空比:0.6
[0066]格栅的电极指的节距:λ 2 = λ I
[0067]格栅的电极指的角度Θ:5度
[0068]图11示出相对于归一化频率的第一实施方式的声波装置中的声波的速度。实线指示IDT区域20中的声波速度的模拟结果。虚线指示外围区域22中的声波速度的模拟结果。如图11中所示，在包括阻带的整个频率范围中，外围区域22中的声波速度小于IDT区域20中的声波速度。因此，可抑制声波能量泄漏到外围区域22。
[0069]在第一实施方式的第四修改实施方式中，构造谐振器。图12不出根据第一实施方式的第四修改实施方式的声波装置的平面图。如图12中所示，外围区域22的电极指16a至17b的节距与IDT区域20中相同。在IDT区域10和反射器30中，外围区域22的电极指16a至17b相对于开口方向倾斜。其它结构与第一实施方式的第二修改实施方式相同。因此，省略对这些结构的说明。
[0070]第一实施方式的第四修改实施方式的构造条件如下。
[0071 ] 压电基板:旋转42度的Y切X传播LiTaO3基板
[0072]金属膜的材料:招膜
[0073]金属膜的厚度:0.09 X λ I (常数)
[0074]IDT 的占空比:0.5
[0075]格栅的占空比:0.6
[0076]格栅的电极指的节距:入2 = λ I = 2 μπι
[0077]格栅的电极指的角度Θ:5度
[0078]IDT区域20和反射器30中的外围区域22的电极指的占空比、节距和角度与IDTlO相同。
[0079]图13示出第三比较例的声波装置的平面图。如图13中所示，在第三比较例中，没有形成格栅。设置汇流条14a和14b以及哑电极13a和13b。IDT 10的电极指12a和12b的占空比和节距与第一实施方式的第四修改实施方式的相同。
[0080]图14示出指示第一实施方式的第四修改实施方式和第三比较例的谐振器的反射特征(Sll)的史密斯圆图。如图14中所示，第一实施方式的第四修改实施方式的Sll相比于第三比较例的Sll更接近史密斯圆图的外周，在谐振频率附近。这指示第一实施方式的第四修改实施方式的插入损耗小于第三比较例的插入损耗。
[0081]在第一实施方式和第一实施方式的修改例中，当声波的主传播方向上的逆速度面是凹型时，格栅15a和15b的电极指16a至17b的占空比大于IDT 10中的电极指12a和12b的占空比。因此，如图5的第二比较例的情况中一样，阻带外的声波速度减小。在这种情况下，格栅15a和15b的谐振频率66b转变到相对于IDT的谐振频率66a的低频侧。因此，格栅15a和15b的电极指16a至17b的节距小于IDT 10的电极指12a和12b的节距。因此，如图5中所示，格栅15a和15b的谐振频率可转变到高频侧，从谐振频率66b转变到谐振频率66c。因此，在阻带中，外围区域22的声波速度可小于IDT区域20的声波速度。因此，可以抑制声波泄漏到外围区域22。
[0082]当谐振频率66c与谐振频率66a大不相同时，可出现外围区域22中的声波速度大于IDT区域20的声波速度的频带。因此，优选地，格栅15a和15b的谐振频率66c与IDT10的谐振频率66a基本上一致。谐振频率基本上一致意指，谐振频率66c与谐振频率66a一致，使得在阻带和其它带中，外围区域22中的声波速度小于IDT区域20的声波速度。为了实现谐振频率66c，优选地，外围区域22的电极指16a至17b的节距λ 2小于IDT区域20的电极指12a和12b的节距λ I并且等于节距λ?的0.9倍或更大。更优选地，节距λ 2小于节距λ I并且等于节距λ I的0.95倍或更大。更优选地，节距λ 2小于节距λ I并且等于节距λ I的0.98倍或更大。
[0083]为了形成节距λ 2和节距λ I之间的差异使得谐振频率66c与谐振频率66a基本上一致，外围区域22的电极指16a至17b在连接指18a和18b处弯曲并且连接到IDT区域20的电极指12a和12b。
[0084]此外，为了将谐振频率66b转变到谐振频率66c，格栅15a和15b的电极指16a至17b可相对于开口方向倾斜，如第一实施方式的第三修改实施方式的情况中一样。
