一种低互调高频模块基板的制作方法
【专利摘要】一种低互调高频模块基板，包括低互调高频模块绝缘介质材料层，在低互调高频模块绝缘介质材料层两面依次分别设有低互调玻璃布浸胶粘结片、反向铜箔层；本实用新型的有益效果是使用PTFE粉和TiO2粉混合，经球磨机球磨后制作的低互调高频模块绝缘介质材料层，具有互调干扰小，信号传输快的优点，且具有优良的机械强度、耐应力松弛、耐蠕变性、耐热性、耐水性、耐水蒸汽性、尺寸稳定性。采用表面粗糙度小于0.15微米的反向铜箔，则可以有效降低信号传输过程的阻力，减少谐波和组合频率分量的产生量。
【专利说明】
一种低互调高频模块基板
技术领域
[0001]本实用新型涉及电路板技术领域，尤其是涉及一种低互调高频模块基板。
【背景技术】
[0002]互调干扰是由传输信道中非线性电路产生的，当两个或多个不同频率的信号输入到非线性电路时，由于非线性器件的作用，会产生很多谐波和组合频率分量，其中与所需要的信号频率ω O相接近的组合频率分量会顺利通过接收机而形成干扰。
[0003]因此，在高频电路模块运用过程中传输信道中非线性电路产生的互调干扰越小，电路?目号的传输性能就越好。对此，如何制备一种具有低互调指标的尚频电路基板，提尚微波高频电路信号传输的优异性能，已经迫在眉睫，刻不容缓。
【实用新型内容】
[0004]为克服上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下:
[0005]—种低互调高频模块基板，包括低互调高频模块绝缘介质材料层，在低互调高频模块绝缘介质材料层两面依次分别设有低互调玻璃布浸胶粘结片、反向铜箔层，所述低互调高频模块绝缘介质材料层采用PTFE粉和Ti02粉按一定比例进行混合，经球磨机高温球磨一段时间形成。
[0006]本实用新型的有益效果是:使用PTFE粉和Ti02粉混合，经球磨机球磨后制作的低互调高频模块绝缘介质材料层，具有互调干扰小，信号传输快的优点，且具有优良的机械强度、耐应力松弛、耐蠕变性、耐热性、耐水性、耐水蒸汽性、尺寸稳定性。采用表面粗糙度小于
0.15微米的反向铜箔，则可以有效降低信号传输过程的阻力，减少谐波和组合频率分量的产生量。
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的结构不意图。
【具体实施方式】
[0008]如图1示，一种低互调高频模块基板，包括低互调高频模块绝缘介质材料层I，所述低互调高频模块绝缘介质材料层I上下两面依次分别设有低互调玻璃布浸胶粘结片2、反向铜箔层3，具有互调干扰小，信号传输快的优点，且具有优良的机械强度、耐应力松弛、耐蠕变性、耐热性、耐水性、耐水蒸汽性、尺寸稳定性，
[0009]所述低互调玻璃布浸胶粘结片2厚度小于12.5微米。
[00?0]所述反向铜箔层3由反向铜箔制成，厚度为35um-280umo
[0011]所述反向铜箔层3中的反向铜箔面粗糙度小于0.15微米，采用表面粗糙度小于
0.15微米的反向铜箔，则可以有效降低信号传输过程的阻力，减少谐波和组合频率分量的产生量。
[0012]实施例1:
[0013]一种低互调高频模块基板，包括低互调高频模块绝缘介质材料层I，所述低互调高频模块绝缘介质材料层I上下两面依次分别设有低互调玻璃布浸胶粘结片2、反向铜箔层3。所述低互调高频模块绝缘介质材料层I根据介电常数要求选择配比方案，采用PTFE粉和Ti02粉混合，按介质层厚度要求进行控制，经球磨机球磨28小时形成介质材料，然后将介质材料置于模具中经260?280°C高温压合形成低互调高频模块绝缘介质材料层I;所述低互调玻璃布浸胶粘结片2选取厚度小于12.5微米的玻璃纤维布放入PTFE分散液内经浸胶机进行预浸渍，然后在220?250°C高温烧结后制得;所述反向铜箔层3选用特殊制成的反向铜箔，铜箔表面粗糙度小于0.15微米，厚度为35um-280um的铜箔层，然后在330 ± 10°C高温环烧结后制得所述的低互调高频模块基板。
【主权项】
1.一种低互调高频模块基板，包括低互调高频模块绝缘介质材料层(I)，其特征在于:所述低互调高频模块绝缘介质材料层(I)上下两面依次分别设有低互调玻璃布浸胶粘结片(2)、反向铜箔层(3)。2.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块基板，其特征在于:所述低互调玻璃布浸胶粘结片(2)厚度小于12.5微米。3.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块基板，其特征在于:所述反向铜箔层(3)由反向铜箔制成，厚度为35um-280umo4.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块基板，其特征在于:所述反向铜箔层(3)中的反向铜箔面粗糙度小于0.15微米。
【文档编号】H05K1/02GK205491420SQ201620005087
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年1月6日
【发明人】刘兆, 李健凤, 施吉连, 李 瑞, 倪新军, 蒋文, 倪文波, 杨静, 朱华珍
【申请人】泰州市博泰电子有限公司