[0085]图15A示出根据第一实施方式的第五修改实施方式的声波装置的平面图。图15B示出电极指的剖视图。如图15A和图15B中所示，形成外围区域22中的电极指16a至17b的金属膜40的厚度T2大于形成IDT区域20的电极指12a和12b的另一个金属膜40的厚度Tl。外围区域22的电极指16a至17b的占空比与IDT区域20的电极指12a和12b的占空比相同。外围区域22的电极指16a至17b的节距小于IDT区域20的电极指12a和12b的节距。其它结构与第一实施方式的第二修改实施方式的图9相同。因此，省略对这些结构的说明。
[0086]在第一实施方式的第五修改实施方式中，格栅15a和15b的电极指16a至17b的厚度T2大于IDT的电极指12a和12b的厚度Tl。因此，因质量载荷效应(mass-loadingeffect)，外围区域22的声波速度可小于IDT区域20的声波速度。因此，除了图4之外，也可实现频率和速度之间的关系。
[0087]图16A示出根据第一实施方式的第六修改实施方式的声波装置的平面图。图16B示出电极指的剖视图。如图16A和图16B中所示，外围区域22的金属膜40的厚度Tl与IDT区域20的金属膜40的厚度Ta相同。在外围区域22中，在金属膜40上添加具有厚度T3的附加膜42。附加膜42可以是诸如铝膜、铜膜或金膜的金属膜，或诸如氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜的电介质膜。外围区域22的电极指16a至17b的占空比与IDT区域20的电极指12a和12b的占空比相同。外围区域22的电极指16a至17b的节距小于IDT区域20的电极指12a和12b的节距。其它结构与第一实施方式的第五修改实施方式的图15A和图15B相同。因此，省略对这些结构的说明。
[0088]在第一实施方式的第六修改实施方式中，设置在格栅15a和15b的电极指16a至17b上的附加膜42的厚度T3大于设置在IDT 10的电极指12a和12b上的附加膜42的厚度。因此，外围区域22的声波速度可小于IDT区域20的声波速度。因此，因质量载荷效应，外围区域22中的声波速度可小于IDT区域20的声波速度。因此，除了图4之外，也可实现频率和速度之间的关系。如图16B中所示，IDT区域20可没有附加膜。
[0089]如第一实施方式的第五修改实施方式的情况一样，在第一实施方式的第一修改实施方式至第四修改实施方式中，电极指16a至17b的厚度可大于电极指12a和12b的厚度，而非电极指16a至17b的占空比大于电极指12a和12b的占空比。如第一实施方式的第六修改实施方式的情况一样，设置在电极指16a至17b上的附加膜42的厚度可大于设置在电极指12a和12b上的附加膜的厚度。
[0090][第二实施方式]
[0091]第二实施方式是凸型的示例。图17示出第二实施方式中的相对于频率的声波速度。实线指示IDT区域20中相对于频率的声波速度。在凸型中，外围区域22的电极指16a至17b的占空比小于IDT区域20的电极指12a和12b的占空比。因此，如图17的虚线(第三比较例)指示的，阻带外的外围区域22的声波速度可大于IDT区域的声波速度。
[0092]然而，在第三比较例中，在阻带中，外围区22的声波速度与IDT区域20的声波速度基本上相同。因此，如箭头65所指示的，外围区22的电极指16a至17b的谐振频率66b朝着低频侧转变到谐振频率66e。因此，在阻带内和阻带外，外围区22的声波速度可大于IDT区域20的声波速度。因此，可以抑制声波能量泄漏到外围区域22。
[0093]图18A示出根据第二实施方式的声波装置的平面图。图18B示出沿着图18A的A-A线截取的剖视图。如图18A中所示，外围区域22的电极指16a至17b的占空比小于IDT区域20的电极指12a和12b的占空比。因此，如图17的第三比较例的情况中一样，阻带外的外围区域22的声波速度可大于IDT区域20的声波速度。此外，外围区域22的电极指16a至